三星内存编号命名揭秘
三星emmc命名规则
三星emmc命名规则
eMMC (embedded Multimedia Card)是一种嵌入式的多媒体存储卡，集成了闪存和MMC控制器，主要用于移动设备和嵌入式系统中作
为存储介质。
作为领先的存储厂商，三星的eMMC产品具有高性能、低
功耗、可靠性强等优点。
三星的eMMC命名规则相对较为简单，采用三位数字来表示型号。
其中，第一位数字表示产品的代号，第二位数字表示产品的存储容量，第三位数字表示产品的速度等级。
在代号方面，三星的eMMC产品分为两类：KLM和KLMBG。
其中KLM系列主要面向智能手机等移动设备，而KLMBG系列则针对嵌入式系统等应用领域。
这两个代号都采用了三位数字的型号命名规则。
在存储容量方面，三星的eMMC产品包括了8GB、16GB、32GB、
64GB和128GB等不同容量，对应的数字分别为1、2、3、4和5。
在速度等级方面，三星的eMMC产品主要分为两个等级：Class 6
和Class 10。
其中Class 6代表的是最低的速度等级，适用于大多数
应用场景。
而Class 10则是相对较高的速度等级，适用于对速度要求
较高的应用。
总的来说，三星的eMMC产品命名规则简单易懂，对于用户来说
方便快捷。
同时，三星也提供了多种不同容量和速度等级的eMMC产品，能够满足不同用户的需求。
内存编号大集合
内存编号大集合内存是计算机不可缺少的部件之一，常用的芯片有现代、三星……但并不是每个DIY 的高手们都熟悉刻在内存芯片上编号型号的。
现在我们就详细列出内存编号的各项含义。
（1）HYUNDAI（现代）现代的内存颗粒现在都改名为Hynix了，不过旧颗粒上还是印有HYUNDAI的标志。
其SDRAM芯片编号格式为：HY 5<1> <2> V <345> <67> <8> <9> <10> <11.12>-<13.14> s，具体的编号含义可以在现代的网站上找到：点击放大其中HY代表现代的产品：5<1>表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；<2> 代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；<345> 代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；<67> 代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；<8> 代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；<9> 代表接口（0=LVTTL［Low Voltage TTL］接口）；<10> 代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；<11.12>代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；<13.14>代表速度（7=7ns［143MHz］，8=8ns［125MHz］，10p=10ns［PC-100 CL2或3］，10s=10ns［PC-100 CL3］，10=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=5ns［66MHz］）。
内存条颗粒编码规则(旧)
内存条颗粒编码规则当你拿到一条内存的时候，能看出它的容量吗？虽然我们可以把它插到机器上测试出来，但对于一个内行人来说，看一眼就能知道内存条的大小显然是有意义的，并且并不难做到。
通过查验内存颗粒的型号，我们就可以计算出内存的容量。
虽然目前生产内存条的厂商有许多，但能生产内存颗粒、并且能够占领市场的厂家相对来说就不多了，国内市场上主流内存条所用的内存颗粒，主要是一些国际性的大厂所生产。
下面就以几个大厂的内存颗粒编码规则为例来说明内存容量的辨识方法。
三星内存颗粒目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。
由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。
三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。
这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。
编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
v第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为8ns；10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。
例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。
三星FLASH命名规则-6页word资料
Samsung nand flash ID spec三星在nand flash存储方面也是投入了很多精力，对于pure nand flash、OneNAND（带controller的nandflash模块）以及nand的驱动都有很深层的开发。
后面说的nand都会基于Samsung的产品，包括驱动。
三星的pure nand flash（就是不带其他模块只是nand flash存储芯片）的命名规则如下：1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Block)1 : SLC 1 Chip XD Card2 : SLC 2 Chip XD Card4 : SLC 4 Chip XD CardA : SLC + Muxed I/ F ChipB : Muxed I/ F ChipD : SLC Dual SME : SLC DUAL (S/ B)F : SLC NormalG : MLC NormalH : MLC QDPJ : Non-Muxed One NandK : SLC Die StackL : MLC DDPM : MLC DSPN : SLC DSPQ : 4CHIP SMR : SLC 4DIE STACK (S/ B)S : SLC Single SMT : SLC SINGLE (S/ B)U : 2 STACK MSPV : 4 STACK MSPW : SLC 4 Die Stack4~5. Density12 : 512M 16 : 16M 28 : 128M 32 : 32M 40 : 4M 56 : 256M 64 : 64M 80 : 8M 1G : 1G2G : 2G 4G : 4G 8G : 8GAG : 16G BG : 32G CG : 64G DG : 128G 00 : NONE6~7. organization00 : NONE 08 : x816 : x168. VccA : 1.65V~3.6VB : 2.7V (2.5V~2.9V)C : 5.0V (4.5V~5.5V)D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V)E : 2.3V~3.6V R : 1.8V (1.65V~1.95V)Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V) T : 2.4V~3.0VU : 2.7V~3.6V V : 3.3V (3.0V~3.6V)W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V 0 : NONE9. Mode0 : Normal1 : Dual nCE & Dual R/ nB4 : Quad nCE & Single R/ nB5 : Quad nCE & Quad R/ nB9 : 1st block OTPA : Mask Option 1L : Low grade10. GenerationM : 1st GenerationA : 2nd GenerationB : 3rd GenerationC : 4th GenerationD : 5th Generation11. "─"12. PackageA : COB B : TBGAC : CHIP BIZD : 63-TBGAE : TSOP1 (Lead-Free, 1217)F : WSOP (Lead-Free)G : FBGAH : TBGA (Lead-Free)I : ULGA (Lead-Free) J : FBGA (Lead-Free)K : TSOP1 (1217) L : LGAM : TLGA N : TLGA2P : TSOP1 (Lead-Free)Q : TSOP2 (Lead-Free)R : TSOP2-R S : SMART MEDIAT : TSOP2 U : COB (MMC)V : WSOP W : WAFERY : TSOP113. TempC : Commercial I : IndustrialS : SmartMediaB : SmartMedia BLUE0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception handling code)3 : Wafer Level 314. Bad BlockA : Apple Bad BlockB : Include Bad BlockD : Daisychain SampleK : Sandisk BinL : 1~5 Bad BlockN : ini. 0 blk, add. 10 blkS : All Good Block0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionhandling code)15. NAND-Reserved0 : Reserved16. Packing Type- Common to all products, except of Mask ROM- Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO PackingSeparately)17~18. Customer "Customer List Reference"希望以上资料对你有所帮助，附励志名言3条：1、宁可辛苦一阵子，不要苦一辈子。
Samsung-NAND-FLASH命名规则
三星的pure nand flash〔就是不带其他模块只是nand flash存储芯片〕的命名规那么如下：1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : Smart Media, S/B : Small Block)1 : SLC 1 Chip XD Card2 : SLC 2 Chip XD Card4 : SLC 4 Chip XD CardA : SLC + Muxed I/ F ChipB : Muxed I/ F ChipD : SLC Dual SME : SLC DUAL (S/ B)F : SLC NormalG : MLC NormalH : MLC QDPJ : Non-Muxed OneNandK : SLC Die StackL : MLC DDPM : MLC DSPN : SLC DSPQ : 4CHIP SMR : SLC 4DIE STACK (S/ B)S : SLC Single SMT : SLC SINGLE (S/ B)U : 2 STACK MSPV : 4 STACK MSPW : SLC 4 Die Stack4~5. Density〔注：实际单位应该是bit，而不是Byte〕12 : 512M16 : 16M28 : 128M32 : 32M40 : 4M56 : 256M64 : 64M80 : 8M1G : 1G2G : 2G4G : 4G8G : 8GAG : 16GBG : 32GCG : 64GDG : 128G00 : NONE6~7. Organization00: NONE08: x816: x168. VccA : 1.65V~3.6VB : 2.7V (2.5V~2.9V)C : 5.0V (4.5V~5.5V)D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V)E : 2.3V~3.6VR : 1.8V (1.65V~1.95V)Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V)T : 2.4V~3.0VU : 2.7V~3.6VV : 3.3V (3.0V~3.6V)W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V0 : NONE9. Mode0 : Normal1 : Dual nCE & Dual R/ nB4 : Quad nCE & Single R/ nB5 : Quad nCE & Quad R/ nB9 : 1st block OTPA : Mask Option 1L : Low grade10. GenerationM : 1st GenerationA : 2nd GenerationB : 3rd GenerationC : 4th GenerationD : 5th Generation11. "─"12. PackageA : COBB : TBGAC : CHIP BIZD : 63-TBGAE : TSOP1 (Lead-Free, 1217)F : WSOP (Lead-Free)G : FBGAH : TBGA (Lead-Free)I : ULGA (Lead-Free)J : FBGA (Lead-Free)K : TSOP1 (1217)L : LGAM : TLGAN : TLGA2P : TSOP1 (Lead-Free)Q : TSOP2 (Lead-Free)S : SMART MEDIAT : TSOP2U : COB (MMC)V : WSOPW : WAFERY : TSOP113. TempC : CommercialI : IndustrialS : SmartMediaB : SmartMedia BLUE0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionhandling code)3 : Wafer Level 314. Bad BlockA : Apple Bad BlockB : Include Bad BlockD : Daisychain SampleK : Sandisk BinL : 1~5 Bad BlockN : ini. 0 blk, add. 10 blkS : All Good Block0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionhandling code)15. NAND-Reserved0 : Reserved16. Packing Type- Common to all products, except of Mask ROM- Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately) 【举例说明】K9GAG08U0M 详细信息如下:1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Block)G : MLC Normal4~5. DensityAG : 16G (Note: 这里单位是bit而不是byte，因此实际大小是16Gb=2GB)0 : Normal (x8)7. Organization0 : NONE 8 : x88. VccU : 2.7V~3.6V9. Mode0 : Normal10. GenerationM : 1st Generation11. "─"12. PackageP : TSOP1 (Lead-Free)13. TempC : Commercial14. Customer Bad BlockB : Include Bad Block15. Pre-Program Version0 : None整体描述就是：K9GAG08U0M是，三星的MLC Nand Flash，工作电压为2.7V~3.6V，x8〔即I/O是8位〕，大小是2GB〔16Gb〕，TSOP1封装。
内存条上文字及字母标识的含义
内存条上文字及字母标识的含义一、Samsung内存具体含**释：例：SAMSUNGK4H280838B-TCB0主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G 代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns(CL=3)；7C为7.5ns(CL=2)；80为8ns；10为10ns(66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。
例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNGK4H280838B -TCB0颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）×16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。
关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC 内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。
通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。
所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。
各种品牌存储IC简单命名介绍
各种品牌存储IC简单命名介绍存储颗粒主要有这样的一些品牌：美国的Micron（美光）、德国的Infineon （英飞凌）；韩国的SAMSUNG（三星）、HY（现代）；日本的NEC（日本电气）、Hitachi(日立)、Mitsubishi(三菱)、Toshiba(东芝)；台湾的EilteMT、ESMT （晶豪）、EtronTech（钰创）、Winbond（华邦）、Mosel（茂矽）、Vanguard （世界先进）、Nanya（南亚）。
有的品牌现在已经没有被采用了，只有在SDRAM时代采用过，有的品牌在DDR 时代采用的也不多了。
显存种类主要分SD和DDR两种，有时候，他们可以从编号上区分，DDR的可能会注明“D”，SDRAM的注明“S”或者其他字母。
另外主要从管角数量上来区分，以TSOP封装来说，SDRAM的管脚数量是27x2＝54，DDR 的管脚数量为33X2=66。
美光（Micron）图1 美光芯片颗粒美光是美国第一大、全球第二大内存芯片厂商，目前显卡厂商采用它显示芯片较少，它主要供应内存OEM商，下面用上图的实例对Micron（美光）颗粒编号的简单含义作介绍：MT——Micron的厂商名称。
48——内存的类型。
48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC——供电电压。
LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
8M8——内存颗粒容量为8M。
A2——内存内核版本号。
TG——封装方式，TG即TSOP封装。
-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
颗粒编号MT 48LC8M8A2 TG-75，从编号上的48很容易知道这是SDRAM颗粒，采用TSOP封装方式，速度为7.5ns，单颗粒为8M，位宽8bit。
亿恒（In fineon）图2 Infineon（亿恒）颗粒Infineon是德国西门子的一个分公司，它主要生产内存颗粒。
目前，Infineon在全球排名已经跃居为第四位，超过了韩国的Hynix。
三星内存编号命名揭秘
三星内存编号命名揭秘!三星内存编号揭秘（一）三星DDR内存颗粒的编号共分为四段数字或字母，19个部分组成。
请看下面的三星内存编号示意图，图中有A、B、CDE和F为四段数字或字母，而19部分则是指包含在A、B、CDE和F四段数字或字母组成的编号，主要对内存规格进行说明。
下面，就给大家分别解释。
首先来解释一下四段号码的大概含义。
A部分我想不用解释了吧，标明的是生产企业的名称——SAMSUNG。
B部分说明的是该内存模组的生产日期，以三个阿拉伯数字的形式表现。
其中第一个阿拉伯数字表明，生产的年份，后面两位数字表明是在该年的第XX周生产的。
例如，上图中的446就该表示该模组是在04年的第46周生产的。
如果三位数字是532，则表明该内存模组是05年第32周生产的。
C部分说明的是该内存的封装类型，由一个英文字母表示。
该部分将分别以T、U、N、V、G、Z几个字母来代表不同的封装类型。
其中T代表是TSOP2封装，U表示TOSP2（Lead-Free）封装，N表示sTSOP2封装，V表示sTOSP2（Lead-Free）封装，G表示FBGA封装，Z表示FBGA（Lead-Free）封装。
D部分说明是该内存模组的工作温度与功耗，由一个英文字母表示。
该部分将以C和L两个字母来表示该内存颗粒的不同工作温度与功耗。
其中C表示该内存模组为大众商用型内存，普通功耗，工作温度在0 °C~70 °C之间；L表示该内存模组也属于大众商业型，但却是低功耗，工作温度也在0 °C~70 °C之间。
这部分标注为L的模组，在笔记本内存中比较常见。
E部分说明的是该内存模组的频率和各项延迟（即CL-tRCD-tRP），由两个英文字母或数字组成。
该部分分别以A0、B0、A2、B3和CC这五个字母/数字组合来代表不同频率和延迟的DDR内存模组。
其中，A0代表该模组的工作做频率为DDR-200（100MHz），延迟为2-2-2；B0代表DDR 266（133MHz），延迟为2.5-3-3；A2代表DDRDDR 266（133MHz），延迟为2-3-3；B3代表DDR333（166MHz），延迟为2.5-3-3；CC代表DDR400（200MHz），延迟为3-3-3。
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三星内存编号命名揭秘!
三星内存编号揭秘（一）
三星DDR内存颗粒的编号共分为四段数字或字母，19个部分组成。
请看下面的三星内存编号示意图，图中有A、B、CDE和F为四段数字或字母，而19部分则是指包含在A、B、CDE和F四段数字或字母组成的编号，主要对内存规格进行说明。
下面，就给大家分别解释。
首先来解释一下四段号码的大概含义。
A部分我想不用解释了吧，标明的是生产企业的名称——SAMSUNG。
B部分说明的是该内存模组的生产日期，以三个阿拉伯数字的形式表现。
其中第一个阿拉伯数字表明，生产的年份，后面两位数字表明是在该年的第XX周生产的。
例如，上图中的446就该表示该模组是在04年的第46周生产的。
如果三位数字是532，则表明该内存模组是05年第32周生产的。
C部分说明的是该内存的封装类型，由一个英文字母表示。
该部分将分别以T、U、N、V、G、Z几个字母来代表不同的封装类型。
其中T代表是TSOP2封装，U表示TOSP2（Lead-Free）封装，N表示sTSOP2封装，V表示sTOSP2（Lead-Free）封装，G表示FBGA封装，Z表示FBGA（Lead-Free）封装。
D部分说明是该内存模组的工作温度与功耗，由一个英文字母表示。
该部分将以C和L两个字母来表示该内存颗粒的不同工作温度与功耗。
其中C表示该内存模组为大众商用型内存，普通功耗，工作温度在0 °C~70 °C之间；L表示该内存模组也属于大众商业型，但却是低功耗，工作温度也在0 °C~70 °C之间。
这部分标注为L的模组，在笔记本内存中比较常见。
E部分说明的是该内存模组的频率和各项延迟（即CL-tRCD-tRP），由两个英文字母或数字组成。
该部分分别以A0、B0、A2、B3和CC这五个字母/数字组合来代表不同频率和延迟的DDR内存模组。
其中，A0代表该模组的工作做频率为DDR-200（100MHz），延迟为2-2-2；B0代表DDR 266（133MHz），延迟为2.5-3-3；A2代表DDRDDR 266（133MHz），延迟为2-3-3；B3代表DDR333（166MHz），延迟为2.5-3-3；CC代表DDR400（200MHz），延迟为3-3-3。
F部分实际上是由8个小部分组成的，分别表示该内存模组的类型、容量、位宽、接口类型、工作电压等等内容。
详
细分解请看下一页。
三星内存编号揭秘（二）
应该说F部分是三星内存编号中传达内容最多的。
由8个小部分构成，下面就来详细分解一下这8个小部分所代表的内容。
12345678
K4X XX XX X X X
为了方便大家更好的理解编号中的含义，大家可以将表中标明的1-8个部分根据图中的内存编号对号入座。
第1部分用“K”表示的是内存，只要是三星内存，这部分永远都是“K”。
12345678
K4X XX XX X X X
第2部分表示内存的类别，由一个数字或者字母组成。
“4”表示的是DRAM；
12345678
K4X XX XX X X X
第3部分表示的是内存的子类别，由字母“T”或“H”组成。
“T”代表的是DDR2内存，“H”代表的是DDR内存。
12345678
K4X XX XX X X X
第4部分表示的是内存的容量，由两个数字或者字母组成。
根据容量的不同，该部分会出现“28”、“51”、“1G、“2G”、“4G”这5个组合，其中“28”代表128MB，“51”代表512MB，“1G”代表1GB，“2G”代表2GB，“4G”代表4GB。
12345678
K4X XX XX X X X
第5部分表示的是内存颗粒的位宽，由两连个数字组成。
根据颗粒位宽不同，该部分会出现“04”、“08”和“16”三个组合。
其中“4”表示是该颗粒只有4bit位宽，“08”表示该颗粒有8bit位宽，“16”则表示有16bit位宽。
12345678
K4X XX XX X X X
第6部分代表的是逻辑bank数，由一个数字组成。
3表示4 bank，4表示8 bank。
12345678
K4X XX XX X X X
第7部分代表的是接口类型与工作电压，由一个数字或字母组成。
“8”表示接口类型为SSTL_2，工作电压为2.5V；“Q”表示接口类型为SSTL，工作电压为1.8V。
12345678
K4X XX XX X X X
第8部分代表产品的版本，由一个字母组成，并且，该处的字母在字母表中的位置越靠后，说明该内存颗粒的版本越新。
到目前为止，三星内存颗粒一共有9个版本，分别以“M、A、B、C、D、E、F、G、H”9个字母表示，其中M代表第1版产品，而A-H则依次代表第2-9版。
12345678
K4X XX XX X X X
根据以上我们对三星内存编号的了解，我们就能够知道图一中的内存颗粒的相关信息：256MB容量，8bit位宽，4bank，SSTL_2接口，2.5V工作电压，第六版，生产与05年第16周，TOSP2封装，大众商用型，普通功耗，工作温度在0 °C~70 °C 之间，工作频率为200MHz（DDR400），延迟为3-3-3。