可控硅晶闸管模块MTC90-16杭州国晶
LD422243单边可控硅模块手册
LD422243单边可控硅模块手册晶闸管模块也叫可控硅模块，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。
家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件，海飞乐技术封装可控硅模块代替一下型号：SKKT15/12(16)E(D)SKKT20/12(16)E(D)SKKT26(27)/12(16)E(D)SKKT41(42)/12(16)E(D)SKKT56(57)/12(16)E(D)SKKT71(72)/12(16)E(D)SKKT91(92)/12(16)ESKKT105(106)/12(16)E(D)SKKT131/12(16)ESKKT132/12(16)ESKKT161/12(16)ESKKH15/12(16)E(D)SKKH20/12(16)E(D)SKKH26(27)/12(16)E(D)SKKH41(42)/12(16)E(D) SKKH56(57)/12(16)E(D) SKKH71(72)/12(16)E(D) SKKH91(92)/12(16)E(D) SKKH105(106)/12(16)E(D) SKKL15/12(16)E(D)SKKL20/12(16)E(D)SKKL26(27)/12(16)E(D) SKKL41(42)/12(16)E(D) SKKL56(57)/12(16)E(D) SKKL71(72)/12(16)E(D) SKKL91(92)/12(16)E(D) SKKL105(106)/12(16)E SKKL131/12(16)ESKBT28/12(14)SKBT40/12(14)SKBT28/12(14)SKBT28/12(14)SKBT28/12(14)SKBT40/12(14)SKCH28-14SKKT162/12(16)ESKKT213/12(16)E SKKT250/12(16)E SKKT253/12(16)E SKKT330/12(16)E SKKT500/12(16)E SKKT330/12(16)E SKKT400/14(16)E SKKQ31/12(16) SKKQ45/12(16) SKKH131/12(16)E SKKH132/12(16)E SKKH161/12(16)E SKKH162/12(16)E SKKH210/12(16)E SKKH213/12(16)E SKKH250/12(16)E SKKH253/12(16)E SKKH500/12(16)E SKKL132/12(16)E SKKL161/12(16)E SKKL162/12(16)ESKKH213/12(16)E SKKH250/12(16)E SKKH253/12(16)E SKKH500/12(16)E SKDH100/12(16) SKDL100/12(16) SKDT60/12(16) SKDT100/12(16) SKCH28-16(1600V) SKDL150/09(16) SKFT150/10MCC26/12(16)io1B MCC44/12(16)io1B MCC56/12(16)io1B MCC72/12(16)io1B MCC95/12(16)io1B MCC132/12(16)io1B MCC162/12(16)io1B VHF28-14io1MCD26/12(16)io1B MCD44/12(16)io1BMCD56/12(16)io1B MCD72/12(16)io1B MCD95/12(16)io1B MCC170/12(16)io1B MCC220/12(16)io1B MCC250/12(16)io1B MCC312/12(16)io1B MCO450-20MCO500-12/16 MCO600-12/16VHF28-16iO1MCD132/12(16)io1B MCD162/12(16)io1B MCD220/12(16)io1B MCD250/12(16)io1B MCD312/12(16)io1B TM90CZ-HTM200CZ-HTM20DA-HTM25DZ-HTM25DZ-24(H)TM55DZ-HTM90DZ-HTM90DZ-24(H) TM130DZ-HTM130DZ-24(H) TM200DZ-HTM200DZ-24(H) TM400DZ-HTM400DZ-24(H) TM400DA-HTM400DA-24(H) TM60SZ-MTM100SZ-MTM60SA-6TM90SA-6TM150SA-6TM20RA-HTM25RZ-HTM25RZ-24(2H) TM55RZ-HTM55RZ-24(3H) TM90RZ-HTM130RZ-HTM130RZ-24(2H)TM200RZ-HTM200RZ-24(2H)TM10T3B-HTM15T3A-HTM25T3A-H可控硅模块从内部封装芯片上可以分为可控模块和整流模块两大类；从具体的用途上区分，可以分为：普通晶闸管模块（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模块(MDC)、普通晶闸管、整流管混合模块(MFC)、快速晶闸管、整流管及混合模块（MKC\MZC)、非绝缘型晶闸管、整流管及混合模块（也就是通常所说的电焊机专用模块MTG\MDG)、三相整流桥输出可控硅模块（MDS)、单相（三相）整流桥模块（MDQ)、单相半控桥（三相全控桥）模块(MTS)以及肖特基模块等。
可控硅MTC200A
结温 Tj（℃） 最小
125 125
125 600
125 125
参数值 典型 最大
200 314
1600 1800
30 7.20
VR=0.6 VRRM
125
259
125
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
ITM=600A
25
VDM=67%VDRM
125
ITM=600A 门 极 触 发 电
流幅值 IGM=1.5A，门极 125
电流上升时间 tr≤0.5μs
可控硅模块 thyristor module
MTC200 0.140 ℃/W
250 0 2.0 3.0 -40 780
0.04 ℃/W
V
N·m
N·m
125
℃
g
M234 电路联结图：
M353 风冷
M353S 水冷
杭州拓直电气有限公司 Hangzhou Tuozhi Electric Co., Ltd
可控硅（晶闸管）模块
可控硅模块 thyristor module
MTC200
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2T
200A 600~1800V 7.2KA 259 103A2S
产品特点：
● 芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 ● 优良的温度特性和功率循环能力 ● 体积小，重量轻 ● 国际标准封装 ● 符合 CE、Rohs 认证
30 50
VA=12V，IA=1A
25
0.8 1.0
20
VDM=67%VDRM
125
0.80 1.27 1.65 800
100
180 2.5 100 0.2
单位
普通晶闸管 可控硅模块 MTC200A1600V
Gate Trigger Zone at varies temperature 90$
-30°C -10°C 25°C 125°C
䮼ᵕ⬉य़,VGTˈ V
2.5 2 1.5 1 0.5 0 0 50
100
150
200
250
䮼ᵕ⬉⌕ ,IGT ˈmA
Fig.9 䮼ᵕࡳ⥛᳆㒓
Fig.10 䮼ᵕ㾺থ⡍ᗻ᳆㒓
MTC200A
特点
1). 芯片与底板电气绝缘，2500V交流电压 2). 全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力 3). 体积小,重量轻
典型应用
1). 交直流电机控制 2). 各种整流电源 3). 变频器
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
200A 600~1800V 7.2 A×103 259 A2S*103
外形尺寸图
214F3
216F3
401F
乐清市柳晶整流器有限公司（编）
普通晶闸管、可控硅模块
3/3
主要参数
符号 IT(AV) IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM It VTO rT VTM dv/dt di/dt IGT VGT IH VGD Rth(j-c) Rth(c-h) Viso Fm Tstg Wt Size
2
参数 通态平均电流 方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平方时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升率 通态电流临界上升率 门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压 热阻抗(结至壳) 热阻抗(壳至散) 绝缘电压 安装扭矩(M8) 安装扭矩(M6) 贮存温度 质量 包装盒尺寸
晶闸管模块MTC182A
B
绝缘电压
F mB
B
T sbg B
B
W tB B
Outline
安装扭矩（M5） 安装扭矩（M6） 储存温度 质量（约）
180°正弦半波，单面散热
50HZ ， R.M.S ， t=1min
IBiso
:1mA
B
(ma
x)
与散热器固定
M234
MTC182A
0.08 ℃/W
2500
V
4.0±15%
5.0±15%
-40
125
205
N·m N·m
℃
g
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
第2页
可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
MTC182A
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
MTC182A
matters needing attention: 1、模块实际负载电流大于 5A 时务必要加装散热器，需提供良好的通风条件。 2、工作环境温度高于 40℃时，应优化散热通风条件。 3、模块工作后会发热，在设备未断电及模块未完全冷却降温之前，严禁用手触摸模块
B
DRM B
B
RBth(j-c)B
热阻抗（结至壳）
180°正弦半波，单面散热
杭州西整电力电子科技有限公司
30
25
0.8
20
125
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
MTC300A 可控硅模块说明书
产品规格书Specification of Products产品名称：产品型号：普通晶闸管模块湖北梅兰半导体有限公司湖北梅兰半导体有限公司Hubei Merlin Semiconductor Co., Ltd.厂址：湖北省 襄阳市 高新技术开发区电话：总机传真：分机E-mail:mlsanrex@(710)3807852 3807952 3807905 3806705811版本号：02 更新日期：2011.3MTC(MTA MTK)300A（高压系列）321VALUESYMBOL CHARACTERISTIC TEST CONDITIONS T j(°C)Min Type MaxUNITI T(AV)Mean on-state current180°half sine wave50HzSingle side cooled,T c=85°C125300AI T(RMS)RMS on-state current Single side cooled,T c=85°C125314AV DRMV RRMRepetitive peak off-state voltageRepetitive peak reverse voltageV DRM&V RRM tp=10msV DsM&V RsM= V DRM&V RRM+200Vrespectively12525005600VI DRMI RRMRepetitive peak currentat V DRMat V RRM12550mAI TSM Surge on-state current9.3.KAI2t I2T for fusing coordination10ms half sine waveV R=60%V RRM125432A2s*103 V TO Threshold voltage 1.15. V r T On-state slop resistance1250.95.mΩV TM Peak on-state voltage I TM=1500A1252.44V dv/dtCritical rate of rise of off-statevoltageV DM=67%V DRM125800V/μs di/dtCritical rate of rise of on-statecurrentFrom67%V DRMto1500A, Gate source1.5At r≤0.5μs Repetitive125100A/μsI GT Gate trigger current30200mAV GT Gate trigger voltage1.03.0VI H Holding currentV A=12V, I A=1A2520150mA V GD Non-trigger gate voltage At67%V DRM1250.2V R th(j-c)Thermal resistanceJunction to heatsinkAt1800sine, Single side cooled0.065°C /W V iso Isolation voltage50Hz,R.M.S,t=1min,I iso:1mA(MAX) 6000V Thermal connection torque(M10) 12.0N.mF mMounting torque(M6) 6.0N.m T stg Stored temperature-40140°C W t Weight1350g OutlineOUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAMM10M13M14M15Fig.1通态伏安特性曲线Fig.2 结至管壳瞬态热阻抗曲线Fig.3最大功耗与平均电流关系曲线Fig.4管壳温度与通态平均电流关系曲线Fig.5 最大功耗与平均电流关系曲线Fig.6 管壳温度与通态平均电流关系曲线Fig.7 通态浪涌电流与周波数的关系曲线Fig.8 I 2t 特性曲线Fig.9 门极功率曲线Fig.10 门极触发特性曲线M14M13Outside DimensionM10M15。
整流模块MDS75-16
D1
D2
MDC
D1
D2
MDK
－ MDS
3
快 恢 复 二 极 管 (FRD) 模 块
参数
VRRM IF(AV)@TC IF(RMS) IFRM
符号
TC=85 ℃ Tj=150 ℃ f=20KHZ
产品
TC=85 ℃
型 号 (V) (A)
(A)
(A)
IFSM 10ms 45 ℃ (A)
VFM@ trr Rthjc PD
20
40 400 ～ 1800 ≤ 10 ≤ 1.5 125 ≤ 150 ≤ 3 0.55 2500
20
MTC 55 400 ～ 1800 ≤ 10 ≤ 1.5 125 ≤ 150 ≤ 3 0.5 2500
20
MTA 70 400 ～ 1800 ≤ 10 ≤ 1.5 125 ≤ 150 ≤ 3 0.33 2500 风冷 20、 21
1.15
0.16
0.08 TS
MTC200TA160 MFC200TA160 MTK200TA160 MTX200TA160
400 ~ 1800
≤ 40
200 5400 1.65 600 ≤ 150 ≤ 3.0 0.8
1.0
0.15 0.08 TS
MTC250TA160 MFC250TA160 MTK250TA160 MTX250TA160
125
MDA 70 400 ～ 1800 ≤ 10 ≤ 1.5
125
MDK 90 400 ～ 1800 ≤ 10 ≤ 1.5
125
110 400 ～ 1800 ≤ 10 ≤ 1.5 125
130 400 ～ 1800 ≤ 10
普通晶闸管模块MTC130-16
参数值
130 204
4 5 5 6 80 125 75 120
800--1800 900--1900 0.75VDRM 0.75VRRM
5 5 3
150
-40--125 -40--125
测试条件
TC=85℃;1800 半波;50Hz
Tj=Tjmax Tj=25℃
Tj=Tjmax Tj=25℃
Tj=Tjmax Tj=25℃
Tj=Tjmax Tj=25℃
1800 正弦半波;50Hz(tp=10ms); 单 脉 冲 ;VD=VR=0V; 门 极 脉 冲 :IG=IFGM;VG=20V;
TGP=500μS;dig/dt=1A/μS 1800 正弦半波;60Hz(tp=8.3ms); 单 脉 冲 ;VD=VR=0V; 门 极 脉 冲 :IG=IFGM;VG=20V;
断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 断态电压临界上升率
mA
mA V/μS
VGT
门极触发电压（Max） V
IGT
门极触发电流（Max） mA
门极不触发电压
VGD
（Min）
V
门极不触发电流
IGD
（Min）
mABiblioteka 开关特性tgd延迟时间
μS
tq 热特性 Rthjc
Rthch 绝缘特性
关断时间（type）
结壳 热阻 接触 热阻
Tj =25℃;VD=12V;门极脉冲:IG=IFGM;VG=20V; TGP =500μS;dig/dt=1A/μS Tj =25℃;VD=12V; 门极开路
20
1000
4.0 2.5 1.5 400 250 150 0.25
10
晶闸管的原理、特性、主要参数及测试方法
晶闸管的原理、特性、主要参数及测试方法1.1 晶闸管晶闸管（Thyristor）是硅晶体闸流管的简称，也称为可控硅SCR（Semiconductor Control Rectifier）。
晶闸管作为大功率的半导体器件，只要用几十至几百毫安的电流就可以控制几百至几千安的大电流，实现了弱电对强电的控制。
1.1.1 晶闸管的结构晶闸管是四层（P1N1P2N2）三端（阳极A、阴极K、门极G）器件，其内部结构和等效电路如图1-1所示。
图1-1 晶闸管的内部结构和等效电路晶闸管的符号及外形如图1-2所示，图1-2（a）为晶闸管的符号，图1-2（b）为晶闸管的外形。
晶闸管的类型大致有4种：塑封型、螺栓型、平板型和模块型。
塑封型晶闸管多用于额定电流5A以下；螺栓型晶闸管额定电流一般为5～200A；平板型晶闸管用于额定电流200A以上；模块型晶闸管额定电流可达数百安培。
晶闸管由于体积小、安装方便，常用于紧凑型设备中。
晶闸管工作时，由于器件损耗会产生热量，需要通过散热器降低管芯温度，器件外形是为便于安装散热器而设计的。
图1-2 晶闸管的符号及外形晶闸管的散热器如图1-3所示。
图1-3 晶闸管的散热器1.1.2 晶闸管的工作原理以图1-4所示的晶闸管的导通实验电路来说明晶闸管的工作原理。
在该电路中，由电源EA、晶闸管的阳极和阴极、白炽灯组成晶闸管主电路，由电源EG、开关S、晶闸管的门极和阴极组成控制电路（触发电路）。
图1-4 晶闸管的导通实验电路实验步骤及结果说明如下。
（1）将晶闸管的阳极接电源EA的正极，阴极经白炽灯接电源的负极，此时晶闸管承受正向电压。
当控制电路中的开关S断开时，灯不亮，说明晶闸管不导通。
（2）当晶闸管的阳极和阴极承受正向电压，控制电路中开关S闭合，使控制极也加正向电压（控制极相对阴极）时，灯亮说明晶闸管导通。
（3）当晶闸管导通时，将控制极上的电压去掉（即将开关S断开），灯依然亮，说明一旦晶闸管导通，控制极就失去了控制作用。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
90A
VDRM/VRRM 600~1800V
ITSM
2.0KA
I2T
20 103A2S
符号
参数
测试条件
结温
Tj（℃）
参数值 最小 典型 最大
单位
IT(AV)
通态平均电流
180 °正 弦半波 ，50HZ 单面散 125
热，Tc=85℃
IT(RMS) 方均根电流
125
VDRM VRRM
断态重复峰值电压 反向重复峰值电压
各个螺钉须再次紧固一遍。
模块散热器选择
用户选配散热器时，必须考虑以下因素：
① 模块工作电流大小，以决定所需散热面积；
② 使用环境，据此可以确定采取什么冷却方式——自然冷却、强迫风冷、还是水冷；
③ 装置的外形、体积、给散热器预留空间的大小，据此可以确定采用什么形状的散热器。
一般而论，大多数用户会选择铝型材散热器。为方便用户，对我公司生产的各类模块，在特
GUOJINGKEJI
国晶科技
（可控硅模块）Thyristor Module
MTC90
特点： ■芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 ■采用德国产玻璃钝化芯片焊接，优良的 温度特性和功率循环能力 ■体积小，重量轻 典型应用： ■加热控制器 ■交直流电机控制 ■各种整流电源 ■交流开关
IT(AV)
VTO
门槛电压
RT
斜率电阻
125
VTM
通态峰值电压
ITM=270A
25
dv/dt 断态电压临界上升率 VDM=67%VDRM
125
ITM=270A 门 极 触 发 电 流 幅 值 di/dt 通态电流临界上升率 IGM=1.5A，门极电流上升时间tr 125
≤0.5μs
90
A
141
A
600 1600 1800
V
10
mA
2.0
KA
20
103A2S
0.8
V
3.01 mΩ
1.40 1.50
V
800 V/μs
100 A/μs
IGT VGT IH VGD Rth(j-c) Rth(c-h)
Viso
Fm
门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压 热阻抗（结至壳） 热阻抗（结至散）
绝缘电压
安装扭矩（M5） 安装扭矩（M6）
杭州国晶电子科技有限公司
专业可控硅模块制造商
技术咨询：0571-56862135
GUOJINGKEJI
国晶科技
造成模块损坏或其他严重后果，我公司概不负责。
（可控硅模块）Thyristor Module
MTC90
杭州国晶电子科技有限公司
专业可控硅模块制造商
技术咨询：0571-56862135
M220
使用说明：
M225
一、使用条件及注意事项：
1、使用环境应无剧烈振动和冲击，环境介质中应无腐蚀金属和破坏绝缘的杂质和气氛。
2、模块管芯工作结温：可控硅为-40℃∽125℃；环境温度不得高于 40℃；环境湿度小于 86%。
3、模块在使用前一定要加装散热器，散热器的选配见下节。散热可采用自然冷却、强迫风
GUOJINGKEJI
国晶科技
（可控硅模块）Thyristor Module
MTC90
模块典型电路 电联结形式
（右图）
杭州国晶电子科技有限公司
专业可控硅模块制造商
技术咨询：0571-56862135
GUOJINGKEJI
国晶科技
模块外型图、安装图
（可控硅模块）Thyristor Module
MTC90
VA=12V，IA=பைடு நூலகம்A
25
VDM=67%VDRM
125
180°正弦半波，单面散热
180°正弦半波，单面散热
50HZ ， R.M.S ， t=1min
Iiso:1Ma(max)
30
100 mA
1.0
2.5
V
20
100 mA
0.2 0.280 0.15
V ℃/W ℃/W
2500
V
2.0
N·m
3.0
N·m
Tsbg Wt Outline
储存温度 质量
M220、M225
-40
125
℃
140
g
杭州国晶电子科技有限公司
技术咨询：0571-56862135
专业可控硅模块制造商
GUOJINGKEJI
国晶科技
（可控硅模块）Thyristor Module
MTC90
杭州国晶电子科技有限公司
专业可控硅模块制造商
技术咨询：0571-56862135
冷或水冷。强迫风冷时，风速应大于６米⁄秒。
二、安装注意事项：
1、由于 MTC 可控硅模块是绝缘型（即模块接线柱对铜底板之间的绝缘耐压大于 2.5KV 有
效值），因此可以把多个模块安装在同一散热器上，或装置的接地外壳上。
2、散热器安装表面应平整、光滑，不能有划痕、磕碰和杂物。散热器表面光洁度应小于 10μm。
VDRM&VRRM tp=10ms 125
VDsM&VRsM= VDRM&VRRM+200V
IDRM 断态重复峰值电流
VDM= VDRM
125
IRRM 反向重复峰值电流
VRM= VRRM
ITSM 通态不重复浪涌电流 10ms 底宽，正弦半波
125
I2t
浪涌电流平均时间积 VR=0.6 VRRM
125
模块安装到散热器上时，在它们的接触面之间应涂一层很薄的导热硅脂。涂脂前，用细砂纸
把散热器接触面的氧化层去掉，然后用无水乙醇把表面擦干净，使接触良好，以减少热阻。
模块紧固到散热器表面时，采用 M5 或 M6 螺钉和弹簧垫圈，并以 4NM 力矩紧固螺钉
与模块主电极的连线应采用铜排，并有光滑平整的接触面，使接触良好。模块工作３小时后，
性参数表中都给出了所需散热面积。此面积是在模块满负荷工作且在强迫风冷时的参考值。
下面给出散热器长度的计算公式：
模块所需散热面积＝（散热器周长）×（散热器长度）＋（截面积）×２
其中，模块所需散热面积为模块特性参数表中给出的参考值，散热器周长、截面积可以在散
热器厂家样本中查到，散热器长度为待求量。 郑重声明：目前市场上充斥着各种劣质散热器，请在购买是注意鉴别，如因使用劣质散热器