主流内存条调研及BIOS中设置内存参数-PPT文档资料
精品课件-计算机组成与维护-第11章 设置BIOS参数

11.5 如何进入BIOS设置
1.开机启动时按热键 2.系统提供的软件 3.应用软件
常见进入BIOS的热键
类型
热键
Award BIOS
按Del键或Ctrl+Alt+Esc键,屏幕有提示
AMI BIOS
按Del键或Esc键,屏幕有提示
COMPAQ BIOS
屏幕右上角出现光标时按F10键,屏幕无提示
11.2 BIOS的基本功能
1.中断服务程序 2.系统设置程序 3.POST上电自检 4.系统自启程序
11.3 BIOS的分类
Award BIOS AMI BIOS Phoenix BIOS
11.4 什么情况下设置BIOS参数
1.新购计算机 2.新增设备 3.BIOS设置数据意外丢失 4.系统优化
11.9.7 即插即用设备和PCI扩展槽设置
11.9.8 PC基本状态
11.9.9 BIOS 安全设置
11.9.10 最安全的缺省设置
Load Fail-Safe Defaults(载入最安全的 缺省值): 使用此菜单载入工厂默认值作 为稳定的系统使用。
该选项允许用户装载系统的初始设置值,这 些值是针对系统的优化设置值。运行该选项 不会改变STANDARK CMOS SETUP的值。
注意选择与自己主板型号一致的BIOS程序。最好在刷 新前,先检查用于升级的BIOS文件的版本是否正确。
把BIOS中Virus Warning(病毒警告)功能设置为禁 用,并将对BIOS的禁止写开关都关掉,以确保升级操 作能顺利完成。
在对BIOS升级前,一定要对原BIOS信息进行备份,目 前大多数BIOS升级软件都提供了提取并备份原BIOS信 息的功能。
严重错误时,可使用“Load Fail-Safe Defaults” 功能项使系统工作在最保守状态,便于检查出系统 错误; 当BIOS设置很混乱或被破坏,而且想让计算机系统 工作在最优状态时,可使用“Load Optimized Defaults”功能项将系统设置为最佳模式进行工作。
BIOS设置ppt完美版。

17.2 BIOS的主要设置
Award BIOS的设置 ,按【Del】键进入设置界面。
17.2.1 Standard CMOS Features
【Standard CMOS Features】设置菜单
设置日期 设置时间 设置硬盘驱动器参数 设置软盘驱动器 设置显卡 系统暂停设置
Onboard Parallet Port/Mode: Onboard Legacy Audio: SB I/O BASE Address 到Game Port:
17.2.5 Power Management Setup
【Power Management Setup】窗口
ACPI Function: Power Management: ● Max Saving:
AGP Aperture Size: AGP 4X Mode: AGP Driving Control: OnChip USB:
17.2.4 Integrated Peripherals
【Integrated Peripherals】设置窗口
OnChip IDE Channel0: OnChip IDE Channel1: IDE Prefetch Mode: Primary Master PIO到Secondary Slave UDMA: Init Display First: Onboard FDD Controller: Onboard Serial Port 1/2:不同而有所不同。
BIOS设置界面
17.1.2 BIOS设置界面的操作方式
按键 [←][→] [↑][↓] [+][Space] [-] [PageUp][PageDown] [F1]或[Alt+H] 功能 在各个菜单中进行切换 在菜单的各项目中移动 更改项目的设置值(递增) 更改项目的设置值(递增) 跳到菜单中的上一页/下一页 显示BIOS设置界面可以使用 的按键与功能
第12章设置BIOS参数.pptx

12.3.4 设置病毒防护功能
在BIOS中设置病毒防护功能,主要防止引 导型病毒,可对IDE硬盘引导扇区进行保护。 但是使用BIOS中的防病毒功能只能保护引 导扇区和分区表不被病毒破坏,而不能防 止所有的病毒。
12.3.5 高级BIOS设置中的其他设置
1.Quick Power On Self Test 2.Boot UP Num Lock Status 3.Gate A20 Option 4.Typematic Rate Setting 5.Security Option 6.MPS Version Control For OS 7.Boot OS/2 DRAM>64M
12.3.1 设置CPU的缓存 ① 在图12-6中,使用方向键选择“Cache
Setup”选项,然后按Enter键,这时就进入 CPU缓存设置的界面。 ② 在此界面中共有“CPU Internal Cache” 和“External Cache”两个选项,前者用于设 置是否打开CPU内置高速缓存,后者用于设 置是否打开外部高速缓存。为了提高CPU的 性能,这里建议均设置为“Enabled”。
CMOS Reload Program(CMOS保存设置):可允许保存 多套CMOS参数设置。
Load Optimized Defaults(载入BIOS默认设置):可恢复 出厂设定。
Set Supervisor Password(设置管理员密码):可设置管 理员口令。
Set User Password(设置用户密码):可设置用户口令。 Save & Exit Setup(保存并退出):可存储所有变更至
12.4 Advanced Chipset Features(高 级芯片组特性设置)
主流内存条调研及BIOS中设置内存参数16页PPT

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26、我们像鹰一样,生来就是自由的 ,但是 为了生 存,我 们不得 不为自 己编织 一个笼 子,然 后把自 己关在 里面。 ——博 莱索
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27、法律如果不讲道理,即使延续时 间再长 ,也还 是没有 制约力 的。— —爱·科 克
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28、好法律是由坏风俗创造出来的。 ——马 克罗维 乌斯
END
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29、在一切能够接受法律支配的人类 的状态 中,哪 里没有 法律, 那里就 没有自 由。— —洛克
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30、风俗可以造就法律,也可以废除 法律。 ——塞·约翰逊
数
16、业余生活要有意义,不要越轨。——华盛顿 17、一个人即使已登上顶峰,也仍要自强不息。——罗素·贝克 18、最大的挑战和突破在于用人,而用人最大的突破在于信任人。——马云 19、自己活着,就是为了使别人过得更美好。——雷锋 20、要掌握书,莫被书掌握;要为生而读,莫为读而生。——布尔沃
BIOS设置图解教程 ppt课件

四、Integrated Peripherals(外部 设备设定)子菜单
ppt课件
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“Integrated Peripherals”项子菜单中共有 27子项∶
On-Chip Primary PCI IDE(板载第一条PCI插 槽设定) On-Chip Primary/Secondary PCI IDE(板载 第二条PCI插槽设定) IDE Primary Master PIO(IDE 第一主PIO模 式设置) IDE Primary Slave PIO(IDE 第一从PIO模式 设置) IDE Secondary Master PIO(IDE 第二主PIO模 式设置)
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“Power Management Setup”项子菜单中 共有16子项∶
MODEM Use IRQ (调制解调器的中断值) Suspend Mode(挂起方式) HDD Power Down (硬盘电源关闭模式 Soft-off by PWR-BTTN (软关机方式) Wake-Up by PCI Card (设置是否采用PCI片 唤醒) Power Onby Ring (设置是否采用MODEM唤 醒) Resune by Alarm (设置是否采用定时开机)
ppt课件 10
“Standard CMOS Features”项子菜单中共有13
子项∶
Drive A (软盘驱动器 A) Drive B (软盘驱动器 B) Video(设定电脑的显示模式) Halt On (停止引导设定) Base Memory (基本内存容量) Extended Memory(扩展内存) Total Memory(总内存)
计算机组装与维护标准教程 设置BIOS参数PPT学习教案

Award BIOS:按DEL键或Ctrl+Alt+Esc组合键
;
AMI BIOS:按Del或Esc键;
Phoenix BIOS:按F2键。
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11.3 设置Award BIOS 【11.3.1】 进入Award BIOS设置主界面。
Award 第BI9O页S主/共画4面3页
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热插拔的具体操作如下。
(1)首先放掉身上的静电。拔下电源插头,打开机箱找到用户 的BIOS,确定主板上的BIOS芯片是否是焊接在主板上的。如果是, 那么用此方法是行不通的。所以,对于这样的主板,以后升级时更 要万分小心了,否则一旦出了问题,想恢复就困难了。 (2)拔起所有遮挡在BIOS芯片上方的扩展卡,使BIOS芯片完全 暴露出来,以方便下面的操作。 (3)将BIOS芯片从插座中小心地拔出来。对于DIP(双列直插) 封装的芯片,用一把小型平口起子,在芯片的两边插入慢慢撬起。 注意要两边对称慢慢撬,一次不要撬起太多,以免将插脚折断,拔 出过程如图所示。
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用热插拔法修复
所谓热插拔,就是在电脑运行中带电拔插BIOS芯片。 热插拔的工作原理是:BIOS是由POST上电自检程序、系统启动自举 程序、BIOS中断调用、BIOS系统设置程序4部分组成的,当BIOS完 成POST上电自检程序、系统启动自举程序后,由操作系统接管系统 的控制权,完成电脑的启动过程。在此之后,除了相关的程序要调用 BIOS中的中断程序外,BIOS暂无用处,如果此时把BIOS芯片拔下来, 根本不会影响系统的正常工作。这时,把损坏的BIOS芯片插回主板, 运行相应的升级程序就可以重新把BIOS文件刷回来 。
BIOS设置图解PPT教学课件
10. Interrupt 19 Capture(PCI内建程 序 启 动 设 置 ) • 当你使用PCI卡有自带软件时请将此设置为“Enabled”
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BIOS类型
AMI BIOS AWARD BIOS PHOENIX BIOS
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一、以华硕的 AMI Bios为例,
介绍一下AMI Bios的设置:
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开启计算机或重新启动计算机后,在屏幕显示如下时, 按下“Del”键就可以进入Bios的设置界面
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• 这里是设置即插即用和PCI的高级设定项目,一般用户不需要改动任何项目,都保持默认就可以了。在进行 本设置设定时,不正确的数值将导致系统损坏!
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B Configuration(USB装置设置)
• USB端口装置设定,大家一看就明白,无须多讲!只是那个传输模式里面有个FullSpeed和HiSpeed,如 果大家是USB2.0的就把它设置成HiSpeed,FullSpeed是模拟高速传输,没有HiSpeed的快!
• 这个就是让你选择键盘反映快慢频率的选项,一般设置为“fast ” 第50页/共68页
7. Boot To OS/2(OS/2系统设置)
• 本项目让你选择是否启动OS/2作业系统兼容模式,一般设置为“No” 第51页/共68页
8. Wait For ‘F1’ If Error (错误信息 提 示 ) • 本项目是设置是否在系统启动时出现错误时显示按下“ F1”键确认才继续进行开机,一般设置为
内存参数详解
BIOS中的可能其他描述:tRP、RAS Precharge、Precharge to active。预充电参数越小则内存读写速度就越快。
4.tRAS(RAS Active Time): “内存行有效至预充电的最短周期”(可能的选项:1……5/6/7……15)
BIOS中的可能其他描述:tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time等。一般我们可选的参数选项有5,6或者7这3个,但是在一些nForce 2 主板上的选择范围却很大,最高可到 15,最低达到 1。调整这个参数需要结合具体情况而定,一般我们最好设在5-11之间。这个参数要根据实际情况而定,并不是说越大或越小就越好。具体的调整要遵循以下两个原则:
这个选项目前已经非常少见,一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址,先要进行P-Bank的选择(通过DIMM上CS片选信号进行),然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令,单位是时钟周期。显然,也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多,控制芯片组的负载也随之增加,过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间,才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。
首先,需要在BIOS中打开手动设置,在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”,BIOS设置中可能出现的其他描述有:Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等,将其值设为“Menual”(视BIOS的不同可能的选项有:On/Off或Enable/Disable),如果要调整内存时序,应该先打开手动设置,之后会自动出现详细的时序参数列表:
内存参数详解
mand Per Clock(CPC) 1T/2T:CPC 的设定特徵是允许你在单一资料存取的延迟选择,信号在记忆体控制器开始把命令送到记忆体的时间。
设定值愈低记忆控制单元能送到外部记忆体的命令就越快。
当CPC设定為1T时,记忆控制器读写一次资料花费一个时脉週期。
当CPC设定為2T时,记忆控制器读写一次资料发费两个时鐘週期的命令延迟。
2.CAS Latency Control(tCL)这是随机存起记忆体公司第一个会拿来做评比的时间参数,例如,你可能看见RAM 被评為4-4-4 -12 @ 400mhz。
第一的设定值4,如被评為3 產生最好的性能,CAS 5通常能提供较好的稳定性。
CAS从开始到结束的时间被称為CAS latency。
既然CAS 是找出正确资料的最后依个阶段,所以它也是记忆体最重要的计时步骤。
(设定值小= 效能高)3.RAS# to CAS# Delay(tRCD)这是大多数随机存取记忆体公司会拿来做评比的第二个时间参数。
例如,你可能看见RAM 被评為4-4-4 -12 @ 400mhz。
在JEDEC 的规格裡,这是在3 或者5 个数列的第2 位数。
因為这次延迟发生每当排被更新或者一个新排被开动时,降低延迟改进性能。
因此,推荐你把延迟降低到4或者更好的记忆性能3。
请注意如果你使用对于你的记忆体模组来说太低的价值,这有可能引起系统的不稳定。
如果你的系统在降低RAS对CAS 的延迟之后变得不稳定,你应该增加延迟或者把它重新设定到被评价的延迟。
有趣的是,增加RAS对CAS 的延迟可以允许记忆体模组以更高的时脉运转。
因此,如果你遇到意外困难超频你SDRAM 模件,你可以试著增加RAS对CAS 的延迟。
(设定值小= 效能高)4.Row Precharge Timing(tRP)这是大多数随机存取记忆体公司会拿来做评比的第3个时间参数。
他的BIOS具备有对相同的DDR 设备指定在连续的活动指令之间的最小时间。
内存介绍ppt课件
4.传输标准
传输标准代表内存的速度。一般用“PC+数值”的方式来表示,不同类型的内存条,数值的含 义有所不同。
SDRAM的传输标准有PCl00和PC133两种,100和133表示内存的工作频率为100MHz和 133MHz。
DDR SDRAM的传输标准从PC1600到PC4300不等,这里的数值表示内存传输率。如PC4300 表示该内存条的传输率为4300MB/s。
RDRAM的传输标准有PC600,PC800和PC1066等,数值是其工作频率的两倍。如PC600表示 内存条的工作频率为300MHz。
内存性能指标
1.
容量
在不超出主板所支持容量的前提下越大越好 目前的主流容量为1G、2G
2.
工作频率(Mhz)
内存所能达到的最高工作频率。内存主频是以 MHz(兆赫)为单位来计量的。内存主频越高 在一定程度上代表着内存所能达到的速度越快
在主板上安装的BIOS芯片就是典型的ROM
RAM (随机存储器, Random Access Memory )
随机存取存储器是计算机的主存,CPU对它们既可读出数 据又可写入数据。一旦关机断电,RAM中的信息将全部 消失。在通电情况下不能长时间保持电量,需要每隔一段 时间就进行一次重新加电过程,RAM通常是作为操作系 统或其他正在运行程序的临时存储介质。 在主板上内存就是这个状态。
内存介绍
一、存储器概述
从计算机系统的结构来看,存储器可 分内存储器和外存储器两大类。内存 储器与CPU直接联系,负责各种软件 的运行;外存储器包括软盘、硬盘、 光盘、磁带机、优盘等。
一、存储器概述—内存 储器种类
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注意: 在BIOS中对内存进行优化设置可能会对 电脑运行的稳定性造成不良影响,所以建 议内存优化后一定要使用测试软件进行电 脑稳定性和速度的测试。如果您对自己内 存的性能没有信心,那么最好采取保守设 置,毕竟稳定性是最重要的。
当前主流内存条的排行
主流内存的型号及价格(台式)
主流内存条4G-1600价格及功能比较
主流内存的型号及价格(笔记本)
常见DDR内存频率对照表
补充:DDR技术
所谓双通道DDR,简单来说,就是芯片组 可以在两个不同的数据通道上分别寻址、 读取数据。这两个相互独立工作的内存通 道是依附于两个独立并行工作的,位宽为 64-bit的内存控制器下,因此使普通的 DDR内存可以达到128-bit的位宽,如果是 DDR400的话,双通道技术可以使其达到 DDR800的效果,内存带宽陡增一倍,由 原先的3.2GB/S猛增为6.4GB/s。
五、DRAM Clock“内存时钟频率” (可能的选项:Host Clock/Hclk33MHz/Hclk+33MHz,说明:Host Clock即总 线频率和内存工作频率同步、Hclk-33MHz即 总线频率减33MHz、Hclk+33MHz即总线频率 +33MHz”等三种模式可选。) 在内存同步工作模式下,内存的运行速度 与CPU外频相同。内存异步则是指两者的工作 频率可存在一定差异。该技术可令内存工作 在高出或低于系统总线速度33MHz的情况下( 也有采用3ing“内存交错技术”(可能的选 项:Off/Auto/2/4) 这里的Bank是指L-Bank,目前的DDR RAM的内存芯片 都是由4个L-Bank所组成,为了最大限度减少寻址冲 突,提高效率,建议设为4(Auto也可以,它是根据 SPD中的L-Bank信息来自动设置的)。 三、Command Rate“首命令延迟”(可能的选项:1/2 ) 这个选项目前已经非常少见,一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的 寻址,先要进行P-Bank的选择,然后才是L-Bank/行 激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在PBank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的LBank/行激活命令,单位是时钟周期。显然,也是越 短越好。但当随着主板上内存模组的增多,控制芯 片组的负载也随之增加,过短的命令间隔可能会影 响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳 定的时间,才需要将此参数调长。目前的大部分主 板都会自动设置这个参数。
SDR和 DDR1/2/3 存储原理示 意图
在BIOS中设置内存参数
一:内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置 首先,需要在BIOS中打开手动设置,在BIOS设置中 找到“DRAM Timing Selectable”,BIOS设置中 可能出现的其他描述有:Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等, 将其值设为“Menual”(视BIOS的不同可能的选 项有:On/Off或Enable/Disable),如果要调整 内存时序,应该先打开手动设置,之后会自动出 现详细的时序参数列表!