清华 杨素行 第三版 模电 第10章
模拟电子技术基础简明教程第三版第十章
+
A
L
u2
+
-
+ C1
C2+ uo RL
Hale Waihona Puke -LC滤波电路LC-∏型滤波电路输出电压的脉动系数比仅有 LC滤波 时更小，波形更加平滑。输出直流电压提高了。
缺点是整流管的冲击电流比较大，外特性比较软。
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3. RC – П 型滤波电路
+ u'o R
u2
+
-
+
+
C1
C2
uo RL
-
优点：可进一步降低输出电压的脉动系数。 缺点： R上有直流压降；整流管的冲击电流仍比较大；
uO= uC
2 U2
RLC = ∞
RLC大
RLC小
O
在桥式整流情况下
ωt
RLC ≥ ( 3 ~ 5 )
T 2
T为电网交流电压的周期。
此时 UO(AV) ≈ 1. 2U2
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4.电容滤波电路的特点 （1）电容滤波电路适用于小电流负载。 （2）电容滤波电路的外特性比较软。 滤波电路的输出电压 UO(AV)与输出电流 IO(AV)之间的关系 曲线称为外特性。 电容滤波电路的 UO(AV) 将随着IO(AV) 而变化。 电容滤波适用于负载电流变化不大的场合。
u1
u2
-
+ io
-
VD2
+ VD3 C ic uo RL
-
桥式整流、电容滤波电路
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2. 工作原理
u2
O
uO= uC
+ VD4
VD1
仿真
+ u-1
模电第三版杨素行课后答案
模电第三版杨素行课后答案【篇一：模电答案(第三版)高教版杨素行主编p1~2】class=txt>习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
解：在20℃时的反向电流约为：2?3?10?a?1.25?a在80℃时的反向电流约为：23?10?a?80?a答：动态电阻rz愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流iz愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
解：20℃时，iceo??1???icbo?31?a50℃时，icbo?8?a???0?1?1%?t?t0?30??1?1%?50?20?30??1?30?1%??39iceo??1???icbo?320?a?0.32ma【篇二：模拟电路第七章课后习题答案】②列出uo1、uo2和uo的表达式；③设ui1=3v，ui2=1v，则输出电压uo＝？解：① r3?r1//r2?(10//10)k??5k?，r4?r5//r6?(10//20)k??6.67k?②uo1??rr21010ui1??ui1??ui1，uo2?(1?5)ui2?(1?)ui2?1.5ui2，r110r620r920(uo1?uo2)??(?ui1?1.5ui2)?2ui1?3ui2 r710uo??③ uo?2ui1?3ui2?(2?3?3?1)v?9v本题的意图是掌握反相输入、同相输入、差分输入比例运算电路的工作原理，估算三种比例电路的输入输出关系。
◆◆习题 7-2 在图p7-2所示电路中，写出其输出电压uo的表达式。
解：uo?(1?rr2)ui?(?5)uir1r4rr2)ui?5]uir1r4 ?[(1?本题的意图是掌握反相输入和同相输入比例电路的输入、输出关系。
模拟电子技术基础简明教程(第三版)杨素行版 答案全面解析
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。
解：20℃时，()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时，8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大？输入特性的死区电压约为多大？②为了使PNP 型三极管工作在放大区，其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零？并与NPN 型三极管进行比较。
《模拟电子技术基础简明教程》课后习题答案杨素行第三版)第一章习题答案
精品行业资料，伏供参考，需要可下栽井修改后使用！《模拟电子技术基础简明教程》课后习题答案杨素行第三版)第一章习题答案题1-10本造的意图是掌握8与；的含义及二者之间的关系解：(a)α1=0.99当时I IU=IOμA时Jc=990M A∕t1¾1000μA=1mA.(b)仄=19若I E2=ImA,则1po.95nιA「I iU Q50∕ιA题1—13(a)发射结正偏，集电结反偏，故BJT工作在放大区。
(b)发射结和集电结均反偏，故BJT工作在截止区。
(c)发射结正偏，集电结反偏，故BJT工作在放大区。
(d)发射结和集电结均正偏，故BJT工作在饱和区。
(e)发射结和集电结均反偏，故BJT工作在截止区。
(f)发射结正偏，集电结电压为0,故BJT处于临界饱和状态。
(g)发射结正偏，集电结反偏，故BJT工作在放大区。
(h)发射结正偏，集电结反偏，故BJT工作在放大区。
题1-15本题的意图是训练根据放大电路中三极管的各极电位识别引脚，并判断三极管的类型。
答：注意本题的前提是两个三极管均工作在放大区。
(a) 1---- 发射极e,3 ------- 基级b,2 ------- 集电极c o三极管类型是NP∖错管。
(b) 2 --- 发射极e,3 ------- 基级b,1——集电极C0三极管类型是PNP硅■1-14本题的意图是根据电路参数判断三极管工作在什么区，并在输出特性曲线上画出工作点的位置，以便形象地建立工作点的概念。
H：(a)∕β=0.065mA/产3∙25mAU CE=3.5V三极管工作在放大区，见图1.5.4中A点。
(b) ∕D=0.0465mA/产2.325mAU cE=5.35V三极管工作在放大区，见图1.5.4中B点。
(c) I a=0.465mA/产23.25mAUCE=-36.5V以上计算出的I c与UcE值是荒谬的，实质上此时三极管已工作在饱和区，故，I B=0∙465mA,人eVcJR=5mA,U CE=Uc E Sko.3V,见图154中C点。
模拟电子技术基础【杨素行】第三版-复习资料ppt课件
图 2.3.2(b)
图 2.4.1(a)
.
图 2.4.1(b)
2.4.2 静态工作点的近似计算
UBEQ = (0.6 ~ 0.8) V硅管 UBEQ = (0.1 ~ 0.2) V锗管
IB
Q
VCC
U Rb
B EQ
ICQ IBQ
UCEQ = VCC – ICQ RC
c b
IBQ e
ICQ UCEQ
பைடு நூலகம்
I / mA
60
40
正向特性
20
–50 –25
反 向
0 0.5 1.0 U / V 击穿电–压0.002
特 性
U(BR–) 0.004 死区电压
15
10
5
– 50 – 25
–0.01 0 0.2 0.4 U / V
–0.02
硅管的伏安特性
锗管的伏安特性
图 1.2.4 二极. 管的伏安特性
I/mA
+ 正向
线比较平坦，近似为水平线，
区
20 µA
且等间隔。
1
IB =0
集电极电流和基极电流
O5
10
15 UCE /V 体现放大作用，即
图 1.3.9 NPN 三极管的输出特性. 曲线
ΔIC ΔIB
c
3. 饱和区：
b
IC / mA
条件：两个结均正偏 e
4
饱3 和 区2
1
O5
100 µA
对 NPN 型管，UBE > 0
IB = 0
约为几十 ~ 几百微安。
15 UCE /V 条件：两个结都处于反向 偏置。
图 1.3.9 NPN 三极管的输出特性. 曲线
《模拟电子》杨素行第三版第4章第10章习题答案
第四章功率放大电路习题答案题4－6 分析OTL电路原理，已知V CC =10V，R3=1.2K，R L=16 Ω，电容足够大。
（1）静态时，电容C2两端的电压应该等于多少？调整哪个电阻才能达到上述要求。
(2)设R1=1.2K，三极管的β=50，P CM =200mW，若电阻R2或某个二极管开路，三极管是否安全？解: (1) 静态时，电容C2两端的电压应该等于V CC/2 =5V.达到上述要求应调整R1 (2)题4－7 分析OCL电路原理，(1)静态时，负载R L中的电流应为多少？如不符合要求应调整哪个电阻？(2)若输出电压出现交越失真，应调整哪个电阻？如何调整？(3)若二极管VD1或VD2的极性接反将产生什么后果？(4)若VD1、VD2、R2中任意一个开路，将产生什么后果？解: (1)静态时，负载R L中的电流应为0. 如不符合要求应调整R1(2)若输出电压出现交越失真，应调整R2，增大R2(3)若二极管VD1或VD2的极性接反，三极管因电流和功耗过大将被烧毁(4) 同（3）第十章直流电源习题答案题10－1 在图中的单相桥式整流电路中，已知变压器二次电压有效值为U2＝10V,试问：(1)正常时直流输出电压U O（AV）＝？(2)二极管VD1虚焊，将会出现什么现象？(3)如果VD1极性接反，可能出现什么问题？(4)如果四个二极管全部接反，则U O（AV）＝？解: (1) U O（AV）＝0.9 U2＝9 V (2) 将成为半波整流，U O（AV）＝0.45 U2＝4.5 V(4)如果四个二极管全部接反，则U O（AV）＝－0.9 U2＝－9 V解: (1)R L C =0.04s T/2 = 0.02s/2 =0.01s。
《微型计算机系统原理及应用》课后答案_(第3版)清华大学出版社__杨素行
第一章 微型计算机基础题1-1 计算机发展至今，经历了哪几代？答：电子管计算机、晶体管计算机、集成电路计算机、超大规模集成电路计算机、非冯诺伊曼计算机和神经计算机。
题1-2 微机系统由哪几部分组成？微处理器、微机、微机系统的关系是什么？ 答：1、微机系统分硬件和软件，硬件包括CPU、存储器、输入输出设备和输入输出接口，软件包括系统软件和应用软件。
2、微处理器是指微机的核心芯片CPU；微处理器、存储器和输入输出设备组成微机；微机、外部设备和计算机软件组成微机系统。
题1-3 微机的分类方法包括哪几种？各用在什么应用领域中？答：按微处理器的位数，可分为1位、4位、8位、32位和64位机等。
按功能和机构可分为单片机和多片机。
按组装方式可分为单板机和多板机。
单片机在工业过程控制、智能化仪器仪表和家用电器中得到了广泛的应用。
单板机可用于过程控制、各种仪器仪表、机器的单机控制、数据处理等。
题1-4 微处理器有哪几部分组成？各部分的功能是什么？答：微处理器包括运算器、控制器和寄存器三个主要部分。
运算器的功能是完成数据的算术和逻辑运算；控制器的功能是根据指令的要求，对微型计算机各部分发出相应的控制信息，使它们协调工作，从而完成对整个系统的控制；寄存器用来存放经常使用的数据。
题1-5 微处理器的发展经历了哪几代？Pentium系列微处理器采用了哪些先进的技术？答：第一代4位或低档8位微处理器、第二代中高档8位微处理器、第三代16位微处理器、第四代32位微处理器、第五代64位微处理器、第六代64位高档微处理器。
Pentium系列微处理器采用了多项先进的技术，如：RISC技术、超级流水线技术、超标量结构技术、MMX技术、动态分支预测技术、超顺序执行技术、双独立总线DIB技术、一级高速缓冲存储器采用双cache结构、二级高速缓冲存储器达256KB或512KB、支持多微处理器等。
题1-6 何为微处理器的系统总线？有几种？功能是什么？答: 系统总线是传送信息的公共导线，微型计算机各部分之间是用系统总线连接的。
模拟电子技术基础简明教程杨素行(第三版)
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60Aμ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区假设有两个三极管，已知第一个管子的，当该管的时，其I C1199β=110B I A μ=习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。
解：20℃时，()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时，8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
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+
文氏电桥振荡电路。
R´
C2
R2
RC 串并联网络振荡电路
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2. 振荡频率和起振条件
仿真
（1)振荡频率
f0 =
1 2πRC
（2)起振条件 A·F· > 1
F·
=
1 3
A· > 3
R1 C1
RF
A
U·o
+
R´
C2
R2
RC 串并联网络振荡电路
Auf
=
1+
RF R´
RF > 2 R´
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当ω 较低时
1/ωC1 >> R1
1/ωC2 >> R2 可忽略R1和1/ωC2 U&f 相位超前于U&
ω低
+
C1
U·
R1
+
-
R2 C2
U·f -
(a)RC串并联电路
当ω 较高时
1/ωC1 << R1
1/ωC2 << R2 可忽略R2和1/ωC1 U&f 相位滞后于U& ω高
+
C1
U·
-
R2
U+·-f
适用于产生单一频率的振荡波形。
以上三种电路的振荡频率均与 RC 成反比，
一般用来产生几赫至几百千赫的低频信号。
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第三节 LC 正弦波振荡电路
LC并联电路的选频特性 变压器反馈式振荡电路 电感三点式振荡电路 电容三点式振荡电路
下页 总目录
一、 LC 并联电路的选频特性 I·
低频时并联阻抗为感性， 高频时并联阻抗为容性， 在某一中间频率时为纯阻性。
)
即当 f = f0=
1
2πRC
U·f 的幅值达到最大,
时
·
F max =
1 3
而F 0
等于 U·幅值的
1 3
。
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二、 RC 串并联网络振荡电路
1. 电路组成
反馈网络 选频网络
放大电路
R1、C1 和 R2 、C2
及 RF 和 R´
组成一四臂电桥,
R1 C1
RF A
U·o 因此电路又称为：
结论：
|Z|
LC 并联电路具有选频特性， Q1＞Q2
Z01
Q
① 在 f0 处，呈纯电阻性。 当 f < f0 时，呈电感性；
1
Z02
Q
ω0
2
ω
当f > f0 时，呈电容性。
ФZ +900
② f0 的数值与电路参数有关， Q1
当 Q >>1 时，f0 ≈
2π
1 LC
③ Q 值愈大，选频特性愈好。
ω0 -900
选频特性好，
此时 F· 值很低
输出信号的频率稳定性较高， 因此 A· 必须足够大
应用较广泛。
以满足起振条件。
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结论: RC 串并联网络振荡电路 调频方便, 便于加负反馈稳幅电路, 输出波形良好。 移相式振荡电路
电路结构简单经济;选频较差,调频不方便,输出波形较差，
适用于频率固定,波形要求不高的轻便测试设备中。 双T选频网络振荡电路 选频特性好,输出波形的非线性失真较小,但调频困难，
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一 、 产生正弦波振荡的条件
1S
2
· Ui
U·f = F·U·o
放大电路 A·
U·o = A·U·i
反馈网络 F·
反馈放大电路产生自激振荡的条件
放大电路产生自激振荡的条件可表示为 U&f U&i
U&f F&U&o F&A&U&i U&i
所以产生正弦波振荡的条件是
·· AF
=
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四、 电容三点式振荡电路
+VCC
Rb2 Cb
+
+
· Rb1 Ui
Rc
-c
b e
Re
+ Ce
1
C1 2L
C2
+3
· Uf
电容三点式振荡电路
RL
电路满足相位 平衡条件
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振荡频率：
f0 ≈
2π
1 LC
起振条件：
= 2π
1
L
C1 C2 C1 + C2
β>
C2 • C1
rbe R´
第一节 正弦波振荡电路的分析方法
产生正弦波振荡的条件 正弦波振荡电路的组成 正弦波振荡电路的分析步骤
下页 总目录
正弦波和非正弦波发生电路常常作为信号源被广泛应 用于无线电通信以及自动测量和自动控制等系统中。 电子技术实验中经常使用的低频信号发生器是一种正 弦波振荡电路。 大功率振荡电路还可以直接为工业生产提供能源，例 如高频加热炉的高频电源。 此外，如超声探伤、无线电和广播电视信号的发送和 接收等，都离不开正弦波振荡电路。
在一般情况下，晶片机械振动的振幅都非常小，只有 当外加交变电压的频率为某一特定频率时，振幅才会 突然增大，这种现象称为压电谐振。
式中R´为折合到管子集电极和发射极间的等效并联总 损耗电阻。
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特点： 1. 由于反馈电压取自电容 C2 ，
电容对于高次谐波阻抗很小， 于是反馈电压中的谐波分量很小， 所以输出波形较好。 2. 因为电容 C1、C2 的容量可以选得较小， 并将放大管的极间电容也计算到 C1、C2中去， 因此振荡频率较高， 一般可以达到 100 MHz 以上。
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五、 电容三点式改进电路
选择参数时，
Rc Rb2
+VCC
C1 、C2的容值较大以掩盖
极间电容变化的影响，
Cb +
C容值较小，
Rb1
Re
C1 + C2 Ce
L C3
即C3 << C1 , C3 << C2 ,
则可忽略C1 、C2对振荡频
率的影响。
振荡频率
f0
2π
1 LC3
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第四节 石英晶体振荡器
2. 分析电路是否满足自激振荡条件。
3.估算振荡频率和起振条件
根据 A·F· > 1 估算起振条件
根据 A F 2nπ 估算振荡频率
即 f = f0
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第二节 RC正弦波振荡电路
RC串并联网络的选频特性
RC串并联网络振荡电路
RC移相式振荡电路
双T 选频网络振荡电路
下页 总目录
一、 RC 串并联网络的选频特性
+
L
U·
C Z
R
-
LC 并联电路
Y =jωC+
1 R + jωL
R =
+j
R2 +（ωL）2
ωC -
ωL R2 +（ωL）2
1
1
ω0 =
·
（R ω0L
）2+
1
LC
当 Q >>1 时 ω0 ≈
1
LC
令Q= 或
ω0L 称为品质因数。 R
f0 ≈
2π
1 LC
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LC并联电路谐振时,
Z0
=
1 Y0
石英晶体的基本特性和等效电路 石英晶体振荡电路
下页 总目录
一、石英晶体的基本特性和等效电路
在LC振荡电路中，Q值愈大， LC并联电路的选频特性愈好 LC回路的Q值为
Q 0L 1 L
R RC
可见，为了提高LC回路的品质因数，应尽量减小回路的 损耗电阻，并增大L/C值。但实际上LC回路的L/C值不能 无限制地增大。
(b) 低频等效电路
+
R1
U·
-
C2
U+·-f
(c) 高频等效电路
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首页
+
C1
U·
R1 Z1
+
-
R2
C2
Z2
U·f -
RC 串并联电路
R
F&
U&f U&
Z2 Z1 Z2
R
1 jRC
1 R
jC 1 jRC
1
1
R2 R1
C2 C1
jC2 R1
1
C1 R2
取 R1 = R2 = R , C1 = C2 = C
2. 调节频率方便。采用可变电容，频率调节范围宽。 3. 一般用于产生几十兆赫以下的频率。
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特点： 4. 由于反馈电压取自电感 L2 ，
而电感对高次谐波的阻抗较大， 不能将高次谐波短路掉。 因此输出波形中有较大的高次谐波，故波形较差。 5. 由于此电路的输出波形较差，且频率稳定度不高， 因此通常用于要求不高的设备中， 例如高频加热器、接收机的本机振荡等。
1
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A·F·= 1 可分别用幅度平衡条件和相位平衡条件来表示：
幅度平衡条件
A·F· = 1
相位平衡条件 arg A&F& A F 2nπ
n 0,1, 2,L
负反馈放大电路产生自激振荡的条件是 A·F·= - 1 与产生正弦波振荡的条件差一个负号。 产生这个差别的根本原因在于两种情况下反馈的极性不同。
RF
C1 C2 C3 -
U·o
A
R1
R2
R´
+