第12章镜像抑制混频器的设计与仿真

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ADS射频电路课程设计——混频器设计与仿真

ADS射频电路课程设计——混频器设计与仿真
2.2.3 仿真与结果显 示模板(Simula tion & Data Displa y Templa te)
为了增加仿真 分析的方便性 ,ADS软件提 供了仿真模板 功能,让使用者可以 将经常重复使 用的仿真设定 (如仿真控制器 、电压电流源、变量参数设定等)制定成一个模 板,直接使用,避免了重复设 定所需的时间 和步骤。结果显示模板 也具有相同的 功能,使用者可以将 经常使用的绘 图或列表格式 制作成模板以 减少重复设定 所需的时间。除了使用者自 行建立外,ADS软件也 提供了标准的 仿真与结果显 示模板可供使 用。
2.1.4 电路包络分析 (Circui t Envelo pe)
电路包络分析 包含了时域与 频域的分析方 法,可以使用于包 含调频信号的 电路或通信系 统中。电路包络分析 借鉴了SPI CE与谐波平 衡两种仿真方 法的优点,将较低频的调 频信号用时域 SPICE仿 真方法来分析 ,而较高频的载 波信号则以频 域的谐波平衡 仿真方法进行 分析
卷积分析方法 为架构在SP ICE高频仿 真器上的高级 时域分析方法 ,藉由卷积分析 可以更加准确 的用时域的方 法分析于频率 相关的元件,如以S参数定 义的元件、传输线、微带线等。
2.1.2 线性分析
线性分析为频 域的电路仿真 分析方法,可以将线性或 非线性的射频 与微波电路性参数,如S、Z、Y和H参数、电路阻抗、噪声、反射系数、稳定系数、增益或损耗等 (若为非线性元 件则计算其工 作点之线性参 数),在进行整个电 路的分析、仿真。
目前ADS所 提供的设计指 南包括:WLAN设计 指南、Blueto oth设计指 南、CDMA20 00设计指南 、RF System 设计指南、Mixer设 计指南、Oscill ator设计 指南、Passiv e Circui ts设计指南 、Phased Locked Loop设计 指南、Amplif ier设计指 南、Filter 设计指南等。除了使用AD S软件自带的 设计指南外,使用者也可以 通过软件中的 Design Guide Develo per Studio 建立自己的设 计指南。

关于GPS-BD射频接收机中镜像抑制混频器设计

关于GPS-BD射频接收机中镜像抑制混频器设计

关于GPS/BD射频接收机中镜像抑制混频器设计0 引言随着近些年卫星导航产业的迅猛发展,人们对射频接收机前端芯片在面积、功耗、性能、成本等方面都有了更高的要求。

混频器因为在射频前端芯片链路中处于低噪声放大器和中频滤波器之间,它的性能指标对整个射频前端芯片的性能都有着重要的影响[1],而镜像抑制混频器由于能够抑制镜像信号的干扰,在混频器设计者中很受欢迎。

本文基于传统的Hartely镜像抑制结构, 设计了一款以共射频输入端正交混频结构为核心单元的镜像抑制混频器,能够很好地抑制镜像信号的干扰。

1 Hartely结构原理传统的Hartely镜像抑制结构如图1所示,将正交的本地振荡信号与射频输入信号分别进行下变频,然后对其中一路下变频信号进行滤波和90°移相操作,最后再将两路信号求和来达到消除镜像中频信号的目的[2]。

我们假设射频输入信号为ARFcos(ωRFt),镜像干扰信号为AIMcos(ωIMt),本振信号频率为ωLO,中频信号频率为ωIF,那么它们之间的频率关系可以表示为式(1):经过正交混频与滤波后A1、A2两点的信号可表示为式(3)、式(4):从式(6)中可以看出镜像中频信号经过求和后被消除[3]。

上述分析仅限于理想情况下,实际中由于输入信号相位和增益失配等原因,仍有一部分镜像信号不能完全被消除,从而降低了镜像抑制能力。

本文设计电路中采用共射频输入端正交混频结构来降低信号相位和增益的失配,从而增强混频器的镜像抑制效果[4]。

2 电路设计2.1 混频器核心单元设计本文设计的共射频输入端正交混频核心单元结构如图2所示。

电路由4部分组成,分别是由R1-R4构成的负载级、由M3-M10构成的开关级、由M1-M2构成的跨导级和由M11-M14构成的尾电流源级;其中跨导级将射频输入电压信号转化为电流信号。

开关级由本振大信号控制其交替通断,从而实现混频功能。

负载级通过负载电。

宽频带、高镜像抑制度Ku波段混频器的设计

宽频带、高镜像抑制度Ku波段混频器的设计

宽频带、高镜像抑制度Ku波段混频器的设计
章策珉
【期刊名称】《无线电工程》
【年(卷),期】2004(034)002
【摘要】阐述了镜像抑制混频器的原理和影响其性能的因素,针对卫星电视直播接收系统,用ADS设计了一个宽频带、高镜像抑制度、低噪声的Ku波段镜像抑制混频器,并同普通平衡混频器进行了对比分析,显示了其优越的性能.
【总页数】3页(P62-64)
【作者】章策珉
【作者单位】浙江大学信息与电子工程学系
【正文语种】中文
【中图分类】TN7
【相关文献】
1.X波段镜像抑制混频器设计 [J], 钱可伟
2.Ku波段镜像抑制混频器的研制 [J], 孙琳琳;楚然;张文剑
3.Ku波段宽频带高隔离双极化微带天线阵的设计 [J], 李书杰;孙从武;鄢泽洪;张小苗
4.C波段镜像抑制混频器的设计 [J], 于涛;冯帆;杜洪军
5.宽频带、高镜像抑制度混频器 [J], 魏福立
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Ka波段镜像抑制谐波混频器设计_黄锦沛

Ka波段镜像抑制谐波混频器设计_黄锦沛

1
1. 1
混频器的原理分析
谐波混频原理 本次设计使用反向并联二极管对实现四次谐波 =
混频,其模型如图 1 所示,假设信号为 VS ( t ) VS cosωS t,LO 信号为 VL ( t )
= VL cosωL t, 其中 ωS
和 ωL 分别为 RF 和 LO 信号的角频率,VS 和 VL 分别 为 RF 和 LO 信号的幅度,且∣ VL ∣ >> | Vs ∣。
]
( 10 )
TL6 构成 RF 匹配网路, RF 带通滤波器回收闲频, 提高隔离度。 TL7 和 TL8 是 LO 匹配网络, LO 带通 滤波器回收闲频,提高隔离度。本次选用的带通滤 波器 寄 生 通 带 在 3 倍 中 心 频 率 处, 因 此 TL9 为 1 /4 λ3LO 开路线,避免在工作中 3 ω L 能量对功率源的 IF 隔离 影响。TL10 和 TL11 都为 1 /4 λ RF 长,提高 RF度。IF 低i D 为二极管反向饱和电流, 那么流过二极管 对的电流 i 和时变电导 g( t) 可用第一类 n 阶修正贝 塞尔函数
[2 ]
分别表示为

(
)
i = i1 + i2 = 2 i D sinh( αv( t) ) = 2 i D ∑ 2 I2n +1 ( αv( t) ) cos( 2 n + 1 ) ω L t
对于混频单元 1 , 其 RF 输入信号为 V S1 ( t ) , 镜 LO 输入信号 V L 1 ( t) 可以分别 频输入信号为 V I1 ( t) , 表示为 cos ω S t - π ( 6) 2 2 槡 VI V I1 ( t) = cos ω I t - π ( 7) 2 2 槡 VL V L1 ( t) = cosω L t ( 8) 2 槡 混频单元 1 输出的 RF 和镜像频率对应的混频产物 V IF1 ( t) 和 V IM1 ( t) 分别为 V S1 ( t) = VS

镜频抑制混频器设计

镜频抑制混频器设计

设计实验5镜频抑制混频器设计1.概述图1为一微带平衡混频器,其功率混合电路采用3dB分支线定向耦合器,在各端口匹配的条件下,1、2为隔离臂,1到3、4端口以及从2到3、4端口都是功率平分而相位差90°。

图1设射频信号和本振分别从隔离臂1、2端口加入时,初相位都是0°,考虑到传输相同的路径不影响相对相位关系。

通过定向耦合器,加到D1,D2上的信号和本振电压分别为:D1上电压1-11-2D2上电压1-31-4可见,信号和本振都分别以相位差分配到两只二极管上,故这类混频器称为型平衡混频器。

由一般混频电流的计算公式,并考虑到射频电压和本振电压的相位差,可以得到D1中混频电流为:同样,D2式中的混频器的电流为:当时,利用的关系,可以求出中频电流为:主要的技术指标有:1、噪音系数和等效相位噪音(单边带噪音系数、双边带噪音系数);2、变频增益,中频输出和射频输入的比较;3、动态范围,这是指混频器正常工作时的微波输入功率范围;4、双频三阶交调与线性度;5、工作频率;6、隔离度;7、本振功率与工作点。

设计目标:射频:3.6 GHz,本振:3.8 GHz,噪音:<15。

2.具体设计过程2.1创建一个新项目●启动ADS●选择Main windows●菜单-File-New Project,然后按照提示选择项目保存的路径和输入文件名●点击“ok”这样就创建了一个新项目。

●点击,新建一个电路原理图窗口,开始设计混频器。

2.2 3dB定向耦合器设计●里面选择类“Tlines-Microstrip”●选择,并双击编辑其中的属性,,这是微带线基板的参数设置,其中的各项的物理含义,可以参考ADS的帮助文档。

●选择,这是一个微带传输线,选择,这是一个三叉口。

●按照下图设计好电路图图2 3dB耦合器其中50 ohm传输线的线宽w=0.98mm,四分之一波长长度为10.46mm,35ohm 传输线的线宽为w=1.67mm,四分之一波长长度为10.2mm。

混频器的设计与仿真

混频器的设计与仿真

目录前言 (1)工程概况 (1)正文 (2)3.1设计的目的及意义 (2)3.2 目标及总体方案 (2)3.2.1课程设计的要求 (2)3.2.2 混频电路的基本组成模型及主要技术特点 (2)3.2.3 混频电路的组成模型及频谱分析 (2)3.3工具的选择—Multiusim 10 (3)3.3.1 Multiusim 10 简介 (3)3.3.2 Multisim 10的特点 (3)3.4 混频器 (3)3.4.1混频器的简介 (4)3.4.2混频器电路主要技术指标 (4)3.5 混频器的分类 (5)3.6详细设计 (5)3.6.1混频总电路图 (5)3.6.2 选频、放大电路 (5)3.6.3 仿真结果 (6)3.7调试分析 (9)致谢 (9)参考文献 (9)附录元件汇总表 (10)混频器的设计与仿真前言混频器在通信工程和无线电技术中,应用非常广泛,在调制系统中,输入的基带信号都要经过频率的转换变成高频已调信号。

在解调过程中,接收的已调高频信号也要经过频率的转换,变成对应的中频信号。

特别是在超外差式接收机中,混频器应用较为广泛,如AM 广播接收机将已调幅信号535KHZ-一1605KHZ要变成为465KHZ中频信号,电视接收机将已调48.5M一870M 的图像信号要变成38MHZ的中频图像信号。

移动通信中一次中频和二次中频等。

在发射机中,为了提高发射频率的稳定度,采用多级式发射机。

用一个频率较低石英晶体振荡器作为主振荡器,产生一个频率非常稳定的主振荡信号,然后经过频率的加、减、乘、除运算变换成射频,所以必须使用混频电路,又如电视差转机收发频道的转换,卫星通讯中上行、下行频率的变换等,都必须采用混频器。

由此可见,混频电路是应用电子技术和无线电专业必须掌握的关键电路。

工程概况混频的用途是广泛的,它一般用在接收机的前端。

除了在各类超外差接收机中应用外在频率合成器中为了产生各波道的载波振荡,也需要用混频器来进行频率变换及组合在多电路微波通信中,微波中继站的接收机把微波频率变换为中频,在中频上进行放大,取得足够的增益后,在利用混频器把中频变换为微波频率,转发至下一站此外,在测量仪器中如外差频率计,微伏计等也都采用混频器。

应用于数字广播的镜像抑制混频器的设计

应用于数字广播的镜像抑制混频器的设计

应用于数字广播的镜像抑制混频器的设计
黄晶;王志功;徐建;吴毅强
【期刊名称】《中国集成电路》
【年(卷),期】2013(022)004
【摘要】在二次变频低中频结构的DRM/DAB数字广播射频极宽频带(148.5kH~1492MHz)接收机中,为了实现良好的镜像抑制性能,第二次变频采用双正交混频器结构.与单正交结构相比较,双正交型混频器具有更优的镜像抑制性能以及更高的成品率.考虑到宽带以及系统输出信号的信噪比,本文中采用了结合多级多相滤波器的双正交下变频有源混频器,在满足镜像抑制要求的的同时提供一定的增益.经理论分析和实际仿真结果表明,该结构的混频器具有良好的镜像抑制性能,镜像抑制比在DRM模式下IIR>48dB,DAB模式下IIR>55dB,而且对正交信号幅度和相位的失配不敏感,能够满足数字广播接收机射频前端的所需指标要求.目前整个芯片正在测试中,最终芯片将在Himalaya公司的接收机上进行整机验证.
【总页数】5页(P22-26)
【作者】黄晶;王志功;徐建;吴毅强
【作者单位】东南大学射频与光电集成电路研究所,江苏南京,210096
【正文语种】中文
【相关文献】
1.X波段镜像抑制混频器设计 [J], 钱可伟
2.应用于声纳信标的镜像抑制混频器设计 [J], 李程
3.GPS/BD射频接收机中镜像抑制混频器设计 [J], 李东亚;黄海生;李鑫;曹新亮;尹

4.0.18μm CMOS宽带镜像抑制混频器的设计 [J], 周志增;李东生
5.C波段镜像抑制混频器的设计 [J], 于涛;冯帆;杜洪军
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《2024年基于电光调制的微波光子移相和镜像抑制混频器的研究》范文

《2024年基于电光调制的微波光子移相和镜像抑制混频器的研究》范文

《基于电光调制的微波光子移相和镜像抑制混频器的研究》篇一一、引言随着通信技术的飞速发展,微波光子技术在无线通信、雷达探测、电子对抗等领域的应用越来越广泛。

微波光子移相器和混频器作为微波光子技术的核心器件,其性能的优劣直接影响到整个系统的性能。

本文将重点研究基于电光调制的微波光子移相和镜像抑制混频器,探讨其工作原理、性能优化及实际应用。

二、电光调制技术概述电光调制技术是一种将电信号转换为光信号的技术,通过调制器的作用,将电信号的幅度、相位、频率等参数调制到光信号上,实现电光转换。

在微波光子技术中,电光调制技术被广泛应用于移相器和混频器的设计。

三、微波光子移相器研究微波光子移相器是用于改变微波信号相位的器件。

基于电光调制的微波光子移相器,通过调节电光调制器的电压,改变光信号的相位,进而影响微波信号的相位。

该类移相器具有带宽宽、损耗小、相位精度高等优点。

本文研究的微波光子移相器采用啁啾光纤光栅技术,通过调整光栅的反射光谱,实现相位的连续可调。

同时,为提高移相器的稳定性,采用温度和应力补偿技术,减小环境因素对移相器性能的影响。

四、镜像抑制混频器研究混频器是将两个不同频率的信号混合,产生新的频率信号的器件。

在接收机中,混频器用于将高频信号转换为低频信号,便于后续处理。

镜像抑制混频器是一种特殊的混频器,能够有效地抑制本振信号的镜像频率干扰。

基于电光调制的镜像抑制混频器,通过电光调制器将本振信号和射频信号调制到光域,再通过光电探测器将光信号转换为电信号,实现混频。

为提高混频器的镜像抑制比,采用数字信号处理技术,对混频后的信号进行滤波和处理,有效抑制镜像频率的干扰。

五、性能优化与实际应用为提高微波光子移相器和混频器的性能,需要从多个方面进行优化。

首先,优化电光调制器的设计,提高其调制效率和线性度;其次,优化啁啾光纤光栅的制备工艺,提高反射光谱的稳定性;再次,采用先进的数字信号处理技术,提高混频器的镜像抑制比和相位精度。

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10 0 -10
dB(S(2,1))
-20 -30 -40 -50 -60 0.1 0.6 1.1 1.6 2.1 2.6 3.1 3.6 4.1 4.6 5.0
freq, GHz
图12-8 低通滤波器仿真曲线
12.2.3 完整混频器电路
混频器的完整电路图如图12-9所示。将其分成8个部分,下面 针对每个部分进行具体设计。
v L1 VL cos( Lt )
D2上电压
v s 2 Vs cos( s t )
v L 2 VL cos( Lt
信号和本振分别以

2
)

2
相位差分配到两只二极管上,这类混频器称为
2
型平衡混频器。由一般混频电流的计算公式,并考虑到射频电压 和本振电压的相位差,可以得到
图12-1 理想混频器
通常,RF的功率比LO的小得多,不考虑调制信号的影响,乘法器 的输出频率为 f d nf L f s
微波工程中,可能的输出信号为三个频率之一: 差频或超外差 f IF f L f s
谐波混频 和频或上变频
f IF nf L f s
f IF f L f s
12.2
镜像抑制混频器的设计
利用ADS2009设计C波段微带镜像抑制混频器,分析混频器的非线 性特性。混频器技术指标如下: •信号频率(RF):3.6GHz •本振频率(LO):3.8GHz •中频频率(IF):200MHz •噪声系数:15dB •镜像抑制度:15dB
12.2.1 3dB定向耦合器设计
图12-12二极管模型参数
图12-13 晶体管电路图
第6部分 输出阻抗匹配电路,使用传输线阻抗匹配,参数设计如图12-14所 示。
图12-14 阻抗匹配电路
12.1 混频器的工作原理
混频器是超外差接收机和测量仪器的前端电路,与本振源结合 ,把信号频率降为中频信号,送入中频处理电路。理想的混频器 是一个开关或乘法器,如图12-1所示。本振激励信号(LO,fL) 和载有调制信息的接收信号(RF,fs)经过乘法器后得到许多频 率成分的组合,经过一个滤波器后得到中频信号(IF,fIF)。
3.0 3.2 3.4 3.6 3.8 4.0 4.2 4.4 4.6 4.8 5.0
phase(S(3,1)) phase(S(4,1)) phase(S(4,2)) phase(S(3,2))
0
-100
-6
-7
-200 3.0 3.2 3.4 3.6 3.8 4.0 4.2 4.4 4.6 4.8 5.0
12.1.1 微带平衡混频器
微带平衡混频器结构如图12-3所示。其功率混合电路采用3dB 分支线定向耦合器,在各端口匹配的条件下,1、2为隔离臂,1 到3、4端口以及从2到3、4端口都是功率平分而相位差90°。
图12-3 微带平衡混频器结构
设射频信号和本振分别从隔离臂1、2端口加入时,初相位都是 0°,考虑到传输相同的路径不影响相对相位关系。通过定向耦合 器,加到D1,D2上的信号和本振电压分别为: D1上电压 v s1 Vs cos( s t ) 2
D1中混频电流为:i (t ) 1
n , m


I n,m exp[ jm ( s t
n , m


2
) jn ( L t )]
i 2 (t ) 同样,D2中混频电流为:


I n,m exp[ jm ( s t ) jn ( L t
最关心的是超外差频率,绝大部分接收机都是超外差工作,采 用中频滤波器取出差频,反射和频,使和频信号回到混频器再次 混频。外差混频器的频谱如图12-2所示,RF的频率关于LO的频率 对称点为RF的镜频。镜频的功率和信号的功率相同,由于镜频与 信号的频率很近,可以进入信号通道而消耗在信号源内阻。恰当 处理镜频,能够改善混频指标。
(6)端口VSWR 三个端口的驻波比越小越好。尤其是RF口,它会影响整个系统的灵 敏度。 (7)直流极性 一般地,射频和本振同相时,混频器的直流成分是负极性。 (8)功率消耗(简称功耗) 功耗是所有电池供电设备的首要设计因素。无源混频器消耗LO功率, 而LO消耗直流功率,LO功率越大,消耗直流功率越多。混频器的输 出阻抗对中放的要求也会影响中放的直流功耗。
freq, GHz
freq, GHz
(a)输出端口的耦合度
-5 -10 -10 -15 0
(b)输出端口间的相位差
dB(S(2,2)) dB(S(1,1))
-25 -30 -35 -40 -45 3.0 3.2 3.4 3.6 3.8 4.0 4.2 4.4 4.6 4.8 5.0
m3 freq=3.800GHz dB(S(1,1))=-41.119 m3
dB(S(2,1))
-20
-20
-30
m4 freq=3.800GHz dB(S(2,1))=-48.893 m4
-40
-50 3.0 3.2 3.4 3.6 3.8 4.0 4.2 4.4 4.6 4.8 5.0
freq, GHz
freq, GHz
(c)输入端口的回波损耗
(d)输入端口间的隔离度
图12-6 端口仿真曲线
(1)创建新项目 •启动ADS2009 •选择Main windows •菜单栏【File】→【New Project】,按照提示选择项目保存 的路径和输入文件名 按钮,创建新项目 •点击
•点击 ,新建电路原理图窗口,开始设计混频器
(2)在 “Tlines-Microstrip”类中,选择 ,并双击编辑属性,其中H=0.6mm,Er=4.2,Mur=1,其他属性可 以默认。选择微带传输线 ,和三端口器件 按照图12-4连接电路图,并设置相应参数。
图12-2 超外差混频器的频谱
LO控制的开关特性可以用几种电子器件构成,肖特基二极管在LO 的正半周低阻,负半周高阻近似为开关。在FET中,改变栅源电压 的极性,漏源之间的电阻可以从几欧姆变到几千欧姆。在射频或微 波低端,FET可以不要DC偏置,而工作于无源状态。BJT混频器与 FET类似。 根据开关器件的数量和连接方式,混频器可以分为三种:单端、 单平衡、双平衡。微波实现方式就是要用微波传输线结构完成各耦 合电路和输出滤波器,耦合电路和输出滤波器具有各端口的隔离作 用。
I 1, 1

2 ]


2
)]
当 m 1 , n
1
时,利用 I 1, 1
的关系,可以求出中频电流为:
i IF 4 I 1, 1 cos[( s L )t
12.1.2
主要技术指标
(1)变频损耗 尽管混频器的器件工作方式是幅度非线性,但仍希望它是一个线性 移频器。变频后输出信号的幅度变化就是变频损耗或增益。一般地, 无源混频器都是变频损耗。二极管混频器的变频损耗包括混合网络 损耗(1.5 dB左右)、边带损耗(3 dB左右)、谐波损耗(1 dB左右)和 二极管电阻损耗(1.5 dB左右),典型值为7 dB左右。在肖特基二极 管电路中增加中频匹配电路来处理谐波,可以实现4 dB变频损耗的 混频器。
1dB减敏点:描述混频器的灵敏度迟钝的特性,与l dB压缩点有关, 也是雷达近距离盲区的机理。对于双平衡混频器,1 dB减敏点比1 dB压缩点低2~3 dB。 动态范围:最小灵敏度与1 dB压缩点的距离,用dB表示。通常的动 态范围要大于60dB。动态范围的提高,意味着系统成本的增加。 谐波交调:与本振和输入信号有关的交调杂波输出。 三阶交调:输入两个信号时的IP3,定义为1 dB压缩点与三阶输出 功率线的距离。 (4)本振功率 混频器的指标受本振功率控制。若本振功率不够,混频器就达不到 预定指标。产品混频器都是按功率dBm值分类的,如7 dBm、10 dBm、 17 dBm本振(LO)。 (5)端口隔离 由于三个端口LO、RF、IF频率不同,互相隔离程度的指标,dB越高 越好。端口隔离与电路设计、结构、器件和信号电平有关,一般要 大于20 dB。
(2)噪声系数 描述信号经过混频器后质量变坏的程度。定义为输入信号的信噪比 与输出信号的信噪比的比值。这个值的大小主要取决于变频损耗, 还与电路的结构有关。肖特基二极管的导通电流直接影响混频器的 白噪声,这个白噪声随电路的不同而不同,在混频器的变频损耗上 增加一个小量。如变频损耗为6 dB,白噪声为0.413dB,则噪声系 数为6.413 dB。这种增加量随本振功率的变化不是线性的。混频器 性能与本振功率有最佳值。 (3)线性特性 ldB压缩点:在输入射频信号的某个值上,输出中频信号不再线性 增加,而是快速趋于饱和。拐点与线性增加相差1 dB的信号电平。 混频器的1dB缩点与本振功率有关,因为混频器是本振功率驱动的 非线性电阻变频电路。对于双平混频器,1 dB压缩点比本振功率低 6dB。
图12-5 3dB定向耦合器仿真电路图
-2
200
-3
m2 m1
100
dB(S(3,1)) dB(S(4,1)) dB(S(4,2)) dB(S(3,2))
-4
-5
m1 freq=3.900GHz dB(S(4,2))=-3.103 m2 freq=3.700GHz dB(S(3,2))=-3.158
第12章镜像抑制混频器的设计 与仿真
【本章重点】
•混频器的工作原理 •微带平衡混频器设计流程 •镜像抑制混频器的仿真分析
第十二章 镜像抑制混频器的设计与仿真
随着微波器件与技术的快速发展,在雷达和通信等领域,接收系 统普遍采用了低噪声放大器作为前级,大大降低了系统的噪声系数 ,提高了灵敏度。混频器对接收系统的影响和作用似乎越来越小, 但事实并非如此。所谓镜像信号边带是有用信号边带相对于本振信 号对称的另一个边带,它与本振混频后产生的中频信号与信号边带 产生的中频信号相同。当低噪声放大器频带较宽,且中频不高时, 镜像噪声会通过混频器进入系统,造成系统噪声系数恶化。此时, 镜像抑制混频器的设计至关重要。 本章应用ADS2009完成二极管电阻性混频器的设计,并利用谐波平 衡法对混频器的非线性特性进行分析,给出C波段镜像抑制混频器 的设计样例。
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