矽力杰与茂捷半导体产品替换
AC-DC电源适配器最新六级能耗标准
AC-DC电源适配器最新六级能耗标准六级能效标准主要针对外置电源产品。
AC-DC电源适配器生产厂家随着人们节能环保意识的增强，对外置电源（如产品型号功能介绍兼容型号封装形式常用方向规格书申请M5838M58395840①输出电压精度高，OCP保护一致性好②待机空耗低③比OB2538性价比更高OB2538,CR6238,RM3264 SP5618，CR5337，SP5619,SF5928,ME8313 HT2358,PN8329,LY2928SOP8DIP8手机充电器，相机充电器，数码产品小功率充电器茂捷半导体是一家专业从事纯模拟电路和数模混合集成电路设计的IC设计国产电源ic芯片公司。
公司资深研发团队将业界先进的设计技术与亚太地区的本土优势产业链相结合，服务全球市场，为客户提供高效率、低功耗、低风险、低成本、绿色化的产品方案和服务。
助力于充电器、适配器、照明、锂电充电、传感器、音频功放，小功率电器，等产业的发展。
茂捷半导体主营：国产AC/DC系列电源芯片、LED芯片、锂电充电IC芯片、传感器应用ic芯片、音频功放IC等IC芯片，其产品具备性能优良、性价比高、兼容性好等优势，可优势兼容例如昂宝、晶丰明源、士兰微、启达、矽力杰、硅动力、赛威、微盟等品牌驱动IC芯片，且脚位PIN对PIN，大多数品牌驱动IC兼容替换之后PCB板不需做任何的改动，并且测试参数比较其他品牌均有优势，已有多数厂商批量生产。
产品可广泛应用于平板电脑、移动电源、电子烟、MP3&MP4&MP5、手机、迷你音响（插卡音箱）、蓝牙耳机、GPS、行驶记录仪、点读机&点读笔、数码相机、数码相框、P-DVD、车载DVD、液晶电视、液晶显示器、机顶盒、汽车音响、组合音响、手机电池、锂电保护板、充电器、家电控制板、电动车控制板、各种电源(UPS电源/通信电源等）、适配器、LED照明（LED日光灯&球泡灯&台灯/LED手电筒/头灯&矿灯等)、节能灯照明、LED显示屏、无线鼠标&键盘、无线防盗报警器、无线收发模块、游戏机及手柄、POS机、打印机、传真机、电动玩具、遥控玩具、安防电子、网络通讯、可视门铃、电表水表气表、无绳电话&对讲机、电动工具、电磁炉、电焊机、逆变器、变频器等各类电子产品上。
《硅光子设计：从器件到系统》笔记
《硅光子设计：从器件到系统》阅读记录目录一、基础篇 (3)1.1 光子学基础知识 (4)1.1.1 光子的本质与特性 (4)1.1.2 光子的传播与相互作用 (5)1.2 硅光子学概述 (6)1.2.1 硅光子的定义与发展历程 (7)1.2.2 硅光子学的应用领域 (9)二、器件篇 (10)2.1 硅光子器件原理 (11)2.2 硅光子器件设计 (13)2.2.1 器件的结构设计 (14)2.2.2 器件的工艺流程 (15)2.3 硅光子器件的性能优化 (16)2.3.1 集成电路设计 (17)2.3.2 封装技术 (18)三、系统篇 (20)3.1 硅光子系统架构 (21)3.1.1 系统的整体结构 (22)3.1.2 系统的通信机制 (23)3.2 硅光子系统设计 (25)3.2.1 设计流程与方法 (26)3.2.2 设计实例分析 (27)3.3 硅光子系统的测试与验证 (29)3.3.1 测试平台搭建 (30)3.3.2 性能评估标准 (31)四、应用篇 (31)4.1 硅光子技术在通信领域的应用 (33)4.1.1 光纤通信系统 (34)4.1.2 量子通信系统 (35)4.2 硅光子技术在计算领域的应用 (36)4.2.1 软件定义光计算 (37)4.2.2 光子计算系统 (38)4.3 硅光子技术在传感领域的应用 (39)4.3.1 光学传感器 (40)4.3.2 生物传感与检测 (41)五、未来展望 (42)5.1 硅光子技术的发展趋势 (43)5.1.1 技术创新与突破 (44)5.1.2 应用领域的拓展 (45)5.2 硅光子技术的挑战与机遇 (47)5.2.1 人才培养与引进 (48)5.2.2 政策支持与产业环境 (49)一、基础篇《硅光子设计：从器件到系统》是一本深入探讨硅光子技术设计与应用的专著，涵盖了从基础理论到系统应用的全面知识。
在阅读这本书的基础篇时，我们可以对硅光子设计的核心概念有一个初步的了解。
屹晶 EG6599+EG4328 LLC 半桥谐振电源方案说明书 -- 60V12A 铅酸电池充电器
版本变更记录目录1 方案特性 (1)2 应用领域 (1)3 效率测试 (2)3.1 输入DC (2)3.1.1 效率曲线 (2)3.1.2 最高效率点现场图 (2)3.2 输入AC220V (3)3.2.1 效率曲线 (3)3.2.2 最高效率点现场图 (3)4 方案图片 (4)4.1 PCBA图 (4)5 LLC半桥谐振拓扑原理说明 (4)6 方案原理图及工作原理描述 (5)6.1 LLC频率设置 (6)6.2 恒压输出设置 (6)6.3 浮充电压设置 (6)6.4 输出电流设置 (6)6.5 转灯和风扇开启电流设置 (6)7 方案PCB (7)7.1 元器件位图以及走线图 (7)7.1.1 底板 (7)7.1.2 辅助电源 (7)8 方案板元器件列表 (8)8.1 BOM表 (8)8.2 关键元器件选型 (10)8.2.1 开关MOS管 (10)8.2.2 变压器 (10)60V12A铅酸电池充电器方案说明书1 方案特性⏹前级采用高压谐振变换器控制芯片EG6599⏹后级采用可编程电源管理芯片EG4328⏹输入电压范围：AC 220±10%⏹恒流输出：12.0A±1A （可定制）⏹恒压输出：DC73.5V±0.2V （可定制）⏹浮充电压：DC68.8V±0.2V（可定制）⏹转灯电流：2A±0.1A （可定制）⏹智能化充电管理，多重定时控制，可以防止电池过充⏹充电智能温度控制，高温充电功率智能下降，更好的保护充电器⏹可定制为锂电池充电器⏹输出短路保护反接保护⏹LED充电指示灯、12V风扇接口⏹PCBA尺寸：L163.5mm × W105.5mm× H55mm2 应用领域⏹电动三轮车充电器⏹电动四轮车充电器3 效率测试3.1 输入DC3.1.1 效率曲线备注：输入DC电压接输入电解电容两端。
3.1.2 最高效率点现场图输入功率输出功率效率图3-1 负载8A效率现场图注：效率=输出功率/输入功率。
第三代半导体SIC MOSFET 碳化硅MOS管产品应用介绍,国产替换：罗姆 ROHM-科锐 CERR
32A
16A
200～450V
20A
10A
6.6kw
85～265V
3.3kw
95%
300X210X78mm
116X180X295mm
水冷 6.5kg -40℃～+80℃ 5%～95% CAN
15kW特种移动充电机
工作电压 额定输入电流
功率因素 THD
输出电压范围 输出功率 稳定精度 最高效率
本体尺寸（宽X深X高） 工作温度 湿度 冷却方式 通讯方式 保护功能
TO268-7L ASC100N650MB ASC50N650MB ASC30N650MB ASC15N650MB ASC60N900MB ASC30N900MB ASC20N900MB ASC60N1200MB ASC30N1200MB
Bare Chip ASC100N650MB ASC50N650MB ASC30N650MB ASC15N650MB ASC60N900MB ASC30N900MB ASC20N900MB ASC60N1200MB ASC30N1200MB
主要应用：高频/高压/高功率电源 产品特性：
● 新能源车充电：EV Charging
● 塑封品结温175°C ，最高芯片结温高达300°C
● 高压逆变应用： DC/DC Converters ● 优良品质因子FOM，适合高频应用
● 功率因素校正电源：PFC
● 高电压应用下具有低导通损耗
● 电机驱动：Motor Drives
● 导通特性正温度特性，易并联驱动
SiC MOSFET产品系列：
Vds 650V
900V 1200V
Rdson 20mohm 50mohm 100mohm 200mohm 30mohm 60mohm 100mohm 40mohm 80mohm
半导体设备国产替代进程分析
内容目录一、中芯国际上市，加速设备国产替代进程 (5)二、设备市场：大陆需求快速增长，国产替代提速 (6)2.1全球设备市场回暖，受益于制程进步、产能投放 (6)2.2前道设备占主要部分，测试需求增速最快 (10)2.3全球市场受海外厂商误导，前五大厂商市占率较高 (12)2.4国内需求爆发，国产替代进展加速 (14)三、光刻机：半导体制程工艺核心环节，将掩膜板图形缩小 (16)四、涂胶显影：与光刻机配合，实现图形转移 (19)五、刻蚀设备：等离子刻蚀复杂程度高，且步骤逐渐增加 (23)六、薄膜设备：用于沉积物质，在设备市场占比较高 (28)七、清洗设备：去除晶圆片表面杂质，各制程前后均需使用 (30)八、掺杂设备：改变表层电导率/形成PN 结，实现器件 (30)九、氧化形成器件，快速退火修复晶格 (32)十、过程控制：制造过程的准确性检测 (33)十一：测试设备：用于测试晶圆片及成品 (36)十二、投资建议 (38)十三、风险提示 (38)图表目录图表1：募集资金用途（单位：万元） (5)图表2：中芯国际重要的产业链地位 (5)图表3：中芯国际一站式的解决方案 (5)图表4：中国“芯”阵列 (6)图表5：全球半导体设备销售额（十亿美元） (7)图表6：全球半导体设备销售额（十亿美元） (7)图表7：半导体设备市场增速周期性 (7)图表8：海外半导体设备龙头营业收入增速跟踪 (8)图表9：海外半导体设备龙头GAAP 净利润（百万美元） (8)图表10：晶圆代工企业资本开支（百万美元） (9)图表11：全球半导体资本开资（百万美元） (9)图表12：100K 产能对应投资额要求（亿美元） (10)图表13：半导体制造领域典型资本开支分布 (10)图表14：全球半导体设备按工艺流程划分（百万美元） (11)图表15：全球半导体前道设备划分（百万美元） (11)图表16：全球半导体测试设备划分（百万美元） (12)图表17：集成电路前道工艺对应设备 (12)图表18：AMAT、LAM、TEL 主导大部分前道工艺 (13)图表19：全球半导体设备厂商排名（百万美元） (13)图表20：五大设备厂商行业格局（百万美元） (13)图表21：国内晶圆厂投资规模（亿元） (14)图表22：国产设备替代进程 (15)图表23：全球晶圆厂资本开支（百万美元） (15)图表24：国内晶圆厂内资投资需求（亿元） (16)图表25：国内晶设备厂商空间测算（亿元） (16)图表26：光刻机技术特点 (17)图表27：光刻机技术路径 (17)图表28：光刻机技术示意图 (17)图表29：EUV 目标市场范围 (18)图表30：Foundry 和DRAM 精度仍然会不断提升 (18)图表31：两次技术分水岭奠定光刻机格局 (19)图表32：光刻工艺流程 (20)图表33：半导体图案转移关键步骤 (20)图表34：光刻胶原理 (21)图表35：光刻胶市场规模 (21)图表36：光刻胶生产企业 (21)图表37：涂胶显影市场（百万美元） (22)图表38：涂胶显影市场格局 (22)图表39：去胶机市场（百万美元） (23)图表40：刻蚀工艺分类 (24)图表41：刻蚀类别 (25)图表42：刻蚀设备步骤增加 (25)图表43：刻蚀市场主要驱动力将来自于存储 (26)图表44：多重成像技术 (26)图表45：刻蚀步骤逐渐增加 (27)图表46：干法刻蚀市场（百万美元） (27)图表47：刻蚀在晶圆设备市场比重提升 (27)图表48：薄膜设备分类 (28)图表49：CVD、PVD 占晶圆设备比 (28)图表50：典型CVD 工艺流程 (29)图表51：2018 年沉积设备市场结构（百万美元） (29)图表52：清洗原理 (30)图表53：清洗环节 (30)图表54：扩散与离子注入 (31)图表55：掺杂形成不同器件 (31)图表56：离子注入机市场空间（百万美元） (32)图表57：离子注入市场份额 (32)图表58：SiO2 的用途 (32)图表59：RTA 修复晶格缺陷 (33)图表60：氧化/扩散/热处理市场（百万美元） (33)图表61：区分过程控制（检测、测量）和ATE（测试） (34)图表62：不同环节关键过程控制指标 (34)图表63：过程控制细分市场（百万美元） (35)图表64：2018 年过程控制市场格局——科磊WFE 收入拆分 (35)图表65：科磊产品系列 (35)图表66：上海精测产品布局 (35)图表67：集成电路生产及测试具体流程图 (36)图表68：集成电路测试设备主要功能 (36)图表69：全球半导体ATE 测试设备市场 (37)图表70：泰瑞达和爱德万半导体设备业务收入（亿美元） (37)图表71：2018 年中国集成电路测试设备的市场结构 (37)一、中芯国际上市，加速设备国产替代进程中芯国际回归 A 股，国产晶圆制造崛起。
功率半导体分立器件产业及标准化白皮书
本白皮书编写专家来自功率半导体器件产业链上下游各个环节 相关企事业单位，并面向全行业进行了广泛的征求意见。但由于编者
1
水平有限，疏漏和不足之处，欢迎读者批评指正，编制组将根据技术 发展和行业意见进行持续修订完善。
2
2 功率半导体分立器件概述 2.1 功率半导体分立器件的概念
功率半导体器件（Power Electronic Device）又称为电力电子 器件和功率电子器件，是指可直接用于处理电能的主电路中，实现电 能的变换或控制的电子器件，其作用主要分为功率转换、功率放大、 功率开关、线路保护和整流等。功率半导体大致可分为功率半导体分 立器件（Power Discrete）(包括功率模块)和功率半导体集成电路 （Power IC）两大类，在半导体产业中的结构关系如图 1 所示。其中， 功率半导体分立器件是指被规定完成某种基本功能，并且本身在功能 上不能再细分的半导体器件。
版权声明 本白皮书版权属于中国电子技术标准化研究院，并受法律保护。 转载、摘编或利用其它方式使用本白皮书文字或观点的，请注明：“来 源：中国电子技术标准化研究院”。违反上述声明者，本院将追求其 相关法律责任。
目录 1 前言........................................................................................................1 2 功率半导体分立器件概述................................................................... 3
茂捷M8832替换BP2832
M8832概述M8832 是一款高精度降压型 LED 恒流驱动芯片。
芯 片 工 作 在 电 感 电 流 临 界 连 续 模 式 ， 适 用 于 85Vac ~265Vac 全范围输入电压的非隔离降压型 LED 恒流电源。
M8832 芯片内部集成 500V 功率开关，采用专利的 驱动和电流检测方式，芯片的工作电流极低，无 需辅助绕组检测和供电，只需要很少的外围元件， 即可实现优异的恒流特性，极大的节约了系统成 本和体积。
M8832 芯片内带有高精度的电流采样电路，同时 采用了专利的恒流控制技术，实现高精度的 LED 恒流输出和优异的线电压调整率。
芯片工作在电 感电流临界模式，输出电流不随电感量和 LED 工 作电压的变化而变化，实现优异的负载调整率。
M8832 具有多重保护功能，包括 LED 开路/短路保 护，SEN 电阻短路保护，欠压保护，芯片温度过热 调节等。
M8832 采用 SOP-8 封装。
典型应用特点⏹ 电感电流临界连续模式 ⏹ 内部集成 500V 功率管 ⏹ 无需辅助绕组检测和供电 ⏹ 芯片超低工作电流 ⏹ 宽输入电压⏹ ±3% LED 输出电流精度 ⏹ LED 开路保护 ⏹ LED 短路保护 ⏹ SEN 电阻短路保护 ⏹ 芯片供电欠压保护 ⏹ 过热调节功能 ⏹采用 SOP-8 封装应用⏹ LED 蜡烛灯 ⏹ LED 球泡灯 ⏹ 其它 LED 照明图 1 M8832 典型应用图M8832管脚封装 管脚描述极限参数(注 1)注 1：最大极限值是指超出该工作范围，芯片有可能损坏。
推荐工作范围是指在该范围内，器件功能正常，但并不完全保 证满足个别性能指标。
电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指标的测试条件下的直流和交流电参数规 范。
对于未给定上下限值的参数，该规范不予保证其精度，但其典型值合理反映了器件性能。
注 2：温度升高最大功耗一定会减小，这也是由 T JMAX , θ JA ,和环境温度 T A 所决定的。
终端适配平台国产化替代解决方案
终端适配平台国产化替代解决方案目录一、内容概述 (2)1.1 背景介绍 (3)1.2 国产化替代的重要性和必要性 (3)二、现状分析 (5)2.1 现有终端适配平台概述 (6)2.2 存在的问题和挑战 (7)三、国产化替代整体方案设计 (8)3.1 替代产品选型原则 (9)3.2 解决方案的总体架构 (10)3.3 技术路线和关键点 (11)四、关键技术研究 (12)4.1 终端适配技术研究 (13)4.2 国产化硬件平台研究 (15)4.3 操作系统与适配软件研究 (16)五、实施方案 (18)5.1 实施步骤和时间安排 (19)5.2 关键任务分解与责任分配 (21)六、风险评估与应对措施 (21)6.1 风险识别与评估 (22)6.2 应对策略和预案 (23)七、测试验证与优化调整 (24)7.1 测试方案与计划 (25)7.2 测试结果分析与优化 (27)八、培训与推广 (28)8.1 员工培训计划 (29)8.2 试点应用与推广策略 (30)九、总结与展望 (32)9.1 方案实施成果总结 (33)9.2 后续发展方向与建议 (34)一、内容概述背景分析：首先介绍当前终端适配平台的发展现状，国内外市场的竞争格局以及面临的国内外环境挑战。
着重指出国产化替代的重要性和紧迫性，为制定解决方案提供背景依据。
需求分析：分析现有终端适配平台的需求特点，包括软硬件兼容性、性能优化、安全保障等方面的需求。
对国产化替代过程中的潜在需求进行深入挖掘，为解决方案的设计提供指导。
总体框架：提出终端适配平台国产化替代解决方案的总体框架，包括技术路线、关键技术和功能模块等方面。
阐述各部分的关联和协同作用，构建完整的解决方案体系。
实施路径：详细描述国产化替代解决方案的实施步骤和方法，包括技术路线图的绘制、关键技术的研发与突破、产品设计与开发、测试验证等环节。
强调实施过程中的风险管理和应对措施。
案例分析：通过具体案例，展示终端适配平台国产化替代解决方案的实际应用情况，包括成功案例的经验教训、技术难点及解决策略等。
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5V2A,5V/3A,5V4A,9V2A,9V3A 12V/1.5A,12V2A,12V3A、12V4A，18V1.5A， 18V2A等等小于 24V1.5A,24V2A等等小于48w 8-12*1W。。。28-36*1W，8-12*3W。。。12--
18*3W等等小于48W
DIP8 SOT23-6
AP3125,SP5875，SP5876，SF1560， CR6842，GR8841，SM8015，LN3069，
SD4569，SP5808,LD7575，LD7576
SSR电压电流精度高, M5576最大待机功 SSR+外置MOS管，各种保护功能 耗〔100mW〕 高效率:〔20V4A平均效率
>85%〕，轻载，空载无异响声
① PF高 THD低 ② 启动电流低，效 率高 ③ 设计简单，外围 元器件少 ④过温保护温度可调
待机功耗<100mW,抖频功能,65KHz,高性 能PWM控制器,欠压保护
1：高要求的手机充 电器
2: 适配器(笔记本适 配器、MID充电器、
显示器电源 3: LCD TV电源。
① 开关价比更高 ④ 容易过EMI ⑤相同变压器的情况 下可以做更大功率
手机充电器,移动电 源充电器,游戏周边
产品充电器,
① 输出电压精度
高，OCP保护一致性
好
②
待机空耗低
③ 比OB2536性价比
更高
PSR成本低，节省PCB板上空间，省掉光 耦和431,节省成本
① 输出电压精度
手机充电器，相机充 电器，数码产品小功
率充电器
高，OCP保护一致性
好
②
待机空耗低
③ 比OB2535性价比
待机功耗<100mW,抖频功能,频率可调 (50KHz-100KHz),高性能PWM控制
1：高要求的手机充 电器
2: 适配器(笔记本适 配器、MID充电器、
显示器电源 3: LCD TV电源。
① 开关频率可调 ② 待机空耗低 ③ 比OB2273 /2263
性价比更高 ④ 容易过EMI ⑤相同变压器的情况 下可以做更大功率
高PFC要求的PSR方 ① PF高 THD低
案，主要用在带PFC ② 启动电流低，效
的外置电源和球泡 率高
灯，射灯，天花灯等 ③ 设计简单，外围
小功率LED电源
元器件少
4W-7W,8W-12W
专业AC/DC LED驱动芯片 让您有机会为绿色地球做贡献 ! 免费提供DEMO测试及样品，茂捷替换矽力杰、昂宝、晶丰明源等，优势显著！
的外置电源和灯管类 率高
的T5、T8灯管等大功 ③ 设计简单，外围
率LED电源
元器件少
24W-32W,30W-42W,36W-48W,45W-56W
30W
M8910SR
SOT23-6 SY5810,SY5820，SY5830
60W
M8920DR
SOP8 BP3318A
功率范围 所用型号
替换型号
12W
PSR内置MOS有线补功能，各种 保护功能
PSR成本低，节省PCB板上空间，省掉光 耦和431,节省成本
① 输出电压精度
手机，移动电源， 高，OCP保护一致性
MID充电器，理发 好
②
剪，按摩器，适配器
待机空耗低
等
③ 比OB2538性价比
更高
OB2536,CR6236,RM3262 SP5618,SF5926,ME8302 HT2356,PN8326,LY2926
③ 比OB2535性价比
8-12*1W，8-12*3W，12-18*1W，12-15*3W，1828*1W,10串2并，10串3并，12V1A，12V2A， 12V2.5A,9V2A,9V3A,5V2A,5V3A
更高
◆AC-DC PSR 原边反馈 内置MOS
功率范围 所用型号
15W
M5838PR
7.5W
GR8830，OB2269(管脚不容）,SD4872(脚 位不兼容)，SP5875(管脚不容），
SP5876(管脚不容），LD7575(管脚不 容），LD7576(管脚不容）
SSR+外置MOS管，各种保护功能
SSR电压电流精度高, M5576最大待机功 耗〔100mW〕 高效率:〔24V5A平均效率
GR8837， OB2263,OB2273,CR6863,CR6853，
SP5630，SP5673,SF1530， SF5545,ME8204,HT2273,RM6301,AP8266,
LY2273,LP2273,SG6848，SM8013， SSR+外置MOS管，各种保护功能 RT7731,LD7535/6，AP8263， SW2273,LN3063，SD4870， CL1156,AT3263
的T5、T8灯管等中大 元器件少
功率LED电源
④可进模拟与PWM调
光
24W-32W,30W-42W,36W-48W,45W-56W
◆LED驱动 隔离驱动+PFC+内置MOS
芯片简要说明
产品方案特点
应用行业
常用案例
PSR+PFC,内置MOS
高PFC值，PSR系列，省光耦和431，节省 成本空间，安全性高。
M5836PR M5836DR
5W
M5835DR
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DIP8
DIP8 SOP8
SOP8
替换型号
芯片简要说明
产品方案特点
应用行业
OB2538,CR6238,RM3264 SP5618， CR5337，SP5619,SF5928,ME8313 HT2358,PN8329,LY2928
1.笔记本适配器。 2.显示器电源。 3.
电动工具电源。 4.LCD TV电源。
① 过温保护可调 ② 待机空耗低 ③ 比OB2276 /2269
性价比更高 ④ 容易过EMI
12V4A,12V5A,24V2A,24V3A,24V4A,19V4A,60V2A ,30V3A等
◆AC-DC SSR 副边反馈 内置MOS
待机功耗<100mW,抖频功能,65KHz,高性 能PWM控制器,过温保护
1：高要求的手机充 电器
2: 适配器(笔记本适 配器、MID充电器、
显示器电源 3: LCD TV电源。
① 开关频率可调 ② 待机空耗低 ③ 比OB2273 /2263
性价比更高 ④ 容易过EMI ⑤相同变压器的情况 下可以做更大功率
SY5800(管脚不容）,SY5840(管脚不
容）,BP3319M ME8316,MT7930(脚位不兼 容）SD6800(管脚不容） CL1360
PSR+PFC,外置MOS，驱动性更强
PF>0.9,内置LED短路和开路保护，高效 率，隔离式
CL1362
高PFC要求的PSR方 ① PF高 THD低
案，主要用在带PFC ② 启动电流低，效
5V2A,5V/3A,5V4A,9V2A,9V3A 12V/1.5A,12V2A,12V3A、12V4A，18V1.5A， 18V2A等等小于 24V1.5A,24V2A等等小于48w 8-12*1W。。。28-36*1W，8-12*3W。。。12--
18*3W等等小于48W
GR8837，
40W
M5573BSR
5V2A,5V/3A,5V4A,9V2A,9V3A 12V/1.5A,12V2A,12V3A、12V4A，18V1.5A， 18V2A等等小于 24V1.5A,24V2A等等小于48w 8-12*1W。。。28-36*1W，8-12*3W。。。12--
18*3W等等小于48W
40W
M5573NSR
120W
M8911DR
SOP8 BP3315D，CL1313 CS8211S
PSR+PFC,外置MOS
PF>0.9,内置LED短路和开路保护，高效 率，隔离式
高PFC要求的PSR方 ① PF高 THD低
案，主要用在带PFC ② 启动电流低，效
的外置电源和灯管类 率高
的T5、T8灯管等中大 ③ 设计简单，外围
◆AC-DC PSR 原边反馈 外置MOS
芯片简要说明
产品方案特点
应用行业
常用案例
PSR+外置MOS，各种保护功能
PSR成本低，节省PCB板上空间，省掉光 耦和431,节省成本
① 输出电压精度
1：LED灯 30W以内 LED电源
2： MID充电器3.充 电器 适配器
高，OCP保护一致性
好
②
待机空耗低
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◆AC-DC SSR 副边反馈 外置MOS
典型功率范围 所用型号
40W
M5573ASR
封装
替换型号
芯片简要说明
产品方案特点
应用行业
MOHAY IC 优势点
常用案例
SOT23-6
12W
M8911ADR
SOP8 BP3315D，CL1313
18W
M8912PR
DIP8 BP3316D，CL1318
功率范围 所用型号
替换型号
PSR+PFC,内置MOS
高PFC值，PSR系列，省光耦和431，节省 成本空间，安全性高。
高PFC要求的PSR方 案，主要用在带PFC 的外置电源和球泡 灯，射灯，天花灯等 小功率LED电源
更高