腐蚀工艺教程
晒纹完全教程
晒纹完全教程晒纹教程⼀, 基础知识模具蚀纹，模具咬花，模具晒纹，模具烂纹，模具烂花，模具蚀刻之类都是模具⾥的同⼀⼯艺，只是名称叫法不同。
⾥⾯⼜有幼纹，细纹，粗纹，⽪纹等纹路粗细的种类。
英⽂⼀般如下写法mould texture，mold texture，mould texturing，mold texturing。
模具蚀纹的应⽤：4 C P6 q K' X* C) u(1)起装饰产品的作⽤，使产品更加美观，⾼雅;(2)克服了印字，喷漆易磨掉的缺点；(3)满⾜了视觉要求：由于光洁如镜的产品表⾯极易划伤，易沾上灰尘和指纹，⽽且在形成过程中产⽣的疵点、丝痕和波纹会在产品的光洁表⾯上暴露⽆疑，⽽⼀些⽪⾰纹、橘⽪纹、⽊纹、⾬花纹、亚光⾯等装饰花纹，可以隐蔽产品表⾯在成形过程中产⽣的缺点，使产品外观美观，迎合视觉的需要。
(4)制作花纹，可以使产品表⾯与型腔表⾯之⾯能容纳少许的空⽓，不致形成真空吸附，使得脱模变得容易。
(5)防滑、防转、有良好的⼿感。
(6)制成⿇⾯或亚光⾯，防⽌光线反射、消除眼部疲劳等等。
: k3 c6 m4 g$ t模具蚀纹的⽅式：. i' P$ g9 ^/ u% e+ D- r花技术是经过化学药⽔作⽤，在不同⾦属制品的表⾯造成各类图案，例如：沙纹、条纹、图象、⽊纹、⽪纹及绸缎图案等。
不同的技术流程制作出不同的纹路风格。
其中也包括喷纹程序，例如：办公室⽂件器材、录⾳机、录映机、照相机、汽车的防撞架、镜⾯、花盆、餐具等表⾯都是⽤喷纹制作⽽成。
模具蚀纹的流程：洗膜－粘膜－化学检验－表⾯处理－印花处理－化学蚀刻－表⾯处理－QC－防锈处理－包装7 A* D3 O6 @8 D1 C0 ?" K模具纹分类：有对称形图纹如正⽅形对应，圆形对应，⾮对称形图纹，花纹，⽊纹，类似家装材料瓷砖的图纹，这个纹理当然不是平的，是有纹理的，有⽴体感的，有凹凸不来的。
还有包括蚀字等。
⼀般可以总体概括：各种塑料⼯模⽪纹、⽊纹、布纹、⽴体纹、（电视，电脑，电话，⼿机，汽车，摩托，空调，冰箱等）⼤⼩电器外壳各类花纹滚筒；鞋底纹、不锈钢、压铸模蚀刻、凹凸⽂字商标、图案、喷沙. 可能有些同仁不知道做了晒纹是⼲什么⽤的，其实就是利⽤晒出来的钢板然后通过油墨转印到软质PVC，橡胶（TPR）上（在这⾥只针对这两种材料），钢板是硬的，⽽前⾯提到的那两种塑料是软的，⼆者相互挤压，使钢板上的油膜贴附到移印头上去，然后将移印头部的油膜再转印到产品上去。
腐蚀工艺教程
腐蚀工艺教程（湿法清洗部分）一、什么是半导体?半导体是介于导体和绝缘体之间的物质,它的电阻率在10-3～109范围内。
自然界中属于半导体的物质很多，用于制造半导体的材料主要是硅(Si)、锗(Ge）、砷化镓（GaAs）。
纯净的半导体电阻率很高，几乎不导电。
但在特定的条件下，如光照、掺杂等，它的电阻率可以降到几十欧姆甚至更低，并且随掺入的杂质不同呈不同的导电特性。
我们分别称之为P(空穴导电)型半导体和N（电子导电）型半导体。
P型半导体和N型半导体相接触时,在接触面就形成了PN结。
PN结具有正向导通反向截止的特性,利用它可以制得常用的二极管。
在集成电路制造中，常用的衬底材料是硅单晶片，根据圆片加工过程中硅单晶切割的晶格方向的不同，可把它分为<100>和<111>等晶向。
在mos集成电路制造中,选用的是<100〉晶向的圆片。
二、什么是集成电路？不同导电类型的半导体组合在一起，可以做成二极管、三极管、电容、电阻，如果把这些元件做在同一块芯片上，完成一定的电路功能,就称之为集成电路。
集成电路可分为双极集成电路和MOS集成电路，MOS集成电路又可分为nMOS集成电路、pMOS集成电路和CMOS集成电路。
三、集成电路中的常用薄膜。
多晶硅常用在MOS器件中作为栅电极.也可用于高电阻的电阻器,及局部电路的短连线二氧化硅集成电路中使用的二氧化硅膜可分为热二氧化硅和CVD淀积二氧化硅两类。
在MOS集成电路中，它有以下几种用途:作为对付掺杂剂注入或扩散进硅的掩膜,提供表面钝化,使器件一部分与一部分隔离，作为MOS器件的一个组成部分（如栅介质），作为金属步线之间的电绝缘。
氮化硅能阻挡钠离子的扩散，几乎不透潮气并具有很低的氧化速率。
用低压CVD（LPCVD）方法淀积的氮化硅膜，主要用作平面工艺的氧化掩膜;用等离子淀积(PECVD)的氮化硅膜，能在较低温度下生成,可作为钝化保护层。
Al—Si-Cu用在集成电路中作为金属互连线。
铝氧化工艺教程
铝与铝合金的氧化处理铝及铝合金在大气中虽能自然形成一层氧化膜，但膜薄（40～50A）而疏松多孔，为非晶态的、不均匀也不连续的膜层，不能作为可靠的防护一装饰性膜层。
1、随着铝制品加工工业的不断发展，在工业上越来越广泛地采用阳极氧化或化学氧化的方法，在铝及铝合金制件表面生成一层氧化膜，以达到防护一装饰的目的。
经化学氧化处理获得的氧化膜，厚度一般为0.3～4um，质软、耐磨和抗蚀性能均低于阳极氧化膜。
所以，除有特殊用途外，很少单独使用。
但它有较好的吸附能力，在其表面再涂漆，可有效地提高铝制品的耐蚀性和装饰性。
2、经阳极氧化处理获得的氧化膜，厚度一般在5～20um，硬质阳极氧化膜厚度可达60～2500um。
其膜层还具有似下特性：（1）硬度较高纯铝氧化膜的硬度比铝合金氧化膜的硬度高。
通常，它的硬度大小与铝的合金成份、阳极氧化时电解液的工艺条件有关。
阳极氧化膜不仅硬度较高，而且有较好的耐磨性。
尤其是表面层多孔的氧化膜具有吸附润滑剂的能力，还可进一步改善表面的耐磨性能。
（2）有较高的耐蚀性这是由于阳极氧化膜有较高的化学稳定性。
经测试，纯铝的阳极氧化膜比铝合金的阳极氧化膜耐蚀性好。
这是由于合金成分夹杂或形成金属化合物不能被氧化或被溶解，而使氧化膜不连续或产生空隙，从而使氧化膜的耐蚀性大为降低。
所以，一般经阳极氧化后所得的膜必须进行封闭处理，才能提高其耐蚀性能。
（3）有较强的吸附能力铝及铝合金的阳极氧化膜为多孔结构，具有很强的吸附能力，所以给孔内填充各种颜料、润滑剂、树脂等可进一步提高铝制品的防护、绝缘、耐磨和装饰性能。
（4）有很好的绝缘性能铝及铝合金的阳极氧化膜，已不具备金属的导电性质，而成为良好的绝缘材料。
（5）绝热抗热性能强这是因为阳极氧化膜的导热系数大大低于纯铝·阳极氧化膜可耐温1500℃左右，而纯铝只能耐660℃。
好综上所述，铝和铝合金经化学氧化处理，特别是阳极氧化处理后，在其表面形成的氧化膜具有良好的防护一装饰等特性。
结晶氯化铝工艺流程
结晶氯化铝工艺流程结晶氯化铝是一种重要的无机化工原料，广泛应用于冶金、化工、医药等领域。
本文将详细描述结晶氯化铝的工艺流程，包括原料准备、反应过程、结晶过程和产品处理等环节。
一、原料准备:1. 氯化铝: 性质稳定的氯化铝片或粉末作为主要原料，质量应符合相关标准。
2. 氯气: 用于反应过程的氯化剂，需使用高纯度的氯气。
二、反应过程:1. 反应釜: 选择耐腐蚀的反应釜，按照设计要求进行装置。
2. 加热: 将适量的氯化铝和氯气加入反应釜中，加热至一定温度。
3. 反应: 在一定温度下，氯气与氯化铝发生反应生成氯化铝气体。
4. 冷却：反应结束后，采用合适的方法进行冷却，以便进行后续操作。
5. 产物收集: 收集反应产生的气体，并进行分离和净化处理。
三、结晶过程:1. 溶液准备: 将反应产生的氯化铝气体溶解于水中，形成氯化铝溶液。
2. 过滤: 通过滤纸或其他适当的材料对氯化铝溶液进行过滤，去除杂质。
3. 浓缩: 将过滤后的氯化铝溶液加热蒸发，使其逐渐浓缩。
4. 结晶: 继续加热浓缩后的溶液，使其达到饱和状态，然后冷却至一定温度，促使氯化铝结晶形成固体结晶物。
5. 过滤与洗涤: 将结晶物进行过滤，用适量的水进行洗涤，以去除杂质。
6. 干燥: 取出洗涤后的结晶物，进行适当的干燥，使其达到规定的含水量。
四、产品处理:1. 产品收集: 将经过干燥的结晶物收集储存。
2. 包装: 根据需求，将结晶氯化铝装入合适的包装容器中。
3. 质检: 对产品进行质量检测，确保符合相关标准。
4. 存储: 将质检合格的结晶氯化铝储存于适宜的仓库中，注意防潮、防火等措施。
本文详细介绍了结晶氯化铝的工艺流程，包括原料准备、反应过程、结晶过程和产品处理等环节。
正确的操作流程和严格的质量控制是确保结晶氯化铝质量稳定的关键。
通过了解工艺流程，人们能够更好地理解结晶氯化铝生产的流程和每个环节的作用。
只有在正确的操作下，才能获得高质量的结晶氯化铝产品。
浅谈氮化硅的刻蚀及其应用
浅谈氮化硅的刻蚀及其应用引言氮化硅（silicon nitride）薄膜是无定形的绝缘材料，具有以下特性：（1）对扩散来说，它具有非常强的掩蔽能力，尤其是钠和水汽在氮化硅中的扩散速度非常慢；（2）通过PECVD可以制备出具有较低压应力的氮化硅薄膜；（3）可以对底层金属实现保形覆盖；（4）薄膜中的针孔很少。
作为选择氧化的掩蔽层时，可以把氮化硅直接淀积到硅衬底的表面上，有时考虑到氮化硅与硅直接接触产生应力，形成界面态，往往在硅表面上先淀积一层二氧化硅作为缓冲层，然后再淀积一层作为掩蔽层的氮化硅。
因氮化硅氧化速度非常慢，只要氮化硅具有一定的厚度，它将保护下面的硅不被氧化。
目前我们就是采用在Si3N4下面再做一层SiO2的方法，使Si3N4起掩蔽的作用，通过一些试验研究出它的干法、湿法刻蚀工艺条件，还发现了它在光刻版上的应用。
1、Si3N4薄膜的制备1.1Si3N4薄膜制备原理氮化硅可替代氧化硅使用，特别是对顶部保护层，在铝金属层上淀积时，其温度要足够低。
PECVD的出现开始了不同化学源的使用，其中之一是硅烷与氨气或氮气在氩气等离子体状态下反应。
3SiH4+4NH3→Si3N4+12H2然而，PECVD制作的氮化硅往往是非化学配比的，含有相当数量的氢原子（10%～30%），因此有时候化学表示式写为SixNyHz。
由SiH4-N2制备的薄膜含有较少的氢和较多的氮。
PECVD氮化硅的淀积反应式如下：1.2制备Si3N4薄膜利用等离子增强型化学气相淀积，在较低温度生长Si3N4薄膜，选用的设备为PECVD（等离子化学气相淀积）根据以上工艺条件在9000Å氧化层上淀积Si3N4薄膜2、Si3N4薄膜的刻蚀刻蚀是利用化学或物理方式对氧化硅膜、氮化硅膜和金属膜等进行刻蚀加工的工艺。
刻蚀湿法腐蚀和干法刻蚀两种方法。
湿法刻蚀是利用溶液中发生化学反应来进行腐蚀的方法。
以光刻胶作为掩蔽，湿法刻蚀在纵、横两方向将以同样比例进行腐蚀，称此为各向同性腐蚀。
最新硫酸盐法制浆教程
第一章纸和浆1.1纸的重要性：在现代生活中纸与纸产品对每个人的重要性是显而易见的，还没有哪一种制品对人类活动的各个领域比她有更深远的地作用了。
纸和纸板，储存和传播信息的手段；实际上所有书写和印刷任务都是纸张承当的，它是应用最广泛的包装材料，而且是重要的建筑材料。
纸和纸产品的用途实际上是无限的，新的专用产品不断地开发。
与此同时，造纸工业也觉察到了来自其它方面（特别是塑料和电子媒体）对传统上由纸张占领的市场的入侵和挑战。
值得提出的是，由于新技术和新方法的不断扩大造纸工业会有更大的市场。
1.2纸、纸浆和纸板的定义：纸张传统上的定义是，纤维水悬浮液在一个细筛网上所形成的粘连状薄片。
除了大多数纸张含有非纤维性辅助（添加剂）外，目前纸产品一般与该定义是相符合的。
干成型方法只用于制造少数特种纸产品。
纸浆是抄纸的纤维原料。
纸浆纤维通常来源与植物，其它如动物，矿物或化学合成的纤维也可以用于特定场合。
用化学药品加工形成非纸张类产品的纸浆称为溶解浆。
纸和纸板之间的区别主要在于产品的厚度和定量，通常将所有超过0.3mm厚度的薄片归入纸板类；但也有不少例外使这样的区别有些模糊化。
1.3制浆造纸技术发展简史：古埃及人通过锤打和压合植物茎（芦苇状植物纸莎草）的薄片，制成世界上第一张书写用的材料，但它没有像真正抄纸那样完全的纤维解离作用。
早在公元100年，我们的祖先首先利用竹子和桑树纤维悬浮液进行了真正意义上的纸张抄造（公元105年，东汉蔡伦发明用破布，鱼网，废麻等原料造纸）。
随后我们的祖先将抄纸工艺发展成为一项高度熟练的技术。
在经历数个世纪后，造纸技术传入中东，稍后抵达欧洲，在欧洲，棉麻破布成了主要原料。
15世纪初，在西班牙，意大利，德国和法国有许多纸厂。
制浆造纸历史发展的若干重要里程碑见下表。
这些发明及其研制的模型机奠定了现代造纸工业的基础。
在20世纪这类早期的和相当原始的技术有了迅速的革新和改进，并开发出了诸如连续蒸煮，连续多段漂白，机内纸张涂布，双网成形等技术。
粉末喷涂工艺培训教程PPT课件
硬度与耐磨性
采用硬度计对涂层硬度 进行检测，并通过磨损
试验评估耐磨性能。
耐腐蚀性能
通过盐雾试验、湿热试 验等手段检测涂层的耐
腐蚀性能。
05 粉末喷涂安全与环保
粉末喷涂安全操作规程
操作前检查
确保喷涂设备完好，无破损或泄露，检查电 源、气源是否正常。
保持工作区域整洁
定期清理工作区域，确保无杂物和灰尘，保 持工作环境的整洁和卫生。
对未附着在工件表面的粉末进 行回收，减少浪费并降低成本
。
固化与冷却流程
固化
通过加热或紫外线照射等 方法使涂层熔融并流平， 形成光滑、致密的涂层。
冷却
使涂层逐渐冷却并定型， 防止涂层出现裂纹或变形。
后处理
对固化后的工件进行质量 检查，对不合格的涂层进 行修复或重喷。
04 粉末喷涂质量控制
粉末喷涂膜厚控制
基材的附着力。
考虑粉末涂料的环保性能，优 先选择低挥发性有机化合物
（VOC）和低毒性的环保型粉 末涂料。
综合考虑粉末涂料的成本、涂 装效率以及涂层性能，以达到
最佳的性价比。
03 粉末喷涂工艺流程
前处理流程
01
02
03
表面清洁
去除工件表面的油污、锈 迹和杂质，确保工件表面 干净。
预处理
通过磷化、氧化或喷塑等 方法增强工件表面的附着 力，提高涂层与基材的结 合力。
的领域。
丙烯酸粉末
具有较好的耐候性和保色性， 适用于户外环境的装饰和保护
。
氟碳粉末
具有极佳的耐候性和抗污染性 ，常用于建筑外墙和玻璃制品
的装饰和保护。
粉末喷涂材料的选用原则
01
02
03
316不锈钢的晶间腐蚀行为的研究
0. 002 75 0. 003 25 0. 002
0. 003 75 0. 003 75 0. 003 5
0. 006 25 0. 005 25 0. 004 5
0. 003 0. 002 75 0. 002
0. 002 75 0. 002 25 0. 002 25
0. 003 25 0. 003 0. 002 75
图 1中 1- 9的实验 条件依次为 25 10m in、25 15m in、 有的相伴概率值 ( A symp. S ig) 都大 于显著 性水平 0. 01, 所以
25 20m in、30 10m in、30 15m in、30 20m in、35 10m in、 认为沟槽晶界 宽度服 从正 态分布。 因此可 以用 沟槽 宽度的
1. 1 试样及溶液 实验材料 为商品 316不锈钢棒材, 用线切割成 10 10
10mm 的试样。固溶态试样为在 1 050 下保温 30m in后空冷 至室温后得到 的试样。不同敏化程度的试样为在 650 下分 别保温 30m in、2h、4h后用自然冷却后得到的试样。
腐蚀溶液 采用体积比为 1: 8的硫酸水溶液。 1. 2 实验过程
ZHANG Sheng han, L I Na, YANG N i
( No rth Ch ina E lectric Pow er Un iversity, Baoding 071003, China)
Abstrac t: T he chem ical etch ing m ethod determ in ing intergranular corrosion o f 316 stainless steel is deve loped, the spec i m en we re heat trea ted under d ifferen t cond itions, looking for the optima l corrosive fluid, then under d ifferent cond ition to e tch the 316 sta in less stee,l the essay find the m ax imum etch to 316 sta inless stee l and at the sam e time not to the crysta l g ra in. Statistica l testm ethod based on K S test. The result shows tha t: the intergranular co rrosion groove w idth o f 316 stain less stee l eroded w ith dilute su lphuric ac id so lution accords w ith no rm al distr ibution. The degree o f intergranular corros ion m ay be mo re seriously when the 316 sta in less stee l was treated for sensitiza tion. T he intergranular corrosion g roove w idth goes m ore broadly w ith the longer tim e o f sensitiza tion heat treatm ent. K ey word s: stain less stee;l in tergranu lar corrosion; sensit ization; norm al d istribution
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腐蚀工艺教程一、什么是半导体？半导体是介于导体和绝缘体之间的物质，它的电阻率在10-3~109范围内。
自然界中属于半导体的物质很多，用于制造半导体的材料主要是硅（Si）、锗（Ge）、砷化镓（GaAs）。
纯净的半导体电阻率很高，几乎不导电。
但在特定的条件下，如光照、掺杂等，它的电阻率可以降到几十欧姆甚至更低，并且随掺入的杂质不同呈不同的导电特性。
我们分别称之为P（空穴导电）型半导体和N（电子导电）型半导体。
P型半导体和N型半导体相接触时，在接触面就形成了PN结。
PN结具有正向导通反向截止的特性，利用它可以制得常用的二极管。
在集成电路制造中，常用的衬底材料是硅单晶片，根据圆片加工过程中硅单晶切割的晶格方向的不同，可把它分为<100>和<111>等晶向。
在mos集成电路制造中，选用的是<100>晶向的圆片。
二、什么是集成电路？不同导电类型的半导体组合在一起，可以做成二极管、三极管、电容、电阻，如果把这些元件做在同一块芯片上，完成一定的电路功能，就称之为集成电路。
集成电路可分为双极集成电路和MOS集成电路，MOS集成电路又可分为nMOS集成电路、pMOS集成电路和CMOS集成电路。
三、集成电路中的常用薄膜。
多晶硅常用在MOS器件中作为栅电极。
也可用于高电阻的电阻器，及局部电路的短连线二氧化硅集成电路中使用的二氧化硅膜可分为热二氧化硅和CVD淀积二氧化硅两类。
在MOS集成电路中，它有以下几种用途：作为对付掺杂剂注入或扩散进硅的掩膜，提供表面钝化，使器件一部分与一部分隔离，作为MOS器件的一个组成部分（如栅介质），作为金属步线之间的电绝缘。
氮化硅能阻挡钠离子的扩散，几乎不透潮气并具有很低的氧化速率。
用低压CVD （LPCVD）方法淀积的氮化硅膜，主要用作平面工艺的氧化掩膜；用等离子淀积（PECVD）的氮化硅膜，能在较低温度下生成，可作为钝化保护层。
Al-Si-Cu用在集成电路中作为金属互连线。
四、什么是刻蚀集成电路的制造，需要将各种不同的元件（晶体管、电阻、电容）做在同一块芯片上去，需要在芯片上做出不同的图形。
把光刻确定的图形转移到构成器件的薄膜上，把不需要的薄膜去除，这一过程称为刻蚀。
五、什么是等离子体？简而言之，等离子体是指电离的气体，是由电子、离子、原子和分子或自由基团粒子的集合体。
而这些原子和自由基团通常具有很强的化学活性，可以与其它物质反应。
等离子刻蚀就是选用合适的气体，通过低压放电产生等离子体，利用其中的活性原子和自由基团与硅片表面的薄膜反应，生成挥发性产物而被去除掉，从而实现腐蚀的目的。
六、为什么要用等离子刻蚀？集成电路的制造已从LSI（大规模集成电路）发展到了ULSI（甚大规模集成电路）阶段，图形密度越来越高，加工线条越来越细，加工精度的要求也越来越严格。
传统的湿法腐蚀工艺由于存在着横向腐蚀大，条宽损失严重，均匀性差，工艺控制难的缺点，无法实现现代集成电路生产的要求。
现通常只用于无条宽要求的图形腐蚀和大面积薄膜的剥离。
等离子刻蚀，特别是反应离子刻蚀（RIE），均匀性好，横向腐蚀少，可以实现近乎垂直的腐蚀，条宽损失小，工艺重复性好，并且能够实现终点控制，易控制，在现代集成电路的生产中得到广泛应用。
相对传统的湿法腐蚀工艺，等离子刻蚀亦可称为干法腐蚀。
七、腐蚀中的常用术语1、各向同性（isotropic）和各向异性（anisotropic）在刻蚀过程中，除了在垂直方向存在着腐蚀之外，还存在着侧向腐蚀。
当横向腐蚀与侧向腐蚀速率相等时，称为各向同性。
此时，边缘剖面面表现为一个圆弧。
当侧向腐蚀很小，近似为零时称之为各向异性，图形边缘剖面表现为一个垂直的剖面。
我们把各向异性程度定义为A f=1-V1/V，其中V1，和V分别是侧向和直向的刻蚀速率。
2、选择比（selectivity）由于在刻蚀过程中圆片上各点的刻蚀速率是不均匀的，被刻蚀薄膜的厚度也存在着一定的不均匀。
并考虑到圆片表面在加工的过程中会出现一定的高度差。
因此在刻蚀时一定量的过刻蚀是必须的，这意味着圆片上被刻蚀膜的下层薄膜也会被腐蚀，而这层薄膜在集成电路的加工中的损失量有一定的要求（如多晶栅刻蚀时栅氧的损失）。
因此在刻蚀时需要对两层薄膜有选择性。
另外，在腐蚀时作为掩蔽的光刻胶也同时承受着腐蚀，对它的腐蚀也需要选择。
在腐蚀工艺中主腐蚀膜和其它薄膜的刻蚀速率之比称之为选择比。
3、终点控制在等离子刻蚀中常采用发射光谱法对等离子体中刻蚀剂或刻蚀产物的浓度进行检测，判断被腐蚀膜是否基本去除干净，从而对工艺进行控制，这称为终点控制。
4、剖面形貌八、常用湿法腐蚀工艺1、硫酸双氧水去胶说明：去除光刻胶配比：H2SO4：H2O2=3：1温度：140℃流程：1槽5分钟→溢流5分钟→2槽5分钟→冲水10次→甩干2、DHF去二氧化硅说明：HF酸漂去二氧化硅配比：HF：H2O=1：10温度：室温流程：HF酸漂洗（依漂去二氧化硅厚度定时）→溢流5分钟→冲水10次→甩干3、氮化硅说明：推阱及场氧后LPSIN的剥离配比：98%磷酸温度：160℃流程：HF酸漂洗30sec→溢流5分钟→磷酸槽60min→溢流5分钟→冲水10次→甩干5、BOE腐蚀二氧化硅说明：非关键尺寸二氧化硅图形窗口的腐蚀配比：BOE温度：室温流程：BOE漂（依须腐蚀二氧化硅厚度定时）→溢流5分钟→冲水10次→甩干注意：由于圆片上带有光刻胶，腐蚀前须热坚膜，条件是120℃30min，若腐蚀时间超过3min，腐蚀前热坚膜120℃30min+150℃15min，每腐蚀1min30sec加烘120℃30min。
6、EKC清洗说明：金属腐蚀及通孔腐蚀干法去胶后的清洗，去除因干法腐蚀而残留在图形边缘的聚合物配比：EKC265/IPA温度：EKC265 65℃IPA 室温流程：EKC槽30min→IPA3min→→冲水10次→甩干九、等离子刻蚀设备及工艺一个简单的等离子刻蚀机包括：气体管路系统，真空系统，反应室，射频及匹配系统，传片系统，终点控制系统。
按反应室结构可将其分为桶型反应腔，平板电容型，六面体电极结构等；按硅片处理方式可分为单片式和批处理式。
1、PRS800——桶型批处理式等离子去胶机，工艺气体为O2，适用工艺有：大束流注入后的干法去胶、金属腐蚀后、孔腐蚀后的干法去胶及一些不适合硫酸双氧水去胶工艺的光刻胶的去除。
操作步骤：1)确认反应室在大气状态，如果反应室不在大气状态，按VENT键，VENT绿灯亮，一分钟后，听见“嗤嗤”声，说明反应室已处于大气状态，按VENT，绿灯熄灭，停止充气。
2)戴上手套，用倒角器理片，大切片向上，根据工艺需要用吸笔将硅片装入石英舟。
3)拉开反应室的门，用叉将舟装入反应室，推上反应室门。
4)设定工艺时间，根据工艺，按Process Time下的白色按钮设定工艺时间，左起第一位为十位，第二位为个位，单位为分。
5)按PUMP键，PUMP绿灯亮，去胶自动进行。
6)刻蚀开始后，观察功率（watts）,流量（Flow sccm），压力（pressure×10-3）是否正常。
7)刻蚀结束后，“VENT”绿灯闪烁。
8)按NENT，向反应室充气，“VENT”绿灯亮。
9)约等1分钟，听到有轻微“嗤嗤”声，说明反应室已到大气状态，按VENT键，停止充气，“VENT”绿灯灭。
10)戴上手套，拉开反应室门，用叉取出石英舟，冷却一会，用吸笔将圆片移回传片架。
11)做干法腐蚀送出片作业。
2、AUTO490——平板电容型单片腐蚀机，用于多晶和Si3N4的腐蚀。
工艺气体分别为Cl2/He和SF6/He。
操作步骤：1)按STATUS键，屏幕显示STA TUS页，IDIE状态。
2)选择所需工艺*的Recipe Module，插入接口，按LOAD键，显示所需的工艺菜单号。
3)按RECIPE键，查看工艺菜单内容及菜单号。
4)确认工艺菜单后，按STATOS键，返回STATUS页，Idle状态。
5)把整理好的待加工圆片放在左边Index中，右边Index放空片架。
6)按START键，待片子流出片架，按STOP键，进行先行片腐蚀。
7)先行片腐蚀结束后，取出，在显微镜下检查，若无异样，用膜厚仪测剩余SiO2厚度。
8)先行片检查合格片，将片架放回右边Index。
9)按START键，进行批腐蚀。
腐蚀结束后，将圆片移回传片架进行腐蚀，送出作业。
注意：视490设备工作情况，决定先行片腐蚀前是否走些假片。
3、RAINBOW4500I——平板电容型单片腐蚀机，带一各向同性腐蚀腔，用于二氧化硅腐蚀。
操作步骤：1)若设备处于status页，Load and process idle状态画面右上角RCP菜单号是否为所需菜单。
若不是，按LOAD键，输入所需菜单号，按ENT键确认，按SEL键取消。
2)先行片腐蚀：按START键，待片子进入传输系统后，按STOP键。
3)先行片刻蚀结束后，在显微镜下检查圆片，若片子表面图形无异常，进行膜厚仪测试检查，测5点。
4)多晶通孔腐蚀后，划片槽内SiO2<2nm。
5)接触孔各向同性腐蚀后，划片槽内SiO2400~500nm。
6)通孔各向同性腐蚀后，划片槽内SiO2600~700nm。
7)spacer腐蚀后，有源区内SiO2<2nm，场区SiO2>380nm。
8)平坦化腐蚀后，划片槽Al上SiO2厚450-650nm之间。
9)二氧化硅腐蚀后，剩余SiO2厚度由流程单规定。
10)先行片检查合格后，进行批腐蚀，将片架放回出料台，按START键，腐蚀自动进行。
11)批腐蚀结束后，将圆片移回传片架，进行干刻送出作业。
4、AM8330——六面体电极结构型批腐蚀机，用于金属腐蚀。
工艺气体为Cl2/BCl3，辅助气体为CF4/CHF3。
操作步骤：1)当屏幕显示PROCESS：Waiting for operator action.LOADER: Idle.2)按DOOR开门。
3)LOADER显示Waiting for cassette replacement时可进行装片，右边为装片台，左边为出片台，底部为假片片架，一次可装工艺片两批。
4)装好片的后，按DOOR键关门，自动将LOAD反应室压力抽到<5m,此过程约需10分钟。
5)按F5 PROGRAM ，再按F1 RECIPES，用→←↑↓键将光标移到Select A Recipe,按ENTER，检查左上角RECIPE To RUN是否为所需的工艺菜单（一般为METAL1-EPD），若不是所需菜单，将光标移到右边所需菜单名称上，按ENTER，则此菜单被选上。
6)按F5 再按F2 LOAD，将光标移到Select A Sequence上，按ENTER，检查左上角Sequenceto Run是否为所需装片程序（一般用Full-LOAD），若不是所需程序，将光刻移到右边所需程序上，按ENTER，此程序被选。