普通晶闸管 可控硅模块 MTX110A1600V

Impedance Vs.Time Max. junction To case Thermai


ᯊ䯈 t,S


Fig.1䗮ᗕӣᅝ⡍ᗻ᳆㒓
07& Max. Power Dissipation Vs.Mean On-state Current ᳔໻䗮ᗕࡳ㗫P T(AV),(max),W 䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A ㅵ໇⏽ᑺTc(max),e C
Gate Trigger Zone at varies temperature 90$
-30e C -10e C 25e C 125e C




䮼ᵕ㾺থ⬉⌕ ,IGTˈ mA
Fig.9 䮼ᵕࡳ⥛᳆㒓
Fig.10 䮼ᵕ㾺থ⡍ᗻ᳆㒓
外形尺寸图
0
* . . *

主要参数
符号 IT(AV) IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM I2t VTO rT VTM dv/dt di/dt IGT VGT IH VGD Rth(j-c) Rth(c-h) Viso Fm Tstg Wt Size 参数 通态平均电流 方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平方时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升率 通态电流临界上升率 门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压 热阻抗(结至壳) 热阻抗(壳至散) 绝缘电压 安装扭矩(M5) 安装扭矩(M6) 贮存温度 质量 包装盒尺寸 外形为201F 210×113×42（8只装） -40 160 At 67%VDRM 180°正弦波, 单面散热 180°正弦波, 单面散热 50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(MAX) 2500 4 6 125 125 VA=12V, IA=1A 25 ITM=330A VDM=67%VDRM ITM =220A, 门极触发电流幅值IGM=1.5A, 门极上升时间tr≤0.5μs VDRM&VRRM tp=10ms VDSM&VRSM= VDRM&VRRM+200V VDM= VDRM VRM= VRRM 10ms 正弦半波 VR=0.6VRRM 测试条件 180°正弦半波,50Hz单面散热,Tc=85℃ 结温 Tj(℃) 125 125 125 125 125 125 25 125 125 30 1.0 20 600 参数值 最小 典型 最大 110 173 1800 12 2.40 29 0.8 2.29 1.69 800 100 100 2.5 150 0.2 0.250 0.15 A A V mA KA A2s*103 V mΩ V V/μs A/μs mA V mA V ℃ /W ℃ /W V N·m N·m ℃ g mm 单位
Fig.2 㒧㟇ㅵ໇ⶀᗕ⛁䰏ᡫ᳆㒓
Max. case Temperature07& Vs.Mean On-state Current

ห้องสมุดไป่ตู้



Conduction Angle

Conduction Angle


360
᳔໻䗮ᗕࡳ㗫PT(AV)(max),W

Conduction Angle

Conduction Angle



䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
⬉⌕ᑇᮍᯊ䯈鳥I2t,103A 2S
5
1
ᯊ䯈t,ms
10
Fig.7 䗮ᗕ⌾⍠⬉⌕Ϣ਼⊶᭄ⱘ݇㋏᳆㒓
Fig.8 I2t⡍ᗻ᳆㒓
普通晶闸管、可控硅模块
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MTX110A
Gate characteristic at 25e C junction temperature 䮼ᵕ⬉य़,VGT ˈ V 䮼ᵕ⬉⌕ ,IGTˈ A 3*: PLQ PD[ 䮼ᵕ㾺থ⬉य़,VGTˈ V 3*0 : ­V㛝ᆑ
䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
Fig.3᳔໻ࡳ㗫Ϣᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
07& Max. Power Dissipation Vs.Mean On-state Current
360
Fig.4ㅵ໇⏽ᑺϢ䗮ᗕᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
Max. case Temperature Vs.Mean On-state Current 07& '& ㅵ໇⏽ᑺTc(max),e C '&
Fig.5 ᳔໻ࡳ㗫Ϣᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
Fig.6 ㅵ໇⏽ᑺϢ䗮ᗕᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
Surge Current 2.4 Vs.Cycles
2 2.4 I t 29 Vs.Time
35 30 25 20 15 10
䗮ᗕ⌾⍠⬉⌕ITSM,KA


਼⊶᭄ n,@ 50Hz




217F3
223F3
201F
乐清市柳晶整流器有限公司（编）
普通晶闸管、可控硅模块
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普通晶闸管、可控硅模块
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MTX110A
性能曲线图
䗮ᗕዄؐ⬉य़VTM,V 䗮ᗕዄؐ⬉⌕ ITM,A
07& Peak On-state Voltage Vs.Peak On-state Current
T J=125e C ⶀᗕ⛁䰏ᡫZ th,e C/W
MTX110A
特点
1). 芯片与底板电气绝缘，2500V交流电压 2). 全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力 3). 体积小,重量轻
典型应用
1). 交直流电机控制 2). 各种整流电源 3). 变频器
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
110A 600~1800V 2.4 A×103 29 A2S*103