S8550三极管规格书：三极管S8550参数与封装尺寸

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S8550 PDF规格书

10
Ta=25℃
-1 -10
COMMON EMITTER VCE=-6V
-100
BASE-EMMITER VOLTAGE VBE (mV)
COLLECTOR CURRENT
IC
(mA)
50
Cob/Cib
——
VCB/VEB
COLLECTOR POWER DISSIPATION PC (mW)
400
PC
Electrical Characteristics Ta = 25
Parameter Collector-base breakdown voltage Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector cut-off current Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Transition frequency Symbol VCBO VCEO VEBO ICBO ICEO IEBO hFE Testconditi ons IC=-100 A, IE=0 IC=-1mA, IB=0 IE=-100 A, IC=0 VCB=-40V, IE=0 VCE=-20V, IB=0 VEB=-3V, IC=0 VCE=-1V, IC=-50mA VCE=-1V, IC=-500mA 120 50 -0.5 -1.2 150 V V MHz Min -40 -25 -5 -0.1 -0.1 -0.1 400 Typ Max Unit V V V A A A

三极管 SS8550

COLLECTOR POWER DISSIPATION Pc (mW)
COLLECTOR-EMITTER SATURATION
CAPACITANCE C (pF)
VOLTAGE V
(mV)
CEsat
DC CURRENT GAIN h FE
SS8550
h FE
——
I
C
500
Ta=100℃
Ta=25℃
100
10 -0.1
-1000
-1
-10
-100
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
V
——
CEsat
I
C
V =-1V CE -1000
-100
Ta=100℃ Ta=25℃
-10
-1 0.2
100
-1
-10
-100
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
C /C ob ib
——
V /V CB EB
-900 -1000
BASE-EMMITER VOLTAGE V (mV) BE
fT
——
I
C
COLLCETOR CURRENT I (mA) C
100
TRANSITION FREQUENCY fT (MHz)
VCE-10V
Ta=25 oC
10
-1
-10
-100
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
C ib
β=10
-1000
f=1MHz
I =0/ I =0
E
C
Ta=25 oC
C ob
1 -0.2

s8550三极管 (2)

s8550三极管1. 引言S8550三极管是一种小功率PNP型晶体管，广泛应用于各种电子电路中。

本文将介绍S8550三极管的基本特性、引脚说明以及应用案例。

2. 基本特性S8550三极管的主要技术参数如下：•极性：PNP型•最大集电极电流（IC）：700mA•最大收集极-基极电压（VCBO）：40V•最大集电极-发射极电压（VCEO）：25V•最大基极-发射极电压（VEBO）：5V•最大功率（P）：625mW•最大温度（TJ）：150℃3. 引脚说明S8550三极管的引脚如下所示：----B | | C| |E | |----•B：基极（Base）•C：集电极（Collector）•E：发射极（Emitter）4. 应用案例S8550三极管由于其小功率特性，适用于许多电子电路中，以下是一个简单的应用案例：使用S8550三极管实现亮度调节。

•通过控制输入电压V1的大小，改变电流流过R1，进而改变LED的亮度。

4.3 注意事项•确保输入电压V1不超过S8550三极管的最大集电极-基极电压（VCBO）。

•根据实际要求选择合适的电阻值R1，以控制LED的亮度在合适范围内。

5. 结论S8550三极管是一种小功率PNP型晶体管，具有较高的集电极电流和较低的最大功率，适用于各种电子电路中。

在设计和应用中，需要根据其特性和引脚说明进行正确的选型和连接，方能发挥其最佳性能。

以上是关于S8550三极管的简要介绍及应用案例。

PNP NPN区别及S8550 S8050参数

PNP、NPN的区别及三极管S8550和S8050 参数NPN是用B→E 的电流（IB）控制C→E 的电流（IC），E极电位最低，且正常放大时通常C 极电位最高，即VC > VB > VEPNP是用E→B 的电流（IB）控制E→C 的电流（IC），E极电位最高，且正常放大时通常C 极电位最低，即VC<VB<VENPN电路中，E最终都是接到地板（直接或间接），C最终都是接到天花板（直接或间接）。

PNP电路则相反，C最终都是接到地板（直接或间接），E最终都是接到天花板（直接或间接）。

这也是为了满足上面的VC 和VE的关系。

NPN基极高电压，集电极与发射极短路。

低电压，集电极与发射极开路。

也就是不工作。

PNP基极高电压，集电极与发射极开路，也就是不工作。

如果基极加低电位，集电极与发射极短路。

NPN和PNP的区别：1.如果输入一个高电平，而输出需要一个低电平时，首选择npn。

2.如果输入一个低电平，而输出需要一个低电平时，首选择pnp。

3.如果输入一个低电平，而输出需要一个高电平时，首选择npn。

4.如果输入一个高电平，而输出需要一个高电平时，首选择pnp。

S8050和S8550是现在很常用的小功率三极管。

S8050是NPN管，S8550是PNP管。

它们引脚排列完全一样。

你面对字标，自左向右——e；发射极；b基级；c集电极。

指针万用表核对：档位拨到hfe档位，8050插入到NPN测试孔，8550插入到PNP测试孔，万用表正确指示hfe值的，万用表测试孔标定的ebc管脚记下就是了。

S8550 TO-92S8550 SOT-23S8050 TO-92S8050 SOT-23。

S8550数据手册_引脚图_参数

500 100
10 -1
-500
h —— FE
I
C
Ta=100ć Ta=25ć
COMMON EMITTER V =-1V
CE
-10
-100
-500
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
V
——
CEsat
I C
COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE VCEsat (mV)
6\PERO
A A1 b c D D1 E e e1 L ĭ h
'LPHQVLRQV ,Q 0LOOLPHWHUV
0LQ
0D[
3.300
3.700
1.100
1.400
0.380
0.550
0.360
0.510
4.
4.700
3.430
4.300
4.700
1.270 TYP
2.440
2.640
14.100
CE
T =25ć a
-10
-100
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
P —— T
C
a
25
50
75
100
125
150
AMBIENT TEMPERATURE T (ć) a

),$XJ 201
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
CAPACITANCE C (pF)
72 3DFNDJH 2XWOLQH 'LPHQVLRQV
0.015
72 6XJJHVWHG 3DG /D\RXW
)$XJ
72 7DSHDQG5HHO

FOSAN富信科技二三极管FX SS8550规格书【2022】

ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDSS8550■FEATURES 特點Low Frequency Power Amplifier 低頻功率放大Suitable for Driver Stage of Small Motor 小馬達驅動Complementary to SS8050与SS8050互补■最大額定值(T a =25℃)CHARACTERISTIC 特性參數Symbol 符號Rating 額定值Unit 單位Collector-Base Voltage 集電極-基極電壓V CBO -30Vdc Collect-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓V CEO -20Vdc Emitter-Base Voltage 發射極-基極電壓V EBO -5.0Vdc Collector Current 集電極電流Ic -1500mAdc Collector Power Dissipation 集電極耗散功率P C 300mWJunction Temperature 結溫T j 150℃Storage Temperature Range 儲存溫度T stg-55〜150℃■DEVICEMARKING 打標SS8550=Y2■H FE RANGE放大倍數分檔H FE (1)(85〜150),(120〜220)(200~300),(280~400)ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD SS8550■ELECTRICAL CHARACTERISTICS電特性(T A=25℃unless otherwise noted如無特殊說明，溫度爲25℃)Characterstic 特性參數Symbol符號Test Condition測試條件Min.最小值Typ.典型值Max.最大值Unit單位Collector Cutoff Current 集電極截止電流I CBO V CB=-30V,I E=0——-0.1μAEmitter Cutoff Current 發射極截止電流I EBO V EB=-5V,I C=0——-0.1μACollector-Base Breakdown Voltage集電極-基極擊穿電壓V(BR)CBO I C=-100μA-30——V Collector-Emitter Breakdown Voltage集電極-發射極擊穿電壓V(BR)CEO I C=-10mA-20——V Emitter-Base Breakdown Voltage發射極-基極擊穿電壓V(BR)EBO I E=-100μA-5——VDC Current Gain 直流電流增益H FE(1)V CE=-1V,I C=-100mA85—400—H FE(2)V CE=-1V,Ic=-1500mA40——Collector-Emitter Saturation Voltage 集電極-發射極飽和壓降V CE(sat)I C=-1500mA,I B=-150mA——-0.6VBase-Emitter Voltage 基極-發射極電壓V BE V CE=-1V,I C=-10mA—-0.8-1.0VTransition Frequency 特徵頻率f T V CE=-5V,I C=-10mA100120—MHzCollector Output Capacitance 輸出電容C ob V CB=-10V,I E=0,f=1MHz—1330pFANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD SS8550■DIMENSION外形封裝尺寸。

三极管的主要参数

9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的主要参数数据9012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-908550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-1409011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-809013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-1109014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-908050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-100详情如下：90系列三极管参数90系列三极管大多是以90字为开头的，但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的，它们的特性及管脚排列都是一样的。

9011 结构：NPN集电极-发射极电压30V集电极-基电压50V射极-基极电压5V集电极电流0.03A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均370MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 9012 结构：PNP集电极-发射极电压-30V集电极-基电压-40V射极-基极电压-5V集电极电流0.5A耗散功率0.625W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300 9013 结构：NPN集电极-发射极电压25V集电极-基电压45V射极-基极电压5V集电极电流0.5A耗散功率0.625W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009014 结构：NPN集电极-发射极电压45V集电极-基电压50V射极-基极电压5V集电极电流0.1A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000 9015 结构：PNP集电极-发射极电压-45V集电极-基电压-50V射极-基极电压-5V集电极电流0.1A耗散功率0.45W结温150℃特怔频率平均300MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000 9016 结构：NPN集电极-发射极电压20V集电极-基电压30V射极-基极电压5V集电极电流0.025A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 9018 结构：NPN集电极-发射极电压15V集电极-基电压30V射极-基极电压5V集电极电流0.05A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 三极管85508550是一种常用的普通三极管。

8550三极管参数

8550三极管参数1. 介绍8550三极管是一种常用的NPN型晶体管，广泛应用于电子电路中。

它具有高电流放大倍数、低噪声、高频率响应等特点，适用于放大、开关、稳压等各种电路设计。

2. 8550三极管的结构8550三极管由三个区域组成：发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。

发射极和基极之间是PN结，基极和集电极之间也是PN结。

基极与发射极之间的结被称为发射结，基极与集电极之间的结被称为集电结。

3. 8550三极管的参数3.1 最大额定值•集电极-基极最大电压（Vceo）：该参数指定三极管可以承受的最大集电极-基极电压。

超过该电压会导致器件损坏。

•集电极-发射极最大电压（Vceo）：该参数指定三极管可以承受的最大集电极-发射极电压。

超过该电压会导致器件损坏。

•集电极电流（Ic）：该参数指定三极管可以承受的最大集电极电流。

超过该电流会导致器件损坏。

•基极-发射极最大电压（Vbe）：该参数指定三极管可以承受的最大基极-发射极电压。

超过该电压会导致器件损坏。

3.2 小信号参数•直流放大倍数（hfe）：该参数指定三极管的直流电流放大倍数，即集电极电流与基极电流之比。

•输入电阻（Rbe）：该参数指定三极管的输入电阻，即基极电阻。

•输出电阻（Rce）：该参数指定三极管的输出电阻，即集电极电阻。

3.3 动态参数•频率响应（fT）：该参数指定三极管的最高工作频率，即能够正常放大信号的最高频率。

4. 使用8550三极管的注意事项•8550三极管是一种NPN型晶体管，因此在使用时需要注意极性，确保正确连接。

•在设计电路时，需要根据具体的应用需求选择适当的参数，如最大电压、最大电流等。

•在使用8550三极管时，应注意工作温度范围，避免超过规定的温度范围，以免影响器件的性能和寿命。

•当使用8550三极管作为开关时，需要注意输入电流和输出电流之间的匹配，以避免过载或损坏器件。

•在进行焊接时，应注意避免过热，以免损坏器件。

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-300
-600
-900
BASE-EMMITER VOLTAGE VBE (mV)
-1200
C /C —— V /V
ob ib
CB EB
Cib Cob
-1
REVERSE VOLTAGE V (V)
f=1MHz IE=0/IC=0 Ta=25 ℃
-10
-20
COLLECTOR POWER DISSIPATION PC (mW)
hFE(2)
VCE= -1V, IC= -500mA
VCE(sat)
IC=-500mA, IB= -50mA
VBE(sat)
fT
IC=-500mA, IB= -50mA
VCE= -6V, IC= -20mA
f=30MHz
H 200-350
Min -40 -25 -5
120 50
Max Unit V V V
10 -1
400
COMMON EMITTER VCE=-6V Ta=25℃
-10
-100
COLLECTOR CURRENT IC (mA)
P —— T
C
a
300
200
100
0
0
25
50
75
100
125
150
AMBIENT TEMPERATURE Ta (℃)
C,Mar,2013
CAPACITANCE C (pF)
FEATURES z Complimentary to S8050 z Collector current: IC=0.5A
1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR
MARKING : 2TY
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)
-0
-1200
I ——
C
V CE
-400uA -360uA -320uA -280uA
COMMON EMITTER T =25℃
a
-240uA
-200uA
-160uA
-120uA
-80uA
IB=-40uA
-2
-4
-6
-8
-10
-12
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)
V —— BEsat
0.080
0.150
2.800
3.000
1.200
1.400
2.250
2.550
0.950 TYP.
1.800
2.000
0.550 REF.
0.300
0.500
0°
8°
Dimensions In Inches
Min.
Max.
0.035
0.045
0.000
0.004
0.035
0.041
0.012
0.020
Test conditions
V(BR)CBO
IC = -100μA, IE=0
Hale Waihona Puke V(BR)CEOIC =-1mA, IB=0
V(BR)EBO
IE= -100μA, IC=0
ICBO
VCB= -40V, IE=0
ICEO
VCE= -20V, IB=0
IEBO
VEB= -3V, IC=0
hFE(1)
VCE= -1V, IC= -50mA
Value
Unit
-40
V
-25
V
-5
V
-0.5
A
0.3
W
150
℃
-55-150
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)
Parameter Collector-base breakdown voltage Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector cut-off current Collector cut-off current Emitter cut-off current
I —— V
C
BE
β=10
-500
-10 -1
400
100
T
=100
a
℃
T
=25℃
a
-10
-100
COLLECTOR CURRENT IC (mA)
f T
——
I
C
β=10
-500
TRANSITION FREQUENCY fT (MHz)
℃
=25℃
=100
T a
T a
COMMON EMITTER VCE=-1V
0.003
0.006
0.110
0.118
0.047
0.055
0.089
0.100
0.037 TYP.
0.071
0.079
0.022 REF.
0.012
0.020
0°
8°
The bottom gasket
3000×15 PCS
Label on the Reel 3000×1 PCS
Seal the box with the tape
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage
Transition frequency
CLASSIFICATION OF hFE(1) Rank Range
L 120-200
Symbol
【南京南山半导体有限公司 — 长电贴片三极管选型资料】

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
SOT-23
S8550 TRANSISTOR (PNP)
-0.1 μA -0.1 μA -0.1 μA
400
-0.6 V -1.2 V
150
MHz
J 300-400
C,Mar,2013
【南京南山半导体有限公司 — 长电贴片三极管选型资料】
Typical Characteristics
COLLECTOR CURRENT IC (mA)
-90 -80 -70 -60 -50 -40 -30 -20 -10 -0
I
C
DC CURRENT GAIN hFE
500 100
10 -1
-500

S8550
h —— FE
I
C
Ta=100℃ Ta=25℃
COMMON EMITTER VCE=-1V
-10
-100
-500
COLLECTOR CURRENT IC (mA)
V
——
CEsat
I
C
COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE VCEsat (V)
【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】

Symbol
A A1 A2 b c D E E1 e e1 L L1 θ
Dimensions In Millimeters
Min.
Max.
0.900
1.150
0.000
0.100
0.900
1.050
0.300
0.500
The top gasket
Stamp “EMPTY” on the empty box
Seal the box with the tape
QA Label
Label on the Inner Box Inner Box: 210 mm× 208 mm×203 mm
Label on the Outer Box Outer Box: 440 mm× 440 mm× 230 mm
Symbol VCBO VCEO VEBO IC PC Tj Tstg
Parameter Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current -Continuous Collector Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature
BASE-EMITTER SATURATION VOLTAGE VBEsat (mV)
COLLECTOR CURRENT IC (mA)
-800
-400 -1
-500 -100
-10
-1 -0
50
10
1 -0.1
T
=25℃
a
-100
T
=100
a
℃
-10
-100
COLLECTOR CURRENT IC (mA)