山东理工大学模拟电子技术A答案
模拟电子技术习题集参考答案
第一章参考答案一、判断题1、√2、×3、√4、√5、×6、×二、单项选择1、(a)2、(c)3、(c)4、(a)5、(c)6、(c)7、(c)8、(b)9、(b) 10、(b)11、(c) 12、(a) 13、(a) 14、(b) 15、(a) 16、(c) 17、(b) 8、(a) 19、(a) 20、(b)21、(c)三、解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、解：U O1＝6V，U O2＝5V。
五、解：u i和u o的波形如题5解图所示。
题6解图题5解图六、解：u i和u o的波形如题6解图所示。
题6解图七、解：1、当U I＝10V时，若U O＝U Z＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V 33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V同理，当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝6V 。
2、 =-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
八、解：波形如题8解图所示。
题8解图第二章 参考答案一、判断1、√2、×3、×4、√5、×6、√7、×8、×9、√ 10、× 11、√二、单项选择题1、(c)2、(a)3、(b)4、(b)5、(c)6、(a)7、(a)8、(a)9、(b) 10、(c) 11、(b) 12、(a) 13、(c) 14、(b) 15、(c) 16、(b) 17、(b) 18、(c) 19、(b) 20、(a) 21、(c) 22、(a) 23、(c) 24、(c) 25、(a) 26、(c) 27、(c) 28、(c) 29、(a) 30、(b) 31、(c) 32、(b) 33、(b) 34、(a) (a) (a) 35、(c) 36、(a) 37、(c) 38、(c) 39、(b) 40、(c) 41、(c) 42、(b) 43、(b) 44、(c) 45、(c) 46、(b) 47、(b) 48、(b) 49、(a) 50、(a) 51、(c) 52、(c) 53、(c) (c) 54、(c) (a)二、填空题1、NPN,PNP ；硅，锗；电子和空穴。
(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
模拟电子技术习题答案.pptx
4 欲将方波电压转换成三角波电压，应选用 C 。
5 A 中集成运放反相输入端为虚地，而 B 中集成运放两个输入端的电位等于输入电压。
2. 集成运放在作放大电路使用时，其电压增益主要决定于（ A ）。
A. 反馈网络电阻
B. 开环输入电阻
C. 开环电压放大倍数
R1
R2
v4
R2 v R1
i
5.1v
i
vo 3v4 15.3v i
(3)
R
R1 //
R 2
R
/3/
R
4
R
//
3
1
R 2
82.84kΩ
2．电路如图所示，图中集成运放输出电压的最大幅值为±14V，试将计算结果填如表 2.1 中。
解 ： vO1＝ (－ Rf /R) vI＝－ 10 vI， vO2 ＝ (1+Rf /R ) vI＝ 11 vI。
(32dB)
Ai
io ii
1V/4kΩ 10 μA
25
(28dB)
Ap Av Ai 40 25 1000
(30dB)
六、某音响系统放大电路的幅频响应如图所示，放大电路的带宽是多少？半功率点是哪两个点？半功率点 处的增益较中频区的增益下降了多少分贝？折合百分比为多少？
3
书山有 路
答：带宽 = fH - fL =2×104-20≈2×104Hz 半功率点指增益较中频区增益下降 3dB 的频率点（即对应 fH、fL），其输出功率约等于中频区输出功率
当集成运放工作到非线性区时，输出电压不是＋14V，就是－14V。
vI/V
0.1
vO1 / V
模拟电子技术考试题
模拟电子技术试题（A ）参考答案与评分标准考试时间:100分钟 考试方式:闭卷 考试日期: 年 月 日一、 是非题（32分）（各小题分数见卷面，与标准答案不同者为错）（1）V （2 ） X （3）V （4） X （5） V （6） X （7） X （8）X （9）X （10） X （11）X （12）X （13）V （14）X （15）X （16）X 二、解3分3分三、计算题（12分）5分4分3分四、计算题 （10分）解。
（1） 根据RC 串并联选频网络的参数，分318.3101010502121633ZKHRCf =⨯⨯⨯⨯==--ππ（2） 当振荡频率变为10K Z ，R=100K ，相应的电容变为：PFRf C 159101010100212133=⨯⨯⨯⨯==ππ 3分（3）、R 2>=200K 4分（4）. 微变等效电路: 3分 （2）.动态参数： 3分1 r i = R B 1 //R B2[ r be1 +（β +1)R E1 ]= 40 // 50 ≈22.2K 2r o = R C = 2K3 us i ius A R r r A ∙∙⋅+=968.0151629.0150)1(//1-≈⨯+⨯-=++-=∙E be C L u R r R R A ββ947.0)968.0(5.02.222.22-=-⨯+=∙us A 21i o u u -=)(1211o Fi F o u R R u R R u +-=s U ∙i 1122i Fi F o u R R u R R u -=五、计算题（12分）（1）U 2=0.9U 1=9V 4分 U DRM =1.414U=14.1V 2分 （2）U 2=1.2U 1=12V 4分 二极管所承受的最高反向电压U DRM =1.414U=14.1V 2分 六、简述题（10分）（1）D 1、D 2 消除交越失真 5分 （2）R 1、R 2 在电路中稳定静态工作点的作用 4分七、计算题（12分）BBEQCC BQ R U U I -=,BQCQI Iβ=,C CQ CC CEQR I U U-= 3分分)mA (mV)(26)1(300EQ be I r β++=21,//C o be B i R r r R r == 3分))1((//22222121121E be c be c u u u R r R r r R A A A βββ++-⨯-=⨯= 3分i o ∙。
模拟电子技术试题(A卷)答案——模电资料文档
《模拟电子技术》试题（A 卷）答案（20××级电气工程及其自动化专科）一、填空题（每空1分，共20分）1.点接触，面接触；2.反向，反向；3.小越好；4.正向，死区（门坎），甲乙类；5.不同，轮流，相同；6. 0， ∞；7.越强，最强；8.∣1+AF ∣>>1，∣1+AF ∣；9.放大，选频，正反馈二、判断题（每小题1分，共10分）1~10. √ × √ × × √ √ × × √三、选择题（每小题1分，共10分）1~10. a c b a c c a b c a四、计算题（60分）1.(15分) 解：小信号等效电路如图3.4.4(b)所示：Q 点：I B =A =⨯+=-μ4010300123b CC R V I C =440100=A ⨯=μβb I mA—V CE =V CC —I C C RV V CE 42412-=⨯+-=∴mA)(mV )(26)1(E bb'be I r r β++=≈200+101Ω=⨯5.856426 增益：A V = —be L C r R R )//(β= —10067.1555.856104//23-=⨯⨯ 输入电阻：R Ω=≈=5.856//be be b i r r R输出电阻：R Ω==k R C o 22.（10分）解：92.0129.01129.01m m V =⨯+⨯=+=R g R g AΩ=+=+=k R R R R g g g i 2075100//3002000//213 Ω===k g R R m O 02.19.01//121// 3.（15分）解：双入—双出时33.131020102010102)//(3321-=⨯+⨯⨯⨯-=-=-=-DS d m id O O VD r R g A υυυ双入—单出时 67.6211-==VD VD A A 共模输入电压 S gS m gS iC R g 2.υυυ+= 共模输出电压 d gS m OC R g .υυ-= ∴共模增益 49.0102211022.11-=⨯⨯+⨯-=+-==S m d m iC OC VC R g R g A υυ 共模抑制比 7.1349.067.6||11===VC VD CMR A A K 4.（10分）解：V P N O 3111-===υυυV P N O 4222+===υυυ 由虚断 V V R R R p 2330153035453=⨯+=+=υ 而 33232131R R R O N N O N O υυυυυυ-=-+-])111[(221132133R R R R R R O O N O υυυυ--++=∴ V P N 233==υυ V O 5]3043032)301301301[(30=---⨯++⨯=∴υ 5.（10分）解：O fN R R R υυ+=33 21211222121222)(R R R R R R R s s s s s S R P ++=+-+=+=υυυυυυυυ 由虚短，有 P N υυ=2121123)1(R R R R R R s s f O +++=∴υυυ 当f R R R R ===321时， 21s s O υυυ+=。
模拟电子技术课后习题及答案
第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P 型半导体。
（ ） （2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ）（3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。
（ ）（6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e UB. T U U I e SC.)1e (S －TU U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（5）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝。
解：U O1≈，U O2＝0，U O3≈－，U O4≈2V，U O5≈，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。
求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
解：U O1＝6V，U O2＝5V。
五、某晶体管的输出特性曲线如图所示，其集电极最大耗散功率P CM＝200mW，试画出它的过损耗区。
理工大学模拟电子技术期末考试试卷1
,考试作弊将带来严重后果！理工大学期末考试《 模拟电子技术 》试卷A （电类06级，2008.07.11）1. 考前请将密封线内填写清楚；2. 选择题和填空题在试卷首页的相应空白处作答，其它题直接答在试卷纸上； 3．考试形式：闭卷；4. 本试卷共 四 大题，满分100分，考试时间120分钟。
选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。
每小题2分，共20分）1．在本征半导体中加入（ ）元素可形成N 型半导体，加入（ ）元素可形成P 型半导体。
A.五阶,四阶 B.四阶,三阶C.三阶,五阶D.五阶,三阶2．增强型N 沟道MOS FET 构成放大电路，要求则其栅源间电压GS u （ ） A ．GS(off )U > B.GS(off )U <C.GS(th )U > D.GS(th )U <3． 在共射基本放大电路中，适当增大集电极负载电阻R C ，电压放大倍数和输出电阻将( )A ．放大倍数变大，输出电阻变大B ．放大倍数变大，输出电阻不变C ．放大倍数变小，输出电阻变大D ．放大倍数变小，输出电阻变小4． 如右图所示电路中，晶体管≈100，估算该电路的电压放大倍数和输入电阻约为（ ）A ．011k u i A .,R ≈≈ΩB. 012k u i A .,R ≈≈ΩC.1200k u i A ,R ≈≈ΩD.1100k u i A ,R ≈≈Ω5．NPN 型三极管构成的基本共射放大电路中,输入信号为1kHz,10mV 的正弦波,当出现饱和失真时,其输出波形的( )将削去一部分。
A. 底部B. 顶部C. 中间D. 顶部和底部同时6． RC 耦合放大电路中,当耦合电容容量增加时,下限截止频率L f 将( ),放大电路通频带BW 将( ).A.上升,变宽B.下降,变宽C.上升,变窄D.下降,变窄7． 测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，便可以得到幅频特性和相频特性，条件是（ ）。
模拟电子技术考试试卷答案
《模拟电子技术》考试试卷答案使用班级： 命题教师：考核方式：闭卷考试 考试时间：100分钟1. N 型半导体中多数载流子是﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍，P 型半导体中多数载流子是﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍，PN 结具有﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍特性。
2. 发射结﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍偏置，集电结﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍偏置，则三极管处于饱和状态。
3. 当Ucs=0时，漏源之间存在导电沟道的称为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍型场效应管，漏源之间不存在导电沟道的称为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍型场效应管。
4. 两级放大电路的第一级电压放大倍数为100，即电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB ，第二级电压增益为26dB ，则两级总电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB 。
5. 差分电路的两个输入端电压分别为Ui1=2.00V ，Ui2=1.98V ，则该电路的差模输入电压Uid 为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍V ，共模输入电压Uic 为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍V 。
6. 集成运算放大器在比例运算电路中工作在﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍区，在比较器中工作在﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍区。
7. 在放大电路中为了提高输入电阻应引入﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍负反馈，为了降2分，共40分）1、一个平衡PN 结，用导线将P 区和N 区连起来，而导线中（ ）。
A 、有微弱电流B 、无电流C 、有瞬间微弱电流 2、晶体管在大电流工作时，随Ic 的增加β值将（ ）。
A 、增加 B 、下降 C 、不变 3、三极管的反向电流I CBO 是由（ ）组成的。
A 、多数载流子B 、少数载流子C 、多数载流子和少数载流子 4、放大器的输入电阻高，表明其放大微弱信号能力（ ）。
Ａ、强 Ｂ、弱 Ｃ、一般 ５、射极跟随器具有（ ）特点。
Ａ、电流放大倍数高 Ｂ、电压放大倍数高 Ｃ、电压放大倍数近似于１且小于１输入电阻高，输出电阻低６、引入并联负反馈，可使放大器的（ ）。
Ａ、输出电压稳定 Ｂ、反馈环内输入电阻增加 Ｃ、反馈环内输入电阻减小７、直接耦合放大器的低频特性比阻容耦合放大器的（ ）。
Ａ、好 Ｂ、差 Ｃ、相同８、工作在线性区的运算放大器应置于（ ）状态。
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《模拟电子技术A 》（A ）卷答案及评分标准
一、选择题(12分)
1 B C 2. D B 3 B A 4. D C B A 5. B C
二．是非题(8分)
1.( 1分) √
2. (1分) √
3. (1分) √
4.( 1分) × 5．( 1分) ×
6．( 1分) × 7.( 1分) √ 8. ( 1分) √
三. (10分)
11O1250
100i i u u u -=-= (5分) 2121O 5.1)100
501(10050i i i o u u u u u +=++-= (5分)
四．(10分)
1.ri= R b1‖[rbe1+(1+β)Re1]‖ri2
ri2= R b1‖R b1‖[rbe2] （2分）
ro= Rc2=2k （2分）
2.电压放大倍数
Au1=1 （2分）
Au2=-β(R c2‖R L )/ [rbe2] （2分）
Au= Au1 Au2 （2分）
五．(10分)
be r =b b 'r +(1+β)EQ
T I U =2.8k Ω (2分) （a ）i R =be r =2.8k Ω (2分)
（b ）i R =be r +b R =3.8k Ω (2分)
（c ）i R =be r +(1+β)e R ≈104k Ω (2分)
（d ）i R =be r =2.8k Ω (2分)
六．（10分）图（a ）：11
2i o f -=-==R R u u A uu (5分) 图（b ）：1116
5i o f =+==R R u u A uu (5分) 七（10分）
1. (1)示波器荧光屏上出现一条水平线（无正弦波输出），因为在R p ＝0时，
321e1
f1<=+≈R R A u ，不满足起振条件，电路不振荡。
（3分） (2)R p ＝10k Ω时，312111.>>=++=e p
f u R R R A ，振荡波形将有严重失真，正弦波
的上、下两边均被削平。
（3分）
滞回比较器， 112
112T Z T Z R U U R R R U U R R +-=
+=-
+ （4分） 八．(10分)
图（a ）不满足相位平衡条件，不能振荡 （4分） 图（b ）满足相位平衡条件，能振荡，为电容三点式，Vcc 在交流电路中是接地的，反馈电压取自C 1 （4分） 122
121121LC C C C C L f ππ=+=
（2分）
九.(10分）
1．上“＋”下“－” （4分） 2．o o 2113
2U U R R R U =+=+，V 6===-+Z U U U V 9o =U （6分）
十.(10分) 每个表达式2分
1. V U 1omax =, =⨯≈=20
212L 2omax om R U P 0.025W 2.()V 6.13CES CC L
7L omax ≈-+=U V R R R U W 62.42L
2omax om ≈=R U P V 06.121CES
CC i ≈-≈u A U V U
注：也可忽略R 7 R 8的电阻。