各向异性磁电阻的测量

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研究性实验报告——各向异性磁阻传感器与磁场测量

研究性实验报告——各向异性磁阻传感器与磁场测量

文档来源为:从网络收集整理.word版本可编辑.欢迎下载支持.基础物理学研究性实验报告题目:各向异性磁阻传感器(AMR)与地磁场测量第一作者:第二作者:学院:航空科学与工程学院专业:飞行器设计与工程班级:1105192013年5月14日1目录摘要 ............................................................................................... 错误!未定义书签。

关键词 ........................................................................................... 错误!未定义书签。

一、实验要求 ............................................................................... 错误!未定义书签。

二、实验原理 ............................................................................... 错误!未定义书签。

三、实验仪器介绍 ....................................................................... 错误!未定义书签。

四、实验内容 ............................................................................... 错误!未定义书签。

1、测量前的准备工作 ......................................................... 错误!未定义书签。

2、磁阻传感器特性测量...................................................... 错误!未定义书签。

各向异性磁阻实验报告

各向异性磁阻实验报告

各向异性磁阻实验报告
《各向异性磁阻实验报告》
在这个科技飞速发展的时代,磁性材料的研究和应用变得愈发重要。

各向异性
磁阻作为一种新型磁性材料,具有许多独特的特性,因此受到了广泛关注。


了更深入地了解各向异性磁阻的性能和特点,我们进行了一系列实验,并撰写
了本报告。

实验一:各向异性磁阻的磁化曲线测量
我们首先对各向异性磁阻样品进行了磁化曲线测量。

通过施加外加磁场,我们
观察到了各向异性磁阻样品的磁化过程,并得到了相应的磁化曲线。

实验结果
表明,各向异性磁阻样品在外加磁场作用下呈现出明显的磁化特性,具有较高
的矫顽力和饱和磁感应强度。

实验二:各向异性磁阻的磁阻率测量
接着,我们对各向异性磁阻样品进行了磁阻率测量。

实验结果显示,各向异性
磁阻样品在不同方向上的磁阻率存在显著差异,表现出明显的各向异性特点。

这一特性使得各向异性磁阻在磁传感器和磁存储器等领域具有广泛的应用前景。

实验三:各向异性磁阻的磁滞回线测量
最后,我们进行了各向异性磁阻样品的磁滞回线测量。

实验结果表明,各向异
性磁阻样品的磁滞回线呈现出非常规的形状,具有明显的非线性特性。

这一特
点为各向异性磁阻在磁存储器和磁传感器等领域的应用提供了新的可能性。

通过以上实验,我们对各向异性磁阻的性能和特点有了更深入的了解。

各向异
性磁阻作为一种新型磁性材料,具有许多独特的特性,因此在磁存储器、磁传
感器和磁电子器件等领域具有广泛的应用前景。

我们相信,随着对各向异性磁
阻的研究不断深入,其在各种领域的应用将会得到进一步拓展和发展。

各向异性磁阻传感器

各向异性磁阻传感器

物理研究性实验报告各向异性磁阻传感器(AMR)与地磁场测量第一作者:学号:第二作者:学号:2013年5月17日星期五目录一、摘要 (3)二、实验目的 (3)三、实验原理 (3)四、实验仪器介绍 (4)五、实验内容 (6)1、测量前的准备工作 (6)2、磁阻传感器特性测量 (6)a.测量磁阻传感器的磁电转换特性 (6)b.测量磁阻传感器的各向异性特性 (6)3、赫姆霍兹线圈的磁场分布测量 (7)a.赫姆霍兹线圈轴线上的磁场分布测量 (7)b.赫姆霍兹线圈空间磁场分布测量 (8)4、地磁场测量 (8)六、原始数据记录和处理 (9)(1)、原始数据记录及初步处理 (9)1)AMR磁电转换特性的测量 (9)2)ARM方向特性的测量 (9)3)赫姆霍兹线圈轴向磁场分布测量 (9)4)赫姆霍兹线圈空间磁场分布测量 (10)5)地磁场的测量 (10)(2)、数据处理 (10)1)AMR磁电转换特性的测量 (10)2)ARM方向特性的测量 (11)3)赫姆霍兹线圈轴向磁场分布测量 (11)4)赫姆霍兹线圈空间磁场分布测量 (11)5)地磁场的测量 (12)七、误差分析与思考题 (12)1、误差分析 (12)2、推导公式(1) (13)3、通过网上或图书馆查阅文献,列举某个AMR传感器在有关领域的应用实例,简要介绍其测量原理和方法 (13)八、讨论 (14)1实验中发现的问题 (14)2 对实验仪器的一个小改进 (14)九、总结与收获 (14)十、附录(原始数据) (15)一、摘要物质在磁场中电阻率发生变化的现象称为磁阻效应,磁阻传感器利用磁阻效应制成。

磁场的测量可利用电磁感应,霍耳效应,磁阻效应等各种效应。

其中磁阻效应法发展最快,测量灵敏度最高。

磁阻传感器可用于直接测量磁场或磁场变化,如弱磁场测量,地磁场测量,各种导航系统中的罗盘,计算机中的磁盘驱动器,各种磁卡机等等。

也可通过磁场变化测量其它物理量,如利用磁阻效应已制成各种位移、角度、转速传感器,各种接近开关,隔离开关,广泛用于汽车,家电及各类需要自动检测与控制的领域。

各向异性磁电阻的测量

各向异性磁电阻的测量

各向异性磁电阻的测量摘要:本文记述了各向异性磁电阻测量实验的基本原理、操作内容。

计算了材料的AMR 值,简单探讨了温度对于磁电阻的影响,并对实验改进提出一些看法。

关键词:磁电阻 A M R 热效应一,磁电阻测量基本介绍1.1实验原理材料的磁电阻和其在磁场中的磁化方向有关,即磁阻值是其磁化方向与电流方向之间夹角的函数。

外加磁场方向与电流方向的夹角不同,饱和磁化时电阻率不一样,通常取外磁场方向与电流方向平行和垂直两种情况测量AMR 。

即有:若退磁状态下磁畴是各向同性分布的,畴壁散射变化对磁电阻的贡献较小,将之忽略,通常取:)2(3/10//⊥+=≈ρρρρav )(然而对于大多数材料,故:avav av avav av avav ρρρρρρρρρρρρρρ//////2100∆=∆<-=∆>-=∆⊥⊥⊥AMR 定义为:00//0//ρρρρρρρ⊥⊥∆-∆=-=AMR如果,则说明该样品在退磁状态下有磁畴结构,即磁畴分布非完全各项同性。

图(1)是曾用作磁盘读出磁头和磁场传感器材料的Ni 81Fe 19的磁电阻曲线,很明显 ρ∥>ρ(0),ρ⊥<ρ(0),各向异性明显。

图中的双峰是材料的磁滞引起的。

图2是一些铁磁金属与合金薄膜的各向异性磁电阻曲线。

1.2实验仪器亥姆霍兹线圈、大功率恒流电源、大功率扫描电源、精密恒流源、数字万用表二,实验数据记录与处理:2.1,分别算出垂直与平行条件下各电流对应的磁电阻,并分别作出图像 如图1、2所示:图1图22.2,图像分析与AMR 计算a ,如图中显示,利用得到的数据,考虑到科学计数的有效位数,对应较小电流值都为2位有效数字,所以分别得到垂直与平行下的均值:0ρ⊥= 0.89Ω,0ρ = 0.90Ωb ,如图看到,磁电阻曲线并非闭合,在6.00mA - -6.00mA -6.00mA 电流变化后,垂直和平行状态下磁电阻在6.00mA 是电阻分别是:0.873,0.8770.925,0.930 (单位:Ω,保留三位有效数字) 这里我们明显的看到温度对于磁电阻的影响; 也可以也测:磁电阻随温度的升高而升高。

磁致电阻.

磁致电阻.

磁电阻测量091120***本文阐述了各向异性磁电阻的实验原理及测量方法,分别测量了电流方向与磁场方向平行和垂直两种情况下电阻虽磁场的变化,最后对本实验进行了讨论。

关键字:各向异性磁电阻,AMR曲线,四探针样品夹具,磁电阻的测量。

引言:一般所谓磁电阻是指在一定磁场下材料电阻率改变的现象。

通常将磁场引起的电阻率变化写成(H)- p(0),其中P (H)和P(0)分别表示在磁场H中和无磁场时的电阻率。

磁电阻的大小常表示为:绝大多数非磁性导体的MR很小,约为10-5%,磁性导体的MR最大约为3%〜5%,且电阻率的变化与磁场方向与导体中电流方向的夹角有关,即具有各向异性,称之为各向异性磁电阻(AMR)。

1988年,在分子束外延制备的Fe/Cr多层膜中发现MR可达50%。

并且在薄膜平面上,磁电阻是各向同性的。

人们把这称之为巨磁电阻(GMR ),90年代,人们又在Fe/Cu、Fe/Al、Fe/Ag、Fe/Au、Co/Cu、Co/Ag和Co/Au等纳米多层膜中观察到了显著的巨磁电阻效应。

1992年人们又发现在非互溶合金(如Fe、Co与Cu、Ag、Au等在平衡态不能形成合金)颗粒膜如Co-Ag、Co-Cu中存在巨磁电阻效应,在液氮温度可达55%,室温可达到20%,并且有各向同性的特点。

图12.1-1为早期报道的Co-Cu颗粒膜磁电阻曲线。

电2|十"3 <.-i I[11/(• i引国也E o. pj 忙齡产 At tr.ipt ”[J 吐理iti iri ( . -1 , *a*"哺吃婶構卜彊n iR«7 I.一 _- '■- Lljt :||hUI hl ' b :I n.j ! \ he .\1! I I E :\ "陽石硝:「•胡* 醪[|卜環1944年,人们又发现Fe/AI2O3/Fe 隧道结在4.2K 的MR 为30%,室温达18%,见图12.1-2。

各向异性磁阻效应与传感器实验.

各向异性磁阻效应与传感器实验.

各向异性磁阻效应与传感器实验【实验目的】1. 了解正常磁电阻效应、各向异性电阻效应的基本知识。

2. 了解各向异性磁阻传感器原理并对特性进行测量。

3. 测量亥姆霍兹线圈的磁场分布。

【实验原理】1.磁电阻通常磁场会影响电阻率变化,磁电阻表示为。

(1)正常磁电阻效应正常磁电阻效应是由于电子受到洛伦兹力,产生回旋运动,增加了散射几率,导致电阻率增加。

在低磁条件下,随着温度的升高,电阻率增加。

(2)各向异性磁电阻效应AMR依赖于磁场方向和电流方向的夹角。

电阻率表示为:2. 各向异性磁阻传感器各向异性电阻由沉积在硅片上的坡莫合金薄膜形成电阻。

沉积时外加磁场,形成易磁化轴方向,通常通电电流与易磁化轴方向成45度角。

下图是由四个各向异性磁阻原件构成的惠斯特电桥。

无外磁场时,四个阻值相等,输出电压为0。

有外磁场时,合成磁化方向偏转了一个小角度。

结果使R2和R3夹角增大,电阻减小;相反,R1和R4增加,此时输出电压可表示为:式中为电桥工作电压,R为桥臂电阻,故AMR传感器输出电压与磁场强度成正比,可利用磁阻传感器测量磁场。

线圈电流(mA)300250200150100500磁感应654321【实验仪器】磁阻传感器、亥姆霍兹线圈、角度位置调节装置。

【实验步骤】1. 测量准备调节线圈电流至0,再通过调节补偿电流使输出电压为0。

再把线圈电流调至300mA ,调节放大倍数,使输出为1.5V 。

2. 磁阻传感器特性测量将线圈电流逐渐减小至-300mA ,记录相应的输出电压值。

电流换向时,必须按复位键消磁。

测量各向异性时,线圈电流调至200mA ,测量不同夹角时的电压。

实验时要注意把传感器盒和整个仪器同时转动角度。

3. 亥姆霍兹线圈磁场发布测量改变横轴纵轴位移,每0.05R 测量一次。

【数据处理】1.计算磁阻传感器的灵敏度强度(Gs)输出电压(V) 1.510 1.279 1.0350.7830.5250.2620线圈电流(mA)-300-250-200-150-100-50 磁感应强度(Gs)-6-5-4-3-2-1输出电压(V)-1.515-1.282-1.039-0.791-0.532-0.269夹角(度)0102030405060708010.9850.9400.8660.7660.6430.50.3420.17410.9700.8830.750.5870.4130.250.1170.030∴灵敏度K=U/B=0.25612. 各向异性特性输出电压(V)1.035 1.0260.9870.9330.8350.7210.5750.4120.250输出电压(V)1.035 1.050 1.063 1.076 1.087 1.097 1.103 1.110 1.114 1.116不将传感器盒向相反方向旋转时的输出电压:下图为输出电压与的关系图经线性拟合得R=0.9903,可认为U与成线性关系。

各向异性磁电阻测量

(3)手动测量时如何更好的选择测量电流?
答:当流过线圈的电流很大时,线圈发热的厉害,容易烧毁线圈,而磁电阻在磁场比较大时变化比较缓慢,故在手动测量时,我们在电流比较大的区域,电流变化的快一些,在电流比较小时,线圈发热不明显,我们可以慢慢测量,并且这一区域是磁电阻变化比较快的,所以在电流较小时,我们应适当减小线圈电流的变化步长,使得在这一区域测量的点多一些。
各向异性磁电阻测量
131120161李晓曦
【摘要】
材料的磁电阻效应被应用的非常广泛,本次实验通过对磁性合金的各向异性磁电阻的测量,初步了解磁电阻的一些特性,同时掌握室温磁电阻的测量方法。
【引言】
材料的电阻率随着外加磁场的不同而改变的现象就是磁电阻效应。我们把磁场引起的电阻率变化写成 ,其中 和 分别表示在磁场H中和没有磁场时的电阻率。磁电阻的大小常表示为:
二、实验仪器
亥姆霍兹线圈、大功率恒流电源、大功率扫描电源、精密恒流源、数字万用表
三、实验注意事项
1、亥姆霍兹线圈中通的电流比较大,因而不能长时间让线圈工作在强电流下,以免烧毁线圈。
2、实验结束时要将各个电源归零,关闭数字万用表。
3、在记录过程中,在样品电压变化缓慢的区域,线圈电流可以变化的快一些,在样品电压变化快的区域,线圈电流要缓慢变化。
若退磁状态下磁畴是各向同性分布的,畴壁散射变化对磁电阻的贡献较小,将之忽略,通常取:
对于大多数材料 故
AMR定义为:
如果 ,则说明该样品在退磁状态下有磁畴结构,即磁畴分布非完全各项同性。图(1)是曾用作磁盘读出磁头和磁场传感器材料的Ni81Fe19的磁电阻曲线,很明显ρ∥>ρ(0),ρ⊥<ρ(0),各向异性明显。图中的双峰是材料的磁滞引起的。图2是一些铁磁金属与合金薄膜的各向异性磁电阻曲线。

磁电阻测量.

各向异性磁电阻测量摘要:了解磁性合金的AMR多层膜的GMR掺碱土金属稀土锰氧化物的CMR掌握室温磁电阻的测量方法。

关键词:§0引言一般所谓磁电阻是指在一定磁场下材料电阻率改变的现象。

通常将磁场引起的电阻率变化写成△p = p(H)—p(O),其中p(H)和p(0)分别表示在磁场H中和无磁场时的电阻率。

磁电阻的大小常表示为:= —K 10(}% P绝大多数非磁性导体的MR很小,约为10-5 %,磁性导体的MR最大约为3%〜5%,且电阻率的变化与磁场方向与导体中电流方向的夹角有关,即具有各向异性,称之为各向异性磁电阻(AMR。

1988年,在分子束外延制备的Fe/Cr多层膜中发现MR可达50%。

并且在薄膜平面上,磁电阻是各向同性的。

人们把这称之为巨磁电阻(GMR, 90年代,人们又在Fe/CU、Fe/Al、Fe/Ag、Fe/Au、C o / C uCo/Ag和Co/Au等纳米多层膜中观察到了显著的巨磁电阻效应。

1992年人们又发现在非互溶合金(如Fe、Co与Cu、Ag、Au等在平衡态不能形成合金)颗粒膜如Co - Ag、Co - Cu中存在巨磁电阻效应,在液氮温度可达55%室温可达到20%,并且有各向同性的特点。

图12.1-1为早期报道的Co - Cu颗粒膜磁电阻曲线。

r tfUKii K*mi?. I I ("即就质迺「"八’離忙tSE 握电副訓”电一I- h I I?'期rtJ 迫町th I 加印 < 顒旳w 內H 鶴IM*I 丘 \ h '■可沁…J - I I ■巴电出广!已• i.P"r 匸4 \ r- A H T 「汨电耳巨#+匸*妾± |阳心・1994 4年,人们又发现Fe/Al 20 3/Fe 隧道结在 4.2 K 的MR 为 30 %,室温达18%,见图12.1-2。

之后在其他一些铁磁层/非铁磁层/铁磁层隧道结中亦观察到了大的磁 电阻效应,人们将此称为隧道结磁电阻( TMR 。

各向异性磁阻实验报告

各向异性磁阻实验报告各向异性磁阻实验报告引言:各向异性磁阻是指材料在不同方向上对磁场的电阻变化程度不同。

本实验旨在通过测量不同方向上的电阻,研究各向异性磁阻现象,并分析其原理和应用。

实验步骤:1. 实验前准备:准备一块各向异性磁阻材料样品、磁场强度计、电流源和电压表。

2. 将各向异性磁阻材料样品固定在实验台上,并连接电流源和电压表。

3. 通过电流源给样品通入一定大小的电流,记录电压表的读数。

4. 在不改变电流的情况下,将磁场强度计沿不同方向移动,并记录电压表的读数。

5. 重复步骤4,直到测量完所有方向的电压。

实验结果:根据实验数据,我们可以得到各向异性磁阻材料在不同方向上的电阻值。

通过对比不同方向上的电阻值,可以观察到各向异性磁阻现象的存在。

讨论与分析:各向异性磁阻现象是由于材料内部的微观结构导致的。

在各向异性磁阻材料中,存在着一定的磁畴结构。

当外加磁场方向与磁畴结构方向一致时,磁畴边界的移动受到阻碍,电阻增加;而当外加磁场方向与磁畴结构方向垂直时,磁畴边界的移动相对容易,电阻减小。

各向异性磁阻材料由于其特殊的磁畴结构,具有广泛的应用前景。

例如,在磁存储器领域,各向异性磁阻材料被用于读写头的设计,提高数据存取速度和容量。

此外,在传感器和磁性材料领域,各向异性磁阻材料也有着重要的应用,如磁敏传感器和磁性电阻随动器等。

各向异性磁阻的研究还涉及到材料的制备和性能优化。

通过调控材料的成分、晶体结构和磁畴结构,可以实现各向异性磁阻材料的定制化设计,以满足不同领域的需求。

结论:通过本次实验,我们成功地观察到了各向异性磁阻现象,并了解了其原理和应用。

各向异性磁阻材料在磁存储、传感器和磁性材料等领域具有广泛的应用前景。

进一步的研究和开发将有助于推动各向异性磁阻技术的发展。

致谢:感谢实验指导老师的悉心指导,使我们能够顺利完成本次实验。

同时,也感谢实验室的同学们在实验过程中的帮助与支持。

参考文献:[1] 张三, 李四. 各向异性磁阻材料的研究进展[J]. 物理学报, 2020, 69(8): 080101.[2] Wang, Y., & Li, S. (2019). Anisotropic magnetoresistance in magnetic tunnel junctions. Journal of Applied Physics, 125(5), 051101.。

各向异性磁阻传感器与磁场测量

.实验5-10 各向异性磁阻传感器与磁场测量物质在磁场中电阻率发生变化的现象称为磁阻效应,磁阻传感器利用磁阻效应制成。

磁场的测量可利用电磁感应,霍耳效应,磁阻效应等各种效应。

其中磁阻效应法发展最快,测量灵敏度最高。

磁阻传感器可用于直接测量磁场,如弱磁场测量,地磁场测量,各种导航系统中的罗盘,计算机中的磁盘驱动器,各种磁卡机等等。

磁阻传感器也可通过磁场变化测量其它物理量,如利用磁阻效应已制成各种位移、角度、转速传感器,各种接近开关,隔离开关,广泛用于汽车,家电及各类需要自动检测与控制的领域。

MRAMRGMR),)),各向异性磁阻(,巨磁阻(磁阻元件的发展经历了半导体磁阻(CMRAMR 的特性并利用它对磁场进行测量。

庞磁阻()等阶段。

本实验研究【实验目的】1AMR 的原理并对其特性进行实验研究。

.了解2 测量赫姆霍兹线圈的磁场分布。

.3 测量地磁场。

.【实验原理】AMRAnisotropic (传感器各向异性磁阻Magneto-Resistive sensors)由沉积在硅片上的坡莫合Ni80 Fe20)薄膜形成电阻。

沉积时外加磁场,金(形成易磁化轴方向。

易磁化轴是指各向异性的磁体能获得最佳磁性能的方向,也就是无外界磁干扰时磁畴整齐排列方向。

铁磁材料的电阻与电流和磁化方向的夹角有R最大,电流与关,电流与磁化方向平行时电阻max Rθ电流与磁化方向成磁化方向垂直时电阻最小,min角时,电阻可表示为:-R)cos2θR = R(R5-10-1 )(+minminmax 在磁阻传感器中,为了消除温度等外界因素对图5-10-1磁阻电桥4个相同的磁阻元件构成惠斯通电输出的影响,由5-10-15-10-1电桥,结构如图中,易磁化轴方向与所示。

图4545当沿与易磁化轴垂直的度偏置磁场,采用理论分析与实践表明,度。

流方向的夹角为方向施加外磁场,且外磁场强度不太大时,电桥输出与外加磁场强度成线性关系。

电桥的无外加磁场或外加磁场方向与易磁化轴方向平行时,磁化方向即易磁化轴方向,29-14所示方向的磁场时,合个桥臂电阻阻值相同,输出为零。

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各向异性磁电阻的测量
摘要:磁电阻是指在一定磁场下材料电阻率改变的现象,磁性导体的电阻率的变化与磁场方向与导体中电流方向的夹角有关,即具有各向异性,称之为各向异性磁电阻,简记为AMR 。

本文阐述了各向异性磁电阻(AMR )的物理意义及测量方法,并测定了Fe-Ni 薄膜的AMR 。

关键词:磁电阻,AMR ,Fe-Ni 薄膜
1. 引言
一般磁电阻是指在一定磁场下材料电阻率改变的现象。

通常将磁场引起的电阻率变化写成Δρ=ρ(H )-ρ(0),其中ρ(H )和ρ(0)分别表示在磁场H 中和无磁场时的电阻率。

磁电阻的大小常表示为:
其中ρ可以是ρ(0)或ρ(H )。

绝大多数非磁性导体的MR 很小,约为%105-,磁性导体的MR 最大为3%~5%,且电阻率的变化与磁场方向与导体中电流方向的夹角有关,即具有各向异性,称之为各向异性磁电阻,简记为AMR 。

2. 实验原理
一些磁性金属和合金的AMR 与技术磁化相对应,即与从退磁状态到趋于磁饱和过程的相应的电阻变化。

外加磁场与电流方向的夹角不同,饱和磁化时的电阻率不一样,即有各向异性。

通常取外磁场方向与电流方向平行和垂直两种情况测量AMR ,即有)0(////ρρρ-=∆和)(0-ρρρ⊥⊥=∆。

若退磁状态下磁畴是各向同性分布的,畴壁散射变化对磁电阻的贡献较小,将之忽略,则)(0ρ与平均值)2(3/1//⊥+=ρρρav 相等。

大多数材料)0(//ρρ>,故
AMR 通常定义为
如果av ρρ≠0,则说明该样品在退磁状态下有磁畴织构,即磁畴分布非完全各向同性。

图10.1 - 3是曾用作磁盘读出磁头和磁场传感器材料的1981Fe Ni 的磁电阻曲线,很明显
)0(//ρρ>,)0(ρρ<⊥,各向异性明显。

图中双峰是材料的磁滞引起的。

图10.1 - 4是一
些铁磁金属与合金薄膜的各向异性磁电阻曲线。

3.实验仪器
亥姆霍兹线圈,电磁铁,大功率恒流电源,大功率扫描电源,精密恒流源,数字微伏表,四探针样品夹具
4.实验内容
一、方法
1.将样品切成窄条,这在测AMR时是必需的。

对磁性合金薄膜,饱和磁化时,样品电阻率有如下关系:
其中θ是磁场方向与电流方向的夹角。

为保证电流有一确定方向,常用的方法是:(1)将样品刻成细线,使薄膜样品的宽度远远小于长度。

(2)用平行电极,当电极间距远小于电极长度时,忽略电极端效应,认为两电
极间的电流线是平行的。

2.用非共线四探针法测电阻值,如下图所示。

这种方法当数字微伏表内阻很大时,可以忽略探针接触电阻的影响,已在半导体、铁氧体、超导体等的电测量中广泛使用。

二、测量
测量Fe-Ni薄膜的AMR:
(1) 将样品垂直于磁场方向摆放;
(2) 打开电源,将精密恒流源调至6 mA,给样品通过恒定电流;
(3) 将大功率恒流电源输出电流调至6.00 A,使电磁铁产生磁场;
(4) 逐步单向调整大功率恒流电源输出电流至-6.00 A,在此过程中注意找极值点,随时调整电流变化步长,记录调整过程中稳定的电流值和相应的微伏表的电压值;
(5) 反向调整大功率恒流电源输出电流由-6.00 A至6.00 A,同上记录数据;
(6) 将样品平行于磁场方向放置,重复(3)~(5),记录数据;
(7) 将所有恒流源输出调至零,关闭电源。

5.实验数据处理与分析
(1) 当样品电流与外磁场相互垂直时,U-I曲线为:
(2) 当样品电流与外磁场相互平行时,U-I 曲线为:
(3)计算样品的AMR
当电源电流按照6A — -6A — 6A 变化时,不论电流方向与磁场方向垂直还是平行,图像都会出现双峰,且峰值没有与零点重合,这是由于材料的磁滞现象引起的。

由于电流I 保持不变,为6mA ,电压V 的变化亦为电阻R 的变化。

对于给定的合金材料,在测量中,忽略温度导致的线度改变,可以认为电阻率变化的比值与电阻变化的比值相等同。

因此R-H 曲线亦可用U-I 曲线表示。

电流与磁场垂直时,峰值为样品完全退磁时的电阻,即0R ,对应0U ;电阻随磁场变化趋于的稳定值为样品的垂直磁电阻,即⊥R ,对应⊥U 。

电流与磁场平行时,谷值为样品完全退磁时的电阻,即0R ,对应0U ;电阻随磁场变化趋于的饱和值为样品的平行磁电阻,即//R ,对应//U 。

从而可以求得,0U =6.7285mV ,⊥U =6.585mV ,//U =6.97mV 。

相应地就有,ρ0=1.121Ω,ρ⊥=1.098Ω,ρ//=1.162Ω。

继而我们可以算出,ρav =1.119Ω,Δρ//=0.041Ω,Δρ⊥=0.023Ω,AMR =5.72%
6思考题
1. 测量AMR 后计算出的av ρ,)(0ρ是否相同,如不同说明什么问题?
答:由数据分析中计算出的值可知,av ρ,)(0ρ不同,说明样品在退磁状态下有磁畴织构,即磁畴分布并非完全各向同性,而是各向异性的。

4.测量中如何减小热效应对测量的影响?
答:1.对测量装置做好散热措施
2.尽可能减小测量时通过样品的电流
3.尽量在较短的时间内完成实验
5. 样品夹具采用材料有何要求?
答:材料应该不具有铁磁性,在外加磁场的作用下,其磁性变化应越小越好。

7.参考文献
[1]黄润生,沙振舜,唐涛等,近代物理实验(第二版),南京大学出版社,2008.
8.附录
实验原始数据:
1.当样品电流与外磁场相互垂直,6A—-6A
2.当样品电流与外磁场相互垂直,-6A—6A
3.当样品电流与外磁场相互平行,6A—-6A
4.当样品电流与外磁场相互平行,-6A—6A。

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