普通晶闸管 可控硅模块 MTX110A1600V
Impedance Vs.Time Max. junction To case Thermai
ᯊ䯈 t,S
Fig.1䗮ᗕӣᅝ⡍ᗻ᳆㒓
07& Max. Power Dissipation Vs.Mean On-state Current ᳔䗮ᗕࡳ㗫P T(AV),(max),W 䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A ㅵ⏽ᑺTc(max),e C
Gate Trigger Zone at varies temperature 90$
-30e C -10e C 25e C 125e C
䮼ᵕ㾺থ⬉⌕ ,IGTˈ mA
Fig.9 䮼ᵕࡳ⥛᳆㒓
Fig.10 䮼ᵕ㾺থ⡍ᗻ᳆㒓
外形尺寸图
0
* . . *
主要参数
符号 IT(AV) IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM I2t VTO rT VTM dv/dt di/dt IGT VGT IH VGD Rth(j-c) Rth(c-h) Viso Fm Tstg Wt Size 参数 通态平均电流 方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平方时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升率 通态电流临界上升率 门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压 热阻抗(结至壳) 热阻抗(壳至散) 绝缘电压 安装扭矩(M5) 安装扭矩(M6) 贮存温度 质量 包装盒尺寸 外形为201F 210×113×42（8只装） -40 160 At 67%VDRM 180°正弦波, 单面散热 180°正弦波, 单面散热 50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(MAX) 2500 4 6 125 125 VA=12V, IA=1A 25 ITM=330A VDM=67%VDRM ITM =220A, 门极触发电流幅值IGM=1.5A, 门极上升时间tr≤0.5μs VDRM&VRRM tp=10ms VDSM&VRSM= VDRM&VRRM+200V VDM= VDRM VRM= VRRM 10ms 正弦半波 VR=0.6VRRM 测试条件 180°正弦半波,50Hz单面散热,Tc=85℃ 结温 Tj(℃) 125 125 125 125 125 125 25 125 125 30 1.0 20 600 参数值 最小 典型 最大 110 173 1800 12 2.40 29 0.8 2.29 1.69 800 100 100 2.5 150 0.2 0.250 0.15 A A V mA KA A2s*103 V mΩ V V/μs A/μs mA V mA V ℃ /W ℃ /W V N·m N·m ℃ g mm 单位
Fig.2 㒧㟇ㅵⶀᗕ⛁䰏ᡫ᳆㒓
Max. case Temperature07& Vs.Mean On-state Current
ห้องสมุดไป่ตู้
Conduction Angle
Conduction Angle
360
᳔䗮ᗕࡳ㗫PT(AV)(max),W
Conduction Angle
Conduction Angle
䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
⬉⌕ᑇᮍᯊ䯈鳥I2t,103A 2S
5
1
ᯊ䯈t,ms
10
Fig.7 䗮ᗕ⌾⍠⬉⌕Ϣ਼⊶᭄ⱘ݇㋏᳆㒓
Fig.8 I2t⡍ᗻ᳆㒓
普通晶闸管、可控硅模块
2/3
MTX110A
Gate characteristic at 25e C junction temperature 䮼ᵕ⬉य़,VGT ˈ V 䮼ᵕ⬉⌕ ,IGTˈ A 3*: PLQ PD[ 䮼ᵕ㾺থ⬉य़,VGTˈ V 3*0 : V㛝ᆑ
䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
Fig.3᳔ࡳ㗫Ϣᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
07& Max. Power Dissipation Vs.Mean On-state Current
360
Fig.4ㅵ⏽ᑺϢ䗮ᗕᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
Max. case Temperature Vs.Mean On-state Current 07& '& ㅵ⏽ᑺTc(max),e C '&
Fig.5 ᳔ࡳ㗫Ϣᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
Fig.6 ㅵ⏽ᑺϢ䗮ᗕᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
Surge Current 2.4 Vs.Cycles
2 2.4 I t 29 Vs.Time
35 30 25 20 15 10
䗮ᗕ⌾⍠⬉⌕ITSM,KA
਼⊶᭄ n,@ 50Hz
217F3
223F3
201F
乐清市柳晶整流器有限公司（编）
普通晶闸管、可控硅模块
3/3
普通晶闸管、可控硅模块
1/3
MTX110A
性能曲线图
䗮ᗕዄؐ⬉य़VTM,V 䗮ᗕዄؐ⬉⌕ ITM,A
07& Peak On-state Voltage Vs.Peak On-state Current
T J=125e C ⶀᗕ⛁䰏ᡫZ th,e C/W
MTX110A
特点
1). 芯片与底板电气绝缘，2500V交流电压 2). 全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力 3). 体积小,重量轻
典型应用
1). 交直流电机控制 2). 各种整流电源 3). 变频器
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
110A 600~1800V 2.4 A×103 29 A2S*103
可控硅MTC200A
结温 Tj（℃） 最小
125 125
125 600
125 125
参数值 典型 最大
200 314
1600 1800
30 7.20
VR=0.6 VRRM
125
259
125
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
ITM=600A
25
VDM=67%VDRM
125
ITM=600A 门 极 触 发 电
流幅值 IGM=1.5A，门极 125
电流上升时间 tr≤0.5μs
可控硅模块 thyristor module
MTC200 0.140 ℃/W
250 0 2.0 3.0 -40 780
0.04 ℃/W
V
N·m
N·m
125
℃
g
M234 电路联结图：
M353 风冷
M353S 水冷
杭州拓直电气有限公司 Hangzhou Tuozhi Electric Co., Ltd
可控硅（晶闸管）模块
可控硅模块 thyristor module
MTC200
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2T
200A 600~1800V 7.2KA 259 103A2S
产品特点：
● 芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 ● 优良的温度特性和功率循环能力 ● 体积小，重量轻 ● 国际标准封装 ● 符合 CE、Rohs 认证
30 50
VA=12V，IA=1A
25
0.8 1.0
20
VDM=67%VDRM
125
0.80 1.27 1.65 800
100
180 2.5 100 0.2
单位
可控硅整流管MFC300A1600V
125
0.2 V
Rth(j-c) 热阻抗（结至壳） 180°正弦半波，单面散热
0.10 0
℃/W
Rth(c-h) 热阻抗（结至散） 180°正弦半波，单面散热
0.04 ℃/W
Viso 绝缘电压
50HZ ， R.M.S ， t=1min 2500
Iiso:1Ma(max)
V
安装扭矩（M5）
Fm
安装扭矩（M6）
I2t VTO RT VTM dv/dt
di/dt
IGT VGT
参数
通态平均电流
方均根电流
断态重复峰值电压 反向重复峰值电压
断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电 流 浪涌电流平均时间 积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升 率
通态电流临界上升 率
门极触发电流 门极触发电压
2S V mΩ V V/μs
A/μs
mA V
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可控硅整流管混合模块 thyristor and rectifier module
MFC300
IH
维持电流
20
100 mA
VGD 门极不触发电压
VDM=67%VDRM
测试条件
180°正弦半波，50HZ 单面 散热，Tc=85℃
VDRM&VRRM tp=10ms VDsM&VRsM= VDRM&VRRM+200V VDM= VDRM VRM= VRRM 10ms 底宽，正弦半波
VR=0.6 VRRM
ITM=900A VDM=67%VDRM ITM=900A 门极触发电流幅 值 IGM=1.5A，门极电流上 升时间 tr≤0.5μs
可控硅MTC160A
典型应用： ● ● ● ● 加热控制器 交直流电机控制 各种整流电源 交流开关 ● UPS 电源 ● 电焊机 ● 电机软启动
符号 IT(AV) IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM I2t VTO RT VTM dv/dt di/dt IGT VGT IH
参数 通态平均电流 方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电 流 浪涌电流平均时间 积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升 率 通态电流临界上升 率 门极触发电流 门极触发电压 维持电流
杭州拓直电气有限公司 Hangzhou Tuozhi Electric Co., Ltd
可控硅模块 thyristor module MTC160 可控硅（晶闸管）模块
IT(AV) 160A VDRM/VRRM 600~1800V ITSM 5.4KA 2 IT 146 103A2S
产品特点： ● ● ● ● ● 芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 优良的温度特性和功率循环能力 体积小，重量轻 国际标准封装 符合 CE、Rohs 认证
可控硅模块 thyristor module MTC160 0.2 V 0.17 0 0.08 ℃/W ℃/W V 2.0 3.0 -40 210 125 350 N·m N·m ℃ g
门极不触发电压 热阻抗（结至壳） 热阻抗（结至散） 绝缘电压 安装扭矩（M5） 安装扭矩（M6） 储存温度 质量
模块封装图（M234） ：
单位 A A V mA KA 103A 2 S V mΩ V V/μs A/μs mA V mA
ITM=480A VDM=67%VDRM ITM=480A 门极触发电流幅 值 IGM=1.5A，门极电流上 升时间 tr≤0.5μs VA=12V，IA=1A
MTC110A1600V可控硅模块
中国·杭州国晶电子科技有限公司 符号参数测试条件结温Tj （℃）参数值单位最小 典型 最大 I T(A V) 通态平均电流 180°正弦半波，50HZ 单面散热，T c =85℃ 125 110 A I T(RMS) 方均根电流125 173 A V DRM V RRM 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 V DRM &V RRM tp=10msV D s M &V RsM = V DRM &V RRM +200V 125 600 1600 1800 V I DRM I RRM 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 V DM = V DRMV RM = V RRM125 12 mA I TSM 通态不重复浪涌电流 10ms 底宽，正弦半波 125 2.40 KAI 2t 浪涌电流平均时间积 V R =0.6 V RRM 125 29 103A 2SV TO 门槛电压 0.8 V R T 斜率电阻125 2.29 m Ω V TM 通态峰值电压 I TM =330A 25 1.50 1.60 V dv/dt 断态电压临界上升率 V DM =67%V DRM125 800 V/μs di/dt 通态电流临界上升率 I TM =330A 门极触发电流幅值 IGM=1.5A ，门极电流上升时间tr ≤0.5μs 125 100 A/μs I GT 门极触发电流30 40 100 mA V GT 门极触发电压 V A =12V ，I A =1A 25 0.8 1.0 2.5 V I H 维持电流20 100 mA V GD 门极不触发电压 V DM =67%V DRM125 0.2 V R th(j-c) 热阻抗（结至壳） 180°正弦半波，单面散热 0.250 ℃/W R th(c-h) 热阻抗（结至散） 180°正弦半波，单面散热 0.15 ℃/W V iso 绝缘电压 50HZ ，R.M.S ，t=1min I iso :1Ma(max) 2500 V F m 安装扭矩（M5） 安装扭矩（M6） 2.0 3.0 N ·m N ·m T sbg 储存温度 -40 125 ℃ W t质量140g特点： ■芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 ■采用德国产玻璃钝化芯片焊接，优良的温度特性和功率循环能力 ■体积小，重量轻 典型应用： ■加热控制器 ■交直流电机控制 ■各种整流电源 ■交流开关 I T(A V) 110AV DRM /V RRM 600~1800V I TSM 2.4KA I 2T 29 103A 2SOutline M220、M225中国·杭州国晶电子科技有限公司 模块典型电路 电联结形式（右图）模块外型图、安装图M220M225使用说明：一、使用条件及注意事项：1、使用环境应无剧烈振动和冲击，环境介质中应无腐蚀金属和破坏绝缘的杂质和气氛。
普通晶闸管 可控硅模块 MTC200A1600V
Gate Trigger Zone at varies temperature 90$
-30°C -10°C 25°C 125°C
䮼ᵕ⬉य़,VGTˈ V
2.5 2 1.5 1 0.5 0 0 50
100
150
200
250
䮼ᵕ⬉⌕ ,IGT ˈmA
Fig.9 䮼ᵕࡳ⥛᳆㒓
Fig.10 䮼ᵕ㾺থ⡍ᗻ᳆㒓
MTC200A
特点
1). 芯片与底板电气绝缘，2500V交流电压 2). 全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力 3). 体积小,重量轻
典型应用
1). 交直流电机控制 2). 各种整流电源 3). 变频器
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
200A 600~1800V 7.2 A×103 259 A2S*103
外形尺寸图
214F3
216F3
401F
乐清市柳晶整流器有限公司（编）
普通晶闸管、可控硅模块
3/3
主要参数
符号 IT(AV) IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM It VTO rT VTM dv/dt di/dt IGT VGT IH VGD Rth(j-c) Rth(c-h) Viso Fm Tstg Wt Size
2
参数 通态平均电流 方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平方时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升率 通态电流临界上升率 门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压 热阻抗(结至壳) 热阻抗(壳至散) 绝缘电压 安装扭矩(M8) 安装扭矩(M6) 贮存温度 质量 包装盒尺寸
可控硅模块MTC1200A
di/dt 通态电流临界上升率
IGT
门极触发电流
VGT
门极触发电压
IH
维持电流
VGD
门极不触发电压
测试条件
180°正弦半波，50HZ 单面散 热，Tc=85℃
VDRM&VRRM tp=10ms VDsM&VRsM= VDRM&VRRM+200V VDM= VDRM VRM= VRRM 10ms 底宽，正弦半波 VR=0.6 VRRM
MTC1200A
circuit Diagram：
M 1 0 76
散热形式：水冷型模块外型图 M1076S
M 1076S
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
Ver:XZ0318
第4页
可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
1.70
100 1.2
单位 最大
1200 A 1884 A 1800 V
30 mA
24.0 2800 0.80 0.29 1.90 800
KA 103A2S
V mΩ
V V/μs
100 A/μs
200 mA
3.0
V
150 mA
0.2
V
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IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
1200A 600~1800V 24 KA 2800 103A2S
符号
参数
IT(AV)
MTC25A1600V 可控硅模块 技术资料
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
25A 600~1800V 0.55 A×103 1.5 A2S*103
主要参数
符号 IT(AV) IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM It VTO rT VTM dv/dt di/dt IGT VGT IH VGD Rth(j-c) Rth(c-h) Viso Fm Tstg Wt Size
Tc(max), C
Conduction Angle
IT(AV),A
IT(AV),A
Fig.3
Max. Power Dissipation Vs.Mean On-state Current
360
Fig.4
Max. case Temperature Vs.Mean On-state Current
360
参数值 典型 最大 25 41 1800 8 0.55 1.50 0.85 9.68 1.69 800 50 30 100 2.5 150 0.950 0.2 2500 4 6 -40 125 100
单位 A A V mA KA A s*103 V mΩ V V/μs A/μs mA V mA V ℃ /W ℃ /W V N·m N·m ℃ g mm
-30 C -10 C
V
V
,VGT
,VGT
25 C 125 C
,IGT
A
,IGT
mA
Fig.9
Fig.10
外形尺寸图
215F3
101F
info@
3/3
PT(AV)(max),W
Tc(max), C
Conduction Angle
Conduction Angle
普通晶闸管 可控硅模块 MTC55A1600V
ITM=170A VDM=67%VDRM ITM =110A, 门极触发电流幅值IGM=1.5A, 门极上升时间tr≤0.5μs VA=12V, IA=1A At 67%VDRM 180°正弦波, 单面散热 180°正弦波, 单面散热 50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(MAX)
䗮ᗕᑇഛ⬉⌕ IT(AV),A
Fig.5 ᳔ࡳ㗫Ϣᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓
Surge Current 1.25 Vs.Cycles ਼⊶᭄ n,@ 50Hz ⬉⌕ᑇᮍᯊ䯈鳥I2t,103A2S 䗮ᗕ⌾⍠⬉⌕ITSM,KA
MTC55A
特点
1). 芯片与底板电气绝缘，2500V交流电压 2). 全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力 3). 体积小,重量轻
典型应用
1). 交直流电机控制 2). 各种整流电源 3). 变频器
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
55A 600~1800V 1.25 A×103 7.8 A2S*103
测试条件 180°正弦半波,50Hz单面散热,Tc=85℃ VDRM&VRRM tp=10ms VDSM&VRSM= VDRM&VRRM+200V VDM= VDRM VRM= VRRM 10ms 正弦半波 VR=0.6VRRM
结温 Tj(℃) 125 125 125 125 125 125 600 最小
普通晶闸管、可控硅模块
3/3
25 125 125
25 125
0.8 20 0.2
外形为101F 210×113×42（10只装）
普通晶闸管、可控硅模块
1/3
MTC55A
性能曲线图
可控硅模块MTC800A
结温 Tj（℃）
125 125 125
125 125 125
最小 600
125
ITM=2400A
25
VDM=67%VDRM
125
ITM=2400A 门极 触发电 流幅值
IGM=1.5A，门极电流上升时间 125
tr≤0.5μs
30
VA=12V，IA=1A
25
1.0
20
VDM=67%VDRM
125
参数值 典型 1600
MTC800A
circuit Diagram：
M 1 0 76
散热形式：水冷型模块外型图 M1076S
M 1076S
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第4页
可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
1.55 100
单位 最大
800
A
1256 A
1800 V
20
mA
16.0 1280 0.80 0.42 1.7 800
KA 103A2S
V mΩ
V V/μs
100 A/μs
200 mA
3.0
V
150 mA
0.2
V
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可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
MTC800A
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用数字万用表测可控硅的好坏
用数字万用表测可控硅的好坏、单向可控硅的引脚区分对可控硅的引脚区分，有的可从外形封装加以判别，如外壳就为阳极，阴极引线比控制极引线长。
从外形无法判断的可控硅，可用万用表R X100或R X1K挡，测量可控硅任意两管脚间的正反向电阻，当万用表指示低阻值（几百欧至几千欧的范围）时，黑表笔所接的是控制极G,红表笔所接的是阴极C,余下的一只管脚为阳极A。
二、单向可控硅的性能检测可控硅质量好坏的判别可以从四个方面进行。
第一是三个PN 结应完好；第二是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断，不导通；第三是当控制极开路时，阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通；第四是给控制极加上正向电流，给阴极与阳极加正向电压时，可控硅应当导通，把控制极电流去掉，仍处于导通状态。
用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻，就可对前三个方面的好坏进行判断。
具体方法是：用R X k或R X0k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻（控制极不接电压），此两个阻值均应很大。
电阻值越大，表明正反向漏电电流愈小。
如果测得的阻值很低，或近于无穷大，说明可控硅已经击穿短路或已经开路，此可控硅不能使用了用RX1k或R X IOk挡测阳极与控制极之间的电阻，正反向测量阻值均应几百千欧以上,若电阻值很小表明可控硅击穿短路。
用R X1k 或R X1OO 挡，测控制极和阴极之间的PN 结的正反向电阻在几千欧左右，如出现正向阻值接近于零值或为无穷大，表明控制极与阴极之间的PN 结已经损坏。
反向阻值应很大，但不能为无穷大。
正常情况是反向阻值明显大于正向阻值。
万用表选电阻R X1 挡，将黑表笔接阳极，红表笔仍接阴极，此时万用表指针应不动。
红表笔接阴极不动，黑表笔在不脱开阳极的同时用表笔尖去瞬间短接控制极，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为1O 欧姆左右。
如阳极接黑表笔，阴极接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。
四、可控硅的使用注意事项选用可控硅的额定电压时，应参考实际工作条件下的峰值电压的大小，并留出一定的余量。