第七章 存储器
存储系统
20
7.2.4 多层次Cache存储器 1.指令Cache和数据Cache 开始实现Cache时，是将指令和数据存放在同一Cache 中的。后来随着计算机技术的发展和处理速度的加快, 存取数据的操作经常会与取指令的操作发生冲突，从而 延迟了指令的读取。发展的趋势是将指令Cache和数据 Cache分开而成为两个相互独立的Cache。 2. 多层次Cache结构 当芯片集成度提高后，可以将更多的电路集成在一个 微处理器芯片中于是近年来新设计的快速微处理芯片都 将Cache集成在片内，片内cache的读取速度要比片外 Cache快得多。 Pentium微处理器的片内包含有8KB数 据 Cache和 8KB指令Cache。Cache行的长度为32B，采 取两路组相联组织。
m=t+c 标记 标记
主存储器 cache 存储器
字块 0 字块 1
…
字块 0 字块 1
…
字块 i
c
标记
字块 2 -1
…
字块 2m-1
主存地址 主存字 字块内 地址 块标记 b位
12
m = t +c 位
例如某机主存为1MB,划分2048页，每页512B，;Cache 为8KB, 划分16页，每页1KB。 11位 Cache 主存 主存地址 标记 0页 11位 9位 0页 标记 1页 . . . . . . 标记 15页 1页
…
块标记 字块地址 地址 t位 c位 m位 b位
命中
不命中
字块 92m-1
例如某机主存为1MB,划分2048页，每页512B，共分 0~127组，每组16页;Cache为8KB,划分16页，每页1KB 7位 Cache 主存 主存地址 0页 标记 0页 0组 7位 4位 9位 标记 1页 . . . . . . 标记 15页
数字电子技术基础PPT第7章 存储器
存储器是一种能存储大量二进制信息的电子器件，它是由许多 存储单元组成的。每个存储单元都有唯一的地址代码加以区分，能 存储1位（或1组）二进制信息，存储器被大量用在嵌入式（单片机） 系统中。本章主要介绍只读存储器与随机存储器的结构、工作原理 与实际的存储器
7.1 只读存储器 7.1.1 只读存储器概述 只读存储器（ROM）的特点是存储单元断电后，数据不会丢失。 1．不可写入数据的只读存储器 （1）二极管ROM 以二极管作为存储单元的存储器。 （2）掩模存储器（MROM，Mask ROM） 掩模只读存储器是数据在存储器的制作过程中就永久地保存在存储阵列中的只读存 储器。 2．可写入数据的存储器 （1）一次编程存储器（PROM，Programmable ROM） 一次编程存储器是用户使用专用编程设备可以进行一次编程的只读存储器。 （2）可擦除存储器（EPROM，Erasable Programmable ROM） 可擦除只读存储器，常用的紫外线可擦除可编程只读存储器（UV EPROM）是可 用紫外线擦除数据、用专用编程设备写入数据的只读存储器。擦除数据时，需要将 该存储器芯片用紫外光照射几十分钟。 （3）电擦除存储器（E2PROM，Electrical Erasable Programmable ROM） 电可擦除可写入的只读存储器，是电擦除、写入数据的只读存储器。数据的擦除与 写入在毫秒数量级。 （4）快闪存储器（FLASH ROM） 快闪电可擦除、写入存储器，是读写速度更快、容量更大的电可擦除可写入的只读 存储器。
（4）闪速存储器 闪速（FLASH）存储器按照存储矩阵的结构不同，分为NOR及NAND两类，其 矩阵结构与前述掩模存储器基本相同。 FLASH与E2PROM的主要区别是E2PROM具有位擦除能力，而FLASH存储器不 具有这个能力，只能块或字节擦除，因此存储单元可以使用一个浮栅MOS管实现， 占有更小的面积，具有更大的容量。 NOR FLASH读写速度较NAND FLASH快，可以块或字节为单位读写. NAND FLASH的单元尺寸比NOR FLASH的小，因此同样大小的芯片面积， NAND FLASH的容量比NOR FLASH大得多。
第七章 半导体存储器 半导体存储器的分类
第七章 半导体存储器数字信息在运算或处理过程中，需要使用专门的存储器进行较长时间的存储，正是因为有了存储器，计算机才有了对信息的记忆功能。
存储器的种类很多，本章主要讨论半导体存储器。
半导体存储器以其品种多、容量大、速度快、耗电省、体积小、操作方便、维护容易等优点，在数字设备中得到广泛应用。
目前，微型计算机的内存普遍采用了大容量的半导体存储器。
存储器——用以存储一系列二进制数码的器件。
半导体存储器的分类根据使用功能的不同，半导体存储器可分为随机存取存储器（RAM —Random Access Memory ）和只读存储器（ROM —Read-Only memory ）。
按照存储机理的不同，RAM 又可分为静态RAM 和动态RAM 。
存储器的容量存储器的容量=字长（n ）×字数（m ）7.1随机存取存储器（RAM ）随机存取存储器简称RAM ，也叫做读/写存储器，既能方便地读出所存数据，又能随时写入新的数据。
RAM 的缺点是数据的易失性，即一旦掉电，所存的数据全部丢失。
一． RAM 的基本结构由存储矩阵、地址译码器、读写控制器、输入/输出控制、片选控制等几部分组成。
存储矩阵读/写控制器地址译码器地址码输片选读/写控制输入/输出入图7.1—1 RAM 的结构示意框图1. 存储矩阵RAM 的核心部分是一个寄存器矩阵，用来存储信息，称为存储矩阵。
图7.1—5所示是1024×1位的存储矩阵和地址译码器。
属多字1位结构，1024个字排列成32×32的矩阵，中间的每一个小方块代表一个存储单元。
为了存取方便，给它们编上号，32行编号为X 0、X 1、…、X 31，32列编号为Y 0、Y 1、…、Y 31。
这样每一个存储单元都有了一个固定的编号（X i 行、Y j 列），称为地址。
11113131131********列 译 码 器行译码器...........位线位线位线位线位线位线.......X X X Y Y Y 0131131A A A A A A A A A A 地 址 输 入地址输入0123456789D D数据线....图7.1－5 1024×1位RAM 的存储矩阵2． 址译码器址译码器的作用，是将寄存器地址所对应的二进制数译成有效的行选信号和列选信号，从而选中该存储单元。
以下习题来自《计算机系统结构》第七章 存储体系。
以下习题来自《计算机系统结构》第七章存储体系。
7．1解释下列术语直接映像：每个主存地址映像到Cache中的一个指定地质的方式称为直接映像。
全相联映像：任何主存地址可映像到任何Cache地址的方式称为全相联映像。
组相联映像：组相联映像指的是将存储空间的页面分成若干组，各组之间是直接映像，而组内各块之间是全相联映像。
全写法：全写法也称直达法，即写操作将数据同时写入Cache和缓存。
写回法：写Cache时不写主存，仅当被写Cache数据块要被替换出去时才写回主存。
虚拟存储器：虚拟存储器是主存的扩展，当主存的容量不能满足要求时，数据可存放在外存中，在程序中仍然按地址访问外存空间。
大小取决于计算机的访存能力。
段式管理：把主存按段分配的存储管理方式称为段式管理。
页式管理：把虚拟存储空间和实际存储空间等分成固定大小的页，各虚拟页可装入主存中不同的实际页面位置。
段页式管理：段页式管理式段式管理和页式管理的结合，他将存储空间按逻辑模块分成段，每段又分成若干个页，访存通过一个段表和若干个页表进行。
段的长度必须是页的长度的整数倍，段的起点必须是某一页的起点。
快表：为了提高页表中常用项的访问速度，采用快速硬件构成的比全表小的多的部分表格。
慢表：存放在主存中的整个页表。
高速缓存：高速缓冲存储器是位于CPU和主存之间的高层存储子系统。
时间局部性：如果一个存储项被访问，则可能该项会很快再次被访问。
空间局部性：如果一个存储项被访问，则该项及其邻近的相也可能很快被访问。
段表：在对虚拟内存进行管理时，系统中用于指明各段在主存中的位置的表，表中包括段名或段号、段起点、装入位和段长等。
页表：在对虚拟内存进行管理时，系统中用于指明各页在主存中的位置的表，表中包括页号、每页在主存中的起始位置、表示该页是否已装入主存的装入位等。
块表：存储系统中的一个用于解决块和页的定位、标志、和寻址问题的表。
7.2 有人认为,随着存储器芯片集成度的提高，主存的容量将越来越大，虚拟存贮器将被淘汰，未来的计算机中将不采用虚拟存储器。
第七章 存储器
存 储 器
存储器是大多数数字系统和计算机中 不可缺少的部分， 不可缺少的部分，本章首先通过实训使读 者了解电可编程只读存储器EPROM的使 EPROM 者了解电可编程只读存储器EPROM的使 用方法，然后详细介绍RAM和ROM的种 用方法，然后详细介绍RAM和ROM的种 类及工作原理， 类及工作原理，最后介绍几种常用的集成 存储器芯片以及存储器的具体应用。 存储器芯片以及存储器的具体应用。
内
7.1 概述
容
提
要
7.2 存储器的种类
7.2.1 随机存取存储器RAM 随机存取存储器RAM 7.2.2 ROM
7.3 存储器的应用 7.4 存储器实用芯片简介
20102010-9-14 存储器— 存储器— 2
7.1 概述
在实训中，我们对存储器有了一个定性的认识， 在实训中，我们对存储器有了一个定性的认识，它能够将 信息存储起来，并且可以按照需要从相应的地址取出信息。 信息存储起来，并且可以按照需要从相应的地址取出信息。 在实际应用中，存储器也是数字系统和计算机中不可缺少 在实际应用中， 的组成部分，用来存放数据、资料及运算程序等二进制信息。 的组成部分，用来存放数据、资料及运算程序等二进制信息。 若干位二进制信息（例如实训中所使用的2764就是 位的存储器） 就是8 若干位二进制信息（例如实训中所使用的2764就是8位的存储器） 构成一个字节。一个存储器能够存储大量的字节，实训中2764 构成一个字节。一个存储器能够存储大量的字节，实训中2764 能够存储8K个字节 其存储容量为8K×8=64KB。 2764”中的 个字节， 能够存储8K个字节，其存储容量为8K×8=64KB。“2764”中的 64”就代表了存储器芯片的容量 就代表了存储器芯片的容量。 “64”就代表了存储器芯片的容量。 大规模集成电路存储器的种类很多，不同的存储器，存储 大规模集成电路存储器的种类很多，不同的存储器， 容量不同，具有的功能也有一定的差异， 容量不同，具有的功能也有一定的差异，掌握和使用不同的存 储器，是学习数字电路和今后工作中十分重要的内容。 储器，是学习数字电路和今后工作中十分重要的内容。
第七章：存储系统
第七章：存储系统一、选择题1、外存储器与内存储器相比，外存储器( 速度慢，容量大，成本低)。
2、EPROM是指(光擦除可编程只读存储器)。
3、没有外存储器的计算机初始引导程序可以放在(ROM ) 。
4、存储单元是指(存放一个机器字的所有存贮元集合)。
5、主存储器是计算机系统中的记忆设备，它主要用来(存放数据和程序)。
6、软磁盘、硬磁盘、磁带机、光盘属于(外存储器)设备。
7、主存贮器和CPU之间增加cache的目的是(解决CPU和主存之间的速度匹配问题)。
8、采用虚拟存贮器的主要目的是(扩大主存贮器的存贮空间，并能进行自动管理和调度)。
9、单片机或单板机要扩展8K的EPROM需要（ 13）条地址线。
10、假设V1和V2是用DW定义的变量，下列指令中正确的是（ A ）。
A、MOV V1，20HB、MOV AL，V1C、MOV V1，V2D、MOV 2000H，V211.下列（ A ）指令不合法。
A、IN AX，0278HB、RCR DX，CLC、CMPSBD、RET 412.为了使MOV AX，VAR指令执行后，AX寄存器中的内容为4142H，数据定义（C ）是错误的。
A、VAR DW 4142H B、VAR DW 16706C、VAR DB 42H，41HD、VAR DW，‘AB’13.在下列指令中，隐含使用AL寄存器的指令有（ 4）条。
SCASB；XLAT；MOVSB；DAA；NOP；MUL BH；14.下列描述不正确的是（ A ）。
A.汇编语言即是机器语言B.汇编语言程序不可直接运行C.汇编语言的指令语句与机器指令一一对应D.汇编语言程序运行速度快，阅读方便，但仍属于面向机器的程序设计语言15.下列描述正确的是（ B ）。
A.汇编语言是由若干条指令语句构成B.汇编语言包括指令语句和伪指令语句C.指令语句和伪指令语句的格式是完全相同的D.指令语句和伪指令语句需经汇编语言翻译成机器代码后才能运行16.汇编语言程序经汇编后不能直接生成（ A ）。
微机原理习题集第七章存贮器
第七章内存储器一、填空题1、内存储器是计算机系统中的装置，用来存放和。
2、CPU对RAM存贮器进行读/写操作时，应送出的方向控制命令有和命令。
3、Intel 2114 RAM存贮芯片引脚中用于片选的控制引脚为，用于读/写控制引脚为。
4、Intel 4116 RAM芯片容量为2K 8，访问该芯片须用根地址线。
5、存贮芯片存贮的信息会，必须定时刷新，刷新的时间间隔为。
6、存贮器分为、、、。
7、逻辑地址为2000H：1234H的存储单元的物理地址是。
8、8086CPU写入一个规则字，数据线的高8位写入存储体，低8位写入存储体。
9 、将存储器与系统相连的译码片选方式有法和法。
10、对6116进行读操作，6116引脚= ，= ，= 。
二、单项选择题1、随机存贮器即RAM是指（）A.存贮单元中所存信息是随机的。
B.存贮单元中的地址是随机的。
C.用户的程序和数据可随机的放在内存的任何地方。
D.存贮器中存取操作与时间存贮单元物理位置顺序无关。
2、CPU对主存进行操作，下面哪种说法是不能实现的（）A.按地址并能读/写一个字节代码B.按地址串行1位1位进行读/写操作C.按地址并行读/写一个字长代码D.按地址进行并行读出而不能实现并行写入3、动态存贮器刷新，下面哪种说法正确（）A.刷新可在CPU执行程序过程中进行B.刷新在外电路控制下，定时刷新，但刷新时，信息不读出C.在正常存贮器读操作时也会发生刷新，可防止刷新影响读出信息，故读操作时，应关闭电路工作。
D.刷新过程一定伴随着信息输出，无法控制，故刷新时不要进行读出操作。
4、用4K×8的存贮芯片，构成64K×8的存贮器，需使用多少4K×8的存贮芯片，正确答案为（）A.128片B.16片C.8片D.32片5、在存贮器读周期时，根据程序计数器PC提供的有效地址，使用从内存中取出（）6、动态存贮器的主要缺点是（）A.存贮容量少B.存取速度低C.功耗大D.外围电路复杂7、动态RAM芯片容量为16K×1位，要构成32K字节的RAM存贮器，需要该芯（）A.4片B.8片C.16片D.32片8、堆栈操作时，段地址由（）寄存器指出，段内偏移量由（）寄存器指出。
计算机原理存储器
计算机原理存储器
计算机原理中，存储器是指计算机用来存储数据和程序的部件。
存储器一般分为内存和外存两种类型。
内存是计算机中用于存储当前运行程序和数据的存储器。
它分为主存和辅存两部分。
主存是计算机中最主要的存储器，由半导体存储芯片构成，通常包括随机访问存储器（RAM）和只
读存储器（ROM）。
RAM具有读写功能，用于临时存储运行
程序和数据，数据可以快速读取和写入。
而ROM是只读存储器，其中的数据是固化的，无法进行修改。
主存的容量通常较小，但速度快。
外存主要是指硬盘、光盘等可以作为辅助存储器使用的设备。
相比主存，外存容量大，但速度较慢。
外存被用于长期存储程序和数据，能够持久保存。
计算机在运行过程中，通常需要将外存中的数据加载到主存中进行操作。
存储器在计算机中起到了至关重要的作用，它直接影响到计算机的性能和数据的处理速度。
不同类型的存储器在容量、速度和价格等方面有所差异，计算机系统需要根据不同的需求来选择合适的存储器组合。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
ROM n×m
数 据 线 VCC(电源线)
ROM的信号引线
„
„
GND
2. ROM容量的扩展 一个存储器的容量就是字线与位线（即字长或位数）的乘积。
当所采用的ROM容量不满足需要时，可将容量进行扩展。 扩展又分
为字扩展和位扩展。 位扩展（即字长扩展）：位扩展比较简单，只
需要用同一地址信号控制n个相同字数的ROM，即可达到扩展的目 的。 由256×1 ROM扩展为256×8 ROM的存储器，如图所示， 即
第七章 半导体存储器
第一节 存储器 一、概述
存储器是数字系统中用于存储大量二进制信息的部件， 可以存放各种程序、 数据和资料。 半导体存储器按照内部信 息的存取方式不同分为只读存储器（ROM）和随机存取存储
器（RAM）两大类。每个存储器的存储容量为字线×位线。
二、只读存储器（ROM）
只读存储器（ROM）有掩膜ROM、可编程 ROM、 可改写ROM。 只读存储器（ROM）是在 制造时把信息存放在此存储器中，使用时不再重 新写入，需要时读出即可；它只能读取所存储信 息，而不能改变已存内容，并且在断电后不丢失 其中存储内容， 故又称固定只读存储器。ROM主 要由地址译码器、存储矩阵和输出缓冲器三部分 组成， 如图所示。
A0 A1
„
地 址 译 码 器
W0 W1
„
n W2－1
信息单元 (字)
存储矩阵 „ „ 存储单元
An－1 三态控制
输出缓冲器 „ Dm－1 D0
ROM框图
每个存储单元中固定存放着由若干位组成 的二进制数码——称为“字”。为了读取不 同存储单元中所存的字，将各单元编上代 码——称为地址。在输入不同地址时，就能 在存储器输出端读出相应的字, 即“地址”的 输入代码与“字”的输出数码有固定的对应 关系。 如图所示， 它有2n个存储单元，每个 单元存放一个字，一共可以存放2n个字；每 字有m位， 即容量为2n×m（字线×位线）。
将八块256×1ROM的所有地址线、（片选线）分别对应并接在一起， 而每一片的位输出作为整个ROM输出的一位。
256×8 ROM需 256×1ROM的芯片数为
总存储容量 256 8 N 8 一片存储容量片 256 1
A0 A1 A6 A7
…
256×1Leabharlann 256×1256×1
当地址码A1A0=01时，字线W1为高电平，在 位线输出端D3D2D1D0读到字0111， 任何时候， 地址译码器的输出决定了只有一条字线是高电平， 所以在ROM的输出端只会读到惟一对应的一个字。 在对应的存储单元内存入1还是0，是由接入或不 接入相应的二极管来决定的。
2. 如何实现组合逻辑电路 如图下所示， ROM中的地址译码器形成了输 入变量的最小项, 即实现了逻辑变量的“与”运算； ROM中的存储矩阵实现了最小项的或运算，即形成 了各个逻辑函数；与阵列中的垂直线Wi代表与逻辑， 交叉圆点代表与逻辑的输入变量；或阵列中的水平 线D代表或逻辑，交叉圆点代表字线输入。
根据上式，可画出全加器的ROM阵列图如图 所示， Ci-1为低位进位，Ci为本位进位。
全加器真值表
A B Ci-1 S Ci-1
0 0 0 0 1 1 1 1
0 0 1 1 0 0 1 1
0 1 0 1 0 1 0 1
0 1 1 0 1 0 0 1
0 0 0 1 0 1 1 1
A B C i－ 1 1 1 1 S Ci
四、ROM容量的扩展 1. ROM的信号引线 如图6.7所示，除了地址线和数据线（字输出 线）外，ROM还有地线（GND）、电源线（VCC） 以及用来控制ROM工作的控制线为芯片使能控制 线（ CS ），使能输出控制线称片选线。当 CS =1时，芯片处于等待状态，ROM不工作，输出呈 高阻态；当 CS =0时，ROM工作。
译 W3 码 W2 器 W 1 W0 1
CS 2
CS 3
CS 4
CS
A0 A1
1024×8 D0 D1 … D7 …
1024×8 D0 D1 … D7 …
1024×8 D0 D1 … D7 …
1024×8 D0 D1 … D7 … D0 D1 D7
…
…
…
…
A8 A9
…
ROM字扩展
…
…
…
【思考题】 1. 存储器有哪几种？ 它们的存储容量如何计算？
如果想对一个ROM芯片反复编程，多次使用， 需用可擦除编程ROM即EPROM。常用的MOS工艺 制造的EPROM用注入电荷的办法编程， 此过程可 逆，当用紫外光照射以后，旧内容被擦除。 擦除后 的芯片内容可能是全1, 也可能是全0，视制造工艺 而不同，之后可再次编程。
片 选 线
地 址 线 CS
全加器阵列图
例 2 用ROM实现下列逻辑函数。 F1 AB AB
F2 AB AB
F3 AB
解 由表达式画出ROM的阵列图如图所示。
A A B B F3 F2 F1
三、 可编程只读存储器 而可编程ROM常称PROM在出厂时，存储体 的内容为全0或全1，用户可根据需要将某些内容 改写，也就是编程。常用的双极型工艺ROM，采 用烧毁熔断丝的方法使三极管由导通变为截止， 三极管不起作用，存储器变为“0”信息；而未被熔 断熔丝的地方，即表示为“1”信息。PROM只实现 一次编写的目的，写好后就不可更改。
256×1
256×1
256×1
256×1
256×1
…
…
…
…
…
…
…
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
ROM位扩展
字扩展：如图所示是由四片1024×8 ROM扩展为 4096×8ROM。图中每片ROM有10根地址输入线， 其寻址范围为210=1024个信息单元，每一单元为八位 二进制数。这些ROM均有片选端。当其为低电平时， 该片被选中才工作；为高电平时，对应ROM不工作, 各片ROM的片选端由2线/4线译码器控制；译码器的 输入是系统的高位地址A11、A10，其输出是各片ROM 的片选信号。
例 1 用ROM实现一位二进制全加器。 解 全加器的真值表， A、B为两个加数,Ci-1 为低位进位，S为本位的和，Ci为本位的进位。 可写出最小项表达式为：
S ABCi 1 ABCi 1 ABCi 1 ABCi 1
Ci ABCi 1 ABCi 1 ABC i 1 ABCi 1
A0 A1 A7 R/W
…
A8 A9 Y0 Y1 Y2 A1 Y3 2-4译码器 A0
256×8 RAM扩展成1024×8存储器
【思考题】
1. 随机存取的存储器与只读存储器有什么不同？
2. 扩展为1024×8存储器需要多少块256×4的存
储器？
A1 A0
R
R
R
R
D3 ′ 三态控制 D3
D2 ′
D1′
D0′
输出缓冲器 D2 D1 D0
二极管ROM结构图
1. 如何读字 当地址码A1A0=00时，译码输出使字线W0为 高电平，与其相连的二极管都导通，把高电平“1” 送到位线上，于是D3、D0端得到高电平“1”， W0和D1、D2之间没有接二极管，故D1、D2端是 低电平“0”。这样，在D3D2D1D0端读到一个字 1001，它就是该矩阵第一行的字输出。在同一时 刻，由于字线W1、 W2、 W3都是低电平，与它 们相连的二极管都不导通， 所以不影响读字结果。
若A11A10=10，则ROM(3)片的有效为“0”，各片 ROM的片选信号无效为“1”，故选中第三片，只有 该片的信息可以读出，送到位线上，读出的内容则 由低位地址A9~A0决定，四片ROM轮流工作，完成 字扩展。字扩展的方法将地址线、输出线对应连接， 片选线分别与译码器的输出连接
A11 A10
I/O0
…
I/O7 I/O0 … I/O7 256×8 (1) RAM A0 A1 …A7 R/W CS … … I/O7 256×8 (2) RAM A0 A1 …A7 R/W CS … I/O0 I/O0 … I/O7 256×8 (3) RAM A0 A1 …A7 R/W CS … I/O0 … I/O7 256×8 (4) RAM A0 A1 …A7 R/W CS
2. 256×8的存储器有多少根地址线、 字线、
位线？
3. 存储器进行位扩展、 字扩展时如何连接？
第二节 随机存取的存储器(RAM)
随机存取的存储器RAM可以在任意时刻、任意选中的存储
单元进行信息的存入（写）或取出（读）的信息操作。当电源断 电时， 这种存储器存储的信息便消失。 随机存取存储器一般由 存储矩阵、 地址译码器、 片选控制和读/写控制电路等组成。 其 容量也为字线×位线，同样可以利用I/O（输入/输出）线、 R/W （读/写）线及 (片选)线来实现容量的扩展，如图所示为256×8 RAM扩展成1024×8 RAM， 其连接方法与ROM的相同，只是多 了读/写控制端（R/W）。
存储体可以由二极管、三极管和MOS管来 实现。二极管矩阵ROM如下图所示， W0、 W1、W2、W3是字线， D0、 D1、D2、D3是 位线，ROM的容量即为字线×位线， 所以图 中所示ROM的容量为4×4=16，即存储体有 16个存储单元。
存储矩阵 W0 地 W1 址 译 码 W2 器 W3