场效应管的种类、管脚排列、检测方法、使用注意事项
常用场效应管的种类与识别
常用场效应管的种类与识别场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种半导体电子器件，主要用于放大和开关电路中。
根据FET的工作原理和结构不同，常用的场效应管主要有三种类型：结型场效应管（JFET）、金属氧化物半导体场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor FET，MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor，IGBT）。
下面将详细介绍这三种常用的场效应管以及它们的识别方法。
1.结型场效应管（JFET）：结型场效应管是最早发展的一种场效应管，其结构简单，用途广泛。
根据导电型别的不同，可分为N沟道（N-Channel）和P沟道（P-Channel）两类。
结型场效应管的导通主要是通过沟道中的少数载流子进行的。
其主要特点包括输入电阻较高、噪声较低、电路稳定性好等。
JFET的识别方法：（1）引脚识别：JFET有三个引脚，即源极（source）、栅极（gate）和漏极（drain）。
可以使用万用表的电阻档位来测量两两引脚间的电阻大小，栅源电阻较大，约为数兆欧姆，漏源电阻较小，约为几千欧姆，可以根据这些特点来判断引脚的功能。
（2）标识识别：通常JFET上会有标志性的标识，例如“2N”或“BF”等，通过这些标识可以辨认出具体的型号和制造商。
（3）参数识别：可以通过查阅JFET的参数手册或型号手册，了解其具体的参数范围和特性，从而辨认出具体的JFET型号。
2.金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）：金属氧化物半导体场效应管是应用最为广泛的一种场效应管，也是目前集成电路中使用最多的晶体管。
根据栅极结构的不同，可以分为增强型MOSFET和耗尽型MOSFET两种。
增强型MOSFET的导通需要在栅极上施加正电压，而耗尽型MOSFET的导通则需要在栅极上施加负电压。
MOSFET的识别方法：（1）引脚识别：MOSFET有三个引脚，即源极（source）、栅极（gate）和漏极（drain）。
常用场效应管型号参数管脚识别及检测表
常用场效应管型号参数管脚识别及检测表场效应管管脚识别场效应管的检测和使用场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别1用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极;具体方法：将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值;当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S;因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极Ｇ;也可以将万用表的黑表笔红表笔也行任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值;当出现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏极和源极;若两次测出的电阻值均很大,说明是ＰＮ结的反向,即都是反向电阻,可以判定是Ｎ沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小,说明是正向ＰＮ结,即是正向电阻,判定为Ｐ沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极;若不出现上述情况,可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试,直到判别出栅极为止;2用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏;具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档,测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的,如果测得阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大,可能是内部断极;然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档,再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大,则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路,则说明管是坏的;要注意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测;3用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：用万用表电阻的R×100档,红表笔接源极Ｓ,黑表笔接漏极Ｄ,给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压,此时表针指示出的漏源极间的电阻值;然后用手捏住结型场效应管的栅极Ｇ,将人体的感应电压信号加到栅极上;这样,由于管的放大作用,漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化,也就是漏源极间电阻发生了变化,由此可以观察到表针有较大幅度的摆动;如果手捏栅极表针摆动较小,说明管的放大能力较差；表针摆动较大,表明管的放大能力大；若表针不动,说明管是坏的;根据上述方法,我们用万用表的R×100档,测结型场效应管3DJ2F;先将管的Ｇ极开路,测得漏源电阻RDS为600Ω,用手捏住Ｇ极后,表针向左摆动,指示的电阻RDS为12kΩ,表针摆动的幅度较大,说明该管是好的,并有较大的放大能力;运用这种方法时要说明几点：首先,在测试场效应管用手捏住栅极时,万用表针可能向右摆动电阻值减小,也可能向左摆动电阻值增加;这是由于人体感应的交流电压较高,而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同或者工作在饱和区或者在不饱和区所致,试验表明,多数管的RDS增大,即表针向左摆动；少数管的RDS 减小,使表针向右摆动;但无论表针摆动方向如何,只要表针摆动幅度较大,就说明管有较大的放大能力;第二,此方法对MOS场效应管也适用;但要注意,MOS场效应管的输人电阻高,栅极Ｇ允许的感应电压不应过高,所以不要直接用手去捏栅极,必须用于握螺丝刀的绝缘柄,用金属杆去碰触栅极,以防止人体感应电荷直接加到栅极,引起栅极击穿;第三,每次测量完毕,应当G-S极间短路一下;这是因为G-S结电容上会充有少量电荷,建立起ＶGＳ电压,造成再进行测量时表针可能不动,只有将G-S极间电荷短路放掉才行;4用测电阻法判别无标志的场效应管首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚,也就是源极Ｓ和漏极Ｄ,余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2;把先用两表笔测的源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻值记下来,对调表笔再测量一次,把其测得电阻值记下来,两次测得阻值较大的一次,黑表笔所接的电极为漏极Ｄ；红表笔所接的为源极Ｓ;用这种方法判别出来的Ｓ、Ｄ极,还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证,即放大能力大的黑表笔所接的是Ｄ极；红表笔所接地是８极,两种方法检测结果均应一样;当确定了漏极Ｄ、源极Ｓ的位置后,按Ｄ、Ｓ的对应位置装人电路,一般G1、G2也会依次对准位置,这就确定了两个栅极G1、G2的位置,从而就确定了Ｄ、S、G1、G2管脚的顺序;5用测反向电阻值的变化判断跨导的大小对ＶＭＯＳＮ沟道增强型场效应管测量跨导性能时,可用红表笔接源极Ｓ、黑表笔接漏极Ｄ,这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压;此时栅极是开路的,管的反向电阻值是很不稳定的;将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档,此时表内电压较高;当用手接触栅极Ｇ时,会发现管的反向电阻值有明显地变化,其变化越大,说明管的跨导值越高；如果被测管的跨导很小,用此法测时,反向阻值变化不大;二、.场效应管的使用注意事项1为了安全使用场效应管,在线路的设计中不能超过管的耗散功率,最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值;2各类型场效应管在使用时,都要严格按要求的偏置接人电路中,要遵守场效应管偏置的极性;如结型场效应管栅源漏之间是ＰＮ结,Ｎ沟道管栅极不能加正偏压；Ｐ沟道管栅极不能加负偏压,等等; 3MOS场效应管由于输人阻抗极高,所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路,要用金属屏蔽包装,以防止外来感应电势将栅极击穿;尤其要注意,不能将MOS场效应管放人塑料盒子内,保存时最好放在金属盒内,同时也要注意管的防潮;4为了防止场效应管栅极感应击穿,要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地；管脚在焊接时,先焊源极；在连入电路之前,管的全部引线端保持互相短接状态,焊接完后才把短接材料去掉；从元器件架上取下管时,应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等；当然,如果能采用先进的气热型电烙铁,焊接场效应管是比较方便的,并且确保安全；在未关断电源时,绝对不可以把管插人电路或从电路中拔出;以上安全措施在使用场效应管时必须注意;5在安装场效应管时,注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件；为了防管件振动,有必要将管壳体紧固起来；管脚引线在弯曲时,应当大于根部尺寸５毫米处进行,以防止弯断管脚和引起漏气等;对于功率型场效应管,要有良好的散热条件;因为功率型场效应管在高负荷条件下运用,必须设计足够的散热器,确保壳体温度不超过额定值,使器件长期稳定可靠地工作;总之,确保场效应管安全使用,要注意的事项是多种多样,采取的安全措施也是各种各样,广大的专业技术人员,特别是广大的电子爱好者,都要根据自己的实际情况出发,采取切实可行的办法,安全有效地用好场效应管;常用场效应管型号参数表型号参数IRF530NMOS100V14A79W IRFP9530 PMOS100V12A75WIRF540 NMOS100V28A150W IRFP9540 PMOS60V18A100WIRF630 NMOS200V9A75WIRFP9630 PMOS200V6.5A75WIRF640 NMOS200V18A125WIRF720 NMOS400V3.3A50WIRF730 NMOS400V5.5A75WIRF740 NMOS400V10A125WIRF830NMOS500V4.5A75WIRF840NMOS500V8A125W场效应管分类型号耐压电流封装DISCRETE MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETEMOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETEMOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETEDISCRETEMOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 DISCRETEDISCRETEMOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF9520 TO-220 DISCRETEMOS FET IRF9540 TO-220 DISCRETEMOS FET IRF9610 TO-220 DISCRETEMOS FET IRF9620 TO-220 DISCRETEMOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P DISCRETEMOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P DISCRETEMOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P DISCRETEMOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR214A 250V,2.2A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR220A 200V,4.6A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR224A 250V,3.8A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR310A 400V,1.7A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR9020TF D-PAK DISCRETEMOS FET IRFS540A 100V,17A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS630A 200V,6.5A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS634A 250V,5.8A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS640A 200V,9.8A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS644A 250V,7.9A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS730A 400V,3.9A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS740A 400V,5.7A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS830A 500V,3.1A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS840A 500V,4.6A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS9Z34 -60V,12A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFSZ24A 60V,14A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFSZ34A 60V,20A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFU110A 100V,4.7A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU120A 100V,8.4A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU220A 200V,4.6A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU230A 200V,7.5A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU410A 500V I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU420A 500V,2.3A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFZ20A TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ24A 60V,17A TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ30 TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ34A 60V,30A TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ40 TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ44A 60V,50A TO-220 DISCRETEMOS FET IRLS530A 100V,10.7A,Logic TO-220F DISCRETEMOS FET IRLSZ14A 60V,8A,Logic TO-220F DISCRETEMOS FET IRLZ24A 60V,17A,Logic TO-220 DISCRETEMOS FET IRLZ44A 60V,50A,Logic TO-220 DISCRETEMOS FET SFP36N03 30V,36A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP65N06 60V,65A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP9540 -100V,17A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP9634 -250V,5A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP9644 -250V,8.6A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP9Z34 -60V,18A TO-220 DISCRETEMOS FET SFR9214 -250V,1.53A D-PAK DISCRETEMOS FET SFR9224 -250V,2.5A D-PAK DISCRETEMOS FET SFR9310 -400V,1.5A D-PAK DISCRETEMOS FET SFS9630 -200V,4.4A TO-220F DISCRETEMOS FET SFS9634 -250V,3.4A TO-220F DISCRETEMOS FET SFU9220 -200V,3.1A I-PAK DISCRETEMOS FET SSD2002 25V N/P Dual 8SOP DISCRETEMOS FET SSD2019 20V P-ch Dual 8SOP DISCRETEMOS FET SSD2101 30V N-ch Single 8SOP DISCRETEMOS FET SSH10N80A 800V,10A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH10N90A 900V,10A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH5N90A 900V,5A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH60N10 TO-3P DISCRETEMOS FET SSH6N80A 800V,6A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH70N10A 100V,70A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH7N90A 900V,7A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH9N80A 800V,9A TO-3P DISCRETEMOS FET SSP10N60A 600V,9A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP1N60A 600V,1A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP2N90A 900V,2A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP35N03 30V,35A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP3N90A 900V,3A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP4N60A 600V,4A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP4N60AS 600V,4A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP4N90AS 900V,4.5A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP5N90A 900V,5A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP60N06 60V,60A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP6N60A 600V,6A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP70N10A 100V,55A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP7N60A 600V,7A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP7N80A 800V,7A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP80N06A 60V,80A TO-220 DISCRETEMOS FET SSR1N60A 600V,0.9A D-PAK DISCRETEMOS FET SSR2N60A 600V,1.8A D-PAK DISCRETEMOS FET SSR3055A 60V,8A D-PAK DISCRETEMOS FET SSS10N60A 600V,5.1A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS2N60A 600V,1.3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS3N80A 800V,2A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS3N90A 900V,2A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS4N60A 600V,3.5A TO-220F/P DISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220F/P DISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS4N90AS 900V,2.8A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS5N80A 800V,3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS6N60A 600V, TO-220F/P。
场效应管的使用注意事项
场效应管的使用注意事项场效应管（FET）是一种常用的半导体器件，具有高频率、低噪声和低功耗等优点，在电子电路中广泛应用。
但是在使用场效应管的过程中，需要注意一些细节，以确保其稳定可靠地工作。
本文将介绍场效应管的使用注意事项，帮助读者更好地掌握场效应管的运用技巧。
选择合适的场效应管在选用场效应管时，需要根据实际需求选择合适的型号。
场效应管的型号通常由其漏极-源极电压（Vds）、漏极电流（Ids）和栅极-源极电压（Vgs）等参数来描述。
根据电路的工作条件和要求，选择合适的型号可以确保电路的性能和稳定性。
正确连接场效应管在连接场效应管时，需要注意其管脚的极性和引脚序号，避免连接错误导致电路无法正常工作。
一般来说，场效应管的栅极是控制管子通断的地方，需要接入电路的信号源；漏极为电流输出端，需要接入负载；源极为电流输入端，需要接入电源。
在连接时，还需要注意控制信号的电压范围和负载电流的限制，以免损坏场效应管或其他电子器件。
注意场效应管的温度特性场效应管的性能和参数受温度影响较大，温度过高或过低都会导致其性能发生变化。
因此，在设计电路时需要考虑场效应管的温度特性，选择合适的散热措施或温度补偿电路，以确保电路在不同的环境温度下都能正常工作。
防止场效应管静电损坏场效应管易受到静电干扰，特别是在操作或运输过程中易产生电荷积累和放电，导致管子受损或故障。
为防止场效应管静电损坏，可以采用静电罩子、接地电阻、电荷消除器等静电保护措施，或使用抗静电器件加以稳定。
避免场效应管过压或过流场效应管对电压和电流的限制比较严格，超出其额定范围会导致管子失效。
因此，在使用场效应管时，需要注意避免过压或过流的情况出现。
一般来说，可以通过限流电路、保护管或放电管等器件实现保护，或使用适当的电源和调节器等供电部件来避免过压或过流的问题。
总结场效应管是电子电路中常用的半导体器件，具有广泛的应用前景。
但在使用场效应管时，需要注意其选择、连接、温度特性、静电保护、过压过流等问题，以确保电路的性能和稳定性。
场效应管的应用和分类
图 3.6 N沟道增强型MOS管工作原理
3) 特性曲线 （1） N沟道增强型绝缘栅场效应管的转移特性曲线如图3.7(a)所示。 在uGS≥UGS（th）时, iD与uGS的关系可用下式表示:
(3. 4)
其中ID0是uGS=2UGS（th）时的iD值。 （2） N沟道增强型绝缘栅场效应管的输出特性曲线 如图3.7（b）所示。
02
(3. 2)
03
(3. 3)
04
图 3.4 N沟道结型场效应管输出特性曲线
3.1.2绝缘栅型场效应管 1. 增强型绝缘栅场效应管的结构及工作原理 1) 结构及符号 2) 工作原理
图 3.5增强型MOS管结构及符号图 (a) N沟道结构图; (b) N沟道符号; (c) P沟道符号
(3. 13) 3.2.2 共漏放大电路 漏放大电路又称源极输出器。 电路如图3.15所示。由图3.15（b）可得:
(3. 1)
图3.2 N沟道结型场效应管工作原理
图3.3 N沟道结型场效应管转移特性曲线
输出特性 输出特性是指栅源电压uGS一定, 漏极电流iD与漏极电压uDS之间的关系, 即
01
在UGS(off)≤uGS≤0的范围内, 漏极电流iD与栅极电 压uGS的关系为
图 3.10 场效应管共源放大电路
(3. 8)
01
(3. 7) 由于栅极电阻上无直流电流, 因而
02
图 3.11分压偏置式共源放大电路
场效应管放大电路的静态工作点可用式（3.4）或式（3.5）与式（3.7）或式（3.8）联立求出UGSQ和IDQ,漏源电压UDSQ由下式求得:
动态分析
(3. 9)
1
2
3.1 场效应管
01
常用场效应管的种类与识别
常用场效应管的种类与识别一、什么是场效应管场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）简称场效应管。
这种晶体管由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管，它属于电压控制型半导体元件。
具有输入阻抗高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。
场效应管分结型、绝缘栅型两大类。
结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名；绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极（闸极）与其他电极完全绝缘而得名。
按沟道半导体材料的不同，场效应管又分为N沟道和P沟道两种。
P沟道场效应管的工作原理与N沟道场效应管完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已，这如同三极管有NPN型和PNP型一样。
同普通三极管一样，场效应管也有三个引脚，分别是门极（又称栅极）、源极、漏极3个端子。
场效应管可看做一只普通三极管，栅极（闸极）G对应基极B，漏极D对应集电极C，源极S对应发射极E（N沟道对应NPN型晶体管，P沟道对应PNP晶体管）。
二、常用场效应管的种类与识别目前应用最为广泛的是绝缘栅型场效应管，简称MOS管或简称MOSFET（Met al Oxide Semiconductor FET，即金属-氧化物-半导体场效应管），这里就侧重介绍绝缘栅型场效应管的相关知识与测量方法。
1、常用场效应管的种类（1）小功率场效应管常用的小功率场效应管主要有TO-92封装和SOT-23、SOT-223等封装形式。
采用TO-92封装的场效应管型号常用的有2N7002、BSP254、BS170、1N60等。
这种场效应管主要用在放大、电子开关电路中。
TO-92封装场效应管的实物如图1所示。
图1 TO-92封装场效应管采用SOT-23封装的有代码为K1N、K72、K7A、K7B的2N7002（N沟道）、代码为335的FDN335N（N沟道）、NDS356AP（P沟道）等型号。
这种场效应管主要用在放大、电子开关电路中。
2024年场效应管的使用注意事项(三篇)
2024年场效应管的使用注意事项（1）为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。
（2）各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接人电路中，要遵守场效应管偏置的极性。
如结型场效应管栅源漏之间是ＰＮ结，Ｎ沟道管栅极不能加正偏压；Ｐ沟道管栅极不能加负偏压，等等。
（3）MOS场效应管由于输人阻抗极高，所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。
尤其要注意，不能将MOS场效应管放人塑料盒子内，保存时最好放在金属盒内，同时也要注意管的防潮。
（4）为了防止场效应管栅极感应击穿，要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地；管脚在焊接时，先焊源极；在连入电路之前，管的全部引线端保持互相短接状态，焊接完后才把短接材料去掉；从元器件架上取下管时，应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等；当然，如果能采用先进的气热型电烙铁，焊接场效应管是比较方便的，并且确保安全；在未关断电源时，绝对不可以把管插人电路或从电路中拔出。
以上安全措施在使用场效应管时必须注意。
（5）在安装场效应管时，注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件；为了防管件振动，有必要将管壳体紧固起来；管脚引线在弯曲时，应当大于根部尺寸５毫米处进行，以防止弯断管脚和引起漏气等。
对于功率型场效应管，要有良好的散热条件。
因为功率型场效应管在高负荷条件下运用，必须设计足够的散热器，确保壳体温度不超过额定值，使器件长期稳定可靠地工作。
总之，确保场效应管安全使用，要注意的事项是多种多样，采取的安全措施也是各种各样，广大的专业技术人员，特别是广大的电子爱好者，都要根据自己的实际情况出发，采取切实可行的办法，安全有效地用好场效应管。
2024年场效应管的使用注意事项（二）场效应管是一种常用的半导体器件，用于放大和开关电信号。
它具有优良的性能和广泛的应用领域，但在使用时也需要注意一些事项。
电路中的场效应管有哪些种类和应用
电路中的场效应管有哪些种类和应用场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是一种常见的电子元件，广泛应用于各种电路中。
它基于电场效应来实现电流的控制和放大，具有高输入阻抗、低功耗和高频特性等优点。
本文将介绍电路中的场效应管的种类和应用。
一、场效应管的种类1. MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）MOSFET是最常见的场效应管种类之一，由金属氧化物半导体材料构成。
根据结构和工作模式的不同，MOSFET可分为两种类型：增强型MOSFET和耗损型MOSFET。
增强型MOSFET（Enhancement Mode MOSFET）通常处于截止状态，需要施加正向电压来打开通道。
它的主要特点是输入电阻高，适用于放大和开关电路。
耗损型MOSFET（Depletion Mode MOSFET）则相反，通常处于导通状态，需要施加负向电压来截止通道。
它具有低输入电阻和高输出电阻的特点，适用于特定的应用场景。
2. JFET（结型场效应管）JFET使用p-n结构构成，分为N沟道型JFET和P沟道型JFET两种。
N沟道型JFET的导电沟道为N型，需要施加负向电压来控制电流。
它的主要特点是低噪声、高输入阻抗和高放大倍数，常用于高频放大器和低噪声电路。
P沟道型JFET则相反，导电沟道为P型，需要施加正向电压来控制电流，适用于某些特殊的电路设计。
二、场效应管的应用1. 放大器场效应管有很好的放大特性，常用于放大信号。
通过调整输入电压，可以控制输出电流的变化，实现对信号的放大。
2. 开关由于场效应管的高输入阻抗和快速开关速度，可以用作开关元件，广泛应用于电源管理、逆变器和驱动电路等领域。
它的开关速度快，能够有效控制高频信号和脉冲信号。
3. 模拟开关场效应管还可以用作模拟开关，根据输入电压的变化，实现对模拟信号的切换和控制。
比如在音频信号中的应用，可以实现信号的选择、切换和调节。
4. 逻辑门场效应管可以组合成各种逻辑门电路，实现数字电路中的逻辑运算。
场效应管详细资料
一：场效管的作用场效管和三极管一样都能实现信号的控制和放大，但它与三极管的工作原理不一样场效管也有三只脚，分别是控制极栅极（G极）、源极（S极）、漏极（D极）场效管与三极管三只引脚的对应关系：栅极（G）对应基极（B）、源极（S）对应发射极（E）、漏极（D）对应集电极（C）二：场效管的分类主板中的场效管，按照极性有P沟道和N沟道主板上常用的场效管有SOT－23、SOT－223、SO－8、TO－251、TO－252（TO －263）等其中SOT－23封装的有代码为KIN或K72或K7A或K7B的2N7002（N沟道）；代码为335的FDN335N（N沟道）、NDS356AP（P沟道）等开题，这种场效管主要用在放大和电子开关电路中其中SO－8封装的场效管，其内部有两个场效管，这种场效管通常称为双场效管，主板中常用的型号有FDS8936、SI9936、NDS9956A、FDS9926A、FDS6912、FDS6912A、FDS6982、FDS6930A等，这种场效管主要用在电子开关和小功率稳压供电电路中其中SOT－223封装的有代码为BSP100（N沟道）、P3055LL（N沟道）等型号，这种场效管主要用在中，小功率稳压电路中，如北桥供电、3.3V供电其中TO－251封装的有代码为HUF76107D3（N沟道）、AMP3055（N沟道）等型号，这种场效管主要应用在中功率供电电路中，如南桥供电、北桥供电、AGP 显卡供电、内在供电电路中其中TO－252（TO－263）封装的有代码为HUF76121D3S、60N03、50N03、45N03、FDB6030、CEB703AL、CEB603AL、RF1S45N03LSM、RFD3055SM、BUZ102SL、PHD96NQ03LT、PHD98N03LT、PHD9NQ20T、FDB6670、K3296、32N03等型号，以上都属于N沟道场效管，都属于大功率N沟道场效管，这种场效管主要应用在大供电电路中，如CPU供电电路三：场效管的识别在电脑电路中，场效管常用字母“Q”、“V”、“VT”加数字表示对于主板中使用的贴片场效管来说，从左到右其引脚基本为G、D、S（散热片接D极）四：场效管的检测与代换在维修中，主板中的场效管通常为击穿（短路）损坏，这时保引脚之间通常呈短路状态，因此用数字万用表的二极管档检测各引脚间的压降值通常为0V。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
场效应管的种类、管脚排列、检测方法、使用注意事项
场效应管的种类、管脚排列、检测方法、使用注意事项场效应管的种类：
场效应管K1113 管脚排列图：MOS场效应管的检测方法:（1）．准备工作测量之前，先把人体对地短路后，才能摸触MOSFET的管脚。
最好在手腕上接一条导线与大地连通，使人体与大地保持等电位。
再把管脚分开，然后拆掉导线。
（2）．判定电极将万用表拨于R×100档，首先确定栅极。
若某脚与其它脚的电阻都是无穷大，证明此脚就是栅极G。
交换表笔重测量，S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧，其中阻值较小的那一次，黑表笔接的为D极，红表笔接的是S极。
日本生产的3SK系列产品，S极
与管壳接通，据此很容易确定S极。
（3）．检查放大能力（跨导）
将G极悬空，黑表笔接D极，红表笔接S极，然后用手指触摸G极，表针应有较大的偏转。
双栅MOS场效应管有两个栅极G1、G2。
为区分之，可用手分别触摸G1、G2极，其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2极。
目前有的MOSFET管在G-S极间增加了保护二极管，平时
就不需要把各管脚短路了。
MOS场效应晶体管使用注意事项：MOS场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。
MOS场效应晶体管由于输入阻抗高（包括
MOS集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则：（1）. MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。
也可
用细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装（2）.取出的MOS器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘
来盛放待用器件。
（3）. 焊接用的电烙铁必须良好接地。
（4）. 在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再MOS 器件焊接完成后在分开。
（5）. MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。
拆机时顺序相反。
（6）.电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上去。
（7）. MOS场效应晶体管的栅极在允许条件下，最好接入
保护二极管。
在检修电路时应注意查证
原有的保护二极管是否损坏。
VMOS场效应管（VMOSFET）：简称VMOS管或功率场效应管，其全称为
V型槽MOS场效应管。
它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关
器件。
它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（左右0.1μA左右），还具有耐压高（
最高可耐压1200V）、工作电流大（1.5A～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等
优良特性。
正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍
）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。
众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿
水平方向流动。
VMOS管则不同，从左下图上可以看出其两大结构特点:第一，金属栅极采用V型槽结构；第二，
具有垂直导电性。
由于漏极是从芯片的背面引出，所以ID 不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N+区（源极S）
出发，经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区，最后垂直向下到达漏极D。
电流方向如图中箭头所示，因为流通截面积
增大，所以能通过大电流。
由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。
VMOS 场效应管的检测方法:（1）．判定栅极G 将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。
若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表
笔后仍为无穷大，则证明此脚为G极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。
（2）．判定源极S、漏极D 由图1可见，在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。
用交换表笔法
测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔
接D极。
（3）．测量漏-源通态电阻RDS（on）将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。
由于测试条件不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。
例如用500型万用表R×1档实测一
只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W （典型值）。
（4）．检查跨导将万用表置于R×1k（或R×100）档，红表笔接S极，黑表笔接D极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏
转，偏转愈大，管子的跨导愈高。
注意事项：（1）VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。
对于P沟道管，测量时应交换表笔的位置。
（2）有少数VMOS 管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。
（3）目前市场上还有一种VMOS管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器使用。
例如美国IR公司生产的
IRF 001型模块，内部有N沟道、P沟道管各三只，构成三相桥式结构。
（4）现在市售VNF系列（N沟道）产品，是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管，其最高
工作频率fp
=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信号低频跨导gm=2000μS。
适用于高速开关电路和广播、通信设备中。
（5）使用VMOS管时必须加合适的散热器后。
以VNF306为例，该管子加装140×140×4（mm）的散热器后，最
大功率才能达到30W场效应晶体管的几点使用知识
我们常接触到晶体三级管，对它的使用也比较熟悉，相对来说对晶体场效应管就陌生一点，但是，由于场效应管有其独特的优点，例输入阻抗高，噪声低，热稳定性好等，在我们的使用中也是屡见不鲜。
我们知道场效应晶体管的种类很多，根据结构不同分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管；绝缘栅型场效应管又称为金属氧化物导体场效应管，或简称MOS 场效应管．
1、如何防止绝缘栅型场效应管击穿
由于绝缘栅场效应管的输入阻抗非常高，这本来是它的优点，但在使用上却带来新的问题．由于输入阻抗高，当带电荷物体一旦靠近栅极时，在栅极感应出来的电荷就很难通过这个电阻泄放掉，电荷的累积造成了电压的升高，尤其是在极间
电容比较小的情况本下，少量的电荷就会产生较高的电压，以至管子还没使用或者在焊接时就已经击穿或者出现指标
下降的现象，特别是MOS管，其绝缘层很薄，更易击穿损坏。
为了避免出现这样的事故，关键在于避免栅极悬空，也就是在栅源两极之间必须保持直流通路。
通常是在栅源两极之间接一个电阻（100K以内），使累积电荷不致过多，或者接一个稳压管，使电压不致超过某一数值。
在保存时应使3个电极短路，并放在屏蔽的金属盒内；把管子焊到电路上或取下来时，也应该先将各个电极短路；安装测试时所用的烙铁仪器等要有良好的接地，最好拔掉电烙铁的电源再进行焊接。
2、怎样判断结型场效应管的电极将万用表置于RX1K挡，用黑表笔接触假定为的栅极G管脚，然后用红表笔分别接触另外两个管脚，若阻值均比较小（约5~10欧)，再将红黑表笔交换测量一次，如阻值大（无穷），说明都是反向电阻（PN 结反向），属N沟道管，且黑表笔接触的管为栅极G，并说明原先假定是正确的。
再次测量的阻值均很小，说明是正向电阻，属于P沟道场效应管，黑表笔所接触的也是栅极G。
若不出现上述情况，可以调换红黑表笔，按上述方法进测试，直至判断栅极为止。
一般结型效应管的源极与漏极在制造时是对称的，所以，当栅极G确定以后，对于源极S漏极D 不一定要判断，因为这两个极可以互换使用，因此没有必要
去判别．源极与漏极之间的电阻约为几千欧．3．场效应管放大能力的估测用万用表的RX100挡可以估算场效应管的放大能力．具体测试如下：红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，这样相当于给场效应管加上1.5伏的电源电压，这时表针指示出的是D-S极间的电阻值．然后用手指捏住栅极G，将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上．由于场效应管的放大作用，Uds和Id都将发生变化，也相当于D-S极间电阻发生变化，可以观测到表针有较大幅度的摆动．如果手捏栅极表针摆动很小，说明场效应管的放大能力较弱，若表针不动，说明场效应管已损坏。
注意的是多数场效应管的Rds增大，表针向左摆动，少数场效应管的Rds减小，表针向右摆动．但无论表针摆动方向如何，只要能明显地摆动，就说明管子具有放大能力。
但由于MOS管的输入电阻更高，栅极允许的感应电压不应过高，故不能直接用手去捏栅极，必须用手握螺丝刀的绝缘柄，用金属杆去碰触栅极，以防止感应电荷直接加到栅极上，引起MOS管的栅极击穿．
4、实例（总结模拟电路中MOS栅极电阻作用）1、是分压作用2、下拉电阻是尽快泄放栅极电荷将MOS管尽快截止3、防止栅极出现浪涌过压（栅极上并联的稳压管也是防止过压产生）4、全桥栅极电阻也是同样机理，尽快泄放栅极电荷，将MOS管尽快截止。
避免栅极悬空，悬空的栅极MOS管
将会导通，导致全桥短路5、驱动管和栅极之间的电阻起到隔离、防止寄生振荡的作用
场效应管管脚排列：带字的一面面对自己，从左到右依次为：G极（栅极），D极（漏极），S极（源极）。