屏蔽效能分析

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屏蔽效能实验的实验原理

屏蔽效能实验的实验原理

屏蔽效能实验的实验原理屏蔽效能实验是一种广泛用于研究电磁波屏蔽性能的实验方法。

其基本原理是将待测试的电子设备(被称为“发射端”)和试验用的电磁波接收系统(被称为“接收端”)分别放置于屏蔽室内,然后分别测量发射端和接收端的电磁波信号强度,在不同的频率下进行比较,以此评估屏蔽效能。

本文将介绍屏蔽效能实验的详细步骤和注意事项,以及如何解释实验结果。

一、实验步骤1、选择实验设备:首先需要选择待测试的电子设备和电磁波接收系统。

建议在实验开始前对设备进行充分的调试和漏洞修复,确保实验的稳定性和准确性。

2、设置实验条件:将待测试的电子设备放置于一个特制的屏蔽机箱内,保证在测量期间完全隔离环境中的干扰源。

同时将电磁波接收系统放置于另一个屏蔽机箱内,以确保只有要测试的信号能够被接收到。

3、准备实验设备:在测试前需要将所有的设备进行标定和测试,并确保发射端和接收端的信号源频率相同。

4、开始测量:开始测试前,需要确定测试频率、测试距离以及输入功率等参数。

在测量过程中,需要记录下发射端和接收端的信号强度,并计算出屏蔽效率。

5、分析实验结果:根据实验数据,可以绘制出屏蔽效率与频率的关系曲线。

通过分析曲线可以了解到电磁波在测试条件下的传输特性和屏蔽效能的优劣。

二、注意事项1、实验室环境:要求实验室内干燥、温度稳定,避免杂波和电磁干扰因素的干扰。

2、测试距离:测试距离与测试结果的准确性直接相关,太近会忽略屏蔽效应,而太远则会有其他因素影响结果。

3、添加加噪声:如果需要更准确的测试结果,则可以添加一定程度的加噪声来模拟现实环境中的实际情况,提高实验结果的可信度。

三、结果分析1、屏蔽效率:最终结果以屏蔽效率值作为评价指标,屏蔽效率值越高,表示该屏蔽室的屏蔽效能越好。

2、频率谱分析:通过频率谱分析可以了解到不同频段屏蔽效能的表现,对于研究电磁波屏蔽特性具有指导意义。

结论:在实际生产中,电子设备的屏蔽性能是非常重要的。

屏蔽效能实验是评估电子设备屏蔽效能的标准方法。

屏蔽效能分析

屏蔽效能分析
8
一般,在1~100MHz内,金属屏蔽网SE=60~100dB, 玻璃夹层金属屏蔽网SE=50~90dB。 用金属丝网作窥视窗时其透明度较差。
5.薄膜及导电玻璃的影响 在玻璃或有机介质薄膜上真空蒸发或喷涂一层导电 薄膜作为电磁屏蔽体,可用来代替玻璃夹层的金属丝 网结构。 透光性好,对电磁场中电场分量的屏蔽有效,而对 磁场分量的屏蔽则比较微弱。
由表2-1可以看出: ① 当 f ≥1 MHz时, 用0.5 mm厚的任何一种金属板
制成的屏蔽体, 能将场强减弱为原场强的1/100左右。
因此, 在选择材料与厚度时, 应着重考虑材料的机械 强度、 刚度、 工艺性及防潮、 防腐等因素。 ② 当 f ≥10 MHz时, 用0.1 mm厚的铜皮制成的屏 蔽体能将场强减弱为原场强的1/100 甚至更低。 因此,
屏蔽板面积
内直径
内长边
f c 1.7510 / d l 屏蔽效能 SE 32 d
截止频率
8
f c 1.5 10 / b l SE 27 .3 b
8
4.金属丝网的影响 应用于需要自然通风或向内窥视的屏蔽体。
截止频率
屏蔽效能
网眼宽度 f c 1.5 10 / b 8 1.5 10 ( f f c 时) SE 20lg bf SE 0 ( f f c 时)
3.电磁波的多次反射损耗 电磁波穿出屏蔽体 时,在穿出面发生 反射,该反射波返 回进入面时再次被 反射,如此反复, 直到其能量被吸收 至可以忽略为止。
2t / δ B 20 lg( 1 e ) 多次反射损耗

屏蔽体不完整对屏蔽效果的影响
屏蔽体上总会有门、盖、仪表、开关等各种孔缝隙,以及连线
1.电磁波的反射损耗 电磁波传播到不同介质分界面发生反射与透射

材料屏蔽效能的测量方法

材料屏蔽效能的测量方法

材料屏蔽效能的测量方法材料的屏蔽效能是指材料对外部电磁波或辐射的吸收和阻挡能力。

测量材料的屏蔽效能可以帮助人们了解和评估不同材料在防护电磁波和辐射方面的能力。

下面将介绍几种常用的材料屏蔽效能测量方法。

1.透射法测量透射法是一种常见的测量材料屏蔽效能的方法。

该方法通过分别测量原始电磁波或辐射源的电磁波强度和透过材料后的电磁波强度,计算出材料的透射系数,从而评估材料的屏蔽效能。

透射法的测量步骤一般包括:确定透射样品的尺寸和准备样品;将电磁波或辐射源放置在样品的一侧,测量源侧和接收侧的电磁波或辐射强度,计算透射系数。

2.散射法测量散射法是一种基于材料散射电磁波的测量方法。

该方法通过测量散射波的方向、强度和能谱,来评估材料的屏蔽效能。

散射法的测量步骤一般包括:将电磁波或辐射源照射到待测材料上,测量材料表面和散射波方向上的电磁波或辐射强度,计算材料的散射系数和散射横截面。

3.反射法测量反射法是一种通过测量待测材料对电磁波或辐射的反射来评估材料屏蔽效能的方法。

该方法一般包括:将电磁波或辐射源照射到材料上,测量材料的反射波方向、强度和能谱,并计算材料的反射系数和反射横截面。

4.射频测试方法射频测试方法主要用于测量材料对射频电磁波的屏蔽效能。

该方法通过将待测材料置于封闭的射频测试室内,测量材料表面和室内的电磁场强度和频谱,进而计算材料的屏蔽效能。

在射频测试中,常用的测量设备包括功率计、频谱分析仪等。

5.辐射损耗测试方法辐射损耗测试方法主要用于测量材料对高能辐射的屏蔽效能。

该方法通过将待测材料置于辐射源附近,测量源侧和样品侧的辐射能量,计算材料的辐射损耗。

总的来说,材料屏蔽效能的测量方法多种多样,具体选择哪种方法要根据待测材料的特性和需要测量的参数来决定。

以上介绍的测量方法只是其中的一部分,随着科技的不断发展,可能还会出现更加先进和精确的测量方法。

屏蔽效能分类

屏蔽效能分类

屏蔽效能分类
按屏蔽效能分类的话可以分为以下三种屏蔽:
1:静电屏蔽
静电屏蔽防止静电耦合干扰,是指对静电场的屏蔽,即利用低电阻率导体材料做成容器,把电力线限制在容器内部,也可以使外部电力线进不到容器内部。

在静电屏蔽时,屏蔽导体必须接地,屏蔽体和接地线都是具有良好导电性能的金属材料。

2:电磁屏蔽
电磁屏蔽防止高平电磁波干扰,用于抑制噪声源和敏感设备距离较远时通过电磁场耦合产生的干扰。

电磁屏蔽必须同时屏蔽电场和磁场,通常采用低电阻率的导体材料。

空间电磁波在射入到金属体表面时会产生反射损耗和吸收损耗,使电磁能量被大大衰减,从而达到屏蔽的目的。

在电磁屏蔽时,屏蔽体本身可以不接地,但为了避免发生静电耦合,所以电磁屏蔽导体一般也做接地处理。

3:磁屏蔽
磁屏蔽是防止低频的磁场感应,屏蔽较困难,通常采用高导磁率和低电阻率的金属材料构成具有一定厚度的壳体,以便将磁力线限制在磁阻小的屏蔽体内部,防止磁场的扩散,这就是磁屏蔽的基本原理。

与电磁屏蔽类似,在磁屏蔽时,屏蔽体是否接地不影响屏蔽效能,实际结构为了防止静
电感应,屏蔽体一般都接机壳(安全接地)。

各种材料屏蔽效能

各种材料屏蔽效能

各种材料屏蔽效能1.引言1.1 概述屏蔽效能是指材料对电磁波的遮蔽能力,即能够减少或阻挡电磁波的传播和干扰。

在当今现代化社会中,电磁波的产生和使用非常广泛,如电子设备、通信设备以及无线电波等。

然而,电磁波的频率和能量高,对人体健康和电子设备的正常运行都会造成一定的影响。

因此,为了保护人体健康和电子设备的正常工作,研究和应用各种材料来提高屏蔽效能是至关重要的。

不同材料的屏蔽效能各有特点,可以根据需求选择不同材料来实现最佳的屏蔽效果。

本文将重点研究和比较材料A、材料B和材料C的屏蔽效能,并探讨它们的应用领域。

通过对各种材料屏蔽效能的研究和应用,可以有效减少电磁波的传播和干扰,从而保护人体健康和电子设备的正常工作。

同时,本文还将对不同材料的屏蔽效能进行比较,分析它们的优缺点和适用范围,为读者提供选择合适材料的依据。

总之,本文将通过对各种材料屏蔽效能的研究和应用,探索不同材料在电磁波屏蔽方面的表现,为读者提供了解屏蔽效能的重要性和选择合适材料的参考。

在日益电子化的社会中,屏蔽效能的研究和应用具有重要意义,将为人们的生活和工作提供更好的保障。

1.2文章结构文章结构部分的内容可以如下编写:1.2 文章结构本文将主要分为引言、正文和结论三个部分。

引言部分将提供对整篇文章的概述,介绍屏蔽效能的重要性,以及探讨各种材料的屏蔽效能的目的。

正文部分将分为三个主要部分,分别是材料A的屏蔽效能、材料B的屏蔽效能和材料C的屏蔽效能。

每个部分将分别介绍该材料的屏蔽能力,并列举关键要点进行详细阐述。

例如,在材料A部分,我们将探讨材料A 的屏蔽效能如何受到不同因素的影响,以及它在电磁波屏蔽、辐射防护等方面的应用。

在结论部分,我们将对全文进行总结,回顾各种材料的屏蔽效能并进行比较分析,进一步探讨各种材料的屏蔽效能在实际应用中的价值和潜力。

通过这样的文章结构安排,读者能够清楚地了解到各种材料的屏蔽效能的详细情况,并能对它们的特点和优劣进行全面的了解。

屏蔽效能分析范文

屏蔽效能分析范文

屏蔽效能分析范文屏蔽效能分析是指通过对屏蔽效能进行评估和分析,以确定屏蔽的有效性和可行性。

在电子电磁环境中,各种电子设备与系统之间经常需要进行屏蔽,以防止干扰和干扰的产生和传播。

因此,屏蔽效能的分析对于确保电子设备和系统的正常工作非常重要。

本文将介绍屏蔽效能分析的基本原理、方法和步骤,并举例说明如何进行屏蔽效能分析。

首先,屏蔽效能分析的基本原理是通过测量和分析电子设备或系统在屏蔽条件下的性能指标来评估屏蔽的有效性。

这些性能指标包括传输损耗、反射损耗、屏蔽效能和电磁辐射等。

通过比较屏蔽前后这些性能指标的变化,可以评估屏蔽的效果和可行性。

其次,屏蔽效能分析的方法包括实验测量和数值模拟两种。

实验测量是通过使用测试设备和测量仪器对电子设备或系统进行实际的测量和测试。

这些测试包括传输损耗的测量、反射损耗的测量、电磁干扰的测量等。

数值模拟是通过使用计算机软件对电磁场的传播和分布进行模拟和计算。

这些模拟可以用于评估不同屏蔽结构和材料的屏蔽效能。

最后,屏蔽效能分析的步骤包括问题定义、测试计划设计、实验测量或数值模拟、数据分析和结果评估等。

在问题定义阶段,需要明确要解决的问题和评估的指标。

在测试计划设计阶段,需要确定测试方案和测试参数。

在实际的实验测量或数值模拟中,需要按照测试计划进行测量和模拟。

在数据分析阶段,需要对实验数据和模拟结果进行处理和分析。

在结果评估阶段,需要根据分析结果评估屏蔽的有效性和可行性。

举例来说,假设需要评估其中一种新型屏蔽材料的屏蔽效能。

首先,在问题定义阶段,需要明确评估的指标,如传输损耗、反射损耗等。

其次,在测试计划设计阶段,需要确定测试方案和测试参数,如测试频率、测试样品的尺寸和形状等。

然后,进行实验测量或数值模拟,得到测试数据或模拟结果。

最后,在数据分析和结果评估阶段,根据测试数据或模拟结果进行数据处理和分析,评估新型屏蔽材料的屏蔽效能。

总之,屏蔽效能分析是对电子设备和系统的屏蔽效能进行评估和分析的过程,通过实验测量和数值模拟等方法,评估屏蔽的有效性和可行性。

屏蔽效能标准 军用

屏蔽效能标准 军用

屏蔽效能标准军用
军用屏蔽效能标准是评估军事装备抗干扰性能的重要指标,对于保障军事通信、雷达、导航等系统的正常运行具有重要意义。

本文将从屏蔽效能标准的定义、评估方法以及影响因素等方面展开讨论,以期为相关领域的研究和实践提供参考。

首先,屏蔽效能标准是指军事装备在电磁环境下抗干扰的能力。

其评估方法主
要包括实验测试和仿真计算两种途径。

实验测试是通过设备和仪器对装备进行电磁辐射、传导干扰等测试,从而得出其抗干扰能力的数据。

而仿真计算则是利用电磁场理论和数值计算方法,对装备的电磁环境和干扰源进行模拟,从而评估其抗干扰性能。

这两种方法相辅相成,可以全面、准确地评估装备的屏蔽效能标准。

其次,影响屏蔽效能标准的因素主要包括装备本身的结构设计、材料特性以及
电磁环境的复杂程度等。

在装备设计方面,合理的结构布局和电磁兼容设计可以有效提高装备的屏蔽效能。

同时,选用具有良好电磁屏蔽性能的材料也是提高屏蔽效能的关键。

此外,电磁环境的复杂程度也会对屏蔽效能标准产生重要影响,不同的电磁环境需要采取不同的屏蔽措施,以确保装备的正常运行。

总的来说,军用屏蔽效能标准是军事装备抗干扰能力的重要指标,其评估方法
包括实验测试和仿真计算两种途径,影响因素主要包括装备设计、材料特性和电磁环境的复杂程度。

为了提高装备的屏蔽效能标准,需要在装备设计和材料选用上下功夫,同时对不同的电磁环境采取相应的屏蔽措施。

只有如此,才能确保军事装备在复杂的电磁环境下具有良好的抗干扰能力,从而保障军事通信、雷达、导航等系统的正常运行。

高压直流换流站阀厅结构屏蔽效能分析

高压直流换流站阀厅结构屏蔽效能分析

抗器 直流 高压 级导 线等 金属 结构 分别 穿过 阀厅墙 壁 与 阀厅 内系统
连接 , 为确 保 穿墙套 管结 构不造 成 阀厅 内部 的辐 射 电磁场 外泄 , 需
要在 穿墙 套管 处添加 封堵 材料 [ 。 外 当阀厅 门结构 开启 时造成 2 另 ]
阀厅 整体 导 电不连续 性也 必将 影 响阀 厅整体 的屏 蔽 效能 。本 文通 过对 高压直 流换 流站 阀厅 建立模 型 , 尤其 考虑 穿 墙套 管、 门处 屏蔽 结构 , 计算 阀厅 的屏 蔽效 能。 通过 分析 换流 站 阀厅 的屏蔽 效能 将对 换流 站的设 计及 建设 提供 一 定参考价 值 。
S= .1g E 14 0l x4+ 1

S =2 1 卜 1 。 ‘ EM 0g( 0。 )
厂 h为 多的 国家 。 另外 , 0 k 以及 ±l 0 k 等一批 超 高压直 流 输 电 ±80 V 0V 0 式 中 为 电磁 波 频 率 ; 屏蔽 材 料厚 度 ; 为屏 蔽材 料 的相 对磁 导 率 ; 为 屏蔽 材料 的相 对 电导率 ; 为场 源 到屏 蔽材料 的 距离 。 r 工程 也 已经 列入 国家 电 网发展 规划 。 高压 直流 换流 阀 整流过 程 , 伴 随 阀体快速 通 断 , 会 从而 产 生 电
12 屏 蔽 效 能 原 理 .
由此可 知 , 孔缝 对屏 蔽层 屏 蔽效 能影 响与孔 缝形 状 、 入射波 频
屏 屏 蔽 效能是 用来 度量 屏蔽 体 的有效 性 ,屏 蔽 效 能是 没有 屏蔽 率 、 蔽层 结构 等 因素有 关 。
时 空 间某个 位置 的场 强 , 0与有 屏 蔽 时 该位 置 的 场 强 ( ) 2 换 流站 阀厅 模 型及模 型计 算 日) E, 的 比值 , 以 d 为单位 。 并 B 如果 屏蔽 效能计 算 中使 用 的是 电场 , 贝 称 为电场 屏蔽效 能 。如果计算 中用 的是磁 场 , 则称 为磁场 屏蔽效 能 。
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A
13
表2-2列出了常用金属材料对铜的相对电导率和相对磁导 率。 根据要求的吸收衰减量可求出屏蔽体的厚度, 由式
t
A20lge
8.69t

l
A
0.131 f rr
表2-2
A
14
3.电磁波的多次反射损耗
电磁波穿出屏蔽体时, 在穿出面发生反射, 该反射波返回进入面 时再次被反射,如此 反复,直到其能量被 吸收至可以忽略为止。
双层编织屏蔽则可达80~90dB。
A
20
谢谢!
A
21
截止频率 屏蔽效能
fc 1.5108/b SE20lg1.5108
bf
网眼宽度
(f fc时)
SE0 (f fc时)
一般,在1~100MHz内,金属屏蔽网SE=60~100dB,
玻璃夹层金属屏蔽网SE=50~90dB。
用金属丝网作窥视窗时其透明度较差。
A
19
5.薄膜及导电玻璃的影响
在玻璃或有机介质薄膜上真空蒸发或喷涂一层导电 薄膜作为电磁屏蔽体,可用来代替玻璃夹层的金属丝 网结构。
多次反射损耗 B2l0g1 (e2t/δ)
A
15
三 屏蔽体不完整对屏蔽效果的影响
屏蔽体上总会有门、盖、仪表、开关等各种孔缝隙,以及连线 穿透,这些都不同程度地破坏了屏蔽的完整性。
A
16
影响因素:开孔的最大线性尺寸(并非面积)、波 阻抗、电磁波的频率等。
1.缝隙的影响
当趋肤深度δ>0.3g时
Hg H0et/g
Z1=
2r
(120 )
③ 在高阻抗电场源的近场( r )

Z1=
Hale Waihona Puke (120) 2r2r 1
A
9
2.电磁波的吸收损耗
电磁波到达屏蔽体的穿出面时
电场强度 EE0et/
磁场强度 HH0et/
1
2-4-2
f
屏蔽体的吸收损耗
t
A20lge
8.69t
f 越大,吸收 损耗越?
从上式可以看出, 在频率f 较高时, 吸收损耗是相当 大的,表2-1 给出几种常用金属材料在吸收损耗分别 为A=8.68 dB、20 dB、40 dB时所需的屏蔽平板厚度t。
• 屏蔽效能分析
A
1
目录
A
2

屏蔽有两个目的: 一是限制屏蔽体内部的电磁骚扰越出 某一区域; 二是防止外来的电磁干扰(骚扰)进入屏蔽体内的 某一区域。 屏蔽体一般有实芯型、 非实芯型(例如, 金属 网)和金属编织带等几种类型, 后者主要用作电缆的屏蔽。 各种屏蔽体的屏蔽效果均用该屏蔽体的屏蔽效能来表示。
板上开设圆形、方形或矩形的孔洞。
孔面积
圆孔或方孔的泄漏磁场强度
Hp 4(SA)3/2H0
3.波导结构孔洞的影响
屏蔽板面积
截止频率 屏蔽效能
内直径
内长边
fc 1.7510 8/d fc 1.5108/b
l
SE 32
d
A
SE 27.3 l b
18
4.金属丝网的影响
应用于需要自然通风或向内窥视的屏蔽体。
屏蔽后的场强Es , Hs
对于屏蔽作用的评价可以用屏蔽效能来表示:
对电场
SEE 20lgEE0s((有 无屏 屏蔽 蔽 ))
SE越大,屏 蔽效果越?
对磁场
SEH 20lgH H0s((有 无屏 屏))蔽 蔽
屏蔽效能SE越大,表示A 屏蔽效果越好。
4
另外, 还可以用传输系数(或透射系数)TE表示屏蔽效果, TE是指存在屏蔽体时某处的电场强度ES与不存在屏蔽体时同 一处的电场强度E0之比; 或者是指存在屏蔽体时某处的磁场 强度HS与不存在屏蔽体时同一处的磁场强度H0之比, 即:
屏蔽效能表现了屏蔽体对电磁波的衰减程度。 由于屏蔽 体通常能将电磁波的强度衰减到原来的百分之一至万分之 一, 因此通常用分贝(dB)来表述。 一般的屏蔽体的屏蔽效 能可达40 dB, 军用设备的屏蔽体的屏蔽效能可达60 dB, TEMPEST设备的屏蔽体的屏蔽效能可达80 dB以上。
A
3
屏蔽前的场强E0 , H0
T= ES E0
或 T= H S H0
传输系数(或透射系数)与屏蔽效能互为倒数关系, 即
SEE
20
lg
1 TE
SEH
20
lg
1 TH
A
5
二 完整屏蔽体的屏蔽效能
完整屏蔽体是指一个完全封闭的屏蔽结构,电磁场只有穿过 屏蔽体壁才能出入该封闭结构。
入射波
A R
SE = R + A+B
场强
R
B
吸收损耗A
B
A
10
表2-1 几种金属的电导率σ、 磁导率μ及所需屏蔽厚度t
A
11
A
12
由表2-1可以看出: ① 当 f ≥1 MHz时, 用0.5 mm厚的任何一种金属板 制成的屏蔽体, 能将场强减弱为原场强的1/100左右。 因此, 在选择材料与厚度时, 应着重考虑材料的机械强 度、 刚度、 工艺性及防潮、 防腐等因素。 ② 当 f ≥10 MHz时, 用0.1 mm厚的铜皮制成的屏蔽 体能将场强减弱为原场强的1/100 甚至更低。 因此, 这 时的屏蔽体可用表面贴有铜箔的绝缘材料制成。 · ③ 当f ≥100 MHz时, 可在塑料壳体上镀或喷以铜层 或银层制成屏蔽体。
SE g20 lgH Hg 0 2.727g t (dB )
实际的缝隙泄漏不仅与
缝宽、板厚有关,而且 为减少泄 与其直线尺寸、缝隙数 露,缝隙
量、频率等都有关。
应?
应当尽量减少屏蔽体上缝隙的存在,并且缝隙的长
度尽量控制在电磁波波长的1/20以下。
A
17
2.开孔的影响
为安装开关、按钮、电位器等,往往需要在屏蔽面
距离
A
6
1.电磁波的反射损耗 电磁波传播到不同介质分界面发生反射与透射
Z:特性阻抗
A
7
电磁波穿过屏蔽体时的反射与透射:
一般Zl>>Z2
反射损耗 R 20lg | Z1 |
A
4| Z2 |
Z1为干扰场的 特性阻抗, 即 自由空间波
阻抗
8
① 在远场( r 2π
Z1=120π=377(Ω)
② 在低阻抗磁场源的近场( r ) 2π
透光性好,对电磁场中电场分量的屏蔽有效,而对 磁场分量的屏蔽则比较微弱。
6.屏蔽电缆的影响
屏蔽线和屏蔽电缆是电子设备中用于连接两个屏蔽 体时最常用的导线。为保证柔软、易于弯曲,其外层 屏蔽体常用多股金属丝编织而成。
屏蔽效能与编织屏蔽体的材料、密度等直接相关,
一般单层编织屏蔽的屏蔽效能大约在50~60dB之间,
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