半导体激光器的设计与数值研究
半导体激光器设计
半导体激光器设计半导体激光器是一种基于半导体材料的发光二极管，通过注入电流来产生激发的光电子，从而实现光的放大和激光器输出光的产生。
其独特的性能和特点使其被广泛应用于通信、医疗、材料加工等领域。
在本文中，我们将讨论半导体激光器的设计原理、结构和工作原理。
首先，半导体激光器的设计原理主要涉及基于材料的选择和结构的设计。
对于半导体激光器而言，材料的选择非常关键，一般选取的材料包括砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等III-V族化合物半导体材料。
这些材料具有很好的电子迁移率和较小的自发辐射损耗，使得光子可以在材料中较长距离地传播。
其次，半导体激光器的结构设计一般包括活性层、波导层和电极等部分。
活性层是激光器的关键部分，其中的激子产生和复合过程决定了激光器的性能。
波导层用于引导和放大光信号，通常采用高折射率的材料。
电极是用于注入电流的部分，通过控制电流的大小可以控制激光器的输出功率。
半导体激光器的工作原理是基于半导体材料中存在的能带结构和载流子的输运过程。
在半导体材料中，能带分为导带和价带，两者之间存在能隙。
在正常情况下，导带是空的，而价带是满的。
当外加电压或注入电流时，电子从价带跃迁至导带，产生激发的光子。
这些光子会被反射和放大，最终通过光输出窗口发射出来，形成激光。
根据半导体激光器的特点和应用需求，设计者需要考虑一系列的参数和技术。
首先，激光器的输出功率和效率是非常重要的参数。
通过控制材料的选择、结构的设计和电极的布局，可以实现高输出功率和较高的光-电转换效率。
其次，激光器的波长也是需要关注的参数，不同波长的激光器适用于不同领域的应用。
最后，温度和输出光的稳定性也是激光器设计中需要重点考虑的。
总结起来，半导体激光器的设计涉及材料的选择、结构的设计和电极的布局等多个方面。
通过合理的设计和参数选择，可以实现半导体激光器的高效和稳定输出。
随着半导体材料和制备技术的进一步发展，未来半导体激光器将在更广泛的领域发挥其重要作用。
半导体激光器优化设计
半导体激光器优化设计第一章：概述半导体激光器是一种利用半导体材料的电子和光子相互作用产生激光的器件。
它具有体积小、功耗低、效率高等优点，在现代通信、医疗、工业等领域得到广泛应用。
然而，在设计半导体激光器时，需要考虑众多因素，如波长、功率、线宽、发射角度等，这些因素往往相互制约，需要进行权衡和优化。
本文将从材料与结构、光学特性、优化方法三个方面进行探讨，并提出一些优化设计的思路。
第二章：材料与结构半导体激光器的材料选择和结构设计决定了其性能和应用范围。
目前常用的材料包括GaAs、InP、GaN等，不同材料的能隙和折射率会对激光器的波长和发射特性产生影响。
对于波长可调的激光器，还需选择具有较大的弗兰克-赫兹尔能隙效应的材料，如InGaAsP等。
在结构设计上，常见的有Fabry-Perot激光器、DFB激光器、VCSEL激光器等。
各种结构有其特点和适用范围，如Fabry-Perot激光器适用于高速通信和材料加工，DFB激光器适用于通信和光纤传感，VCSEL激光器适用于光通信和3D成像等领域。
第三章：光学特性半导体激光器的光学特性是其优化设计的关键。
光谱特性包括波长、线宽、峰值功率等参数，其影响因素有发射材料的能带结构、注入载流子浓度、腔长等。
在波长选择上，欲获得短波长激光器可选择具有较大能隙的材料，如GaN和ZnO等，而长波长激光器可选择InP和GaAs等材料。
线宽通常与激光器的腔长有关，腔长越短，线宽越宽，波形越复杂。
为了减小线宽，常采用DFB激光器中的布拉格光栅或VCSEL激光器中的共振腔等技术。
除了光谱特性外，还需考虑发散角度、输出功率等特性，其中发散角度又决定了激光器的聚焦能力和传输距离等。
第四章：优化方法有了对半导体激光器材料和光学特性的了解，我们可以借助数值仿真和实验优化设计。
数值仿真方法包括有限元法、有限差分法和光线追迹法等，可用于模拟光学场分布和载流子的动态行为。
光谱特性可以通过改变材料组成、尺寸和结构等因素进行调节，如增加电子捕获中心可提高阈值电流、掺杂材料超额增强光学净增益等。
半导体激光器的设计与优化
半导体激光器的设计与优化激光器是一种利用特定材料的能级结构和受激辐射原理来产生高纯度的、相干性极高的光束的装置。
其中，半导体激光器因其简单、小型化、高效能等特点而备受关注。
本文将探讨半导体激光器的设计与优化，包括材料选择、器件结构设计、光学波导设计和效率优化等方面。
首先，半导体激光器的设计首要考虑的是材料选择。
常见的半导体材料有InGaAs，InP等。
这些材料因其具备较大的带隙能量和较高的电子迁移率，适用于激光器的工作条件。
在选择材料时，需要考虑其能带结构、衰减系数以及工艺可行性等因素。
材料的选择对激光器器件的性能如输出功率、发射波长和温度稳定性等都有着重要的影响。
其次，器件结构设计是半导体激光器设计中的关键一环。
常见的结构有边射型和表面反射型两种。
边射型激光器通过一侧半导体材料界面辐射激光。
而表面反射型激光器则利用内部反射镜将光束引导至外界。
这两种结构各有优劣，需根据具体需求进行选择。
同时，在器件结构设计中，要考虑到激光器的散热、光学匹配以及耦合效率等问题，从而提高激光器的性能。
第三，光学波导设计是半导体激光器设计中的重要环节。
光学波导的设计与制备直接关系到激光器的光的传输效率和耦合效率。
常见的光学波导结构有单模波导和多模波导两种。
单模波导适用于要求较好的模式控制和较高的功率输出的应用，而多模波导则适用于功率较低的应用。
光学波导的设计需要综合考虑折射率、波导截面尺寸、传输损耗以及耦合效率等因素，以达到高效的激光器性能。
最后，半导体激光器的效率优化是设计与制备过程中的一项重要任务。
通过优化材料和结构的选择，改进工艺流程和器件制备方法，可以提高激光器的效率。
一种常见的优化方式是引入量子阱结构，通过限制载流子在垂直方向上的运动来提高效率。
此外，还可以通过优化激活层厚度、外部选区结构、端面镀膜等手段来降低激光器的损耗，从而提高效率和性能。
综上所述，半导体激光器的设计与优化需要综合考虑材料选择、器件结构设计、光学波导设计和效率优化等方面。
半导体激光器的研究
半导体激光器的研究半导体激光器是近年来应用非常广泛的一种激光器。
在本实验中我们将对半导体激光器的主要发光器件——激光二极管（LD）进行全面的实验研究。
【实验内容】1．激光二极管（LD）的伏安特性测量。
2．LD的发光强度与电流的关系曲线测量。
3*．LD发光光谱分布测量。
4*．LD发光偏振特性分析。
【实验仪器】激光二极管，电压表，电流表，激光功率计，分光计，格兰—泰勒棱镜等阅读材料半导体激光器件按照半导体器件功能的基本结构可分为：注入复合发光，即电—光转换；光引起电动势效应，即光—电变换。
这里主要讨论前者。
半导体激光光源是半导体激光器发射的激光。
它是以半导体材料作为激光工作物质的一类激光器，亦称激光二极管，英文缩写为LD。
与其相对应的非相干发光二极管，英文缩写为LED。
它具有工作电压低、体积小、效率高、寿命长、结构简单、价格便宜以及可以高速工作等一系列优点。
可采用简单的电流注入方式来泵浦，其工作电压和电流与集成电路兼容，因而有可能与之单片集成；并且还可用高达吉赫(109 Hz)的频率直接进行电流调制以获得高速调制的激光输出。
由于这些优点，LD在激光通信、光纤通信、光存储、光陀螺、激光打印、光盘录放、测距、制导、引信以及光雷达等方面已经获得了广泛应用，大功率LD 可用于医疗、加工和作为固体激光器的泵浦源等。
半导体激光器自1962年问世以来，发展极为迅速。
特别是进入20世纪80年代，借用微电子学制作技术(称为外延技术)，现已大量生产半导体激光器。
以半导体LD条和LD堆为代表的高功率半导体激光器品种繁多，应有尽有。
1 概述1）半导体激光器的分类从半导体激光器的发射的激光看，可分为半导体结型二极管注入式激光器和垂直腔表面发射半导体激光器两种类型；而从结型看，又可分为同质结和异质结两类；从制造工艺看，又可为一般半导体激光器、分布反馈式半导体激光器和量子阱半导体激光器激光器；另外，为了提高半导体激光器的输出功率，增大有源区，将其做成列阵式，又可分为单元列阵、一维线列阵、二维面阵等。
半导体激光器的光学特性与器件设计研究
半导体激光器的光学特性与器件设计研究近年来，半导体激光器在通信、医疗、材料加工等领域得到广泛应用。
然而，要实现高性能、高效率的半导体激光器设计，需要深入了解其光学特性。
本文将探讨半导体激光器的光学特性及其对器件设计的影响，并提出一些相关研究的前沿领域。
一、半导体激光器的光学特性半导体激光器是一种将电能转换为光能的器件，其内部结构由PN结构组成。
当电流通过PN结构时，由于电子与空穴的复合发射，产生光子。
这些光子被反射在光半导体介质的两边，形成光腔，然后通过其中一个半导体介质的边界逃逸出来，形成激光。
半导体激光器的光学特性主要包括频率、谱线宽度、发光强度和发散角等。
首先，频率是半导体激光器非常重要的特性之一。
其频率由多个因素决定，包括工作电流和温度等。
频率的稳定性直接影响到激光器的性能以及应用。
因此，在半导体激光器的器件设计中需要考虑如何实现频率的稳定。
其次，谱线宽度是半导体激光器的另一个重要特性。
谱线宽度越小，代表激光的单色性越好，激光器的性能也越高。
因此，研究者在器件设计中通常会采取一些措施来减小谱线宽度，如增加光腔长度或采用光纤外腔。
发光强度是半导体激光器另一个需要关注的特性。
随着电流的增加，发光强度也会增大。
然而，当电流达到一定值时，激光器就会出现饱和现象，即增加电流不会再增加发光强度。
因此，在器件设计中需要确定适当的电流范围，以实现最佳的发光强度。
最后，激光器的发散角也是光学特性中的一个重要方面。
发散角越小，激光器发出的光束越聚焦。
发散角的大小与多个因素有关，包括光腔长度、半导体材料和电流等。
在器件设计中，需要选择合适的参数来控制发散角，以满足特定应用对光束的要求。
二、半导体激光器的器件设计研究在了解了半导体激光器的光学特性后，研究者们致力于通过器件设计来改善其性能。
一种常见的设计方法是使用光纤外腔。
光纤外腔能够增加光腔的长度，降低谐振腔的模式间谐波失谐，从而减小谱线宽度，并且能够控制激光器的发散角度。
半导体激光器原理及结构设计
电流，则电子扩散进P+区。要达到受激，必须增大注入电流。
半导体LD的结构设计—垂直方向结构设计
垂直方向结构设计思想：
从第一只半导体LD的性能来看，要获得应用必须进行结构 设计。垂直方向的结构设计的目的：
降低阈值电流密度Jth； 实现室温下工作； 实现连续注入电流下工作。
p-Ga1-xAlxAs
p-GaAs p-G衬a1-底yAnly-AGsaAs n-Ga1-xAlxAs 衬底n-GaAs
MQWs
半导体LD的结构设计—垂直方向结构设计
量子阱结构LD —量子阱LD的特性
（1）低的Jth 阱内具有相对高的态密度，容易形成粒子数分布反转。 如：GaAlAs/GaAs MQWs LD： Jth ~ 43A/cm2。 DH LD： Jth ~ 500A/cm2
（2）除受有源区Eg控制外，还随阱宽变化 ——可通过改变阱宽在小范围内选择工作波长。
半导体LD的结构设计—垂直方向结构设计
量子阱结构LD —量子阱LD的特性
超晶格带的能量随d的减小而增大，d变小，超晶格带之间的跃迁复 合发射光的能量增大，波长变短。
CB
超晶格带的能量 EExEy2 m 2 d22n2Ey,z
CB
d20nm：有源区内的非平衡载流
E3 E2
子大部分聚集在较低的能量状态；
E1
载流子的复合主要发生在阱内；
其发光波长由有源区（GaAs阱） 中的能级状态决定。
VB
n-GaAlAs
Ehh1 Ehh2 Elh1 Ehh3
p-GaAs p+-GaAlAs
半导体LD的结构设计—垂直方向结构设计
半导体激光器的设计
半导体激光器设计半导体激光器产生激光的机理,即必须建立特定激光能态间的粒子数反转，并有光学谐振腔。
由于半导体材料物质结构的特异性和其中电子运动的特殊性,一方面产生激光的具体过程有许多特殊之处,另一方面所产生的激光光束也有独特的优势,使其在社会各方面广泛应用。
从同质结到异质结,从信息型到功率型,激光的优越性也愈发明显,光谱范围宽, 相干性增强,使半导体激光器开启了激光应用发展的新纪元。
1半导体激光器的工作原理激光产生原理半导体激光器是一种相干辐射光源,要使它能产生激光,必须具备三个基本条件:(1)增益条件:建立起激射媒质(有源区)内载流子的反转分布,在半导体中代表电子能量的是由一系列接近于连续的能级所组成的能带,因此在半导体中要实现粒子数反转,必须在两个能带区域之间,处在高能态导带底的电子数比处在低能态价带顶的空穴数大很多,这靠给同质结或异质结加正向偏压,向有源层内注入必要的载流子来实现。
将电子从能量较低的价带激发到能量较高的导带中去。
当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时,便产生受激发射作用。
(2)要实际获得相干受激辐射,必须使受激辐射在光学谐振腔内得到多次反馈而形成激光振荡,激光器的谐振腔是由半导体晶体的自然解理面作为反射镜形成的,通常在不出光的那一端镀上高反多层介质膜,而出光面镀上减反膜.对F—p腔 (法布里一珀罗腔)半导体激光器可以很方便地利用晶体的与P—n结平面相垂直的自然解理面一[110]面构成F—P腔。
(3)为了形成稳定振荡,激光媒质必须能提供足够大的增益,以弥补谐振腔引起的光损耗及从腔面的激光输出等引起的损耗,不断增加腔内的光场.这就必须要有足够强的电流注入,即有足够的粒子数反转,粒子数反转程度越高,得到的增益就越大,即要求必须满足一定的电流阀值条件.当激光器达到阀值时,具有特定波长的光就能在腔内谐振并被放大,最后形成激光而连续地输出. 可见在半导体激光器中,电子和空穴的偶极子跃迁是基本的光发射和光放大过程。
脊波导半导体激光器模式特性研究与设计
１ 脊 波 导模 式 分 析
如图 １ ，分析脊形区域 内的光波模式场。采用 有效折射率法 ，在弱导近似条件下 ，可以证明导 波模式的纵向分量比横向分量要小得多 ，引入 Ｔ Ｍ Ｅ
近似。将波导中的导波模式分为横 向分量Ｅ、且 的
（Ｏ Ｃ Ｄ） 的产生。Ｅ ． ｉ 等人通过设计弯 曲波导 ＢＳ ｎ ｗ ｔ 结构 ，利用高阶模式在弯 曲波导中的损耗大的特点 制作了条宽 ６ 基侧模 Ｌ 岬 Ｄ。ＨＹ ｎ 等人设计 了反 ．ａｇ
慷 ＝髓 斗 ； 斗 ：瑶 ；
一
计算厚度 ｈ 。计算时要输入精度ｚ 可求 出对应不同 ， 厚度 ｈ 的有效折射率值 。
Ｉ ｐｕ ，ｌ ／ ｎ ｈ ｚ ｎ ｔｚ ７ ２ ３
一
砖＋ ＝磕最 ＋ ＝瑶， 斗 ２ ； （ ２）
一
其 中 、ｎ为空气折射率 ，ｎ、ｎ波导层折射 ： ３ ， 率 ，ｎ 有源 区折射 率 ， 为横 向传播 常数 。ｎ 。 ４ ＝ ｌ 、 、 ： ＝ 、ａ ａ ２， ＝ 。应用边界条件可得 模 式的特征方程如下 ：
应的厚度 （ 单位ｐ ） ｍ 。如表 １ 。
表 １ ，－ ｌ ｈ数值关 系表 。 广
Ｔ ｂ１ ａ ．
ｎ ｆ ｅ
ｈ
ｔ ．５ 。 ＜０ 。了 ＝ ＋ 亍彳 ２ 卜
√ ｌ —ｒ ， 一， √ｌ ．
（ １ Ｉ）
ｔ 为归一化宽度 ，ｒ 为归一化高度 。ｔｗＨ，， ＝／ ． ＝
第３ 卷第２ ４ 期 ２ １年６ ０ １ 月
长春理工大学学报 （ 自然科学版 ）
Ｊｕｎｌ ｆ ｈ ｎ ｃｕ ｉ ｒｉ ｆ ｃｅｃ ｎ ｅｈ ｏｏｙ Ｎａｕａ ｃｅｃ ｄｔ ｎ） ｏｒａｏ Ｃ ａ ｇｈｎＵｎｖ ｓ ｙ Ｓｉｎｅ ｄ ｃｎ ｌｇ （ ｔ ｌ ｉｎｅ ｉｏ ｅ ｔｏ ａ Ｔ ｒ Ｓ Ｅ ｉ
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Ａ＂ － － Ｉ Ｂ Ｎ＋Ｃ Ｎ 。 其 中Ａ， Ｂ ， Ｃ分别表征 无辐射 复合 、 自发辐 射复合和俄歇复合系数 ， ｒ为模 式限制因子，壳 为光子 能量 ， Ａ 一 为有源 区横截面积 ， Ⅱ 为增益介质 内部损耗 ， ｈ 为光子能
和 光循环器 （ Ｃ ｉ ｒ ｃ ｕ ｌ ａ ｔ ｏ ｒ ） 进入调制 Ｓ Ｏ Ａ 中， Ｐ Ｃ是 用 来 控 制 光
ａ Ｐ
— — —
＝ 一
ｍ
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＝ ＿ ・ ＋
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（ ２ ）
ｄ
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（Ｔ ）
Ｚ，
一
：
一
［ Ｉ ， ， （ ｚ ， ） 一 】 。 ， （ ｚ ， ）
摘要 ： 设计 了半 导体 激光器的模 型 ， 它包含 两个半导体光放 大器（ Ｓ Ｏ Ａ） ， 其 中一个 Ｓ Ｏ Ａ充 当调制器（ 调制 Ｓ Ｏ Ａ） ， 另一个 Ｓ Ｏ Ａ 充 当增 益介 质（ 增益 Ｓ Ｏ Ａ ｏ对该模型进行 了理论分析及数值模拟 ， 结果表 明 ： 适 当调 节调 制 Ｓ Ｏ Ａ的偏置 电流 ， 在 增益 Ｓ Ｏ Ａ的偏置 电流实现 小信 号净增益 大于零的情况下 ， 激光 器能够输 出高峰值功率 、 窄脉 宽的锁模脉 冲 ； 调节注入脉
冲， 最终可以输 出重复频率为 ２ ５ Ｇ Ｈｚ的稳 定光脉 冲序 列。
关键词 ： 半 导体 光放 大 器 ； 交 叉增 益 调 制 ； 交 叉 相 位调 制
中图分类号 ： Ｔ Ｎ２ ４ ８ ． ３ ５
文献标识 码 ： Ａ
文章编号 ： １ ６ ７ ３ 。 ｌ １ ３ １ （ ２ ０ １ ４ ） ０ ２ ． ０ ０ ６ ３ ． ０ ３ 生 的信号光脉冲 的频率 ， 当 ＝ 西（ 为环行腔的基频， ｎ 为 整数Ｊ 时， 即满足激光器实现谐波锁模的条件， 在激光器腔 内的 脉冲才能每次经过 调制 Ｓ Ｏ Ａ时都能获得 最大 的透过率 ， 脉冲
Ｉ Ｉ Ｉ 一ＬＩ Ｉ ｌ ， Ｂｉ ａｓ
３ Ｐ Ｉ ， ｊ （ ｚ ， Ｔ ）
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［ ｒ ｇ Ｊ ， ， （ ｚ ， ） 一‰ 】 ， ， ， ）
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１
寻 一￣ ｒ ａ ｊ ｇ （ Ｎ Ｓ ＯＡ 的第 ． 『段 ， Ｍ 是第 段 的载 流 子密 度 ，
２ ０ １ ４年第 ２期
（ 总第 １ ３ ４期）
信 息 通 信
１ ＮＦ ＯＲ Ｍ ＡＴＩ ＯＮ ＆ ＣＯＭ ＭＵＮＩ ＣＡＴ１ ０ＮＳ
２０１ ４
（ Ｓ ｕ ｍ ．Ｎ ｏ １ ３ ４ ）
半导体激光器 的设计 与数值研 究
杨文艳 ， 刘春兰
（ 重庆科技 学院 数理 学院， 重庆 ４ ０ １ ３ ３ １ ）
ｍ、 ｆ 分别 对应 调制 信 号脉 冲和 锁模 脉 冲是 在第 ． ， 段 的光 功
率， Ｔ ｒ ｆ — Ｚ ／ ｖ ， ｖ 为Ｓ Ｏ Ａ中 的群速 度Ｊ 是在 随脉冲运 动的参 照系 中所测得 的时 间， ，是调制 Ｓ Ｏ Ａ的注入 电流， 是调制
Ｓ Ｏ Ａ 的体 积 ｑ ， 是 电子 电荷 ， 是载流子寿命 ， 其 表 达 式为 ：
不断被压 窄， 并在 增 益 Ｓ Ｏ Ａ得 到 放 大 ， 最 终 从耦 合 器 的输 出端
０ 引言
随着激光技术 的迅速发展， 主动锁模掺铒环形光纤激光器 由于能够输出高重复频率、 近变换极限的超短光脉冲“ ， 而倍受 关注。但光纤锁模激光器 的腔长较长， 环境的微小变化就会 导
致腔长发生漂移 ， 从而产生相位噪声， 相位噪声引起输出锁模脉 冲的幅度不稳定 ， 严重时会使激光器失锁 。尽管相关研究人 员 已经提 出了许多解决方案 ， 且激光器的输 出性能得到了极
空间发生变化 ， 为 了更 准 确 地 模 拟 光 脉 冲 在 调 制 Ｓ Ｏ Ａ 中 的 传
输特性 ，采用分段模型进行处理 。在调制 Ｓ ＯＡ的不同位置 ， 载流子密度及光功率满足 以下方程 ：
ｌ理 论模 型
图 １ 给 出了半导体激光器 的结构示意 图。分布反馈激光 二极管 （ Ｄ Ｆ Ｂ ． Ｌ Ｄ） 输出的调制光脉冲 ， 通过偏振控制器 （ Ｐ Ｃ）
（ ３ ）
（ ４ ）
场 的偏振态 。 ， 利用调制 Ｓ Ｏ Ａ 的交叉增益调制 （ ＸＧＭ） 和交叉 相位调制（ ｘＰ Ｍ） 实现对注入光脉冲的调制 以获得超短光脉冲， 增益 Ｓ Ｏ Ａ提供增益 以克服脉冲在腔 内传输 时的损耗 ， 环路 中 的光隔离器用 以保证光单 向传输 ，可调滤波器用来控制和调 节起振 的中心频率，同时减 小 Ｓ Ｏ Ａ 的 自发辐射 噪声 ， 最终锁 模 脉冲 从光纤耦合器 （ Ｏｃ ） （ 其耦合 比为 ５ ： ９ ５ ） 输出 。
大的改善， 但这些方案使激光器 的结构变得更为复杂 ， 且成本较 高。基于此， 本文结合半导体光放大器 （ Ｓ Ｏ Ａ） 具有非线性系数 大（ 通常比光纤的非线性系数大三至四个数量级） 、 响应速度快， 易于集成， 对偏振不敏感等优 点， 将其应用于谐波锁模激光器技 术中。 本文设计 了一种半导体激光器模型， 在考虑 Ｓ Ｏ Ａ 中增益 压缩和 非线性增益的情况下 ， 研究 了此激 光器 的输 出特性。通 过观察实验现象与数值仿真结果得知， 此激光器简化 了系统 的 构成， 降低了成本 ， 这将对实际工作具有一定的指导意义 。
输 出重复频率为 的稳定的锁模光脉冲 。当激光器稳定后，
光脉冲在腔 内传播一周后 ， 能实现 自再现 。 在Ｓ Ｏ Ａ 中传输的光脉冲的复振幅可表示为：
Ａ ｍ ， ） ＝Ａ ｉ ． ） ［ Ｇ（ ｆ ） 】 ｅ ｘ ｐ ｛ ｉ ［ Ｏ ＋①皿】 ）
相移 ，
（ １ ）
式中Ｇ （ ｔ ） 为放大器的增益 ， ｚ 为光脉冲经过 Ｓ ＯＡ的线性 为 光脉 冲经 过 Ｓ Ｏ Ａ获得 的非线性相移 。由于存在 受激辐射 ， 光脉冲在 Ｓ Ｏ Ａ 中传输 时， 载流子密度将随时 间和