第三章 非制冷红外焦平面阵列原理
红外焦平面阵列
红外焦平面阵列红外焦平面阵列原理、分类1、红外焦平面阵列原理焦平面探测器的焦平面上排列着感光元件阵列，从无限远处发射的红外线经过光学系统成像在系统焦平面的这些感光元件上，探测器将接受到光信号转换为电信号并进行积分放大、采样保持，通过输出缓冲和多路传输系统，最终送达监视系统形成图像。
2、红外焦平面阵列分类（1）根据制冷方式划分根据制冷方式，红外焦平面阵列可分为制冷型和非制冷型。
制冷型红外焦平面目前主要采用杜瓦瓶/快速起动节流致冷器集成体和杜瓦瓶/斯特林循环致冷器集成体[5]。
由于背景温度与探测温度之间的对比度将决定探测器的理想分辨率，所以为了提高探测仪的精度就必须大幅度的降低背景温度。
当前制冷型的探测器其探测率达到～1011cmHz1/2W-1，而非制冷型的探测器为～109cmHz1/2W-1，相差为两个数量级。
不仅如此，它们的其他性能也有很大的差别，前者的响应速度是微秒级而后者是毫秒级。
（2）依照光辐射与物质相互作用原理划分依此条件，红外探测器可分为光子探测器与热探测器两大类。
光子探测器是基于光子与物质相互作用所引起的光电效应为原理的一类探测器，包括光电子发射探测器和半导体光电探测器，其特点是探测灵敏度高、响应速度快、对波长的探测选择性敏感，但光子探测器一般工作在较低的环境温度下，需要致冷器件。
热探测器是基于光辐射作用的热效应原理的一类探测器，包括利用温差电效应制成的测辐射热电偶或热电堆，利用物体体电阻对温度的敏感性制成的测辐射热敏电阻探测器和以热电晶体的热释电效应为根据的热释电探测器。
这类探测器的共同特点是：无选择性探测（对所有波长光辐射有大致相同的探测灵敏度），但它们多数工作在室温条件下[6]。
（3）按照结构形式划分红外焦平面阵列器件由红外探测器阵列部分和读出电路部分组成。
因此，按照结构形式分类，红外焦平面阵列可分为单片式和混成式两种[7]。
其中，单片式集成在一个硅衬底上，即读出电路和探测器都使用相同的材料，如图1所示。
第三章非制冷红外焦平面阵列原理
第3章 非制冷红外焦平面阵列原理
3.2.3 温差电探测器
HoneyWell温差电TE探测器
第3章 非制冷红外焦平面阵列原理
3.2.3 温差电探测器
热电信号电压为：
VS=N(S1-S2)ΔT
其中S1，S2是热电系数（塞贝克系数）。它们的差值称为 接点的热电功率。
热电像素的响应率为：
N(S1 S2) G(122)1/2
当辐射为主要的热交换时， G即Grad，是对 StefanBoltzmann表达式的求导：
Grad4AT3
第3章 非制冷红外焦平面阵列原理
比探测率 ： 在探测器与背景温度相同且有相同的分布时：
DB *F(16kT5)1/2
在探测器与背景温度不同时：
DB *F8k(TD 5TB5)1/2
TD为探测器的温度，TB为背景温度。
电阻变化（辐射计） 热电结（TE传感器） 热释电效应 气体压力变化 … 等
第3章 非制冷红外焦平面阵列原理
§3.1 热绝缘结构的重要性
2. 热传递的三个方式 热 传 导： 1）热量敏感区沿支撑物向衬底; 2）相邻像素之间横向热流通； 3）如果阵列没有固定在一个抽空的封装盒 里，热量会流向周围的大气。 热 对 流： 热 辐 射：
IS
pAP0 G(1 2 2 )1/ 2
热电探测器的响应率为：
pAR
G (1
2
2 e
)1/
2
(1
2
2
)1/
2
第3章 非制冷红外焦平面阵列原理
3.2.2 . 热电探测器以及铁电辐射计 2. 响应率
eReC (tan )1
例如，在30Hz下，一个损失正切角为0.01的材 料电响应时间为0.53s，热响应时间为10ms。
非致冷焦平面阵列（UFPA）
非致冷焦平面阵列(UFPA)红外探测器非制冷焦平面阵列省去了昂贵的低温制冷系统和复杂的扫描装置，敏感器件以热探测器为主。
突破了历来热像仪成本高昂的障碍，"使传感器领域发生变革"。
另外，它的可*性也大大提高、维护简单、工作寿命延长，因为低温制冷系统和复杂扫描装置常常是红外系统的故障源。
非致冷探测器的灵敏度(D）比低温碲镉汞要小1个量级以上，但是以大的焦平面阵列来弥补，便可和第一代MCT探测器争雄。
对许多应用，特别是监视与夜视而言已经足够。
广阔的准军事和民用市场更是它施展拳脚的领域。
为避免大量投资，把硅集成电路工艺引入低成本、非制冷红外探测器开发生产，制造大型高密度阵列和推进系统集成化的信号处理，即大规模焦平面阵列技术，潜力十分巨大。
正因为如此，单元性能较低的热电探测器又重新引人注目，而且可能成为21世纪最具竞争力的探测器之一。
目前发展最快、前景看好的有两类UFPA：（1）热释电FPA。
热释电探测器的研究早在60年代和70年代就颇为盛行，有过多种材料，较新型的有钛酸锶钡(BST)陶瓷和钛酸钪铅(PST)等。
美国TI公司推出的328×240钛酸锶钡(BST)FPA已形成产品，NETD优于0.1K，有多种应用。
计划中还有640×480的FPA，发展趋势是将铁电材料薄膜淀积于硅片上，制成单片式热释电焦平面，有很高的潜在性能，可望实现1000×1000阵列的优质成像。
(2)微测辐射热计(Microbolometer)。
它是在IC－CMOS硅片上以淀积技术，用Si3N4支撑有高电阻温度系数和高电阻率的热敏电阻材料VOx或α－Si，做成微桥结构器件(单片式FPA)。
接收热辐射引起温度变化而改变阻值，直流耦合无须斩波器，仅需一半导体制冷器保持其稳定的工作温度。
90年代初，由Honeywell公司首先开发，研制成工作在8μm～14μm的320×240 UFPA，并以此制成实用的热像系统，NETD已达到0.1K以下，可望在近期达到0.02K。
非制冷红外焦平面阵列信号处理电路的设计-概述说明以及解释
非制冷红外焦平面阵列信号处理电路的设计-概述说明以及解释1.引言1.1 概述非制冷红外焦平面阵列是一种重要的红外传感器，具有广泛的应用前景。
与传统冷却红外焦平面阵列相比，非制冷红外焦平面阵列不需要额外的冷却机制，因此具有更小、更轻、更便捷的特点。
由于其在热成像、火情监测、夜视、目标探测、红外光谱等领域具有广泛的应用价值，因此其电路设计成为研究的重点。
本文旨在探讨非制冷红外焦平面阵列信号处理电路的设计，重点是要分析其原理、应用，并提出相应的设计要点。
通过对非制冷红外焦平面阵列的深入研究和分析，可以揭示其内在机制，为信号处理电路的设计提供理论依据和实践指导。
文章的结构主要由引言、正文和结论三个部分构成。
在引言部分，我们将对非制冷红外焦平面阵列进行一个整体的概述，介绍其基本原理、特点和应用范围。
同时，我们还将介绍文章的结构，以便读者能够清晰地了解整篇文章的组织结构，方便查找所需信息。
通过本文的研究，我们期望能够为非制冷红外焦平面阵列信号处理电路的设计提供一些有益的指导，促进其在相关领域的应用与发展。
同时，我们还将展望非制冷红外焦平面阵列信号处理电路在未来的发展方向，为后续研究提供一定的参考依据。
总之，本文将深入探讨非制冷红外焦平面阵列信号处理电路的设计，通过对其原理和应用的研究，提出相应的设计要点，并对其未来的发展进行展望。
希望本文能为相关领域的研究人员和工程师提供一些有益的启示和参考。
1.2文章结构1.2 文章结构本文主要分为以下几个部分进行叙述和分析：第一部分是引言部分，主要对非制冷红外焦平面阵列信号处理电路的设计进行概述和介绍。
其中包括对该领域的背景和意义进行阐述，以及对文章结构和目的进行说明。
第二部分是正文部分，主要包括两个重要内容。
首先，对非制冷红外焦平面阵列的原理和应用进行详细介绍，包括其工作原理、结构组成和相关应用领域。
其次，介绍信号处理电路的设计要点，包括对信号的采集、预处理和解调等环节进行详细分析和设计方案的阐述。
二极管型非制冷红外焦平面阵列读出电路积分放大单元研究的开题报告
二极管型非制冷红外焦平面阵列读出电路积分放大单元研究的开题报告1. 立项背景及意义随着红外成像技术的飞速发展，红外焦平面阵列（IRFPA）已经成为红外成像的核心部件。
IRFPA由一个个微小的红外探测器（pixel）组成，每个探测器都可以单独感知红外辐射并将其转化为电信号。
为了实现高质量的红外成像，必须对IRFPA的读出电路进行精细的设计和优化。
在IRFPA的读出电路中，积分放大单元是其中最关键的部分之一。
积分放大单元的主要功能是将探测器感知到的微弱电信号转化为经过放大和积分之后的稳定输出信号，这一过程决定了IRFPA的灵敏度和信噪比。
因此，对积分放大单元的研究具有重要的理论和技术意义。
二极管型非制冷红外焦平面阵列是一种新型的IRFPA技术，相对于传统的制冷红外焦平面阵列具有更高的集成度和更低的成本。
但是，二极管型非制冷红外焦平面阵列的读出电路设计方案还不成熟，需要在积分放大单元等方面进行深入研究和探索。
2. 研究内容及方法本课题旨在研究二极管型非制冷红外焦平面阵列的读出电路中的积分放大单元，并基于此设计出高性能的读出电路。
具体研究内容包括以下几个方面：（1）二极管型非制冷红外焦平面阵列的基本原理及特点。
（2）积分放大单元的原理和设计方法，包括传统的积分放大电路和基于超前微分器的积分放大电路。
（3）设计二极管型非制冷红外焦平面阵列读出电路积分放大单元的关键技术，包括对偏置电压、增益和积分时间的控制等。
（4）利用仿真工具进行设计与验证，分析所设计的积分放大单元在不同偏置电压、增益和积分时间下的性能，包括噪声、动态范围等参数。
（5）基于所设计的积分放大单元，构建二极管型非制冷红外焦平面阵列的读出电路，并验证其性能和可靠性。
3. 预期结果及应用本研究预期设计出高性能的二极管型非制冷红外焦平面阵列读出电路，具有以下特点：稳定的输出信号、高信噪比、低噪声等。
该读出电路可应用于各种红外探测器和成像系统，具有广阔的应用前景和市场价值。
非制冷红外焦平面热成像系统硬件电路设计与实现
3、系统集成：非制冷红外焦平面热成像系统的各个组件需要高度集成以保 证系统的性能和稳定性。这需要采用先进的微电子制造技术和先进的封装技术来 实现。同时，需要开发高效的接口协议来实现组件之间的数据传输和控制。
4、能耗与散热：在非制冷红外焦平面热成像系统的设计和实现过程中，需 要考虑能耗和散热问题。高能耗可能会导致系统过热，影响性能和稳定性；而散 热不良可能会导致系统温度过高，引发故障。为了解决这些问题，可以采用低功 耗的组件和设计来降低能耗；同时，需要采用有效的散热设计和布局来确保系统 在正常工作温度范围内运行。
3、算法：为了提高非制冷红外热成像技术的图像质量和稳定性，需要采用 先进的信号处理和图像处理算法，如自适应阈值设定、中值滤波、多尺度变换等。
应用场景展望
随着技术的不断发展，非制冷红外热成像技术的应用领域也将越来越广泛。 以下是几个潜在的应用领域：
1、智能家居：非制冷红外热成像技术可用于智能家居中的安全监控、人体 检测、温度控制等领域，提高居住的舒适度和安全性。
引言
非制冷红外热成像技术是一种利用红外传感器捕捉热辐射并转换为可见图像 的技术。自20世纪初以来，随着科技的不断进步，非制冷红外热成像技术已经成 为军事、安全、医疗、科研等领域的重要工具。本次演示将详细介绍非制冷红外 热成像技术的发展历程、现状分析、关键技术探究及其应用场景展望。
发展历程
自20世纪50年代起，非制冷红外热成像技术开始进入实用阶段。早期的非制 冷红外热成像系统采用多元线阵列传感器，但由于其制造成本高、噪声大、灵敏 度低，限制了其应用范围。随着技术的发展，20世纪90年代中期，非制冷红外热 成像技术取得了突破性进展。新一代的传感器采用非晶硅等先进材料，提高了灵 敏度和稳定性，降低了成本，使得非制冷红外热成像技术得以广泛应用。
非制冷热释焦平面
非制冷热释焦平面，是指一种能够在无需外部制冷系统的情况下实现热能转化和释放的技术。
它具有高效、环保、节能等优点，被广泛应用于能源领域。
本文将从背景介绍、工作原理、应用前景等方面进行论述。
一、背景介绍随着全球能源需求的不断增加和环境问题的日益突出，传统能源供应模式已经面临巨大的挑战。
在这种背景下，非制冷热释焦平面技术应运而生。
它基于热电效应、热光效应等物理原理，可以将热能转化为电能或其他形式的能量，并实现能量的高效利用和环境友好。
二、工作原理非制冷热释焦平面的工作原理主要涉及热电效应和热光效应两个方面。
1. 热电效应热电效应是指在材料的两端存在温度差时，由于载流子的热运动带来的电荷运动而产生电压。
通过选择合适的材料和结构设计，可以实现高效的热电转换。
当热能通过热释焦平面时，其中的热电材料将吸收热量并产生电压，从而将热能转化为电能。
2. 热光效应热光效应是指在材料受热时，其光学特性发生变化，导致光的吸收、散射或透射等行为发生变化。
通过利用热光效应，可以将热能转化为可见光或其他波段的光能，进而实现能量的转化和利用。
三、应用前景非制冷热释焦平面技术具有广阔的应用前景，主要体现在以下几个方面：1. 新能源开发利用非制冷热释焦平面可以将太阳能、地热能、工业废热等各种低温热能转化为电能或其他形式的能量。
这为新能源的开发利用提供了新的途径，可以有效解决能源供应和环境污染等问题。
2. 热电设备改进传统的制冷设备往往需要使用大量的电能，且对环境产生负面影响。
非制冷热释焦平面技术可以应用于热电设备中，提高能量的利用效率，减少对环境的影响，使热电设备更加节能环保。
3. 应急电源与移动充电非制冷热释焦平面技术具有体积小、重量轻的特点，适合应用于应急电源和移动充电等场景。
它可以通过吸收环境中的热能，为移动设备充电，满足人们日常生活和工作的需求。
4. 空间探测与航天技术在航天领域，非制冷热释焦平面技术可以用于太阳能帆板、航天器热控系统等方面，为空间探测和航天技术提供可靠的能源支持。
第三章非制冷红外焦平面阵列原理
热敏材料
采用高灵敏度、低噪声的 热敏材料，如氧化钒、非 晶硅等。
微桥结构
设计优化的微桥结构，降 低热导，提高热响应时间 。
读出电路
低噪声、高灵敏度的读出 电路，实现微弱信号的提 取和放大。
热电堆技术
1 2
热电偶
利用热电偶的塞贝克效应，将温差转换为电信号 。
热电堆结构
多个热电偶串联或并联构成热电堆，提高输出电 压和灵敏度。
3
温度控制
精确控制热电堆的工作温度，实现最佳性能。
其他非制冷技术
热释电技术
利用热释电材料的自发极化现象，将温度变化转换为 电信号。
光学读出技术
通过光学方法读取红外辐射引起的温度变化，无需电 学读出电路。
新型二维材料技术
利用二维材料的优异热学和电学性能，开发高性能的 非制冷红外探测器。
市场规模持续增长
随着非制冷红外焦平面阵列技术的不断成熟和成本的降低，其市场 规模将持续增长。
多元化应用领域拓展
除了传统的军事和民用领域外，非制冷红外焦平面阵列还有望在智 能交通、环境监测等新兴领域得到广泛应用。
技术创新推动市场发展
随着新材料、新工艺等技术的不断创新和应用，非制冷红外焦平面 阵列的性能将不断提升，推动市场向更高层次发展。
第三章非制冷红外焦 平面阵列原理
汇报人：XX
目录
• 红外辐射与红外探测器概述 • 非制冷红外焦平面阵列核心技术 • 非制冷红外焦平面阵列性能参数及影响因
素 • 非制冷红外焦平面阵列制造工艺与封装技
术 • 非制冷红外焦平面阵列应用领域与市场前
景 • 总结与展望
01
红外辐射与红外探测器 概述
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非制冷红外焦平面阵列原理
(2)
隔板结构
图3.3 Honeywell的单片微辐射计像素结构。ＩＲ，红外
第3章
非制冷红外焦平面阵列原理
4. 热流量公式(温度变化方程）
热容：C，支撑的热传导：G，热辐射调制红外光功率幅 度为P0，入射吸收率：，调制光的角频率(设为正弦辐 射） ：ω ，温度增加：△T, 则热流量公式:
/ 0 ( A )
1/ 2
(P / T )
1
2
图3.10 温度波动噪声限和背景波动噪声限下的NETD。
第3章
非制冷红外焦平面阵列原理
2
与频率有关的温度波动平方均值：
T f
2
4 GkT
2
2
B
2 2
G (1 )
像素和环境之间热功率交换的平均平方起伏 ：
P f 4 kT GB
2 2
第3章
非制冷红外焦平面阵列原理
3.3.1 . 温度波动噪声限制 比探测率D*
比探测率D*定义 ：
D
*
( AB ) PN
1/ 2
PN为噪声等效功率：
G j C
幅值：
T
P0
G (1 )
2 2 1/ 2
与吸收率成正比，随增加，温升下降
第3章
非制冷红外焦平面阵列原理
4. 热流量公式
讨论： 当 1时：
当 1时：
T
P0
G
T
P0 C
P0
G (1 exp( t / ))
C/G：像素热容/热导； rCe ：像素的电阻以及电容总共的电损失
第3章
非制冷红外焦平面阵列原理
§3.3 重要限制
3.3.1 . 温度波动噪声限制 温度波动噪声：与周围的环境进行热交换显示 出的温度波动性。 在 所 有 的 频 率 下 , 温 度 波 动 平 T 均 值 方 为： 2 kT
2
T
正比于电阻温度系数，反比于热导。
第3章
非制冷红外焦平面阵列原理
3. 噪声等效温差（NETD）
定义：黑体温度变化时，引起阵列输出的信噪比以及 读出电路信号最小单位的变化，此温度变化量称为噪声 等效温差。
NETD 4F VN
2
0 A （ P / T）
1
2
F: 光学系统的光圈数； A: 像素面积； VN: 电子噪声； τ 0: 透射率； : 响应率； （P/T）1～2: 黑体在温度T下， 从1到2范围内，每单位面积上的功率变化量。 295K的黑体： （P/ T）3-5 =2.1010-5W/cm2K （P/ T）8-14 =2.6210-4W/cm2K
2
C
K 为波尔兹曼常数； T 为系统的温度，假设与环境温度相同； C 为系统及环境的谐波均值。当系统为一种热探测器，
热容谐波均值即为探测器或者阵列中像素的热容。
第3章
非制冷红外焦平面阵列原理
§3.3 重要限制
噪声电压：探测器输出电子系统如有足够大的放 大倍数，即使没有输入辐射，也会看到一定的 毫无规律的、无法预料的电压起伏，它的均方
面积A
支撑衬底
电阻变化（辐射计） 热电结（TE传感器） 热释电效应 气体压力变化 … 等
第3章
非制冷红外焦平面阵列原理
§3.1 热绝缘结构的重要性
2. 热传递的三个方式
热 传 导： 1）热量敏感区沿支撑物向衬底; 2）相邻像素之间横向热流通；
3）如果阵列没有固定在一个抽空的封装盒
里，热量会流向周围的大气。
ＶＳ＝ibΔ R=ibα RΔ T
温度增加量△Ｔ：
T
P0
G (1 )
2 2 1/ 2
有：
VS
i b R P0 G （1 ）
2 2 1/ 2
第3章
非制冷红外焦平面阵列原理
2. 响应率Ｒ
响应率：
VS P0
ib R G （1 ）
2 2 1/ 2
d T dt
C
G T P P0 exp
j t
内能的增加
热传导
吸收的辐射功率
定义为热响应时间：
τ
C G
第3章
非制冷红外焦平面阵列原理
4. 热流量公式
1962年Kruse给出电阻测辐射热计的解: 当t>>τ时：
T
P0 exp( j t )
第3章
非制冷红外焦平面阵列原理
3. 噪声等效温差
NETD 4F VN
2
0 A （ P / T）
1
2
pAR
G (1 2 e2 )1 / 2 (1 2 2 )1 / 2
第3章
非制冷红外焦平面阵列原理
4. 铁电热辐射效应（场增强热电效应）
不外加电压即发生热电效应，加了电压后， 存在电场，热电材料显示出极化特性并且延伸 到超出正常的居里温度以上的区域，可以获得 一个来自于受温度影响的电介质常数的额外的 信号分量。
辐射热电偶
第3章
非制冷红外焦平面阵列原理
3.2.3 温差电探测器
HoneyWell温差电TE探测器
第3章
非制冷红外焦平面阵列原理
3.2.3 温差电探测器
热电信号电压为：
VS=N(S1-S2)Δ T
其中S1，S2是热电系数（塞贝克系数）。它们的差值称为 接点的热电功率。 热电像素的响应率为：
1
2
NETD
TF
8 F T ( kBG )
2
1/ 2
0
A ( P / T ) 1 2
NETD 正比与G1/2，根据设计的需要，G值可以在几 个数量级之间变化。隔热装置设计不好的阵列其NETD值 受到温度波动噪声的很大限制。
第3章
非制冷红外焦平面阵列原理
3.3.2 . 背景波动噪声限制
第3章
非制冷红外焦平面阵列原理
第三章 非制冷型红外焦平面阵列原理
§3.1 热绝缘结构的重要性
§3.2 主要热探测机制
§3.3 重要限制
§3.4 讨论
第3章
非制冷红外焦平面阵列原理
§3.1 热绝缘结构的重要性
1. 热红外传感器的基本结构 红外辐射引起的温度变 化可由以下方式测得:
传 感 器
支撑腿
信 号 辐 射
R RT
即：
1 dR R dT
第3章
非制冷红外焦平面阵列原理
1.电阻温度系数
典型的参数为：
金属：
半导体： 超导体：
α ＝0.002（℃）－１
α =-0.02（℃）－１ α ＝2.0（℃）－１
第3章
非制冷红外焦平面阵列原理
2. 响应率Ｒ（灵敏度）
定义：输出信号（电压或电流）与输入辐射功率之比。 假定输出信号ＶＳ，则
1/ 2
TD为探测器的温度，TB为背景温度。
第3章
非制冷红外焦平面阵列原理
图3.9 比探测率与探测器温度TD和背景温度TB的关系 假设视场角度为2π 立体角，吸收率为1。
第3章
非制冷红外焦平面阵列原理
背景波动限制的探测器的NETD值：
NETD
2 BF
5 5 1/ 2
8 F [ 2 k B ( T D T B )]
VS ISR (1 R C e )
2 2 2 1/ 2
pAP0 IS 2 2 )1 / 2 G (1
热电探测器的响应率为：
pAR
G (1 2 e2 ) 1 / 2 (1 2 2 ) 1 / 2
第3章
非制冷红外焦平面阵列原理
3.2.2 . 热电探测器以及铁电辐射计 2. 响应率
非制冷红外焦平面阵列原理
§3.2 主要热探测机构
•电阻测辐射热计 •热电探测器和铁电探测器
•温差电探测器
第3章
非制冷红外焦平面阵列原理
3.2.1、电阻测辐射热计
当辐射光入射后温度增加，引起电阻值发生变化的 一种装置。
1.电阻温度系数
假定电阻性辐射计吸收红外辐射温度增加 △Ｔ 足够小， 以保证电阻变化△Ｒ与△Ｔ线性：
第3章
非制冷红外焦平面阵列原理
对于铁电陶瓷材料钛酸锶钡其温度与极化强度以及 相对介电常数的关系
第3章
非制冷红外焦平面阵列原理
电偏置下的热电系数：
p p0
E
T
dE
0
p0是没有电偏置时的热电系数；
ε 是介电常数；
E是外加电场场强
第3章
非制冷红外焦平面阵列原理
3.2.3 温差电探测器
e RC
e
( tan )
1
例如，在30Hz下，一个损失正切角为0.01的材 料电响应时间为0.53s，热响应时间为10ms。
第3章
非制冷红外焦平面阵列原理
3.2.2 . 热电探测器以及铁电辐射计
2. 响应率
热释电响应率是频率的函数
(1)=0时，＝0 (2)<1/τe时， 与成正比 (3)1/τe << 1/τT时， 与无关 (4)>1/τT时， 与成反比
P f P0 B
2
是能量波动的平方均值 ； P0是与频率无关的常量； B是测量的频率带宽。
Pf
2
令 ＝1
第3章
非制冷红外焦平面阵列原理
3.3.1 . 温度波动噪声限制
T f
2
Pf
2
2
G (1 )
2 2