存储器外部电路(1)
存储器实验
一、实验目的[1]理解计算机存储子系统的工作原理。
[2]掌握静态随机存储器RAM的工作特性和读写方法。
二、实验内容本实验旨在通过搭建静态随机存储器电路，使用M6116芯片，并结合74LS245和74LS373等器件，实现对存储器的读写操作。
具体实验内容包括存储器的基本读写操作和扩展实验要求的IO内存统一和独立编址增加4K的IO地址。
三、实验原理芯片介绍：•74LS245：8位双向缓冲传输门，用于连接数据总线和存储器地址输入。
•74LS373：8位透明锁存器，用于存储地址信息。
•M6116：2K*8位静态随机存储器，具有片选、读使能和写使能等控制线。
操作原理：•写操作：通过设定地址和数据，控制M6116的写使能和数据输入，将数据写入指定存储单元。
•读操作：设置地址并启用读使能，从M6116读取存储单元的数据，并通过数据总线输出。
四、实验步骤及结果（附数据和图表等）1. 基本实验步骤1.电路搭建：o根据图3.4搭建实验电路，连接M6116、74LS245、74LS373等器件。
o设置好数据开关（SW7-SW0）、数码管显示和总线连接。
2.预设置：o将74LS373的OE(——)置0，保证数据锁存器处于工作状态。
o设置M6116的CE(——)=0，使其处于选中状态。
o关闭74LS245（U1），确保数据总线不受影响。
3.电源开启：o打开实验电源，确保电路供电正常。
4.存储器写操作：o依次向01H、02H、03H、04H、05H存储单元写入数据。
o以01H为例：▪设置SW7~SW0为00000001，打开74LS245（U1），将地址送入总线。
▪将74LS373的LE置1，将地址存入AR，并观察地址数码管。
▪将LE置0，锁存地址到M6116的地址输入端。
▪设置数据开关为要写入的数据，打开74LS245（U4），将数据送入总线。
▪将M6116的WE(——)由1转为0，完成数据写入操作。
▪关闭74LS245（U4）。
第7章_微型计算机存储器习题参考答案
第7章_微型计算机存储器习题参考答案计算机存储器7.1 ⼀个微机系统中通常有哪⼏级存储器？它们各起什么作⽤？性能上有什么特点？答：⼀个微机系统中通常有3级存储器结构：⾼速缓冲存储器、内存储器和辅助存储器。
⾼速缓冲存储器简称快存，是⼀种⾼速、⼩容量存储器，临时存放指令和数据，以提⾼处理速度。
内存存取速度快，CPU可直接对它进⾏访问，⽤来存放计算机运⾏期间的⼤量程序和数据。
辅存存储容量⼤，价格低，CPU不能直接进⾏访问，通常⽤来存放系统程序、⼤型⽂件及数据库等。
7.2 半导体存储器分为哪两⼤类？随机存取存储器由哪⼏个部分组成？答：根据存取⽅式的不同，半导体存储器可分为随机存取存储器RAM和只读存储器ROM 两类。
其中随机存取存储器主要由地址译码电路、存储体、三态数据缓冲器和控制逻辑组成。
7.3 什么是SRAM，DRAM，ROM，PROM，EPROM和EEPROM？答：SRAM：静态随机存取存储器；DRAM：动态随机存取存储器；ROM：掩膜只读存储器；PROM：可编程的只读存储器；EPROM：可擦除可编程只读存储器；EEPROM：⽤电可擦除可编程只读存储器。
7.4 常⽤的存储器⽚选控制⽅法有哪⼏种？它们各有什么优缺点？答：常⽤的存储器⽚选控制译码⽅法有线选法、全译码法和部分译码法。
线选法：当存储器容量不⼤、所使⽤的存储芯⽚数量不多、⽽CPU寻址空间远远⼤于存储器容量时，可⽤⾼位地址线直接作为存储芯⽚的⽚选信号，每⼀根地址线选通⼀块芯⽚，这种⽅法称为线选法。
直观简单，但存在地址空间重叠问题。
全译码法：除了将低位地址总线直接与各芯⽚的地址线相连接之外，其余⾼位地址总线全部经译码后作为各芯⽚的⽚选信号。
采⽤全译码法时，存储器的地址是连续的且唯⼀确定，即⽆地址间断和地址重叠现象。
部分译码法：将⾼位地址线中的⼀部分进⾏译码，产⽣⽚选信号。
该⽅法常⽤于不需要全部地址空间的寻址、采⽤线选法地址线⼜不够⽤的情况。
采⽤部分译码法存在地址空间重叠的问题。
外存储器
基于DRAM的固态硬盘：采用DRAM作为存储介质，它仿效传统 硬盘的设计，它是一种高性能的存储器，而且使用寿命很长， 美中不足的是需要独立电源来保护数据安全。DRAM固态硬盘属 于比较非主流的设备，主要用于服务器中。
第五章 外存储器
5.1.5 固态硬盘（SSD）
优点： 读写速度快：采用闪存作为存储介质，读取速度相对机械硬 盘更快。固态硬盘不用磁头，寻道时间几乎为0。固态硬盘的快 绝不仅仅体现在持续读写上，随机读写速度快才是固态硬盘的 终极特色，这最直接体现在绝大部分的日常操作中。最常见的 7200转机械硬盘的寻道时间一般为12-14毫秒，而SSD可达到0.1 毫秒甚至更低。
第五章 外存储器
5.2.4
1．保持光驱、光盘清洁；
2．定期清洁保养激光头； 3．保持光驱水平放置；
光驱的维护
4．养成关机前及时取盘的习惯； 5．减少光驱的工作时间； 6．少用盗版光盘，多用正版光盘； 7．正确开关盘盒； 8．利用程序进行开关盘盒；
9．谨慎小心维修；
10．尽量少放影碟；
第五章 外存储器
固态硬盘的存储介质分为两种，一种是采用闪存 （FLASH芯片）作为存储介质，另外一种是采用DRAM 作为存储介质。
第五章 外存储器
5.1.5 固态硬盘（SSD）
基于闪存类 基于闪存的固态硬盘：采用FLASH芯片作为存储介质，这也是 通常所说的SSD。它的外观可以被制作成多种模样，例如：笔记 本硬盘、微硬盘、存储卡、U盘等样式。这种SSD固态硬盘最大 的优点就是可以移动，而且数据保护不受电源控制，能适应于 各种环境，但是使用年限不高，适合于个人用户使用。 基于DRAM类
第五章 外存储器
5.4.2 软盘驱动器
1976年世界上第一台5.25英寸软盘驱动器由Shugart Assaciates公司为IBM的大型机研发成功，1980年索尼公司推出 了3.5英寸软驱，1.44MB、125KB/s传输速度、300rpm转速、 容易损坏。
存储器外部电路
2.外层外围电路 控制信号缓冲器 电平鉴别电路 片擦信号发生器 字节擦写信号发生器 写禁止/写信号发生器 擦除信号发生器 字节操作信号发生器 读信号发生器 擦写信号发生器
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存储器外围电路
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TEE8502的总体结构
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外围电路
内层外围电路：功能电路，它是直接控制 存储矩阵工作的功能块。
外层外围电路：工作模式控制电路，它把 把外部信号转换成若干内部控制信号，对 内层外围电路进行控制。
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（2）地址译码器
行译码器 列译码器
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（3）位写入电路
引脚I/O是共用的，因此数据线D和I/O间是 双向信息通路。读出工作时，位读出电路 工作；字节擦写模式时，位写入电路工作。
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（4）灵敏读放电路
灵敏放大器的作用一方面要限制D的摆幅， 另一方面要具有较大的放大系数，在较小 负载电容的输出点上得到合适的电平和足 够的电压摆幅，驱动输出缓冲器。
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1.内层外围电路 地址缓冲器 地址译码器 位写入电路 灵敏读放电路 存储管控制栅电平VCG产生电路 存储管源电平VS产生电路
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（1）地址缓冲器
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地址缓冲器的功能 把TTL电平转换成MOS电平，并使输出具
有驱动大量地址译码器的能力。 执行工作模式控制
灵敏放大器是影响读出速度的关键。
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四 MCS-51单片机存储器系统扩展
74LS373引脚
1、控制位OE： OE=0时，输出导通 2、控制位G： 接ALE 3、Vcc=+5V 4、GND接地
1 74LS373为8D锁存器，其主要特点在于：
控制端G为高电平时，输出Q0～Q7复现输入D0～ D7的状态；G为下跳沿时D0～D7的状态被锁存在Q0 ～Q7上。
MOV DPTR, #0BFFFH ;指向74LS373口地址
MOVX A, @DPTR ;读入
MOV @R0， A
;送数据缓冲区
INC R0
;修改R0指针
RETI
;返回
用74LS273和74LS244扩展输入输出接口
地址允许信号ALE与外部地址锁存信号G相连；
单片机端的EA与单片机的型号有关;
存储器端的CE与地址信号线有关。
P... 2.7 P2.0
ALE 8031
P... 0.7 P0.0
EA
PSEN
外部地址
G
锁存器
I...7
O... 7
I0 O0
A... 15
CE
A8
外部程序
存储器
A... 7 A0
D7. . . D0 OE
6264的扩展电路图
图中CS（CE2）和CE引脚均为6264的片选信号，由于该扩展电路 中只有一片6264，故可以使它们常有效，即CS（CE2）接+5V ，CE接地。6264的一组地址为0000H～1FFFH。
存储器地址编码
SRAM6264：“64”—— 8K×8b = 8KB 6264有13根地址线。 地址空间： A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 最低地址： 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0000H 最高地址： 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1FFFH MCS-51单片机寻址范围：64KB 26×210 = 216即16位地址线 地址空间： A15A14A13A12A11A10A9A8A7······A0 单片机
第8章 外部存储器的扩展
Vpp A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND
62128
Vcc WE A13 A8 A9 A11 OE A10 CE D7 D6 D5 D4 D3 11
采用线选法外扩3片6264RAM的接口电路
思考一下：3片6264RAM的各自所占的地址空间？
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采用译码法外扩4片62128RAM的接口电路
Vpp A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND
27128
Vcc PGM A13 A8 A9 A11 OE A10 CE D7 D6 D5 D4 D3
Vpp A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND
27256
Vcc A14 A13 A8 A9 A11 OE A10 CE D7 D6 D5 D4 D3
目前常用的编程方法主要有两种：一种是使用通用编
程器编程，比如RF1800，另一种是使用下载型编程器进 行编程。下面介绍如何对AT89S51片内的Flash存储器进 行编程。
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AT89C5X与AT89LV5X之间的主要区别： 1.AT89LV5X工作电压为2.7~6V,可在低电压条件下工作。
24 。 2. AT89LV5X振荡器的最高频率为12MHz，而AT89C5X振荡器的最高频率为24MHz
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MCS-51
P2.7-2.0
P0.7-0.0
ALE
W
R
D R
D7-D0
74LS138
74LS373
A
B
C
G2B
G2A
G
1
G
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
存储器的基础知识第四组1 (1)
计算机存储信息的大小,最基本的单位是字节,一个汉 字由两个字节组成,字母和数字由一个字节组成. 容量的单位从小到大依次是：字节（B）、KB、MB、 GB、TB.它们之间的关系是: 1TB=1024GB 1GB=1024MB 1MB=1024KB 1KB=1024字节 通常人们都使用简便的叫法,把后面的“B”去掉.
光盘是以光信息做为存储的载体并用来存储数据的一 种物品。 分为： 1.不可擦写光盘，如CD-ROM、DVD-ROM等；2.可擦写光 盘，如CD-RW、DVD-RAM等。 光盘是利用激光原理进行读、写的设备，是迅速发展 的一种辅助存储器，可以存放各种文字、声音、图形、图 像和动画等多媒体数字信息。 光盘定义：即高密度光盘（Compact Disc）是近代发展起 来不同于完全磁性载体的光学存储介质（例如：磁光盘也 是光盘），用聚焦的氢离子激光束处理记录介质的方法存 储和再生信息，又称激光光盘。
在计算机诞生初期并不存在内存条的概念.
最早的内存是以磁芯的形式排列在线路上，每个磁芯与晶体管组成的一个双稳态电 路作为一比特（BIT)的存储器,每一比特都要有玉米粒大小，可以想象一间的机房只能 装下不超过百k字节左右的容量。 后来才出现了焊接在主板上集成内存芯片，以内存芯片的形式为计算机的运算提供 直接支持。那时的内存芯片容量都特别小，最常见的莫过于256K×1bit、1M×4bit，虽 然如此，但这相对于那时的运算任务来说却已经绰绰有余了。
硬盘是电脑主要的存储媒介之一，由一个或者 多个铝制或者玻璃制的碟片组成。碟片外覆盖有铁 磁性材料。 硬盘有固态硬盘、机械硬盘、混合硬盘，混合 硬盘是把磁性硬盘和闪存集成到一起的一种硬盘。 绝大多数硬盘都是固定硬盘，被永久性地密封固定 在硬盘驱动器中。 磁头复位节能技术：通过在闲时对磁头的复位来节 能。 多磁头技术：通过在同一碟片上增加多个磁头同时 的读或写来为硬盘提速，或同时在多碟片同时利用 磁头来读或写来为磁盘提速，多用于服务器和数据 库中心。
微机原理习题集第七章存贮器
第七章内存储器一、填空题1、内存储器是计算机系统中的装置，用来存放和。
2、CPU对RAM存贮器进行读/写操作时，应送出的方向控制命令有和命令。
3、Intel 2114 RAM存贮芯片引脚中用于片选的控制引脚为，用于读/写控制引脚为。
4、Intel 4116 RAM芯片容量为2K 8，访问该芯片须用根地址线。
5、存贮芯片存贮的信息会，必须定时刷新，刷新的时间间隔为。
6、存贮器分为、、、。
7、逻辑地址为2000H：1234H的存储单元的物理地址是。
8、8086CPU写入一个规则字，数据线的高8位写入存储体，低8位写入存储体。
9 、将存储器与系统相连的译码片选方式有法和法。
10、对6116进行读操作，6116引脚= ，= ，= 。
二、单项选择题1、随机存贮器即RAM是指（）A.存贮单元中所存信息是随机的。
B.存贮单元中的地址是随机的。
C.用户的程序和数据可随机的放在内存的任何地方。
D.存贮器中存取操作与时间存贮单元物理位置顺序无关。
2、CPU对主存进行操作，下面哪种说法是不能实现的（）A.按地址并能读/写一个字节代码B.按地址串行1位1位进行读/写操作C.按地址并行读/写一个字长代码D.按地址进行并行读出而不能实现并行写入3、动态存贮器刷新，下面哪种说法正确（）A.刷新可在CPU执行程序过程中进行B.刷新在外电路控制下，定时刷新，但刷新时，信息不读出C.在正常存贮器读操作时也会发生刷新，可防止刷新影响读出信息，故读操作时，应关闭电路工作。
D.刷新过程一定伴随着信息输出，无法控制，故刷新时不要进行读出操作。
4、用4K×8的存贮芯片，构成64K×8的存贮器，需使用多少4K×8的存贮芯片，正确答案为（）A.128片B.16片C.8片D.32片5、在存贮器读周期时，根据程序计数器PC提供的有效地址，使用从内存中取出（）6、动态存贮器的主要缺点是（）A.存贮容量少B.存取速度低C.功耗大D.外围电路复杂7、动态RAM芯片容量为16K×1位，要构成32K字节的RAM存贮器，需要该芯（）A.4片B.8片C.16片D.32片8、堆栈操作时，段地址由（）寄存器指出，段内偏移量由（）寄存器指出。
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半导体 集成电路
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外围电路
内层外围电路：功能电路，它是直接控制 存储矩阵工作的功能块。
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（4）灵敏读放电路
灵敏放大器的作用一方面要限制D的摆幅， 另一方面要具有较大的放大系数，在较小 负载电容的输出点上得到合适的电平和足 够的电压摆幅，驱动输出缓冲器。
灵敏放大器是影响读出速度的关键。
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（5）存储管控制栅电平VCG产生电路
根据TEE8502 存储矩阵工作原理，擦操作时 VCG应接近21V，写操作时Байду номын сангаасCG应接近0V，读 操作时VCG应接近3V左右。
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（6）存储管源电平VS产生电路
在写的时候，PLOTOX存储管源接+5V，非写 情况下接地，因此VS产生电路是由WRT信号 控制的推挽电路。
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2.外层外围电路 控制信号缓冲器 电平鉴别电路 片擦信号发生器 字节擦写信号发生器 写禁止/写信号发生器 擦除信号发生器 字节操作信号发生器 读信号发生器 擦写信号发生器
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（1）地址缓冲器
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地址缓冲器的功能
把TTL电平转换成MOS电平，并使输出具有 驱动大量地址译码器的能力。
执行工作模式控制
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（2）地址译码器
行译码器 列译码器
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（3）位写入电路
引脚I/O是共用的，因此数据线D和I/O间是 双向信息通路。读出工作时，位读出电路 工作；字节擦写模式时，位写入电路工作。
外层外围电路：工作模式控制电路，它把 把外部信号转换成若干内部控制信号，对 内层外围电路进行控制。
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么么么么方面
Sds绝对是假的
1.内层外围电路 地址缓冲器 地址译码器 位写入电路 灵敏读放电路 存储管控制栅电平VCG产生电路 存储管源电平VS产生电路
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