电子技术基础pdf
电子技术基础第7版答案
−120 × 10−3 W （负值），故为电源； 80V元 件
80 × 10−3 W （正值），故为电源； 30V元件
10−3 W （正值），故为负载。 两者结果一致。 最后校验功率平衡： 电阻消耗功率:
2 PR1 = R1 I1 = 10 × 32 mW = 90mW 2 = 20 × 12 mW = 20mW PR2 = R2 I2
第1.6节 基尔霍夫定律 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
第1.7节 电路中电位的概念及计算 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
2 从电压和电流的参考方向判别： 电路元件3 U3 和I3 的参考方向相同P = U3 I3 = 60 × (−2) × 10−3 W = U2 和I2 的 参 考 方 向 相 反P = U2 I2 = 80 × 1 × 10−3 W = U1 和I1 参考方向相同P = U1 I1 = 30 × 3 × 10−3 W = 90 ×
4
电源发出功率: PE = U2 I2 + U3 I3 = (80 + 120)mW = 200mW 负载取用和电阻损耗功率:
2 2 P = U1 I1 + R1 I1 + R2 I2 = (90 + 90 + 20)mW = 200mW
两者平衡 1.5.3 有一直流电源，其额定功率PN = 200W ，额定电压UN = 50V 。内阻R0 = 0.5Ω，负载电阻R可以调节。其电路如教材图1.5.1所示试求： 1 额定工作状态下的电流及负载电阻； 2 开路状态下的电源端电压； 3 电源短路状态下的电流。 [解] (1) 额定电流IN = 200 50 PN UN A = 4A, 负载电阻R = = = Ω = 12.5Ω UN 50 IN 4
模拟电子技术基础pdf
模拟电子技术基础华教网1电子技术发展2。
模拟信号和模拟电路3。
电子信息系统的组成4。
模拟电子技术基础课程特点5。
如何学习本课程6。
课程目标7。
试验方法六氯环己烷华教网1电子技术的发展，电子技术的发展，促进了计算机技术的发展，使其“无所不在”并得到广泛应用！广播与通信：发射机、接收机、广播、录音、程控交换机、电话、手机；网络：路由器、ATM交换机、收发机、调制解调器；行业：钢铁、石化、机械加工、数控机床；交通：飞机、火车、船舶、汽车；军事：雷达、电子导航；航空航天：卫星定位、医疗监控：伽玛刀、CT、B超、微创手术；消费电子产品：家用电器（空调、冰箱、电视）、音频、视频摄像机、摄像机、电子手表）、电子玩具、各种报警器，安全系统HCH a华教网电子技术的发展很大程度上体现在元器件的开发上。
1904年、1947年和1958年，从电子管到半导体管再到集成电路，集成电子管应运而生，晶体管研制成功。
HCH-atsin与电子管、晶体管和集成电路的比较。
半导体器件的发展华教网. 贝尔实验室在1947年制造了第一个晶体管，1958年制造了集成电路，1969年制造了大规模集成电路。
第一个有四个晶体管的集成电路于1975年制造，1997年，一个集成电路中有40亿个晶体管。
一些科学家预测，整合程度将以每6年10倍的速度增长，到2015年或2020年达到饱和。
学习电子技术课程时要时刻注意电子技术的发展！六氯环己烷华教网一些科学家要记住！第一个晶体管的发明者（由贝尔实验室的约翰·巴丁、威廉·肖克利和沃尔特·布拉丹发明）于1947年11月底发明了晶体管，并于12月16日正式宣布“晶体管”的诞生。
他获得了诺贝尔物理学奖。
1956年。
1972年，他因对超导性的研究而获得诺贝尔物理学奖。
1958年9月12日，第一个集成电路及其发明者Ti 的Jack Kilby在德州仪器实验室实现了将电子器件集成到半导体材料中的想法。
电子技术基础(数字)康华光课后解答
VNLA(max) =VIL(max) —VOL(max) =0.8V—0.4V=0.4V
2.4
0.4
2
0.8
逻辑门 B
3.5
0.2
2.5
0.6
逻辑门 C
4.2
0.2
3.2
0.8
解：根据表题 3.1.1 所示逻辑门的参数，以及式（3.1.1）和式（3.1.2），计算出逻 辑门 A 的高电平和低电平噪声容限分别为：
VNHA =VOH (min) —VIH (min) =2.4V—2V=0.4V
(2) L D(A C)
(3) L (A B)(C D)
2.2.2 已知函数 L（A，B，C，D）的卡诺图如图所示，试写出函数 L 的最简与 或表达式
解： L(A, B,C, D) BCD BCD BCD ABD 2.2.3 用卡诺图化简下列个式 （1） ABCD ABCD AB AD ABC 解： ABCD ABCD AB AD ABC ABCD ABCD AB(C C)(D D) AD(B B)(C C) ABC(D D) ABCD ABCD ABCD ABCD ABCD ABCD ABCD
解： A ABC ACD (C D)E
A( 1 B C) A C D C D E
A A C D C D E
AB +AB
1 0 0 1
A CD CDE A CD E 2.1.4 用代数法化简下列各式 (3) ABC(B C) 解： ABC(B C) (A B C)(B C)
（4）（2.718）D=(10.1011)B=(2.54)O=(2.B)H 1.4 二进制代码 1.4.1 将下列十进制数转换为 8421BCD 码： （1）43 （3）254.25 解：（43）D=（01000011）BCD 1.4.3 试用十六进制写书下列字符繁荣 ASCⅡ码的表示：P28 （1）+ （2）@ （3）you (4)43 解：首先查出每个字符所对应的二进制表示的 ASCⅡ码，然后将二进制码转换 为十六进制数表示。 （1）“+”的 ASCⅡ码为 0101011，则（00101011）B=（2B）H （2）@的 ASCⅡ码为 1000000,(01000000)B=(40)H (3)you 的 ASCⅡ码为本 1111001,1101111,1110101,对应的十六进制数分别为
杭州电子科技大学电路与模拟电子技术基础(第4版)习题解答完整版
第1章直流电路习题解答1.1 求图1.1中各元件的功率，并指出每个元件起电源作用还是负载作用。
图1.1 习题1.1电路图解 W 5.45.131=×=P （吸收）；W 5.15.032=×=P （吸收） W 15353−=×−=P （产生）；W 5154=×=P （吸收）； W 4225=×=P （吸收）;元件1、2、4和5起负载作用，元件3起电源作用。
1.2 求图1.2中的电流I 、电压U 及电压源和电流源的功率。
图1.2 习题1.2电路图解 A 2=I ；V 13335=+−=I I U电流源功率：W 2621−=⋅−=U P （产生），即电流源产生功率6W 2。
电压源功率：W 632−=⋅−=I P （产生），即电压源产生功率W 6。
1.3 求图1.3电路中的电流1I 、2I 及3I 。
图1.3 习题1.3电路图解 A 1231=−=I ;A 1322−=−=I由1R 、2R 和3R 构成的闭合面求得：A 1223=+=I I 1.4 试求图1.4所示电路的ab U 。
图1.4 习题1.4电路图解 V 8.13966518ab −=×+++×−=U 1.5 求图1.5中的I 及S U 。
图1.5 习题1.5电路图解 A 7152)32(232=×+−×+−=IV 221021425)32(22S =+−=×+−×+=I U1.6 试求图1.6中的I 、X I 、U 及X U 。
图1.6 习题1.6电路图解 A 213=−=I ；A 31X −=−−=I I ; V 155X −=⋅=I UV 253245X X −=×−−⋅=I U1.7 电路如图1.7所示：（1）求图(a)中的ab 端等效电阻；（2）求图(b)中电阻R 。
图1.7 习题1.7电路图解 (1) Ω=+=+++×+×+×+=1046418666661866666ab R (2) Ω=−−=712432383R1.8 电路如图1.8所示：（1）求图(a)中的电压S U 和U ；（2）求图(b)中V 2=U 时的电压S U 。
电子技术基础(电工Ⅱ)李春茂主编_机械工业出版社_课后习题答案
1-9 有 A、B、C 3 只晶体管，测得各管的有关参数与电流如题表 1-2 所示，试填写表中空白的栏目。
表 1-2 题 1-9 表
电流参数
管号
iE / mA iC / mA iB / μA ICBO / μA ICEO / μA
A
1
0.982
18
2
111
0.982
B
0.4
0.397
3
1
132.3 0.99
目录
第一章 双极型半导体器件∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙1 第二章 基本放大电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙7 第三章 场效应晶体管放大电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙18 第四章 多级放大电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙23 第五章 集成运放电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙33 第七章 直流稳压电源∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙46 第九章 数字电路基础知识∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙51 第十章 组合逻辑电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙61 第十一章 时序逻辑电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙73 第十二章 脉冲波形的产生和整形∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙90 第十三章 数/模与模/数转换电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙96
模拟电子技术基础pdf
本书是参照1977年11月全国高校工科基础电气与无线电教材会议编制的《电子技术基础》（自动化）教材的教学大纲，以及其他人提出的修改建议编写而成。
兄弟院校。
出版了《模拟电子技术基础知识》和《数字电子技术基础知识》两本书。
本课程的基础部分可用于高校自动化专业“电子技术基础”课程的两个学期。
在编写过程中，我们尽量注重分析问题和解决问题的能力的培养。
我们认为自动化专业的毕业生应该有预见能力，二次计算，三选四。
会读是指能够理解本专业典型电子设备的原理图，了解各部分的组成和工作原理；会计算是对各环节的性能进行定性或定量的分析和估算；能够选择和能在满足专业一般任务时大致选择方案和选择相关元器件和设备，通过安装调试，基本可以开发。
为了提高对电路设计的基本概念和基本方法的阅读能力，我们应该在课程中加强对基本概念和基本方法的阅读能力，其中还包括一些设计实例和一些关于实际问题的章节。
电子设备。
在处理新技术日益增多与空间有限的矛盾时，我们采取措施使学生适应上世纪80年代电子技术发展的需要，同时保证基本概念、基本原理和基本分析方法。
因此，一些由分立元件组成的单元，如调制放大器、功率放大器、门电路和触发电路的内容大大减少，而与线性集成电路和数字集成电路有关的单元也相应地增加了。
此外，小写字母（更深入的部分）、星号（其他内容）和投注（附加说明和参考资料）也用于满足不同的要求。
在总结了《模拟电子技术》的基本章节后，还附上了一个思路流程图，以帮助读者理解编写的意图和基本内容，并用粗线条勾勒出来。
）童世白、金国芬、严实、吴百春、孙家新、张乃国参加了模拟电子技术基础课程的编写。
童世白负责组织定稿。
马忠普、董红芳、杨苏兴、王汉伟、孙长岭、胡东城、游素英等参加讨论整理。
朱亚尔、蔡文华、朱占星、杨、胡二山等同志参加讨论整理。
李世新同志协助了部分绘图工作。
在对模拟电子基础技术进行梳理和确定的过程中，我们得到了来自全国60多所兄弟院校的老师们的宝贵意见。
2023年暨南大学《823-电子技术基础》考研真题
2023年暨南大学《823 电子技术基础》考研真题四、计算题（共4小题，每小题15分，共60分）1.如图所示电路中，各晶体管的参数相同，其中β=50，U BE=0.7V，r bb’=200Ω，稳压管的稳压值为5V，R p滑动端处于中间位置，其他参数见图。
（1）计算静态工作点参数I CQ1、I CQ2及静态时U OQ的值；（2）计算差模电压放大倍数A d、差模输入电阻R id及差模输出电阻R od的值。
2.如图所示电路中，已知晶体管的U BE=0.7V，β=100，r bb’=100Ω，C ob=0.5pF，fβ=100MHz，R s=100Ω。
（1）估算下限截止频率f L和上限截止频率f H；（2）写出整个频率范围内A us的表达式；（3）画出A us的波特图。
3.如图所示电路中，已知R w1，R w2的滑动端均位于中点，R1=50kΩ，C=0.01μF，稳压管的稳压值为6V。
（1）画出u o1和u o2的波形，标明幅值和周期；（2）当R w1的滑动端向右移时，u o1和u o2的幅值和周期分别如何变化；（3）当R w2的滑动端向右移时，u o1和u o2的幅值和周期分别如何变化；（4）为了仅使u o2的幅值增大，应如何调节电位器？为了仅使u o2的周期增大，应如何调节电位器？为了使u o2的幅值和周期同时增大，应如何调节电位器？为了使u o2的幅值增大而周期减小，应如何调节电位器？4.在图示电路中，已知二极管的导通电压是U D=0.7V，晶体管导通时|U BE|=0.7V，T2管的发射极静态电位U EQ=0V，T2和T4管的饱和管压降|U CES|=2V，试问：（1）T1、T3、T5管基极的静态电位各是多少？（2）R2=10kΩ，R3=100Ω，若T1和T3管基极静态电流可忽略不计，则T5管集电极静态电流为多少？（3）若R3短路会产生什么现象？（4）负载上可能获得的最大输出功率P om和效率η各约为多少？（5）T2和T4管的最大集电极电流、最大管压降和集电极最大功耗各为多少？。
《数字电子技术基础》第五版教学课件清华大学阎石王红.pdf
一、基本结构
1. IOB 2. CLB 3. 互连资源 4. SRAM
1. IOB
《数字电子技术基础》第五版
可以设置为输入/输出； 输入时可设置为：同步（经触发器）
异步（不经触发器）
2. CLB
《数字电子技术基础》第五版
本身包含了组合电路和触发器，可构成小的时序电路 将许多CLB组合起来，可形成大系统
8.4.3 GAL的输入和输出特性
GAL是一种较为理想的高输入阻抗器件
GAL输出缓冲级
《数字电子技术基础》第五版
《数字电子技术基础》第五版
8.5 可擦除的可编程逻辑阵列EPLD
一、结构特点 相当于 “不-或”阵列（PAL） + OLMC
二、采用EPROM工艺 集成度提高
《数字电子技术基础》第五版
《数字电子技术基础》第五版
isp器件的编程接口（Lattice）
开发 环境
• 使用ispPLD的优点：
• *丌再需要与用编程器 • *为硬件的软件化提供可能 • *为实现硬件的远程构建提供可能
3. “装载”结束后，进入编程设定的 工作状态
！！每次停电后，SRAM中数据消失 下次工作仍需重新装载
《数字电子技术基础》第五版
8.8 在系统可编程通用数字开关（ispGDS）
ispGDS22的 结构框图
《数字电子技术基础》第五版
8.9 PLD的编程
以上各种PLD均需离线进行编程操作，使用开发系统
3. 互连资源
《数字电子技术基础》第五版
《数字电子技术基础》第五版
4. SRAM 分布式 每一位触发器控制一个编程点
二、编程数据的装载
《数字电子技术基础》第五版
电力电子技术第5版pdf-2024鲜版
无源逆变电路常用于一些对输出波形要求不高的场合，如小功率电源 、照明等。
2024/3/28
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逆变电路的应用与特点
应用领域：逆变电路在新能源发电、电动汽车、UPS、 电力拖动等领域有着广泛的应用，是实现电能高效转换 和利用的关键技术之一。 能够实现直流电能与交流电能之间的转换；
具有较高的转换效率和功率因数；
UPS主要由整流器、逆变器、蓄电池组和静态开关等组成，根据工作方式可分为在 线式、后备式和在线互动式三种类型。
2024/3/28
UPS广泛应用于计算机、通信、数据中心、医疗设备等领域，保障关键负载在市电 异常时的正常运行。
35
变频调速器
变频调速器是一种通过改变电机供电频率来实现电机速度调节的装置，广泛应用于风机、水泵、压缩 机等负载的节能控制。
晶闸管
一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，可以承受高电压和大电流，具有开 关速度快、寿命长等优点。在交流电力电子开关中广泛应用。
可关断晶闸管（GTO）
具有自关断能力的一种晶闸管，可以通过门极负脉冲或阳极电流下降来实现关断。GTO具 有高电压、大电流、高开关速度等优点，适用于高压、大功率的交流电力电子开关。
环保意识的提高将推动电力电子技术向绿色化方向发展，减少对环境 的影响，提高能源利用效率。
集成化
随着集成电路技术的不断发展，电力电子技术的集成度将不断提高， 实现更小的体积和更高的可靠性。
6
02
电力电子器件
2024/3/28
7
不可控器件
工作原理
利用PN结的单向导电性
特点
结构简单、价格低廉、工作可靠
源的转换、储存和并网等功能。
5
电力电子技术的未来趋势
电工电子技术基础2-3-2-参考方向
3. 1电流的参考方向任意假定的电流方向称为电流的参考方向(或正方向)简单电路 E +-R3V灯泡Ω20较复杂电路I Ω3V 12Ω3Ω2Ω2V Ω5.1?设定参考方向后，电流就成为有正、负之分的代数量。
3. 1电流的参考方向1. 电流的参考方向在电路中通常表示2.电流的参考方向 也可以用表示bAI(参考方向)a(实际方向）2AbAa(实际方向）(参考方向)(a) 电流 I 为正值 (b) 电流 I 为负值baab I I -=I ab 表示电流方向由a 到b ，则习惯上规定电压的实际方向为由高电位端指向低电位端，即电位降低的方向。
电动势的实际方向规定为在电源的内部由低电位端指向高电位端，即电位升高的方向。
E +-U电位升高电位降低1. 电压和电动势的实际方向(1) 电压的参考方向通常采用 “+”和“-” 极性 表示其中 “+”表示高电位，“-”表示低电位(2) 电压的参考方向 也可用双下标表示2. 在计算电路时也必须先假定电压或电动势的参考方向 （也称参考极性）U ab 表示电压方向由a(高电位）到b （低电位）baab U U -=bU-a+设定电压的参考方向后，经分析计算得到的电压值也成为 有正、负之分的代数量。
通常假定电压参考方向和电流参考方向相一致，称为关联参考方向，如图(a)所示。
否则为非关联参考方向，如图(b)。
I A+-ab-3V ba-I A+3V (a) 关联 (b) 非关联。
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电子技术基础pdf
电子技术基础主要涵盖电子学的基础知识、电路分析与设计、信号处理等内容，是电子信息工程领域的核心课程。
本文将从以下几个方面对电子技术基础进行介绍。
一、电子学的基础知识
电子学是电子器件、电路及其系统的理论和应用的一个综合性学科。
在电子技术基础中，学习者需要掌握电子学的基础知识，包括电子器件的种类、原理和特性，以及半导体物理、PN 结的形成和性质等。
此外，还需要了解基本电路、电学定理和电压、电流、电阻等基本概念及其在电路分析中的应用。
二、电路分析与设计
电路分析与设计是电子技术基础中的核心部分。
学习者需要掌握基本电路的分析方法及其应用，例如电压分压定理、电流分流定理、诺顿定理、戴维南定理等。
另外，学习生还需要了解各种电路的特点及其设计方法，例如放大电路、滤波电路、正弦振荡器、脉冲调制等。
三、信号处理
信号处理是电子技术基础中重要的一部分，其涉及的领域很广泛，包
括模拟信号处理、数字信号处理、信号变换等。
学习者需要了解各种
信号处理方法的原理及其应用，例如滤波、变换、编码等，还需要掌
握相关设计工具的使用，例如MATLAB、Simulink等。
四、综合实验
综合实验是电子技术基础中的重要环节之一，通过实验学习者可以将
理论知识与实际应用结合起来，理解电路的实际工作原理，培养实际
动手能力。
学习者需要选择不同的实验项目，例如基本电路实验、放
大电路实验、振荡电路实验等，不断提高实验技能和观察数据的能力。
总之，电子技术基础是电子信息工程领域的核心课程，通过学习电子
学的基础知识、电路分析与设计、信号处理以及综合实验等环节，能
够使学习者逐步掌握电子技术的基础、方法和技能，为后续的学习和
科研打下坚实的基础。
以上是本文对于电子技术基础的介绍，希望能对广大学习者有所帮助。