EMI(1级2级)滤波器设计方法
一种应用于dc28v电源信号emi滤波及雷电防护电路的制作方法
一种应用于DC28V电源信号EMI滤波及雷电防护电路的制作方法一、引言随着电子设备在各个领域的广泛应用，电源信号的电磁干扰（EMI）问题日益突出。
同时，雷电对电子设备的破坏性影响也不容忽视。
因此，设计一种能够同时实现EMI滤波和雷电防护的电路至关重要。
本文介绍了一种应用于DC28V电源信号的EMI滤波及雷电防护电路的制作方法。
二、电路设计1.EMI滤波器设计：EMI滤波器的主要功能是抑制电源线上的电磁干扰，提高电源质量。
本设计采用共模滤波器和差模滤波器结合的方式，共模滤波器主要用于抑制共模干扰，差模滤波器主要用于抑制差模干扰。
滤波器电路由电感器和电容器的组合构成，通过合理选择电感值和电容值，实现对不同频率干扰的抑制。
2.雷电防护电路设计：雷电防护电路的主要功能是保护电子设备免受雷电过电压和过电流的影响。
本设计采用气体放电管和压敏电阻相结合的方式。
气体放电管在雷电过电压作用下能迅速击穿放电，将过电压限制在较低水平；压敏电阻在雷电过电流作用下能迅速阻断电流，防止电流过大造成设备损坏。
通过合理选择气体放电管和压敏电阻的参数，实现对雷电过电压和过电流的有效防护。
三、制作工艺1.电路板制作：选用合适的FR4或CEM-1基材，进行覆铜处理，设置合理的线宽和间距，保证电路板的电气性能和散热性能。
2.元器件焊接：采用低温焊接工艺，确保焊接质量，防止元器件因高温而损坏。
3.电路板测试：对制作完成的电路板进行电气性能测试，确保各项指标符合设计要求。
四、应用实例本制作方法已成功应用于某型号舰载电子设备的DC28V电源信号处理中，有效提高了设备的电磁兼容性和防雷能力，保证了设备的稳定运行。
五、结论本文介绍了一种应用于DC28V电源信号的EMI滤波及雷电防护电路的制作方法，包括电路设计和制作工艺两个方面的内容。
通过实际应用证明，本制作方法能有效提高设备的电磁兼容性和防雷能力，具有较高的实用价值。
未来，我们将继续优化电路设计和制作工艺，为更多领域提供优质的电源信号处理解决方案。
EMI 滤 波 器 原 理 与 设 计 方 法 详 解
EMI 滤 波 器 原 理 与 设 计 方 法 详 解输入端差模电感的选择输入端差模电感的选择：：1. 差模choke 置于L 线或N 线上，同时与XCAP 共同作用F=1 / (2*π* L*C)2. 波器振荡频率要低于电源供给器的工作频率，一般要低于10kHz 。
3. L = N2AL （nH/N2）nH4. N = [L （nH ）/AL(nH/N2)]1/2匝5. AL = L （nH ）/ N2nH/N26. W =（NI ）2AL / 2000µJ输入端共模电感的选择输入端共模电感的选择：：共模电感为EMI 防制零件，主要影响Conduction 的中、低频段，设计时必须同时考虑EMI 特性及温升，以同样尺寸的Common Choke 而言，线圈数愈多(相对的线径愈细)，EMI 防制效果愈好，但温升可能较高。
传导干扰频率范围为0.15～30MHz ，电场辐射干扰频率范围为30～100MHz 。
开关电源所产生的干扰以共模干扰为主。
产生辐射干扰的主要元器件除了开关管和高频整流二极管还有脉冲变压器及滤波电感等。
注意：1. 避免电流过大而造成饱和。
2．Choke 温度系数要小，对高频阻抗要大。
3．感应电感要大，分布电容要小。
4．直流电阻要小。
B = L * I / (N * A) (B shall be less than 0.3)L = Choke inductance. I = Maximum current through choke. N = Number of turns on choke.A = Effective area of choke. (for drum core, can approximate with cross section area of center pole.)假设在50KHZ 有24DB 的衰减则，共模截止频率Fc = Fs*10Att/4 0 = 50*10-24/40=12.6KHZ 电感值L= (RL*0.707)/(∏*Fc) = (500.707)/(3.14*12.6) = 893uH使用磁芯和磁棒作滤波电感时应注意自身的阻抗，对于共模电感不能使用低阻抗的磁芯和磁棒，否则会造成炸机现象。
直流电源EMI滤波器的设计原则、网络结构、参数选择
直流电源EMI滤波器的设计原则、网络结构、参数选择1设计原则——满足最大阻抗失配插入损耗要尽可能增大，即尽可能增大信号的反射。
设电源的输出阻抗和与之端接的滤波器的输人阻抗分别为ZO和ZI，根据信号传输理论，当ZO≠ZI时，在滤波器的输入端口会发生反射，反射系数p＝（ZO－ZI）／（ZO＋ZI）显然，ZO与ZI相差越大，p便越大，端口产生的反射越大，EMI信号就越难通过。
所以，滤波器输入端口应与电源的输出端口处于失配状态，使EMI信号产生反射。
同理，滤波器输出端口应与负载处于失配状态，使EMI信号产生反射。
即滤波器的设什应遵循下列原则：源内阻是高阻的，则滤波器输人阻抗就应该是低阻的，反之亦然。
负载是高阻的，则滤波器输出阻抗就应该是低阻的，反之亦然。
对于EMI信号，电感是高阻的，电容是低阻的，所以，电源EMI滤波器与源或负载的端接应遵循下列原则：如果源内阻或负载是阻性或感性的，与之端接的滤波器接口就应该是容性的。
如果源内阻或负载是容性的，与之端接的滤波器接口就应该是感性的。
2 EMI滤波器的网络结构EMI信号包括共模干扰信号CM和差模干扰信号DM，CM和DM的分布如图1所示。
它可用来指导如何确定EMI滤波器的网络结构和参数。
EMI滤波器的基本网络结构如图2所示。
上述4种网络结构是电源EMI滤波器的基本结构，但是在选用时，要注意以下的间题：l）双向滤波功能——电网对电源、电源对电网都应该有滤波功能。
2）能有效地抑制差模干扰和共模干扰——工程设计中重点考虑共模干扰的抑制。
3）最大程度地满足阻抗失配原则。
几种实际使用的电源EMI滤波器的网络结构如图3所示。
3电源EMI滤波器的参数确定方法a）放电电阻的取值在允许的情况下，电阻取值要求越小越好，需要考虑以下情况：第一，电阻要求采用二级降额使用，保证可靠性。
降额系数为0.75 V，0. 6 W。
根据欧姆定律可求出n＞（0.75Ve）2／（0.6 Pe）。
第二，经过雷击浪涌后有残压，其瞬时值一般在1000 V取值；其瞬时功率值不能超过额定功率值的4倍，也可求出R＞(Vcy)2／（4Pe）。
EMI滤波器设计
关键词：EMI滤波器；阻抗失配原则；插入损耗；源阻抗
中图分类号: TN03
文献标识码: B
Design of EMI filters
Wu Xiaojun , Qin Kaiyu , Tang Bo ( institute of astronautics & aeronautics，University of Electronic Science and Technology of China Chengdu 611731 )
0 引言
随着电子技术的发展，电磁兼容性问题成为电路设计 工程师极为关注和棘手的问题。大家普遍认为电磁兼容性 标准中最重要的也是最难解决的两个问题就是传导发射和 辐射发射。本文研究的重点是传导干扰。传导干扰主要包 括设备信号线传导干扰、接地线共地阻抗干扰，以及电源
线传导干扰，其中电源线传导干扰的抑制非常重要但又最 为薄弱。根据噪声的传播路径，抑制电磁干扰的途径可以有： 削弱干扰源的能量，切断噪声耦合路径，提高设备对电磁 干扰的抵抗能力。目前抑制干扰的措施大多是设法切断电 磁干扰和受扰设备之间的耦合通道，EMI 滤波器就是其中 一种行之有效的方法。
2.1.1 测量并分离原始噪声
测量噪声的设备包括线路阻抗稳定网络 (LISN )、噪声 分离器 (Noise Separator)、频谱分析仪 (Spectrum Analyzer )、 计算机和被测设备 (EUT) 几个部分，设备的连接如图 5 所示。
被测设备的 EMI 噪声由 LISN 提取后，经过噪声分离 器将噪声分离为共模、差模两部分，分离网络的输出信号 即研究所需的独立的 CM、DM 信号输入至频谱分析仪，而 后由诊断软件对从频谱分析仪传送到计算机的信号进行处 理，计算机可以方便显示和储存噪声频谱图。
emi滤波器设计规范
CY max
Ig Vm 2 f m
103 (μF)
（12）
如 GJB151A-97 中规定，每根导线的线与地之间的电容值，对于 50Hz 的设备，应小于
0.1μF 对于 400Hz 的设备，应小于 0.02μF ；对于负载小于 0.5kW 的设备，滤波电容量
不应超过 0.03μF 。标准中的规定除了要满足（12）式外，还要求 CY 电容在电气和机械 安全方面有足够的余量，避免在极端恶劣的条件下出现击穿短路的现象。因为这种电容 要跟安全地相连，而设备的机壳也要跟安全地相连，所以这种电容的耐压性能对保护人 生安全有至关重要的作用，一旦设备或装置的绝缘失效，可能危及到人的生命安全。因 此 CY 电容要进行 1500－1700V 交流耐压测试 1 分钟。 各国家的泄漏电流规定如下：
4) 差模电感 共模电感 Lc 的漏感 Lg 也可抑制差模噪声， 有时为了简化滤波器， 也可以省去 LD。 经验表明， 漏感 Lg 量值多为 Lc 量值的 0.5％～2％。Lg 可实测获得。此时，相应地 Cx1、Ccx2 值要更大 6、 器件取值的范围：
CX=0.1μF～2μF；CY=2.0nF～33nF；LC=几～几十 mH
7、 注意事项： a 为了滤波器的安全可靠工作(散热和滤波效果) , 除滤波器一定要安装在设备的机架 或机壳上外, 滤波器的接地点应和设备机壳的接地点取得一致, 并尽量缩短滤波器的接地 线。 若接地点不在一处, 那么滤波器的泄漏电流和噪声电流在流经两接地点的途径时, 会将 噪声引入设备内的其他部分。 其次, 滤波器的接地线会引入感抗, 它能导致滤波器高频衰减 特性的变坏。 所以, 金属外壳的滤波器要直接和设备机壳连接。 如外壳喷过漆, 则必须刮去 漆皮； 若金属外壳的滤波器不能直接接地或使用塑封外壳滤波器时, 它与设备机壳的接地 线应可能短。 b 滤波器要安装在设备电源线输入端 , 连线要尽量短; 设备内部电源要安装在滤波器
EMI滤波器电路原理及设计
EMI滤波器电路原理及设计EMI滤波器（Electromagnetic Interference Filter）是一种用于抑制电磁干扰的电路。
电磁干扰是指电子设备之间相互干扰产生的电磁辐射或者干扰信号，会对设备的正常操作和性能产生负面影响。
EMI滤波器通过选择性地传递或者屏蔽指定频率范围内的信号，从而实现对电磁干扰的抑制。
一般来说，低通滤波器是指可以通过低于其中一特定频率的信号，而对高于该特定频率的信号进行滤波的电路。
低通滤波器常用于消除高频电磁干扰。
一个常见的低通滤波器电路是RC滤波器，由电容器和电阻器组成。
电容器对于高频信号具有很大的阻抗，从而将高频信号绕过电路，实现滤波作用。
选择合适的电容和电阻大小可以实现对于特定频率的信号滤波。
相比之下，高通滤波器是指可以通过高于其中一特定频率的信号，而对低于该特定频率的信号进行滤波的电路。
高通滤波器常用于消除低频电磁干扰。
一个常见的高通滤波器电路是RL滤波器，由电感器和电阻器组成。
电感器对于低频信号具有很大的阻抗，从而将低频信号绕过电路，实现滤波作用。
选择合适的电感和电阻大小可以实现对于特定频率的信号滤波。
除了RC和RL滤波器，还有其他各种类型的EMI滤波器电路，比如LC滤波器、二阶滤波器、传输线滤波器等，可以根据具体应用的需求进行选择和设计。
在EMI滤波器电路的设计中，首先需要确定需要滤波的频率范围，然后根据频率范围选择合适的滤波器类型。
其次，需要根据滤波器的阻抗特性和传输线的特性来选择适当的元件值。
还需要注意电路的功率和电流容量，以确保电路能够在正常工作范围内工作。
在实际应用中，EMI滤波器电路通常需要与其他电路结合使用，比如与电源、传输线路、信号线路等进行连接。
因此，需要特别注意电路的布局和接线，以减少电磁干扰的传播路径。
总之，EMI滤波器电路是一种用于抑制电磁干扰的重要电路，通过选择性地传递或者屏蔽指定频率范围内的信号，实现对电磁干扰的抑制。
在设计EMI滤波器电路时，需要根据具体应用需求选择合适的滤波器类型，并根据电路的阻抗特性和传输线的特性选择适当的元件值。
电源地两级EMI电路图
电源的两级EMI电路
电源的两级EMI电路都设计在主PCB上，一级EMI设计在较靠近电源输入口的地方，电源输入端有电磁抑制磁环，可以有效减少电磁干扰。
一颗共模滤波电容与多颗差模滤波电容组成一级EMI电路，而二级EMI电路由两颗共模滤波电容与两颗共模滤波扼流电感，完整的EMI电路设计可以最大程度滤除电网的干扰信号
ＡＣ电网火线和零线之间是低阻抗，所以与之对应的滤波器输入端也应是高阻抗串联大电感ＬＤＭ。
如果想再进一步抑制差模噪声，可以在滤波器输入端并接线间电容ＣＸ１，条
件是它的阻抗要比ＡＣ电网火线、零线之间的阻抗还要低得多。
：Cx=0.1—2.0uF。
CY=2.0nF—33nF。
Lc=几—几十mH，随工作电流不同而取不同的参数值，如电流为25A时Lc=1.8mH。
电流为0.3A时，Lc=47mH。
另外在滤波元件选择中，一定要保证输入滤波器的谐振频率低于开1-8关电源的工作频率。
由于开关电源的开关频率谐波噪声源阻抗为低阻抗，所以与之相对应的滤波器输出端应是高阻抗串联大电感ＬＤＭ。
EMI滤波器电路原理及设计
EMI滤波器电路原理及设计引言开关电源以其体积小、重量轻、效率高等长处被广泛应用于电力电子设备系统中，但是开关电源易受到电磁干扰，产生误动作，且自身旳高频信号也会引起大量旳噪声，会污染电网环境，干扰同一电网其她电子设备旳正常工作。
这样就对EMC提出了更高旳规定指标。
分类：开关电源中旳电磁干扰（EMI）重要有传导干扰和辐射干扰。
通过对旳旳屏蔽和接地系统设计可以得到有效旳控制，对于传导干扰来说，加装EMI滤波器，是一种比较经济有效旳措施，辐射干扰旳克制可以通过加装变压器屏蔽铜片。
EMI滤波器简介开关电源与交流电网相连，尽管开关电源是一种单端口网络，但具有相线（L），零线（N），地线（E）旳开关电源事实上形成了两个AC端口，因此噪声源在实际分析中可以将其分解为共模和差模噪声源。
火线（L）与零线（N）之间旳干扰叫做差模干扰（属于对称性干扰），火线（L）与地线（E）之间旳干扰叫做共模干扰（非对称性干扰）。
在一般状况下，差模干扰幅度小、频率低、所导致旳干扰较小；共模干扰幅度大、频率高，还可以通过导线产生辐射，所导致旳干扰较大。
开关电源旳EMI干扰源集中体目前功率开关管、整流二极管、高频变压器等，外部环境对开关电源旳干扰重要来自电网旳抖动、雷击、外界辐射等。
1.开关电源旳EMI干扰源开关电源旳EMI干扰源集中体目前功率开关管、整流二极管、高频变压器等，外部环境对开关电源旳干扰重要来自电网旳抖动、雷击、外界辐射等。
（1）功率开关管功率开关管工作在On-O ff迅速循环转换旳状态，dv/dt和di/dt都在急剧变换，因此，功率开关管既是电场耦合旳重要干扰源，也是磁场耦合旳重要干扰源。
（2）高频变压器高频变压器旳EMI来源集中体目前漏感相应旳di/dt迅速循环变换，因此高频变压器是磁场耦合旳重要干扰源。
（3）整流二极管整流二极管旳EMI来源集中体目前反向恢复特性上，反向恢复电流旳断续点会在电感（引线电感、杂散电感等）产生高 dv/dt，从而导致强电磁干扰。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
主要内容
一、开关电源EMI基本概念 二、EMI滤波器理想参数的设计 三、EMI滤波器元件分布参数提取 四、滤波器元件近场耦合效应分析
2
高频磁性元件的全面设计考虑
结构设计
电气设计
N 2 Ae
le
杂散参数
损耗设计
温升设计
P T ( ) 0.833 S
EMI设计
L
空间可行性
电气可行性
2、由于测试时加入一个2uF电容， 将测试的原始噪声转化成实际原始 噪声为：
4、根据所需差模噪声插入损耗的特 性选择设计一阶或二阶的EMI滤波器。
15
设计滤波器参数（一阶）
1) 一阶差模EMI滤波器的插入损耗 传递函数及其幅频特性：
200
L 50Ω vac Cy1
Lcm Cy2
Cx1 50Ω Cy1
N N
电压法：双LISN法，差共摸分离器 80dB
差模噪声
共模噪声
7
确定所需的插入损耗
原始差模噪声
105 100
DM limitpk
80
60
40 20 20 5 110 150 10 3 1106 1107 1108 100 10 6 80 60 80
滤波器所需的差模插入损耗
f1 f2
3 3 cdm
7) 一阶差模滤波器设计结果如下： Ldm=94.4uH， Cx1=2uF， Cx2=2uF。 8) 用共模电感的漏感来作差模电感。
94.4H
6) 验证Ldm=94.4uH, Cx1=2uF, Cx2=2uF 时差模插入损耗能否满足要求：
300
-60dB/Dec
200 100
设计的IL 所需要的IL
f cdm 1 2 3 Ldm C x1 C x 2 Rdm
100
0
100 200
fcdm
100 1 ´103 1 ´104 1 ´105 1 ´106 1 ´107 1 ´108
ff
-60dB/Dec
ILdm 3 ( s ) Ldm C x1 C x 2 Rdm s 3
电应力
效率/功率密度
温升规范
EMI规范
3
二、EMI滤波器理想参数设计
4
滤波器插入损耗IL的定义
在滤波器的设计中，通常用插入损耗来反映使用该滤波 器和未使用前信号功率的损失和衰减程度。插入损耗越大， 表示衰减越多，滤波器的效果越好。
50
+
50 v
50
+
50 滤波器 v
v1
-
v2数学模型：
Ldm1 Rdm C x1 C x 2 C x 3 Ldm 2 Rdm C x 3 C x1 C x 2 s 3 ( Ldm1 C x 2
Ldm 2 C x 3 Ldm1 C x 3 ) s 2 Rdm (C x1 C x 2 C x 3 ) s 1 ILdm ( s) Ldm1 Ldm 2 C x1 C x 2 C x 3 Rdm s 5 Ldm1 Ldm 2 C x 2 C x 3 s 4
IL 20 log(
v1 ) v2
5
滤波器基本设计步骤
测量 原始 噪声 差、共 模噪声 分离
确定所 需的插 入损耗
确定滤 波器拓 扑 阻抗 失配 原则
设计滤 波器参 数
考虑滤波 器元件分 布参数
考虑滤波 器元件近 场耦合
6
EMI原始噪声的测量
将样机的EMI滤波器拆除，测量原始噪声。但要注意由于原始总噪声较高，可 能超过量程范围。 电流探头 L L 电流法
( fre ) pk ( fre )
100
50
1 10 5
1 10 6
1 10 7
1 10 8
fre
3、将实际原始差模噪声与EN55022 Class B的标准线相比，再加入6dB的 裕量，可以得到所需的插入损耗曲线：
100 100
测量原始噪声(带2uF电容)
IL .dm ( fre )
14
选择设计滤波器电路
150
根据所提供的样机进行EMI滤波器电气 参数的设计，设计流程如下： 1、由于样机的总噪声主要来自于差模 噪声，且样机没有地线，所以针对差 模噪声设计EMI滤波器。由于测试条件 限制，并联一个2uF电容进行测试，样 机原始差模噪声为：
105 100
原始噪声
DM2 limit
7
1 ´ 10
8
Vdmreq 90dB
4) 二阶差模EMI滤波器的转折频率 fcdm为：
Vdmreq 100
2) 差模噪声的最小频率点 fTdm 为： （150kHz以后）
400
ff
-100dB/Dec 150kHz fcdm
所需要的IL
300
f cdm 10
fTdm 18.9kHz
4) 一阶差模EMI滤波器的转折频率 fcdm为：
Vdmreq 60
-60dB/Dec 150kHz fcdm
所需要的IL(或) 所需要的IL
200
f cdm 10
fTdm 4.74kHz
100
0
5) 由fcdm选取Cx1, Cx2及 Ldm :
100 1 ´10
3
100 200
DM
CM
DM
18
滤波器参数设计（二阶）
1) 二阶差模EMI滤波器的插入损耗 传递函数及其幅频特性：
300 200
-100dB/Dec
100
0
100
3) 差模噪声的最小频率点（150kHz以 后）处的插入损耗为：
1 ´ 10
4
200 3 1 ´ 10
1 ´ 10
5
1 ´ 10
6
1 ´ 10
11
一阶差模插入损耗数学模型简化
根据一阶差模插入损耗的数学模型可以化简出下图：
ILdm ( s ) Ldm C x1 C x 2 Rdm s 3 Ldm C x 2 s 2 Rdm (C x1 C x 2 ) s 1
300
200
一阶差模滤波器转折频 率fcdm的表达式为：
Ldm 2 Cx 3 Ldm1 Cx 3 ) s 2 Rdm (Cx1 Cx 2 Cx 3 ) s 1
400
二阶差模滤波器转折频率fcdm 的表达式为：
f cdm 1 2 5 Ldm1 Ldm 2 C x1 C x 2 C x 3 Rdm
L + Ldm
一级EMI滤波器差模插入损耗数学模型：
L&N + vdm 100Ω idm
vdm2 100Ω N -
Cx1
Cx2
idm
ILdm ( s)
vcm1 ( s) Ldm C x1 C x 2 Rdm s 3 Ldm C x 2 s 2 Rdm (C x1 C x 2 ) s 1 vcm 2 ( s )
ILdm DM ori Limit pk 6dB
IL.dm ( fre) limit.pk ( fre)
40
20
0
20
20 5 110
10 5
1106
1107
1108 10 8
fre
8
滤波器拓扑失配原则
LISN
Filter
Supply
Lpfc
100/25
S
D
Vds 高阻 低阻 低阻 高阻
VdmIL 92.3dB 90dB @ f 150kHz
7) 二阶差模滤波器设计结果如下： Ldm1=Ldm2=10.3uH; Cx1=1uF； Cx2=2uF； Cx3=2uF；
0
100 200
100
1 ´10
3
1 ´10
4
1 ´10
5
1 ´10
6
1 ´10
7
1 ´10
8
ff
VdmIL 90.149dB @ f 150kHz
17
共模滤波电感的差模分量
iDM iCM iCM iDM LCM LCM LDM
CM: High-, Low saturation DM: Low-, High saturation iDM iDM iCM iCM
+
L
100/25
+
高阻 低阻 高阻 低阻
9
确定滤波器拓扑(一阶)
一阶EMI滤波器结构：
L
Ldm
100Ω N
Cx1
Cx2
差模 干扰源
等效共模滤波器结构
等效差模滤波器结构
10
一阶滤波器插入损耗模型
一级EMI滤波器共模插入损耗数学模型：
ILcm ( s )
vcm1 ( s ) Lcm 2C y 2 2C y1 Rcm s 3 Lcm 2C y 2 s 2 Rcm (2C y1 2C y 2 ) s 1 vcm 2 ( s )
13
二阶差模插入损耗数学模型化简
根据二阶差模插入损耗的数学模型可以化出下图：
3 ILdm ( s ) Ldm1 Ldm 2 Cx1 Cx 2 Cx 3 Rdm s 5 Ldm1 Ldm 2 Cx 2 Cx 3 s 4 Ldm1 Rdm Cx1 Cx 2 Cx 3 Ldm 2 Rdm Cx 3 Cx1 Cx 2 s ( Ldm1 Cx 2
干扰源
Cx2 Cy2