太阳能电池制造工艺
太阳能光伏电池板的制造工艺与创新
太阳能光伏电池板的制造工艺与创新太阳能光伏电池板作为一种清洁、可再生的能源技术，在全球范围内得到了广泛的应用和推广。
本文将探讨太阳能光伏电池板的制造工艺以及近年来的创新。
一、制造工艺的发展太阳能光伏电池板的制造工艺经过了多年的发展和改进，目前主要采用的工艺包括单晶硅、多晶硅和薄膜太阳能电池。
这些工艺各有优势和特点。
1. 单晶硅工艺单晶硅工艺是目前应用最广泛的制造工艺之一。
其生产过程包括将硅原料熔化成单晶硅棒，再将硅棒切割成晶片，并进行后续的加工和组装。
单晶硅光伏电池板具有较高的转换效率和稳定性，但成本较高。
2. 多晶硅工艺多晶硅工艺是太阳能光伏电池板的另一种常见制造工艺。
它与单晶硅工艺类似，但多晶硅的晶体结构相对不那么完整，因此转换效率稍低。
然而，多晶硅的制造成本较低，有利于大规模生产。
3. 薄膜太阳能电池工艺薄膜太阳能电池工艺是一种相对较新的制造工艺，它使用非晶硅、铜铟镓硒等材料来制造电池片。
这种工艺具有灵活性高、适应性强的优点，可以应用于多种形状的器件上。
但目前薄膜太阳能电池的转换效率还较低，需要进一步提高。
二、创新技术的应用近年来，随着科技的不断进步，太阳能光伏电池板的制造工艺也在不断创新。
以下列举几种创新技术的应用情况。
1. 柔性太阳能电池板柔性太阳能电池板是一种轻薄、可弯曲的新型光伏产品。
相比于传统的硅基太阳能电池板，柔性太阳能电池板可以更好地适应曲面和非规则形状的安装环境，从而提高了光伏电池板的可应用性。
这种技术的应用推动了太阳能光伏电池板在建筑、车辆等领域的广泛应用。
2. 提高转换效率的技术为了进一步提高太阳能光伏电池板的转换效率，研究人员致力于开发新的材料和技术。
其中，提高光吸收效率和减少能量损失的技术尤为重要。
例如，利用纳米结构和光子晶体等新材料，可以增强光在电池片中的传输和吸收效果，提高能量转换效率。
3. 多功能光伏电池板除了传统的能量转换功能，研究人员还在探索光伏电池板的多功能应用。
太阳能电池制作工艺与应用技术研发
太阳能电池制作工艺与应用技术研发太阳能电池是目前应用最广泛的太阳能利用技术之一。
它利用太阳光能将光能转换成电能，具有环保、可再生、无噪音等优点，广泛应用于户外照明、太阳能电池板、太阳能水泵等领域。
本文将从太阳能电池的制作工艺和应用技术两方面进行探讨。
一、太阳能电池制作工艺1.硅片加工太阳能电池的主要材料是硅，而硅片是制作太阳能电池的核心零件。
硅片可以分为单晶硅片、多晶硅片和非晶硅片三种类型，其中单晶硅片质量最高、转换效率最高、成本最高。
硅片的加工主要包括材料的准备、晶体的生长、硅锭的制备等过程。
2.制备太阳能电池制备太阳能电池主要分为正型多晶硅电池和单晶硅电池两种类型。
正型多晶硅电池生产成本低，但转换效率低；而单晶硅电池转换效率高，但生产成本高。
电池的制备工艺主要包括电池切片、电池前加工、电池清洗、平坦化加工、电池接线等。
3.组装太阳能电池板组装太阳能电池板是指将多个太阳能电池组合在一起，组成太阳能电池板。
太阳能电池板作为应用于实际生产中的产品，必须具备可靠性高、效率高、寿命长等特点。
太阳能电池板的组装主要包括电池片焊接、覆盖物加工、电气连接等。
二、太阳能电池应用技术1.家庭应用太阳能电池可以应用于家庭中，例如作为家庭光伏发电系统的组成部分，可以将太阳光能转换成电能提供给家庭用电；也可以应用于太阳能热水器中，利用太阳能加热水。
2.工业应用太阳能电池也可以应用于工业中，例如可作为光伏电站的发电设备，可将太阳能转换成电能并输送至电网中；也可以应用于太阳能电池板，可用于建筑物中的照明、通风、空调等。
3.交通应用太阳能电池还可以应用于交通领域。
例如，太阳能电池板可以用于交通灯、路灯和安全标志灯等环保节能设备中。
此外，太阳能电池还可以用于太阳能汽车和太阳能飞机等交通工具中，充分利用太阳能源实现零排放。
四、结语作为一种可再生、无污染的新能源，太阳能电池在未来有着广阔的应用前景。
从太阳能电池制作工艺和应用技术两方面探讨，我们可以得出结论，制作太阳能电池需要高质量硅材料和优质的制造工艺，而太阳能电池应用技术需要全方位的研发和推广，以满足不同领域的需求。
太阳能电池原理与制造工艺
太阳能电池原理与制造工艺太阳能电池是一种将太阳能转换为电能的装置，它的工作原理基于光电效应。
本文将介绍太阳能电池的原理及其制造工艺。
一、太阳能电池的原理太阳能电池的工作原理可归结为以下几个步骤：1. 光吸收：太阳光进入太阳能电池后，会被光吸收层中的光敏材料吸收。
光敏材料往往是由硅、镓等材料制成的半导体。
2. 光激发：吸收光的能量会激发光敏材料中的电子，使其跃迁到较高能级，形成电子空穴对。
3. 分离电子和空穴：光激发后，电子和空穴会被电场分离。
在太阳能电池的结构中，通常会引入p-n结或p-i-n结构，以实现电荷的分离。
4. 电流输出：分离后的电子和空穴会沿电场方向移动，此时太阳能电池的正负电极会导致电子和空穴分别集中在不同的电极上，从而产生电流。
二、太阳能电池的制造工艺太阳能电池的制造工艺是一个经过多个步骤的复杂过程，主要包括：1. 材料准备：太阳能电池的主要材料是半导体材料，如硅、镓等。
首先需要准备高纯度的材料，以确保电池的性能和效率。
2. 半导体的制备：在制造太阳能电池之前，需要将半导体材料加工成片状。
这通常通过将硅材料熔化并凝固成晶体，再切割成薄片的方式实现。
3. 表面处理：为了提高太阳能电池的效率，需要对半导体片的表面进行处理。
常见的处理方法包括化学腐蚀、导电膜涂覆等。
4. 荷电层形成：通过在半导体片表面引入掺杂材料，可以形成p型和n型的区域。
这一步骤常用的方法是热扩散或离子注入。
5. 金属化：在完成荷电层形成后，需要在半导体表面涂覆金属电极。
典型的金属电极有银、铝等。
6. 封装：完成电极涂覆后，需要将太阳能电池进行封装，以保护电池内部结构，并提供连接电路。
三、太阳能电池的应用前景太阳能电池因其清洁环保、可再生能源等优势，已经得到广泛应用并在可再生能源领域中占据重要地位。
目前，太阳能电池主要用于以下几个方面：1. 光伏发电：太阳能光伏发电是目前最常见的利用太阳能的方式。
光伏电池阵列可以将太阳能转化为电能，供给家庭、商业机构以及电力系统使用。
太阳能电池片工艺流程及原理
太阳能电池片工艺流程及原理一、简介太阳能电池片，作为太阳能光伏发电系统的核心组成部分，能够将太阳能转换为直流电能。
其工艺流程涉及多个复杂步骤，每个步骤都对最终的性能和效率有着重要影响。
了解太阳能电池片的工艺流程及工作原理，有助于更好地优化生产过程，提高光电转换效率。
二、太阳能电池片工艺流程1.硅片准备：首先，通过切割硅锭得到硅片，并进行清洗，去除表面的杂质和尘埃。
硅片的品质和厚度对电池片的性能有着至关重要的影响。
2.磷掺杂：在硅片上施加磷元素，通过扩散技术将磷元素掺入硅片中，形成n型半导体。
磷的掺杂浓度决定了电池片的导电性能。
3.镀膜：在硅片表面镀上一层减反射膜，以减少表面反射，提高光吸收效率。
常用的减反射膜材料包括二氧化硅和氮化硅。
4.印刷电极：使用丝网印刷技术在硅片背面印刷电极，并烘干。
电极的形状和尺寸影响电池片的电流收集能力。
5.烧结：通过高温烧结使电极材料与硅片紧密结合，提高电极的导电性能。
6.测试和分选：对电池片进行电性能测试，并根据测试结果进行分选。
合格的电池片进入下一道工序，不合格的则进行回收处理。
7.包装：将合格的电池片进行包装，以保护其在运输和存储过程中的性能。
包装材料一般选用防潮、防震的材料。
三、工作原理太阳能电池片的工作原理基于光伏效应，即光子照射到半导体材料上时，光子能量使电子从束缚状态进入自由状态，从而产生电流。
具体来说，当太阳光照射到硅片上时，光子能量激发硅中的电子，使电子从价带跃迁到导带，从而在价带和导带之间产生电子-空穴对。
在电场的作用下，电子和空穴分别向电池片的负极和正极移动，形成光生电流。
此时，如果将电池片的正负极短路，则会有电流流过电路，从而实现光电转换。
四、发展趋势随着技术的不断进步和应用需求的增长，太阳能电池片的发展趋势主要体现在以下几个方面：1.高效率：通过改进生产工艺、研发新型材料和优化电池结构，不断提高太阳能电池的光电转换效率，以满足日益增长的能源需求。
太阳能电池板的制造工艺流程
太阳能电池板的制造工艺流程1. 硅片准备在太阳能电池板的制造过程中，首先需要准备硅片。
硅片是太阳能电池板的核心材料，通常由高纯度晶体硅材料制成。
在准备过程中，首先需要将硅原料净化，去除杂质，然后将硅原料熔化，形成硅锭。
接下来，硅锭通过切割技术被切割成薄片，形成硅片。
2. 涂层制备在制备过程中，硅片需要经过一系列的涂层处理。
首先，硅片会被清洗和去除表面杂质。
之后，硅片会被涂覆一层反射层，以提高太阳能的光吸收效果。
接着，通过化学方法涂覆一层抗反射膜，以减少反射损失。
最后，硅片会被覆盖一层保护层，防止受到外部环境的侵害。
3. 电池片制备接下来是电池片的制备过程。
首先，通过光刻技术在硅片上制造暗电极和光电极。
然后，通过扩散技术将硅片暗电极中注入杂质，形成PN结。
随后，通过金属化技术在光电极和暗电极上涂覆金属电极，以便于电流的收集和传输。
最后，通过退火技术将电池片进行烧结，以提高电池片的效率和稳定性。
4. 模组组装在模组组装阶段，电池片会被加工成规定大小，并且被安装在透明玻璃上。
透明玻璃起到保护和支撑电池片的作用。
同时，模组中还要安装背面板、接线盒、连接器等组件，以便将太阳能电池板与外部电源连接。
最后，根据需要，在模组表面覆盖一层防紫外线和耐候性的材料，以提高太阳能电池板的使用寿命和效果。
5. 质量检测最后一个工艺是质量检测。
在太阳能电池板的制造过程中，需要对整个制造过程进行严格的检测和测试，以确保太阳能电池板的质量和性能符合要求。
主要包括外观检查、电性能检测、环境适应性测试等。
只有通过了所有的质量检测，太阳能电池板才能出厂销售。
以上就是太阳能电池板的制造工艺流程。
通过以上工艺流程的操作和控制，可以生产出高质量、高效率的太阳能电池板，促进太阳能产业的可持续发展。
太阳能电池制造工艺流程
太阳能电池制造工艺流程太阳能电池是一种利用太阳能转化为电能的设备。
太阳能电池的制造工艺流程包括：硅片生产、切割、表面处理、电极加工、连线、封装等环节。
首先，硅片生产是太阳能电池制造的关键步骤之一。
硅片是太阳能电池的基本原料，通过高纯度硅原料经过冶炼、晶体生长、切割等工艺制成。
具体来说，首先将高纯度的硅原料与气体进行化学反应，得到硅气体。
然后，将硅气体通过高温和压力作用下，在高纯度的衬底上结晶生长，形成硅原片。
最后，使用切割机将硅原片切割成薄片，形成硅片。
接下来，将硅片进行表面处理。
表面处理是为了提高硅片的光吸收和光电转换效率。
通常采用的方法有：氧化、抛光和薄膜涂覆。
首先，将硅片放入酸性溶液中进行清洁和氧化处理，形成一层硅氧化物薄膜。
然后，通过机械抛光，去除硅氧化物膜的表面缺陷。
最后，使用化学气相沉积法在硅片表面涂覆一层硅氮化物，提高硅片的光吸收和光电转换效率。
接着，对硅片进行电极加工。
电极加工是将金属导电膜和半导体硅片结合在一起，形成正负极。
首先，在硅片表面涂覆一层伏打胶，然后将导电膜铝粉均匀撒在硅片表面，通过高温烧结将铝粉与硅片牢固结合。
将金属导电膜的一端通过连线与外界的电路连接。
最后，进行连线和封装。
连线是将硅片的阳极和阴极通过导线连接起来，形成太阳能电池的电路。
通常采用的方法是将导线焊接在硅片电极上。
封装是将太阳能电池的硅片固定在支架上，并用透明的封装材料进行保护。
封装完成后，太阳能电池即可使用。
综上所述，太阳能电池制造的工艺流程主要包括硅片生产、切割、表面处理、电极加工、连线和封装等环节。
这些环节的完成，使得太阳能电池的制造成为可能，为人们利用太阳能发电提供了可靠的设备。
太阳能电池的制造工艺流程在不断改进和创新，以提高太阳能电池的效率和使用寿命，推动太阳能产业的发展。
太阳能电池工艺流程
太阳能电池工艺流程太阳能电池是一种利用光电效应将太阳光能转化为电能的器件，是清洁能源领域中备受关注的技术之一。
太阳能电池的制造过程涉及多个工艺步骤，下面将简要介绍太阳能电池的工艺流程。
1.晶体硅材料准备太阳能电池的主要材料是硅，一般采用晶体硅。
晶体硅材料准备是太阳能电池制造的第一步，通常通过硅矿石提炼、高纯度硅棒拉制等工艺来获取高质量的硅材料。
2.硅片加工经过硅材料准备后，硅片需要进行加工。
硅片加工包括切割、抛光、清洗等步骤，以确保硅片表面光滑、无瑕疵，提高光电转换效率。
3.扩散和光刻扩散是将掺杂物diffused 到硅片表面，形成p-n 结，是太阳能电池的关键工艺之一。
光刻是通过光掩膜技术在硅片表面形成电极图案，为后续的金属化工艺做准备。
4.金属化金属化是在硅片表面沉积金属电极，将光电转换的电荷导出，形成电路。
金属化工艺需要高精度的设备和工艺控制，以确保电极与硅片的良好接触性和导电性。
5.封装封装是将太阳能电池芯片与支撑材料（如玻璃、背板等）进行封装，保护太阳能电池不受外界环境影响，并提高组件的稳定性和耐久性。
6.测试和质检经过封装后的太阳能电池需要进行测试和质检，以确保电池组件的性能符合要求。
测试包括电性能测试、外观检查、温度湿度试验等，质检则是对电池组件的质量进行全面检查。
7.成品包装最后一步是将经过测试和质检合格的太阳能电池组件进行包装，以便运输和安装。
包装通常采用防震、防潮的材料，保证太阳能电池组件在运输过程中不受损坏。
总的来说，太阳能电池的制造工艺是一个复杂而精密的过程，涉及多个步骤和环节。
只有严格控制每个工艺步骤，确保材料和设备的质量，才能生产出高效、稳定的太阳能电池产品。
随着太阳能电池技术的不断进步和完善，相信太阳能电池将在未来发挥越来越重要的作用，成为清洁能源领域的主力。
太阳能电池制备工艺
太阳能电池制备工艺
太阳能电池的制备工艺主要包括以下几个步骤：
1. 衬底准备：选择合适的衬底材料，常用的有硅、镓等。
对衬底进行表面处理，以提高后续工艺的附着性和光吸收性能。
2. 沉积薄膜：利用物理或化学方法，在衬底表面沉积薄膜材料。
常用的方法包括化学气相沉积、物理气相沉积、溅射等。
薄膜材料主要包括n型和p型半导体材料。
3. 创建pn结：将n型和p型薄膜通过热处理或其他方法创建
pn结，形成光电二极管结构。
4. 添加电极：在太阳能电池的两端加入电极，常用的电极材料为金属，如银、铝等。
电极的作用是将光电二极管中产生的电子流引导出来，并传导至外部电路。
5. 封装保护：为了保护太阳能电池对外界环境的影响，以及提高电池的耐久性，需要将电池进行封装保护。
常用的封装材料有玻璃、树脂等。
以上是太阳能电池的一般制备工艺，具体的制备方法和工艺参数会根据不同的太阳能电池类型和制造商的要求有所不同。
此外，还有一些新型的太阳能电池制备工艺正在被研发和应用，如钙钛矿太阳能电池、柔性太阳能电池等。
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等离子刻蚀注意点
• 单面扩散在镀膜结束前绝对不能搞 混正反面 • 刻蚀前要保证硅片边缘对齐 • 辉光过程注意实际输出功率和反射 功率以及辉光颜色
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什么是磷硅玻璃？
• 在扩散过程中发生如下反应：
4PCl3 5O2 2PO 2 5 6Cl2
• POCl3分解产生的P2O5淀积在硅片表面， P2O5与Si反应生成 SiO2和磷原子：
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等离子体的产生
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等离子体刻蚀原理
• 等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应， 使反应气体激活成活性粒子，如原子或游 离基，这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位， 在那里与被刻蚀材料进行反应，形成挥发 性生成物而被去除。它的优势在于快速的 刻蚀速率同时可获得良好的物理形貌 。
• 这种腐蚀方法也叫做干法腐蚀。
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多晶制绒:
装片 制绒 （形成绒面）
水洗 碱洗
水洗 制绒机 酸洗 （HF/HCl） 水洗
干燥
扩散
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化学原理 硅被HNO3氧化，反应为：
3Si 4HNO3 3SiO2 2H2O 4NO
用HF去除SiO2层，反应为：
SiO 2 6HF H 2 [SiF6 ] 2H2O
• 随着温度的升高，一般物质依次表现为固 体、液体和气体。它们统称为物质的三态。 • 如果温度升高到10e4K甚至10e5K，分子 间和原子间的运动十分剧烈，彼此间已难 以束缚，原子中的电子因具有相当大的动 能而摆脱原子核对它的束缚，成为自由电 子，原子失去电子变成带正电的离子。这 样，物质就变成了一团由电子和带正电的 的离子组成的混合物 。这种混合物叫等 离子体。它可以称为物质的第四态。
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CVD各工艺条件的比较
其它方法的沉积温度： APCVD—常压CVD，700-1000℃ LPCVD—低压CVD， 750℃，0.1mbar 对比 PECVD — 300-450 ℃，0.1mbar
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PECVD的特点
PECVD的一个基本特征是实现了薄膜 沉积工艺的低温化（<450℃）。因此带来 的好处： 节省能源，降低成本 提高产能 减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减
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检验操作及判断
1. 2. 确认万用表工作正常，量程置于200mV。 冷探针连接电压表的正电极，热探针与电压表 的负极相连。
3. 用冷、热探针接触硅片一个边沿不相连的两个 点，电压表显示这两点间的电压为正值，说明 导电类型为P型，刻蚀合格。相同的方法检测 另外三个边沿的导电类型是否为P型。
4. 如果经过检验，任何一个边沿没有刻蚀合格， 则这一批硅片需要重新装片，进行刻蚀。
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检验原理
• 热探针和N型半导体接触时，传导电 子将流向温度较低的区域，使得热探 针处电子缺少，因而其电势相对于同 一材料上的室温触点而言将是正的。 • 同样道理，P型半导体热探针触点相 对于室温触点而言将是负的。 • 此电势差可以用简单的微伏表测量。 • 热探针的结构可以是将小的热线圈绕 在一个探针的周围，也可以用小型的 电烙铁。
• 氮化硅最佳透射折射率为空气和硅 折射率乘积的平方根
n n0 n si
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硅的n,k与光子能量关系
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半导体吸收系数
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相关公式
• h=6.63×10^-34 普朗克常数
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太阳光谱
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膜厚和折射率的选择
• 硅的禁带宽度是1.12eV， 对应于 1100nm的电磁波 • 太阳光谱相当于6000K黑体的光谱， 能量峰值在600nm左右 • 所以减反射中心应该在600nm • 单晶硅太阳能电池氮化硅膜厚度7580nm折射率为2.05的氮化硅薄膜， 薄膜为深蓝色
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工艺流程
• 上料—加热-镀膜-冷却—下料
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PECVD原理
PECVD技术原理是利用低温等离子体作能量源， 样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光 放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度， 然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反 应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。 PECVD方法区别于其它CVD方法的特点在于等 离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供 化学气相沉积过程所需的激活能。电子与气相分 子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发 和电离过程，生成活性很高的各种化学基团，因 而显著降低CVD薄膜沉积的温度范围，使得原来 需要在高温下才能进行的CVD过程得以在低温下 实现。
清洗
干燥
4
硅的晶体结构
金 刚 石 结 构
5
硅的晶向
6
单晶制绒的原理
各 向 异 性
目前太阳能电池所用硅片均为100面
7
单晶制绒所需的化学药品
• NaOH（氢氧化钠） • IPA（乙丙醇） • Na2SiO3（硅酸钠
8
化学原理： Si + 2NaOH + H2O → Na2SiO3 + 2H2↑
Na2SiO3 + H2O → H2SiO3 + OHNa2SiO3 → (Na2O)x· (SiO2)y
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时间和浓度对粗抛效果影响：
12 10
8
d(um)
6
4
10% 15% 20% 30% 35%
2
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
t(s)
时间30-180，浓度10%-35%
SiF 2HF H [SiF ]
4 2 6
• 总反应式为：
SiO 6HF H [SiF ] 2H O
2 2 6 2
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PECVD
PECVD =Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition 即“等离子增强型化学气相沉积”，是 一种化学气相沉积，其它的有HWCVD， LPCVD，MOCVD等。 PECVD是借助微波或射频等使含有薄膜 组成原子的气体电离，在局部形成等离子 体，而等离子化学活性很强，很容易发生 反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。
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等离子体刻蚀工艺
• 装片 在待刻蚀硅片的两边，分别放置一 片与硅片同样大小的玻璃夹板，叠 放整齐，用夹具夹紧，确保待刻蚀 的硅片中间没有大的缝隙。将夹具 平稳放入反应室的支架上，关好反 应室的盖子。
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工艺设置
气体流量 片数 气压（Pa） 辉光功率（瓦） 反射功率
CF4（sccm）
O2 (sccm)
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原材料硅 片
粗抛后
绒面
11
绒面结构的二次吸收
12
腐蚀量和腐蚀速率随时间变化：
35 30 25
um/min
1 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2
20
um
15 10 5 0 0 10 20 30 40 50 60 70 etch time(min)
0.1 0 0 10 20 30 min 40 50 60 70
短路形成途径
控制方法
对于不同规格的硅片，应适当的调整 辉光功率和刻蚀时间使达到完全去除短 路通道的效果。
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刻蚀工艺不当的影响
Rs
IL
ID
Rsh
redge
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在等离子体刻蚀工艺中，关键的工艺参数是射 频功率和刻蚀时间。 • 刻蚀不足：电池的并联电阻会下降。 • 射频功率过高：等离子体中离子的能量较高会对 硅片边缘造成较大的轰击损伤，导致边缘区域的 电性能变差从而使电池的性能下降。在结区（耗 尽层）造成的损伤会使得结区复合增加。
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• 刻蚀时间过长：刻蚀时间越长对电池片的正反面 造成损伤影响越大，时间长到一定程度损伤不可 避免会延伸到正面结区，从而导致损伤区域高复 合。 • 射频功率太低：会使等离子体不稳定和分布不均 匀，从而使某些区域刻蚀过度而某些区域刻蚀不 足，导致并联电阻下降。
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检验方法
• 冷热探针法
冷热探针法测导电型号
2P O 5Si 5SiO 4P
2 5 2
• 这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2，称之为磷硅 玻璃。
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• 氢氟酸能够溶解二氧化硅是因为氢氟酸能与二氧化 硅作用生成易挥发的四氟化硅气体。
SiO 4HF SiF 2H O
2 4 2
• 若氢氟酸过量，反应生成的四氟化硅会进一步与氢 氟酸反应生成可溶性的络和物六氟硅酸。
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SiNx:H简介
物理性质和化学性质：
结构致密，硬度大 能抵御碱金属离子的侵蚀 介电强度高 耐湿性好 耐一般的酸碱，除HF和热H3PO4
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SiNx在太阳电池中的应用
SiNx的优点： 优良的表面钝化效果 高效的光学减反射性能（厚度 和折射率匹配） 低温工艺（有效降低成本） 含氢SiNx:H可以对mc-Si提供 体钝化
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减反射原理（干涉）
• 为了使第一次反射和第二次反射光 最弱他们的相干应该是相位差为半 波长的奇数倍 • /2=2nd • d= 4 /n
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减反射原理（界面反射）
(n 1) 2 k 2 2 2 (n 1) k
(n 1) 2 • 在可见光段可以简化为 (n 1) 2
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等离子体刻蚀反应
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• 首先，母体分子CF4在高能量的电子的碰撞作用下 分解成多种中性基团或离子。
CF CF , CF , CF, F, C以及它们的离子
e 4 3 2
• 其次，这些活性粒子由于扩散或者在电场作用下到 达SiO2表面，并在表面上发生化学反应。 • 生产过程中，CF4中掺入O2，这样有利于提高Si和 SiO2的刻蚀速率。
200-300
200
20
100