砷化镓基系 III-V 族 化合物半导体太阳电池的发展和应用

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III-V族化合物半导体太阳能电池_2023年学习资料

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從能隙大小來看,磷化銦-InP、砷化镓GaAs、以-及碲化鎘CdTe等半導體材料,是極適合於製作高-效率的 陽能電池·-■能带間隙小於1.4~1.5電子伏特的半導體材料,其光波-的波長分布於紅外光的光譜區域,適合於 外光的光-波吸收。-■倘若將不同能隙的半導體材料,進行不同薄膜層的堆-叠,可以使其波長感度變得較大的區域分 ,因而可-以吸收不同波長的光譜,進而提升光電轉换效率。
大部分III-V族化合物半導體,是直接能隙半-導體,其能量與動量的轉移過程僅需要光子的-釋出-■-在間接能 半導體方面,其能量與動量的轉移-過程不僅僅是光子的釋出,而且其晶體的晶格-熱振動將產生動量的變化,進而衍生 聲子的-遷移效應
電子能量-電洞-hc-Eg能隙能量-動量-a
砷化镓太陽能電池基本特性-1.-高的光電能量轉换效率。-2.-適合於大面積薄膜化製程·-3.-高的抗輻射線 能·-4.-可耐高溫的操作。-5.-低成本而高效率化的生產製程。-6.-適用於太空衛星系統·-7.-可設計 特殊性光波長吸收的太陽能電池。-8.-極適合於聚光型或集光型太陽能電池應用。-9.-具有正負電極導電支架而 於插件安排。
III-V族化合物半導體太陽能電池
III-V族化合物半導體,是發光二極體元件製-作的主要材料,亦是太陽能電池元件的主要材-料之一,其中又以砷 镓為代表性材料。-■太陽能電池的基本原理是「光電效應Opto-Electro Effect」o-太陽能電池 件是二極體元件中的一種,它不-能發光而能夠發電,故又稱為「光伏特二極體-元件Photovoltaic Di de;PVD」或「光伏-特電池Photovoltaic Cell;PWC」。
砷化镓鋁/砷化镓AlGaAs/GaAs-20-矽Si-10-照度:135mW1cm2-100--50-15 -200-250-集光型太陽能電池的光電轉换效率-及其電池操作溫度的關係圖

Ⅲ-Ⅴ族太阳电池的研究和应用

Ⅲ-Ⅴ族太阳电池的研究和应用

O 9 3年 , o e 等人 提 出在 Hvl ( ) 度 就 能 充 分 吸 收 太 阳 光 , 外 , a s lP等 材 料 还 具 效率 长 时 间未 能超 过 1 %。直 到 1 7 um 的厚 此 G A 、n
a s表 面 生 长 一 薄层 AI a — A x l x s窗 口层 后 ,这 一 困 难 才 得 以 G 有 良好 的抗 辐 射 性 能 和 较 小 的温 度 系数 ,因 而 G A a s基 系 材 料 特 G A 。 = AI 1 x s G E 一21 对 e 别 适合 于 制 备 高效 率 、 间 用 太 阳 电池 。 G A 空 a s太 阳 电池 , 无论 是 克服 当 x 08时 , x a 一 A 是 间接 带 隙材 料 ,g . V, x l x s层 进 入 到 G A G a s层 单 结 电池 还 是 多结 叠 层 电池 所 获 得 的转 换 效 率 都 是 所 有 种 类 太 光 的 吸 收 很 弱 ,大 部 分 光将 透过 AI a — A
AI l x s层 起 到 了窗 口层 的作 用 。 G 由于 AI a — A / a s x l x sG A G 阳 电池 中最 高 的 。 据 最 新 报道 , 国 S e t l 美 p cr a o b公 司 ( 谱 实 验 中 , x a — A 光
界面 态 的 密度 低 , 光 生载 流 子 的复 合 较 少 。采 对 室) 已研 制 出效 率高达 4 7 0 %的三结 聚光G iPG lA / e叠层 太 界面 晶格 失配 小 , an / an sG
E- mai xa hx ing@ r d.e i .r e s m cl ac
慢。 因而 G A a s太 阳电 池 , 特别 是 Gan / lA / lP Gan s Ge三 结叠 层太 阳 电池在 空 间能源 领域 获得 了越 来越 广 泛的应 用 。 近年 来 。 光 川一 聚 V族 太 阳电池 的研 究进展 迅 速。 为其地 面应 用打 下 了基 础 。

《太阳能电池基础与应用》GaAs电池第一讲

《太阳能电池基础与应用》GaAs电池第一讲

AM0, 30.6%
III-V族半导体多结电池
1.0带隙问题
晶格匹配电池
GaInNAs材料与N相关 的本征缺陷多,质量差, 少子扩散长度小。 短路电流小,成为限制 电池(特别是三结电池) 性能的瓶颈因素。(电流 匹配)
III-V族半导体多结电池
晶格应变电池图示
特点:
1)电池间晶格参数不再完 全匹配; 2) 解决了InGaNAs电流限 制的问题;
有隧道结
III-V族半导体多结电池
两结GaInP/GaAs电池
晶格匹配电池
第一款效率超过30%的双结电池(1 个太阳),Japan Energy, 1997。
2013年, Alta公司将效 率提升至30.8%;柔性 电池。
目前世界纪录是31.1%,美国NREL。
III-V族半导体多结电池
晶格匹配电池
III-V族半导体应用
应用领域

GaAs及III-V族半导体基础
MOCVD
金属有机物化学气 相外延(MOCVD), GaAs及III-V族太阳 电池的主流制备技 术。
设备原理图
商用衬底
材料制备
设备外观
多片衬底,适合大规模工业生产
GaAs及III-V族半导体基础
电学掺杂
电学掺杂
GaAs及III-V族半导体基础
EQE测量
EQE测量
Chopper EQE vs.
Monochromator equipped with more gratings
EG
单结电池只需要与标准电池(具有已知的量 子效率曲线)响应谱比较即可得到量子效率谱。
思考: 1) 双结电池的量子效率谱如何测量? 2) 三结电池呢?

砷化镓太阳能电池研究报告 材五第三组

砷化镓太阳能电池研究报告  材五第三组

砷化镓太阳能电池研究报告摘要:美国的阿尔塔设备公司使用外延层剥离技术,用砷化镓制造出了最高转化效率达28.4%的薄膜太阳能电池。

这种电池不仅打破了此前的转化效率,其成本也低于其他太阳能电池。

该太阳能电池效率提升的关键并非是让其吸收更多光子而是让其释放出更多光子,未来用砷化镓制造的太阳能电池有望突破能效转化记录的极限。

目前效率最高的商用太阳能电池由单晶硅圆制造,最高转化效率为23%。

砷化镓虽然比硅贵,但其收集光子的效率更高。

就性价比而言,砷化镓是制造太阳能电池的理想材料。

1.砷化镓结构及光电性能砷化镓属于Ⅲ-Ⅴ族化合物,是一种重要的半导体材料,化学式GaAs,分子量144.63,属闪锌矿型晶格结构,晶格常数5.65×10-10m,熔点1237℃。

在300 K 时,砷化镓材料禁带宽度为1.42 eV,如图1。

图1砷化镓能带结构简图砷化镓在自然条件下的结晶态通常具有两种晶体结构:闪锌矿结构或正斜方晶结构。

其中.正斜方晶结构的GaAs只能在高压下获得,闪锌矿结构是室温下GaAs 的最稳定构型。

闪锌矿的晶体构如图2所示。

图2 砷化镓晶体闪锌矿结构闪锌矿的GaAs晶体结构属立方晶系F43m空间群,晶格常数a=O 56535nm.配位数Z=4。

如图2所示的GaAs结构是立方面心格子,Ga2+位于立方面心的结点位置.As交错地分布于立方体内的l/8小立方体的中心,每个Ga2+周围有4个As与之成键.同样,每个As2-。

周围有4个Ga2+,阴阳离子的配位数都是4。

如果将As2-看成是作立方紧密堆积,则Ga2+充填于l/2的四面体空隙。

而正斜方晶结构在高压下才能获得,在温度为300K时,随着压强的增加,GaAs发生从闪锌矿结构GaAs 到正斜方晶GaAs.II的相变。

图3砷化镓能带结构图砷化镓是典型的直接跃迁型能带结构,其能带结构如图3所示。

砷化镓的价带极大值位于布里渊区中心k=O处;导带极小值也位于k=0的逊,等能面为球面。

ⅲ-ⅴ族半导体 -回复

ⅲ-ⅴ族半导体 -回复

ⅲ-ⅴ族半导体-回复ⅲⅴ族半导体,也被称为ⅲⅴ族化合物半导体,其中的“ⅲ”代表元素周期表中的第三周期,而“ⅴ”代表第五周期。

这一族的半导体材料在电子学和光电学领域中具有重要的应用。

它们通常由一种金属元素和一种非金属元素构成,如镓砷化物(GaAs),镓磷化物(GaP)和铟砷化物(InAs)。

本文将详细介绍ⅲⅴ族半导体的性质、制备方法以及应用领域。

首先,ⅲⅴ族半导体具有许多独特的性质。

由于其晶格结构的特殊性,它们通常具有较高的电子迁移率和较好的导电性能。

此外,ⅲⅴ族半导体还具有较大的载流子浓度、较低的缺陷密度和较宽的能带隙。

这些特性赋予了ⅲⅴ族半导体在高频电子器件、光电子器件和太阳能电池等领域的广泛应用。

其次,ⅲⅴ族半导体的制备方法各不相同,具体取决于所选的化合物。

最常使用的制备方法之一是金属有机气相沉积法(MOCVD),它可以在较低的温度下将金属有机化合物和非金属源混合并在衬底上生长出薄膜。

这种方法具有较高的生长速率和较好的均匀性,常用于制备ⅲⅴ族半导体外延膜。

此外,还可使用分子束外延法(MBE)和金属有机化学气相沉积法(MOCVD)等方法进行制备。

在应用领域方面,ⅲⅴ族半导体具有广泛的用途。

在高频电子器件领域,ⅲⅴ族半导体材料被广泛应用于射频功率放大器、微波器件和高速开关之中。

由于其高电子迁移率和较大的载流子浓度,ⅲⅴ族半导体可以提供更高的工作频率和更低的功耗,进而提高器件的性能。

光电子器件是另一个重要的应用领域,ⅲⅴ族半导体材料具有较高的光吸收系数和较大的光致发光量子效率。

因此,它们常被用于制备激光器、光电探测器和光导纤维等器件。

特别是在光通信领域,ⅲⅴ族半导体激光器已经成为主流技术,并广泛应用于光纤通信系统中。

此外,ⅲⅴ族半导体在太阳能电池领域也具有巨大的潜力。

由于其较宽的能带隙和较高的光吸收系数,它们可以实现高效的光电转换。

磷化镓太阳能电池是一种具有高电子迁移率和较高的太阳能转换效率的太阳能电池。

ⅲ-ⅴ族半导体 -回复

ⅲ-ⅴ族半导体 -回复

ⅲ-ⅴ族半导体-回复ⅲⅴ族半导体ⅲⅴ族半导体是指周期表中第3A族和第5A族元素的化合物,其中ⅲ族元素包括硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)等,ⅴ族元素包括磷(P)、砷(As)、锑(Sb)、铋(Bi)等。

这些元素在半导体材料中具有重要的性质和应用。

ⅲⅴ族半导体在电子、光电子、光伏和光学等领域中都有广泛的应用。

它们常常以化合物的形式存在,例如磷化镓(GaP)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等。

这些化合物具有较大的能带差,使得它们具有优异的载流子输运性能和光电转换效率。

在ⅲⅴ族半导体中,砷化镓(GaAs)是最具代表性的一种材料。

它是一种直接带隙半导体,具有优异的电学、光学和热学性质。

GaAs晶体结构紧密,晶格匹配性好,因此它可以与硅(Si)等材料形成异质结构,用于制作高频率、高速度的集成电路。

此外,GaAs还具有较高的光吸收系数,可用于制造激光器、光电探测器、光电二极管等光电元件。

除了GaAs,ⅲⅴ族半导体中的砷化铟(InAs)、磷化铟(InP)等也具有重要的应用。

砷化铟是一种窄带隙半导体,它在红外光谱范围内具有高敏感度和高速度的特点,被广泛应用于红外探测器、激光器和红外光电子器件中。

磷化铟是一种较宽带隙的半导体,它具有较高的光吸收系数和较好的载流子迁移率,被广泛应用于光通信、光伏和太阳能电池等领域。

在ⅲⅴ族半导体中,磷化镓(GaP)和磷化砷(GaAs)是常用的研究材料。

磷化镓是一种特殊的半导体材料,它具有优异的光电性能和光电子器件的制备灵活性,广泛用于LED、光电探测器、激光器等光电子器件中。

磷化砷是一种宽带隙半导体,具有较高的光吸收系数和较好的电子迁移率,广泛应用于光伏和光电子器件中。

然而,ⅲⅴ族半导体也存在一些挑战和问题。

首先,ⅲⅴ族半导体材料的制备和加工工艺相对复杂,成本较高。

其次,ⅲⅴ族半导体材料在制备过程中容易因掺杂不均匀等问题导致结构和性能的不一致性。

此外,ⅲⅴ族半导体的热稳定性较差,容易受到表面缺陷和杂质的影响。

GaAs

GaAs

特点(与Si相比)

光电转换效率高: GaAs禁带宽度比 Si大、光谱响应特性和空间太阳 光谱匹配能力亦比Si强,因此转化效率高 可制成薄膜和超薄型太阳电池: GaAs 为直接禁带半导体,光吸收率 高于Si,因此GaAs太阳能电池可制成薄膜型,质量大幅度减小 耐高温性能好 抗辐射性能好



制备技术

国外技术的发展

单结GaAs/Ge太阳能电池


多结GaAs太阳能电池
双结GaAs太阳能电池


三结GaAs太阳能电池
四结GaAs太阳能电池

单结GaAs/Ge 太阳能电池 :为克服GaAs/GaAs太阳电池 单晶材料成本高、机械强度较差,不符合空间电源低 成本、高可靠要求等缺点,1983 年起逐步采用 Ge单晶 替代GaAs制备单结GaAs电池 GaAs/Ge太阳能太阳电池的特点是:具有GaAs/GaAs太 阳能电池的高效率、抗辐照和耐高温等优点, Ge单晶 机械强度高,可制备大面积薄型电池,且单晶价格约 为GaAs的30%。单结GaAs电池结构如图所示
砷化镓LED

目前制作LED都是采用MOCVD外延工艺,以半导体砷化镓材 料作为衬底,外延生长AIGaAs三元或AIGalnP 四元系外延 层结构,可用于制造红、橙、黄光LED。

用于制造LED的砷化镓衬底材料为掺硅的N型低阻材料,为 区别于半绝缘砷化镓材料,一般也可称之为半导体砷化镓 材料。单晶的晶向为(100)偏(111)A面15°,载流子浓度为 10 5~40x /cm3,迁移度大于1500cm2/V·S,位错密度小 于5000/cm2。
神九采用三结砷化镓太阳能电池
砷化镓太阳能充电器
GaAs太阳能电池的发展

砷化镓材料物理特性及应用

砷化镓材料物理特性及应用

砷化镓物理特性及应用院系:可再生能源学院专业:新能源材料与器件班级:能材1201班**: ***学号:**********2015年1月摘要:文章从砷化镓材料的结构,物理特性以及应用方面,对砷化镓材料进行了简单的介绍和了解。

Ⅲ-Ⅴ族半导体砷化镓具有禁带宽度大且为直接带隙、本征载流子浓度低,而且具有半绝缘性能,其具有耐热、耐辐射及对磁场敏感等特性,制造的器件也具有特殊用途和多样性,应用已经延伸到硅、锗器件所不能达到的领域,是用途广泛,非常重要的一种半导体材料。

关键词:砷化镓直接带隙结构Ⅲ-Ⅴ族半导体半绝缘砷化镓一.引言化合物半导体材料砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)是微电子和光电子的基础材料,而砷化镓则是化合物半导体中最重要、用途最广泛的半导体材料,也是目前研究得最成熟、生产量最大的化合物半导体材料。

由于砷化镓具有电子迁移率高(是硅的5~6倍)、禁带宽度大(它为1.43eV,Si为1.1eV)且为直接带隙,容易制成半绝缘材料(电阻率107~109Ωcm)、本征载流子浓度低、光电特性好。

用砷化镓材料制作的器件频率响应好、速度快、工作温度高,能满足集成光电子的需要。

它是目前最重要的光电子材料,也是继硅材料之后最重要的微电子材料,它适合于制造高频、高速的器件和电路。

此外, GaAs材料还具有耐热、耐辐射及对磁场敏感等特性。

所以,用该材料制造的器件也具有特殊用途和多样性,其应用已延伸到硅、锗器件所不能达到的领域。

即使在1998年世界半导体产业不景气的状况下, GaAs材料器件的销售市场仍然看好[1]。

当然, GaAs材料也存在一些不利因素,如:材料熔点蒸气压高、组分难控制、单晶生长速度慢、材料机械强度弱、完整性差及价格昂贵等,这都大大影响了其应用程度。

然而, GaAs材料所具有的独特性能及其在军事、民用和产业等领域的广泛用途,都极大地引起各国的高度重视,并投入大量资金进行开发和研究。

二.材料的结构2.1砷化镓的晶体结构砷化镓晶格是由两个面心立方(fcc)的子晶格(格点上分别是砷和镓的两个子晶格)沿空间体对角线位移1/4套构而成。

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2012 年 Emcore 公司在反向应变 (IMM) 生 长 GaInP/GaAs/GaInAs/GaInAs 四结叠层电池 ( 图 7) 的基础上,进一步开展了六结叠层电池的研究, 其结构和生长顺序如图 13 所示 [36]。其中,前三结
10 SOLAR ENERGY 01/2016
为宽带隙子电池 AlGaInP(2.1 eV)/AlGaAs(1.7 eV)/ GaAs(1.4 eV),与 GaAs 衬底是晶格匹配的;而 后三结为窄带隙子电池 InGaAs(1.1 eV)/InGaAs(0.9 eV)/InGaAs(0.7 eV),为晶格失配应变结构,子电 池间需有应变梯度层 ( 组分缓变层 ) 过渡。
荷载值; 2) 按照参考文献 [1]~[3] 中的规范内容进行光
伏微型钢筋混凝土灌注桩基础承载力计算,包括桩 身混凝土强度计算、单桩竖向极限承载力计算、单 桩抗拔极限承载力计算,计算结果满足规范要求;
科普苑
分布在 10.34~12.09 mA/cm2 之间,而叠层电池 的 Jsc 将受到子电池中最小电流密度的限制。原 文作者指出 , [36] 保持已获得的总短路电流密度 不变的前提下,只要进一步改善子电池之间的 电流匹配,将子电池的电流密度分配均匀,六 结叠层电池的 Jsc 就可提高 7.4%,达到 11.1 mA/ cm2。届时,六结叠层电池在 AM 0 光谱、1 倍 太阳光强下的效率有望达到 37.12%,与预期值 37.8% 相近。
在 418 倍 AM 1.5D 光强下效率为 43.5%
匹配 GaInNAs 的带隙 (1 eV) 比 Ge(0.67 eV) 宽的 缘故,这有利于在高光强下减少焦耳损耗。
稀 N 含量的 GaInNAs 材料具有独特的优点, 其带隙宽度和晶格常数可以独自进行调节。它的 带隙宽度在 0.8~1.4 eV 范围可通过在 GaAs 中 少量加入 N 和 In 来调节。其晶格常数仍能保持 与 GaAs、Ge、GaAlAs、GaInP 和 AlGaInP 相匹配, 如图 12 所示 [35]。这些材料覆盖了从近红外到近 紫外的宽广太阳光谱范围,从而可构建晶格匹配 的多结 ( 四~六结 ) 叠层太阳电池。
光照 I-V 特性测量结果表明,这样生长的六 结叠层电池在 AM 0 光谱、1 倍太阳光强下效率 为 33.7%(4 cm2)。其中 Voc=5.15 V,FF=87.85%, 同 预 测 开 路 电 压 和 填 充 因 子 参 数 值 (5.2 V, 87.2%) 相近,只有短路电流密度 Jsc=10.07 mA/ cm2 明显低于预期值 (11.3 mA/cm2)。各子电池的 积分 Jsc 可由电池的外量子效率 (QE) 测量导出,
California,2011,810804-1 - 810804-5. [35] Friedman D J,Olson J M,Kurtz S. High-efficiency III–V
multijunction solar cells,chapter 8 in handbook of photovoltaics
NREL 和 Fraunhofer 太阳能所测量认证 ( 图 11),
在 1000 倍 (AM 1.5D) 太阳光强下,三结电池效
率超过 43%;在 400~600 倍太阳光强下,电池
峰值效率达到 43.5%[34]。报道还指出,此三结叠
层太阳电池已可重复地规模生产。电池采用典型
的 5.5 mm×5.5 mm 几何尺寸和双边接触母线。电
科普苑
III-V 族太阳电池的发展和应用系列讲座 (8)
砷化镓基系 III-V 族 化合物半导体太阳电池的发展和应用 (8)
中国科学院半导体研究所 ■ 向贤碧 * 廖显伯
电流 /A 带隙宽度 /eV
4 III-V 族化合物电池研发的新动向
4.1 含 GaInNAs(Sb) 晶格匹配的三~五结叠层聚
光电池
位移 /mm 位移 /mm
11 SOLAR ENERGY 01/2016
晶格常数
0.7 eV InGaAs MM Grade
0.9 MM Grade 1.4 eV GaAs
1.7 eV AIGaAs 2.1 eV AlGaInP
应变梯度层 应变梯度层 应变梯度层
生长衬底
图 13 反向应变 (IMM) 生长六结叠层电池结构
池效率的提升主要得益于 Voc 的提高,源于晶格
2.0
1.8
1.6
1.4 Voc=3.412 V Isc=1.869 A
Vmax=3.066 V Imax=1.854 A
1.2 填充因子 =89.17% Pmax=5.685 W
1.0 效率 =43.5±2.2%
0.8 器件温度 =25.0 ℃ 器件面积 =0.3124 cm2
( 接第 25 页 )
0.0 -0.5 -1.0 -1.5 -2.0 -2.5 -3.0 -3.5
0 50 100 150 时间 /s
图 8 桩端竖向位移曲线
0
-5
-10
-15
-20 0 50 100 150 200 时间 /s
图 9 桩端竖向位移曲线
4 结论 1) 利用 SAP2000 支架建模后导出桩基基顶
multijunction solar cells[A]. Proceedings of 38th IEEE
PVSC[C],Austin,Texas,2012.
( 待续 )
3) 利 用 大 型 通 用 非 线 性 有 限 元 软 件 ABAQUS,对光伏微型钢筋混凝土灌注桩基础进 行了二维建模分析,结果表明,在风荷载、自重 荷载、雪荷载作用下,该类微型灌注桩强度等参 数基本满足规范要求,一般情况下其极限承载力 状态取决于桩顶或桩端位移或沉降量。
engineering[M]. England:Chichester,John Wiley and Sons,2011.
[36] Patel P,Aiken D,Chumney D,et al. Initial results of
the monolithically grown six-junction inverted metamorphic
0.6 测量光强 =417.9 kW/m2 0.4 测量光源:ASTM G173 Direct 0.2 测量时间:2011 年 3 月16 日上午 11:28
0.0 0.0
0.5 1.0 1.5 电压 /V
2.0 2.5 3.0 3.5
图 11 NREL 测量的 Solar Junction 公司 GaInP/GaAs/ GaInNAs(Sb) 三结叠层电池的光照 I-V 特性和光伏参数,
前文介绍在研发与 GaAs 晶格匹配的 1 eV
带隙的 GaInNAs 材料时遇到了困难,这一问题
在 2011 年终于取得了突破。据 Solar Junction
公 司 报 道, 他 们 制 备 了 高 质 量 的 稀 N 含 量
GaInNAs(Sb) 分子束外延材料,并成功研制了
GaInP/GaAs/GaInNAs(Sb) 三结叠层电池。经
模拟计算表明,这样反向应变生长的六结叠 层电池,在 500 倍 AM 1.5D 太阳光强下,转换 效率将可达 50.9%。
参考文献
[34] Wiemer M,Sabnis V,Yuen H. 43.5% efficient lattice
matched solar cells[A]. Proceedings of SPIE[C],San Diego,
以特变电工哈密柳树泉 100 MWp 光伏发电 863 创新电站项目的光伏固定支架灌注桩基础为 研究对象,基于 ABAQUS 软件对其进行了非线 性的分析。该文为光伏微型钢筋混凝土灌注桩基 础结构设计提供了依据。
参考文献 [1] GB 50007-2011, 建筑地基基础设计规范 [S]. [2] JGJ 94-2008, 建筑桩基技术规范 [S]. [3] GB 50010-2010, 混凝土结构设计规范 [S].
GaN
加N 1.4 eV 0.8 eV
GaAs 加 In
加 N 和 In
晶格常数 /Å
图 12 GaInNAs 带隙宽度与晶格常数的关系,在晶格常数 保持与 GaAs 匹配的条件下,其带隙宽度可在 0.8 ~ 1.4 eV
之间调节 ( 红线 )
根据现实的估计,在 500 倍太阳光强 (50.0 W/cm2) 下,在 Ge 衬底上正向生长的晶格匹配五 结叠层电池 AlGaInP/AlGaInAs/GaInAs/GaInNAs/ Ge 转换效率可达 47.4%。 4.2 反向应变生长六结叠层电池
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