基于铌酸锂光波导的全光波长转换

合集下载

y波导与铌酸锂集成光学芯片

y波导与铌酸锂集成光学芯片

y波导与铌酸锂集成光学芯片y波导与铌酸锂集成光学芯片的技术创新是光学通信领域的一项重要突破。

它通过将y波导与铌酸锂材料结合,实现了光信号的传输和处理,为光学通信系统提供了更高的性能和更广阔的应用空间。

y波导是一种光学波导结构,具有较宽的工作带宽和较低的传输损耗。

而铌酸锂材料具有优异的光学特性,可在光学器件中实现高效的光电转换。

通过将这两种技术结合在一起,可以实现更高速、更稳定的光信号传输和处理。

在y波导与铌酸锂集成光学芯片中,y波导作为光信号的传输通道,可以将光信号引导到铌酸锂材料中进行光电转换。

铌酸锂材料中的光电转换器件可以将光信号转换为电信号,并通过电路进行处理和传输。

这种集成结构既能够实现光信号的传输,又可以在光学芯片内部进行光电转换和信号处理,大大提高了光学通信系统的性能。

与传统的光学器件相比,y波导与铌酸锂集成光学芯片具有多项优势。

首先,由于光信号的传输和处理在同一芯片中完成,避免了信号在不同器件间的传输损耗,提高了信号的传输效率。

其次,铌酸锂材料具有较高的光电转换效率和较低的光学损耗,可以实现高速、稳定的光电转换。

最后,y波导与铌酸锂的集成结构,使得光学通信系统可以更好地适应复杂的工作环境和应用需求。

基于y波导与铌酸锂集成光学芯片的技术创新,光学通信系统可以实现更高的数据传输速率、更远的传输距离和更稳定的信号质量。

这对于现代社会的信息化建设和科技创新具有重要意义。

通过这项技术的应用,人们可以更便捷地进行高速互联网接入、高清视频传输、远程医疗等各种应用,推动科技的发展和社会的进步。

通过y波导与铌酸锂集成光学芯片的创新,我们可以看到科技的不断进步和创新的力量。

这种技术的突破不仅带来了更好的光学通信性能,也为光学器件的发展提供了新的思路和可能。

相信在不久的将来,y波导与铌酸锂集成光学芯片将在光学通信领域发挥重要作用,为人们的生活和工作带来更多便利和可能性。

光分组交换中光标记技术研究

光分组交换中光标记技术研究

边带而载波在此过程中 被抑制掉,标记信号通过接下来的

个调制器调制到这两个副载波边带上。3d 耦合器输出 B
的另一路信号进人一个普通强度调制器加载载荷信息, 两 路信号再通过一个 3d B耦合器合并产生 SM信号。这种 C
方式的优点在于载荷和标记分别调制,的副载波是由产生 载荷的同一个光源产生.因此副载波频率与载荷频率之间 的间隔恒定, 有效解决了激光器的频谱漂移问题。
导致了连接终端用户的网络成本较高。 光网络如何适应数
究向更加实用和成熟的方向发展, 是未来光通信 网络的重
要实现方式。
国际上对光标记已经做了很多研究 , 目前为止提出 到
了许多种光标记机制。 其主要种类按光标记所在的信道分
为两大类 : 带外光标记和带内光标记。前者包括 WD M光
标记【 l 】 以及将光标记调制到副载波上进行传输的副载波复
维普资讯

_
_ -


。譬
_
;警

ll
_
研究与开发
光 分 组 交换 中光 标 记 技 术 研 究
何 舟 , 博 ’迟 楠 ’黄 德修 ’ 黄 。 。 ( . 中科 技 大 学武 汉 国家光 电 实验 室 武 汉 4 0 7 ; 1华 3 0 4
2 新 型 光 标 记 技 术
21 新型副载波复用光标记 .
家 “6 ” 金 资 助 项 目“ 于 正 交 调 制 方 式 的 新 型 光 传 输 机 制 83 基 基
与 技 术 ” N . 0 AA 1 2 0 ( o2 7 0 Z 6 ) 0
S M是指将标记信号先调制在电的载波上, C 实现频谱

薄膜铌酸锂光子学-概述说明以及解释

薄膜铌酸锂光子学-概述说明以及解释

薄膜铌酸锂光子学-概述说明以及解释1.引言概述部分的内容可以如下所示:1.1 概述薄膜铌酸锂(Lithium niobate, LN)是一种具有优异光学性质的晶体材料,其在光子学领域中具有广泛的应用前景。

它由锂离子(Li+)和铌离子(Nb5+)组成的晶体结构构成,具有高非线性光学效应、光电效应和压电效应等特点。

近年来,随着光通信、光存储、光计算等光子学技术的快速发展,薄膜铌酸锂在光子学中的研究逐渐受到了广泛关注。

薄膜铌酸锂可以通过多种方法制备,包括离子交换法、溶液法、激光沉积等技术。

通过控制制备工艺参数,可以获得具有不同光学性质和结构特点的薄膜铌酸锂材料。

薄膜铌酸锂的光学性质使其具有很高的折射率、非线性折射率和非线性光学系数等特点,这使得它在光调制、光调控、光耦合和光调谐等方面表现出优异的性能。

此外,薄膜铌酸锂还可以制作成波导器件、调制器件、谐振器件等光子学器件,用于实现光通信、光传感和光计算等应用。

本文将详细介绍薄膜铌酸锂的制备方法、光学性质及其在光子学中的应用。

通过深入研究和分析,可以更好地理解薄膜铌酸锂的优势和潜力,并展望其在光子学领域的发展前景。

同时,本文还将总结已有研究成果,探讨未来薄膜铌酸锂在光子学中的应用前景,为相关研究提供一定的参考和指导。

1.2文章结构文章结构部分的内容可以是对整篇文章的章节安排进行简要介绍和概括。

以下是一个例子:1.2 文章结构本文将以以下方式组织和呈现内容:第一部分是引言部分,主要包括概述、文章结构和目的。

在概述部分,对薄膜铌酸锂光子学的背景和重要性进行了介绍。

文章结构部分则提供了本文各个章节的整体框架和组织方式。

最后,在目的部分明确了本文的目标和意义。

第二部分是正文部分,主要分为三个小节。

首先,介绍了薄膜铌酸锂的制备方法,包括常见的物理和化学制备工艺。

然后,讨论了薄膜铌酸锂的光学性质,包括折射率、透过率和能带结构等。

最后,探讨了薄膜铌酸锂在光子学中的广泛应用,如光波导器件、光调制器件和光传感器等方面。

基于铌酸锂薄膜的可调谐集成光生微波源芯片及系统[发明专利]

基于铌酸锂薄膜的可调谐集成光生微波源芯片及系统[发明专利]

专利名称:基于铌酸锂薄膜的可调谐集成光生微波源芯片及系统
专利类型:发明专利
发明人:张云霄,孙文宝
申请号:CN202111340205.0
申请日:20211112
公开号:CN114124225A
公开日:
20220301
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本申请提供一种基于铌酸锂薄膜的可调谐集成光生微波源芯片及系统,包括自下而上依次层叠布置的基底晶片、下包层、铌酸锂薄膜以及上包层;铌酸锂薄膜上设有铌酸锂光波导;铌酸锂光波导包括依次连接的模斑转换波导、第一直波导、第一弯曲波导、第二直波导、第二弯曲波导、第三直波导和光学微腔波导;上包层上与第一直波导相对应的位置设有第一金属电极;第一金属电极、模斑转换波导以及第一直波导共同形成相位调制器;上包层上与光学微腔波导相对应的位置设有第二金属电极;第二金属电极、第三直波导以及光学微腔波导共同形成高Q微谐振器;铌酸锂薄膜上还设有与高Q微谐振器输出端相连接的探测器。

本申请有利于实现光生微波源的小型化和工程化。

申请人:天津津航技术物理研究所
地址:300000 天津市东丽区空港经济区中环西路58号
国籍:CN
代理机构:天津市鼎拓知识产权代理有限公司
代理人:刘雪娜
更多信息请下载全文后查看。

基于铌酸锂光波导的全光波长转换

基于铌酸锂光波导的全光波长转换

是光波长路由系统 的核心器件 , 解决 了全光传输网
中的波长争用 问题。此外 , 它在光开关 、 光交换 、 波 长再生等技术 中也有着广泛的应用 。 用于实现波长转换 的方案很多 , 中, 其 基于准相 位匹配的周期性极化反转 的铌酸锂 光波 导, 利用级 联二阶非线性 效应 实现的波长转换具有独特的优
K yw rs e oiayP l ib 3 P L e o d :P r c l o dLN O ( P N)Waeuds csae eodo e ol erit at n ;Al p c vln h i l e d vg i ; acddscn —r rnni a n rco s l O t a Waeeg e d n e i - il t
w v ln t o v rini a aye yn meia i lt na d w l-f efc n us ra e igh v e no s re us rp a ee ghc n eso s n z db u r lsmuai n ak o f tad p leb od nn a eb e b evd i p lep o a l c o e n g t n .Th td h w h ttec n eso fce c f ce yteln t ftew v g ie ,s n lw v ln t n us dh ai s o esu ys o sta h o v rin e iin yi a e td b e gh o a eud s i a a ee gha dp lewit. s h h g
维普资讯
20 年 第 2 06 期 ( 总第 14 ) 3
光 通 信 研 究
Sl 'UDY y I COM MU CA_I 、 ON 0l rCAI NI r ONS

铌酸锂薄膜调制器的协同仿真与优化设计

铌酸锂薄膜调制器的协同仿真与优化设计

第47卷第6期2021年6月北京工业大学学报JOURNAL OF BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGYVol.47No.6Jun.2021铌酸锂薄膜调制器的协同仿真与优化设计杨登才1,陈雨康1,王云新2,向美华1,陈智宇3,刘萍萍1,兰 天1(1.北京工业大学材料与制造学部激光工程研究院,北京 100124;2.北京工业大学理学部物理与光电学院,北京 100124;3.中国电子科技集团第29研究所电子信息控制重点实验室,成都 610036)摘 要:电光调制器的半波电压和带宽主要取决于其电极结构,基于绝缘体上铌酸锂(lithium niobate on insulator,LNOI)结构调制器波导与基底折射率差为传统工艺的10倍左右,能够大幅提高光场和电场的重叠度,降低调制器的半波电压,提升调制带宽.当前迫切需要针对这一新型调制结构的电极进行优化设计.应用COMSOL Multiphys⁃ic 和HFSS 软件对LNOI 结构的强度调制器进行协同仿真和优化设计.主要讨论了电极宽度㊁电极厚度㊁电极间距和上下包层厚度对调制器特性参数的影响,得到了调制器的电光重叠积分㊁微波折射率㊁微波衰减系数和电极特性阻抗等参数.在此基础上,通过约束算法优化设计这些性能参数达到提高带宽和降低半波电压的目的.结果表明,在电极长度为1cm 的情况下,半波电压约为2.17V,3dB 带宽大于70GHz.该研究工作对基于LNOI 结构的电光调制器的电极设计具有重要的指导意义.关键词:协同仿真;薄膜铌酸锂;行波电极;相速匹配;重叠积分;电极结构参数中图分类号:TN 252文献标志码:A文章编号:0254-0037(2021)06-0565-08doi :10.11936/bjutxb2020010007收稿日期:2020⁃01⁃08基金项目:国家自然科学基金资助项目(61771438,61871007);装备预研基金资助项目(6141B08231102)作者简介:杨登才(1978 ),男,副研究员,主要从事光电子器件方面的研究,E⁃mail:dengcaiyang@Collaborative Simulation and Optimal Design of LiNbO 3Thin Film ModulatorYANG Dengcai 1,CHEN Yukang 1,WANG Yunxin 2,XIANG Meihua 1,CHEN Zhiyu 3,LIU Pingping 1,LAN Tian 1(1.Institute of Laser Engineering,Faculty of Materials and Manufacturing,Beijing University of Technology,Beijing 100124,China;2.College of Physics and Optoelectronics,Faculty of Science,Beijing University of Technology,Beijing 100124,China;3.Science and Technology on Electronic Information Control Laboratory,CETC29,Chengdu 610036,China)Abstract :The half⁃wave voltage and bandwidth of the electro⁃optic modulator depend mainly on its electrode structure.The difference of refractive index between the waveguide and the substrate of the modulator based on the lithium niobate on insulator (LNOI )is about ten times of the traditional technique,which can significantly improve the overlap degree of light field and electric field,reduce the half⁃wave voltage,and improve the bandwidth.Therefore,it is urgent to optimize the electrode design ofthis structure.In this paper,COMSOL Multiphysics and HFSS were used to simulate and optimize the electrode of intensity modulator based on LNOI structure.The effects of electrode width,electrode thickness,electrode gap,upper and lower cladding thickness on the characteristic parameters of the modulator were discussed.Then,the parameters of the modulator,such as electro⁃optic overlap integral,microwave effective refractive index,microwave attenuation coefficient and electrode characteristic impedance,were obtained.On this basis,these performance parameters were optimized to improve北 京 工 业 大 学 学 报2021年bandwidth and reduce half wave voltage.Results show that the half⁃wave voltage reaches2.17V,and the bandwidth of3dB is better than70GHz when the electrode length is1cm.The proposed work has important significance for the electrode design of LNOI⁃based electro⁃optic modulator.Key words:collaborative simulation;lithium niobate thin film;traveling wave electrode;phase velocity matching;electro⁃optic overlap integral;parameters of electrode 铌酸锂(lithium niobate,LN)材料具有电光系数大㊁光谱响应范围宽和加工工艺技术成熟的优点[1⁃2],在光纤通信㊁光纤陀螺等领域得到了广泛应用[2].传统的铌酸锂强度调制器采用质子交换或者钛扩散的方法制备光波导[1⁃5],由于掺杂部分的铌酸锂与无掺杂的铌酸锂衬底折射率差很小,约为0.007,导致光模场直径为9μm左右.为了避免两波导发生模式耦合,通常要求调制电极之间具有较大的间距,这就间接降低了电光作用强度.在1.55μm的工作波长下,传统铌酸锂强度调制器的半波电压与电极长度乘积一般在10V㊃cm以上[4⁃5].近年来,由于铌酸锂薄膜工艺的突破,绝缘体上铌酸锂(lithium niobate on insulator,LNOI)结构调制器逐渐成为研究热点.LNOI基片的衬底材料为硅或者铌酸锂,衬底上生长了一定厚度的二氧化硅,二氧化硅层表面键合着一层薄薄的铌酸锂单晶薄膜[6].LNOI结构波导主要是通过刻蚀或腐蚀工艺加工铌酸锂薄膜形成脊形波导.脊型波导与二氧化硅包层的折射率差为0.7左右,更大的折射率差能获得尺寸更小的导模,光模场直径约为1μm[7],这样能极大地减小电极间距,增大电光作用效率.目前,国内外报道的基于铌酸锂薄膜的电光调制器,半波电压长度乘积达到了2.2V㊃cm[8⁃10],1cm电极长度下电光调制带宽达到了70GHz以上[11],这些性能参数均大大优于传统铌酸锂调制器.同时,新的衬底结构要求相匹配的电极结构,才能获得更低半波电压并提高调制带宽.然而目前尚未见专门针对LNOI结构的调制电极进行优化设计的相关报道[8,10⁃15].本文基于有限元方法,对基于铌酸锂薄膜强度调制器的电极结构进行了深入分析和优化设计.该研究对LNOI结构的电光调制器的电极设计具有重要的指导意义.1 电极结构分析马赫增德尔(Mach⁃Zehnder,MZ)强度调制器利用电极施加电压信号来改变调制臂光波相位,两臂干涉后实现输出光强的调制功能.输出光强最大和最小时对应的电压差即为半波电压[16],可表示为Vπ=λg n3eγ33Γl(1)式中:λ为光波长;g为电极间距;n e为e光折射率;γ33为晶体z轴电光系数;l为电极长度;Γ为电光重叠积分因子[10],可以表示为Γ=g V∬E2o(x,y)E(x,y)d x d y∬E2o(x,y)d x d y(2)式中:V为外加电压;E(x,y)为微波场分布;E o(x, y)为光模场分布.频率响应函数H(f)的表达式[17]为H(f)=e-αL[2sin h(2αl)2+sin(2εl)(2αl)22(+εl)2]20.5(3)式中:ε为相速失配因子,ε=2πf(n eff-n o)/c,n eff为介质中微波的有效折射率,统一简称为微波折射率, n eff=cβ/ω,β为相位常数,ω为角频率,c为真空中的光速,n o为铌酸锂介质中光的有效折射率;α为微波衰减系数,包括导体损耗和介质损耗,Np/m.当频率响应函数H(f)等于1/2时,对应的频率范围即为3dB电光调制带宽Δf[17].与集总电极相比,行波电极结构具有调制带宽大的特点,所以本文以行波电极结构为对象进行分析.为了避免微波反射,需要进行阻抗匹配,即行波电极特性阻抗要接近50Ω负载阻抗.行波电极的特性阻抗Z0[18]为Z0=R+jωLG+jωC(4)式中R㊁L㊁G㊁C分别为行波电极的等效电阻㊁电感㊁电导和电容.综上所述,在给定电极长度和电极间距的条件下,调制器的半波电压Vπ主要由电光重叠积分Γ决定;调制带宽Δf主要由介质中的微波折射率n eff 和衰减系数α决定.回波损耗主要由特性阻抗Z0决定.要得到上述调制器特征参数,需要对强度调制器的调制臂建模进行截面分析和频率扫描分析.665 第6期杨登才,等:铌酸锂薄膜调制器的协同仿真与优化设计2 模型建立2.1 整体模型为了实现宽带宽调制,调制器的电极通常采用共面波导(coplanar waveguide,CPW)行波电极结构,其建模基于传输线结构.图1(a)显示的是铌酸锂MZ 调制器内部的电极俯视图,可以看到,电极主要分为调制区和过渡连接区,其中调制区决定了器件的半波电压和带宽.调制器的截面模型如图1(b)所示.图中黄色部分代表电极,电极材料为金,中间为信号电极(S),两边为地电极(G),红色部分为二氧化硅,青色部分为铌酸锂薄膜刻蚀后的脊波导结构,橘黄色部分为硅衬底.截面参数主要有:信号电极宽度w㊁电极厚度t㊁电极间距g㊁上包层厚度t u和下包层厚度t d .图1 CPW行波电极结构Fig.1 Structure of CPW traveling wave electrode 2.2 协同仿真流程利用COMSOL集团的COMSOL Multiphysics多物理场仿真软件和ANSYS公司的HFSS高频电磁场仿真软件进行协同仿真设计,仿真流程如下. 1)从电极截面出发,建好截面模型后,利用COMSOL软件提取CPW行波电极的R㊁L㊁G㊁C分布参数,计算得到微波有效折射率㊁特性阻抗和微波衰减系数;同时进行模式分析得到波导内的光模场分布,进而求得电光重叠积分.2)对电极的厚度t㊁电极宽度w㊁多电极间距g㊁上包层厚度t u和下包层厚度t d进行参数化扫描,优化得到一组综合性能指标最优的电极参数. 3)利用优化得到的电极参数在HFSS中建立三维传输线模型,设置波导端口激励和网格后,进行频率扫描,可以计算得到电极的S参数.该协同仿真模型中,截面二维模型利用COMSOL软件计算,复杂的三维模型利用HFSS软件计算,发挥了各个软件的优势,具有求解速度快㊁节省计算机资源的优点.3 电极优化设计3.1 模型验证在上述建模基础上,完成电极设计,通过实验验证仿真方法的有效性.首先根据文献[10]中的电极参数进行仿真,并将仿真结果(simulation result,SR)和实验结果(experimental results,ER)进行了比较,电场和光模场分布如图2所示,其中左侧颜色栏表示光模场强度,右侧颜色栏表示电场强度㊂实验脊波导参数为:脊顶部宽度1.0μm,脊厚0.3μm,脊下薄膜层厚度0.3μm,倾角75°.可以得到,单模光斑较好地束缚在脊波导里,且波导内的电场作用分布较强.仿真和实验数据对比如表1所示,半波电压与电极长度乘积的实验结果略大于仿真结果,在误差允许范围内;特性阻抗和微波有效折射率的仿真结果和实验结果非常接近,验证了上述方法建模的有效性.图2 电场和光模场分布Fig.2 Distribution of electric field and optical mode field表1 实验结果与仿真结果比较Table1 Comparison of ER and SR参数w/μmt/μmg/μmVπ㊃l/(V㊃cm)Z0/Ωn eff ER130.651.4502.3 SR1.1492.3765北 京 工 业 大 学 学 报2021年 利用该模型进行优化设计.根据经验数据和实际工艺条件[8,10,19⁃20],本文仿真条件设置如下:光波长为1.55μm,微波信号频率设为20GHz,电极宽度的扫描范围为5~30μm,步长为2μm,初始电极宽度为13μm;电极厚度的扫描范围设为0.6~5.0μm,步长为0.4μm,初始电极厚度为1μm;电极间距的扫描范围设为3~10μm,步长为1μm,初始电极间距为5μm;下包层的扫描范围设为1~2μm,步长为0.2μm,初始下包层厚度为1.6μm;上包层的扫描范围设为0~2μm,步长为0.2μm,初始上包层厚度为0.3μm.3.2 电光重叠积分根据式(1)可得,电光重叠积分越大,半波电压越小.分析不同电极间距下,电光重叠积分的变化情况.将式(1)做如下变换Vπ=λg n3eγ33ΓL =λn3eγ33L1Γ/g(5)式中Γ/g为重叠积分与电极间距之比.由式(5)可以得到,半波电压随Γ/g的增大而减小.设置电极宽度㊁电极厚度㊁下包层厚度和上包层厚度参数为初始值,对电极间距进行扫描,得到Γ/g随电极间距的变化,仿真结果如图3(a)所示.可以看出,电极间距越小,Γ/g越大,表明电极间距减小,模场处的电场强度增强,而电极宽度的变化不会引起电极间电场的变化.此外,电极厚度和上㊁下包层厚度对电极间电场分布均有一定的影响.不同下包层厚度下,电光重叠积分随电极厚度的变化如图3(b)所示.仿真时设置电极宽度㊁电极间距和上包层厚度为初始值,不同下包层厚度下对电极厚度进行扫描.当下包层厚度为定值时,随着电极厚度的增大,电光重叠积分快速增大,电极厚度从0.6μm增加到3.0μm时,重叠积分增幅为8.6%,当电极厚度大于3.0μm之后,曲线趋于平缓,变化小于0.1%,即模场处快速增大的电场此后基本趋于稳定,电极厚度最优取值不低于3.0μm,以得到较大的重叠积分;当给定电极厚度,下包层厚度从1.0μm增加到2.0μm的过程中,电光重叠积分逐渐增大,增幅约为3.4%.设置电极宽度㊁电极间距㊁电极厚度和t d参数为初始值,对t u进行扫描,分析电光重叠积分随上包层厚度的变化关系时,得到的变化曲线如图3(c)所示㊂没有覆盖上包层(t u=0)时,电光重叠积分处于最小值1.13;当覆盖上包层,并逐渐增加t u,但不超过电极厚度1.0μm时,电极间分布的电场得到了一定的束缚,局部电场增大,电光重叠积分迅速提高图3 电极参数对电光重叠积分的影响Fig.3 Influence of electrode parameters onelectro⁃optic overlap integration了3.5%.当t u大于电极厚度1.0μm时,电极间的电场束缚不再增强甚至开始减弱,所以电光重叠积分略有减小的趋势.因此,t u应不超过电极厚度.3.3 微波折射率根据前面的分析可知,调制带宽主要与相速失配和微波衰减有关,相速失配越小,带宽越大.相速失配的原因是铌酸锂波导中的微波折射率接近光波折射率的2倍,需要通过改变电极结构参数来降低微波折射率.微波折射率可表示为n eff=εeff,εeff 为介质的有效介电常数,所以改变微波折射率的方法主要是通过改变电极附近低介电常数材料的结构865 第6期杨登才,等:铌酸锂薄膜调制器的协同仿真与优化设计或面积,来达到改变有效介电常数的目的.首先,对电极宽度和电极间距进行扫描,得到不同电极间距下,微波折射率随电极宽度的变化如图4(a)所示.随着电极宽度的增加,微波折射率逐图4 电极参数对微波折射率的影响Fig.4 Influence of electrode parameters onmicrowave refractive index渐增大,当电极间距为7μm 时,电极宽度从10μm 增加到30μm 的过程中,微波折射率增幅最大为2.2%,另外电极间距从3μm 增加到6μm 的过程中,微波折射率逐渐减小,不同电极宽度下的减少幅度在3.0%~4.6%变化,电极间距大于6μm 之后微波折射率趋于不变.因此缩小电极宽度和增大电极间距,有利于降低微波折射率,而且增大电极间距的效果更为显著.此外,上下包层厚度和电极厚度的改变也会影响有效介电常数进而影响微波折射率.电极厚度和下包层厚度对微波折射率的影响如图4(b)所示,在仿真扫描范围内电极和下包层越厚,微波折射率越低,在电极厚度从0.6μm 增加到5.0μm 时,微波折射率降低了9.4%左右,下包层厚度从1.0μm 增加到2.0μm 时,微波折射率降低了5.4%左右.上包层厚度对微波折射率的影响如图4(c)所示.微波折射率随着上包层厚度的增加而增加,厚度从0增加到2.0μm 时,微波折射率增加了6.8%.因此,增加电极厚度和下包层厚度,减小上包层厚度,有助于降低微波折射率.3.4 微波衰减系数影响带宽的另一因素是电极的微波衰减系数,衰减系数越小,带宽越大.衰减系数由导体损耗和介质损耗共同决定.导体损耗源于导线阻抗对电流的消耗,由于射频信号的趋肤效应,导致电流损耗变大;介质损耗源于介质的极化,交流电场使介质中电偶极子极化方向不断变化,消耗能量.首先分析电极宽度和电极间距对衰减系数的影响.不同电极间距下,衰减系数随电极宽度的变化如图5(a)所示.电极宽度增大时,电极截面变大,阻抗减小,导体损耗也将减小,而介质损耗近似不变,所以衰减系数减小,当电极间距增大时,局部电场减弱,介质极化变弱,介质损耗将减小,而导体损耗近似不变,所以衰减系数也减小,这与图中曲线的变化趋势十分契合.因此增大电极宽度和电极间距有助于减小微波衰减.其次分析电极厚度的变化与电极宽度的变化类似,随着电极的加厚,电极截面变大,导体损耗减小,而介质损耗不变,所以衰减系数将减小,如图5(b)所示.从图中还注意到电极厚度大于3倍趋肤深度(1.65μm)时,剧烈下降的衰减系数开始趋于平缓;另外下包层厚度增大时,介质损耗稍有降低,衰减系数略有减小.所以增大电极厚度和下包层厚度有利于降低微波衰减.最后分析衰减系数随上包层厚度的变化,如图5(c)所示.随着上包层厚度的增加,电极间电场强度变大,介电损耗将增大,所以衰减系数也有所增加.因此上包层越薄,衰减系数越小,仿真扫描范围内变化幅度小于6.5%.3.5 特性阻抗行波电极的特性阻抗与负载阻抗不匹配,即阻抗失配,会引起回波损耗.阻抗失配越小,即特性阻抗越接近负载阻抗,回波损耗越小.965北 京 工 业 大 学 学 报2021年图5 电极参数对衰减系数的影响Fig.5 Influence of electrode parameters onattenuation coefficient首先分析不同电极间距下,特性阻抗随电极宽度的变化.根据前面的分析,电极宽度越宽,电极截面越大,所以特性阻抗将减小.电极间距越大,高频电信号与地电极的距离变大,所以特性阻抗将变大,仿真结果如图6(a)所示.其次分析不同下包层厚度下特性阻抗随电极厚度的变化,如图6(b)所示.随着电极厚度的增加,电极截面变大,特性阻抗迅速减小.下包层厚度增大,阻抗略有增加.因此减小电极宽度,增大电极间距,减小电极厚度以及增大下包层厚度,有助于增大特性阻抗.最后分析上包层厚度对特性阻抗的影响,如图6(c)所示.随着上包层的增厚,特性阻抗逐渐减小.因此减小上包层的厚度有利于增大特性阻抗,从图6 电极参数对特性阻抗的影响Fig.6 Influence of electrode parameters oncharacteristic impedance2.0μm厚度减小到0μm,特性阻抗增大了6.2%.3.6 优化分析电极宽度㊁电极间距㊁电极厚度和上下包层厚度对各电极性能参数的影响十分复杂,无法同时达到最优值,所以它们的取值应该综合考虑.这里采用软件内置的多变量约束优化算法,把电极宽度㊁电极间距和电极厚度作为自变量,半波电压㊁微波有效折射率㊁微波衰减系数和特性阻抗作为因变量,暂时不覆盖上包层,首先设置下包层厚度为2.0μm,在一定范围内随机改变自变量的值使得半波电压㊁微波衰减系数趋近最小值,微波有效折射率和特性阻抗分别趋近光模式有效折射率1.876和匹配阻抗50Ω,经过数次迭代,得到了一组优化解,电极宽度㊁电极间距和电极厚075 第6期杨登才,等:铌酸锂薄膜调制器的协同仿真与优化设计度分别为6.0㊁6.0㊁6.0μm,此时计算得到20GHz 下微波折射率为1.842,特性阻抗为46.6Ω,半波电压为2.61V,当覆盖厚度为0.4μm 的上包层时,模型分析得到光模式有效折射率为1.895,微波有效折射率为1.864,特性阻抗为46Ω,相速匹配和阻抗匹配均良好,半波电压为2.45V,降低了0.16V .由于下包层的增厚对各表征参数均有利,因此接下来将下包层厚度设置为4.6μm,重复优化求解步骤,得到新的一组优化解,电极宽度㊁电极厚度㊁电极间距参数分别为13.3㊁2.2㊁5.3μm,在20GHz 下微波折射率为1.950,特性阻抗为49.2Ω,半波电压降为2.35V,当覆盖厚度为0.4μm 的上包层时,微波有效折射率为1.975,特性阻抗为48.8Ω,半波电压为2.17V,这表明在下包层厚度增加后,器件阻抗得到了更好的匹配,半波电压也得到了进一步降低.LNOI 结构电光调制器的调制波导可以采用干法或湿法刻蚀工艺,在LNOI 衬底上刻蚀出脊型波导,目前哈佛大学㊁山东大学㊁中山大学等多个研究机构已经进行了深入的研究和探索[7,10⁃11],并成功实现了铌酸锂薄膜波导的刻蚀.然后,通过蒸镀一定厚度的金电极实现调制电极的制备.蒸镀电极之前,在铌酸锂表面溅射一层几纳米的金属铬膜,用于增加金电极的黏附性,而这层铬膜对电极性能的影响很小,因此,分析时常忽略不计.最后,溅射一层二氧化硅作为脊波导的上包层,降低脊波导表面粗糙度带来的损耗.接下来对4.6μm 下包层厚度下选定的参数建立片上行波电极模型,进行频率扫描分析.图7 行波电极的频率响应曲线Fig.7 Frequency response curve of traveling⁃wave electrode4 高频特性分析利用优化得到的电极参数在HFSS 软件中建立三维CPW 传输线模型,电极长度设为1cm,对其进行频率扫描,扫描范围为0.1~75.0GHz,步长0.1GHz .扫描得到电光S21(EO⁃S21)和电极回波损耗S11(E⁃S11)的频率响应曲线如图7所示.可以看出,3dB 调制带宽大于70GHz,高频条件下的回波损耗整体低于-20dB .5 结论1)仿真分析表明,脊上覆盖的上包层能够有效增大电光重叠积分,上包层越厚,电光重叠积分越大,当t u 超过电极厚度时,重叠积分变化趋缓.然而,上包层的加厚会降低阻抗,增大微波折射率和微波损耗,不利于阻抗匹配和相速匹配,但是能够降低半波电压.因此,需要权衡考虑脊上覆盖的上包层的参数设计,兼顾半波电压㊁带宽等性能.2)随着t d 的增加,电光重叠积分和特性阻抗均增大,微波折射率和微波损耗均减小,既有利于降低半波电压和电极回波损耗,又能增大带宽,所以应在工艺允许范围内尽可能增加t d .3)优化得到了一组电极参数,当电极长度为1cm 时,器件半波电压为2.17V,3dB 带宽大于70GHz,回波损耗在高频条件下整体低于-20dB,达到了较好的优化设计结果.由于目前还没有针对这种新结构的电极分析的报道,因此本文的研究对基于LNOI 结构电光调制器的电极设计具有重要的指导意义.参考文献:[1]NOGUCHI K,MITOMI O,MIYAZAWA limeter⁃wave Ti:LiNbO 3optical modulators [J ].Journal of Lightwave Technology,1998,16(4):615⁃619.[2]WOOTEN E L,KISSA K M,YI⁃YAN A,et al.A reviewoflithiumniobatemodulatorsforfiber⁃opticcommunications systems [J].IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics,2000,6(1):69⁃82.[3]JANNER D,TULLI D,GARCÍA⁃GRANDA M,et al.Micro⁃structured integrated electro⁃optic LiNbO 3modulators [J].Laser &Photonics Reviews,2010,3(3):301⁃313.[4]LUO R,JIANG H,ROGERS S,et al.On⁃chip second⁃harmonic generation and broadband parametric down⁃conversion in a lithium niobate microresonator [J].Optics Express,2017,25(20):24531⁃24539.[5]NIKOGOSYAN D N.Nonlinear optical crystals:acomplete survey [M ].New York:Springer⁃Science,2005:5⁃74.[6]POBERAJ G,HU H,SOHLER W,et al.Lithium niobate on insulator (LNOI)for micro⁃photonic devices[J].Laser &Photonics Reviews,2012,6(4):488⁃503.[7]HAN H,CAI L,HU H.Optical and structural propertiesof single⁃crystal lithium niobate thin film [J ].Optical175北 京 工 业 大 学 学 报2021年Materials,2015,42:47⁃51.[8]WANG C,ZHANG M,CHEN X,et al.Integrated lithium niobate electro⁃optic modulators operating at CMOS⁃compatible voltages[J].Nature,2018,562(7725): 101⁃104.[9]WANG C,XIONG X,ANDRADE N,VENKATARAMAN V,et al.Second harmonic generation in nano⁃structured thin⁃film lithium niobate waveguides[J].Optics Express, 2017,25(6):6963⁃6973.[10]JIAN J,XU M,LIU L,et al.High modulation efficiencylithium niobate Michelson interferometer modulator[J].Optics Express,2019,27(13):18731⁃18739. [11]ZHANG M,WANG C,CHEN X,et al.Ultra⁃highbandwidth integrated lithium niobate modulators withrecord⁃low Vπ[C]∥Optical Fiber CommunicationConference.Piscataway:IEEE,2018:1⁃3. [12]ZHANG X,MIYOSHI T.Optimum design of coplanarwaveguide for LiNbO3optical modulator[J].IEEETransactions on Microwave Theory and Techniques,1995,43(3):523⁃528.[13]崔海娟,陈福深.LiNbO3电光调制器行波电极优化设计[J].电子科技大学学报,2003,32(3):309⁃312.CUI H J,CHEN F S.Optimum design of traveling waveelectrode for LiNbO3electro⁃optic modulator[J].Journalof University of Electronic Science and Technology,2003,32(3):309⁃312.(in Chinese) [14]KRASNOKUTSKA I,TAMBASCO J J,LI X,et al.Ultra⁃low loss photonic circuits in lithium niobate oninsulator[J].Optics Express,2018,26(2):897⁃904.[15]HE M B,XU M Y,REN Y X,et al.High⁃performancehybrid silicon and lithium niobate Mach⁃Zehndermodulators for100Gbit㊃s-1and beyond[J].NatPhotonics,2019,13:359⁃364.[16]李金洋,逯丹凤,祁志美.铌酸锂波导电光重叠积分因子的波长依赖特性分析[J].物理学报,2014,63(7):077801⁃1⁃077801⁃7.LI J Y,YAN D F,QI Z M.Wavelength⁃dependentanalysis of the overlap integral factor of lithium niobatewave conduction light[J].Acta Phys Sinica,2014,63(7):077801⁃1⁃077801⁃7.(in Chinese) [17]CHUNG H,CHANG W S C,ADLER E L.Modeling andoptimization of traveling wave LiNbO3interferometricmodulators[J].IEEE Journal of Quantum Electronics,1991,27(3):608⁃617.[18]POZAR D M.Microwave engineering[M].New York:John Wiley&Sons,2009:60⁃106.[19]WANG C,ZHANG M,STERN B,et al.Nanophotoniclithium niobate electro⁃optic modulators[J].OpticsExpress,2018,26(2):1547⁃1555.[20]REN T H,ZHANG M,WANG C,et al.An integratedlow⁃voltage broadband lithium niobate phase modulator[J].IEEE Photonics Technology Letters,2019,31(11):889⁃892.(责任编辑 杨开英)275。

铌酸锂光波导的制作方法

铌酸锂光波导的制作方法

铌酸锂光波导的制作方法铌酸锂(LiNbO3)是一种重要的非线性光学材料,具有良好的光学性能和非线性光学性能,因此在光电子器件中得到广泛的应用,如光调制器、激光器、波导、光纤通信、光纤传感等方面。

铌酸锂光波导是在铌酸锂晶体中形成的一种光学波导,具有优良的导光性能,被广泛应用于集成光电路、光通信和光纤传感等领域。

本文将介绍铌酸锂光波导的制作方法,包括铌酸锂晶体的选择与加工、光波导的结构设计与制作工艺、波导的测试与性能分析等内容。

一、铌酸锂晶体的选择与加工铌酸锂晶体是制作光波导的基础材料,其选择和加工对光波导的性能和稳定性具有重要影响。

铌酸锂晶体的选择应考虑其光学性能、结晶质量和加工难易程度。

目前,工业上广泛应用的铌酸锂晶体主要有干法生长晶体和液相熔融法生长晶体两种类型,其中液相熔融法生长的铌酸锂晶体质量更好,所以在制作光波导时更为常用。

铌酸锂晶体的加工包括切割、研磨、蚀刻和抛光等工艺。

首先,需要根据设计要求,将铌酸锂晶体切割成合适尺寸的片材。

然后进行研磨和抛光,以保证晶体表面的光滑度和平整度。

最后,通过蚀刻工艺,在晶体表面形成所需的波导结构。

这些加工工艺的实施需要严格控制加工参数,以保证光波导的制作精度和质量。

同时,对铌酸锂晶体进行辅助处理,如去应力处理,可以提高光波导的性能和稳定性。

二、光波导的结构设计与制作工艺光波导的结构设计是制作工艺的关键,直接影响光波导的性能和应用。

光波导的结构包括核型波导和面型波导两种类型。

核型波导是指在晶体中形成的一个单一导光层,而面型波导是在晶体表面形成一系列导光结构。

这两种结构各有特点,一般根据具体应用要求进行选择。

在核型波导的制作中,首先通过光刻工艺,在晶体表面涂覆光阻,并使用掩膜进行光刻,形成所需的波导结构。

然后,在光刻后的晶体表面进行蚀刻处理,以形成波导结构。

最后,去除光阻和清洗晶体表面,即可得到核型波导结构。

在面型波导的制作中,同样需要通过光刻和蚀刻工艺,形成表面波导结构。

武汉邮电科学研究院WRI光电产品被授予“湖北省出口名牌商品”称号

武汉邮电科学研究院WRI光电产品被授予“湖北省出口名牌商品”称号

15 波 段转换 效率 最高。另 . m 外, 泵浦脉宽与器件长度都对转
A /, 。l a m L mm /
换效 率 有 影 响。 宽 脉 冲 能 够 得
( 随信号波长的变化 a )
()J b 7随泵浦脉宽 、 器件长度的 变化
图 4 转换 效率 叼的变化 曲线
到高效 的波长转换 。 但却要牺牲 转换 速率 。 总之 , 脉冲泵浦下的波长转
¨湖 北 省 出 口 名 牌 商 品 ”称 号 ’
日 记者在湖北省商务工作会议上获悉, 前, 武汉邮电科学研究院研 WR 光电产品被授予“ I 湖北省出 口名
牌商品” 称号。武汉邮电科学研 究院被武汉市政府授 予O 5年度武汉市出口先进单位。
近年来, 武汉邮电科学研究院非常重视 对商务S作 的开展, - 商务 S作取得 了可喜 的成绩。20 - 0 5年全年 进 出口总额达到93 5 1万美元, 其中出口30 90多万美元 , 比上年同期增长3 %。并在争取 国家外贸发展资金 9 的支持 上作 了大 量工 作 。连续 几年 获得 湖北 省 、 汉 市政 府 的好评 。 武
参考文献 : [ ] 薛挺 , 1 于建 , 天新 。 。15 ln波段基 于级联二 阶非 杨 等 . x a
图 4 b 揭示了脉宽 与器件长度对转换效率的 ()
影响 。在一定范围内, 脉冲宽度越大 , 能量越高, 转 换 脉冲放大越多 , 转换效率越高。然而, 脉宽越宽,
线性的铌酸锂光波导全光波长变换的理论分析 [ ] J。
3 结 论
通过对脉 冲泵浦的全光波长转换的研究 , 我们 推导了在准相位匹配的铌 酸锂光波导中 , 利用级联 二阶非线性效应( F D G 实现全光波长转换 的 S G+ F )
  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

基于铌酸锂光波导的全光波长转换周敏娟,孙军强(华中科技大学光电子工程系,湖北武汉 430074)摘要:研究了双脉冲泵浦情况下,在准相位匹配(QP M )的周期性极化反转的铌酸锂光波导(PP LN )中,基于级联二阶非线性效应———和频与差频效应(SFG +DFG )的全光波长转换。

推导了描述SFG +DFG 波长转换的理论模型。

通过数值模拟,研究了波长转换过程,观察到脉冲传播过程中出现了走离效应与脉冲展宽。

研究了器件长度、信号波长、脉宽等参数对波长转换效率的影响。

关键词:周期性极化反转的铌酸锂光波导;级联二阶非线性效应;全光波长转换中图分类号:T N914 文献标识码:A 文章编号:100528788(2006)022*******A ll 2opti ca l wavelength conversi on ba sed on L i Nb O 3wavegu i desZHO U M i n 2juan,SUN Jun 2q i a ng(Depart m ent of Op t oelectr onic Engineering,HUST,W uhan 430074,China )Abstract:An all 2op tical wavelength conversi on based on the cascaded second 2order nonlinear interacti ons of Su m 2and D ifference 2Fre 2quency Generati on (SFG +DFG )in quasi -phase matched Peri odically Poled L i N b O 3(PP LN )W aveguides with a dual 2pulse pu mp s ource is studied .A theoretical model for the descri p ti on of the SFG +DFG wavelength conversi on is devel oped .The p r ocess of the wavelength conversi on is analyzed by nu merical si m ulati on and walk 2off effect and pulse br oadening have been observed in pulse p r opa 2gati ons .The study shows that the conversi on efficiency is affected by the length of the waveguides,signal wavelength and pulse width .Key words:Peri odically Poled L i N b O 3(PP LN )W aveguides;cascaded second 2order nonlinear interacti ons;A ll 2Op tical W avelength Conversi on (AOWC ) 全光波长转换器(AOWC )是发展未来光网络的关键器件之一。

AOWC 在某一波长上接收输入光信号,而在另一个不同的波长上将其复制出来。

它是光波长路由系统的核心器件,解决了全光传输网中的波长争用问题。

此外,它在光开关、光交换、波长再生等技术中也有着广泛的应用。

用于实现波长转换的方案很多,其中,基于准相位匹配的周期性极化反转的铌酸锂光波导,利用级联二阶非线性效应实现的波长转换具有独特的优点:效率高、速度快、噪声低、无啁啾,易实现THz 的调制带宽;能以相等的效率同时向上和向下转换多个信道(波长);无附加的放大自发辐射噪声;能实现全透明转换[1]。

目前,利用该效应实现波长转换的方案有两种:基于倍频与差频效应(SHG +DFG )和基于和频与差频效应(SFG +DFG )。

其中,SFG +DFG 方案采用双泵浦驱动,泵浦波长可调性好,转换效率较高。

传统的利用连续泵浦实现的波长转换技术已经比较成熟[2~3],然而由于高速全光网络的发展,连续泵浦下的波长转换速率低,已经不再适用。

因而,国内外很多研究者都开始把焦点投向了超短脉冲泵浦下的波长转换。

1 理论模型SFG +DFG 实现的波长转换原理如图1所示。

1.5μm 波段频率为ωp1、ωp2的两个脉冲泵浦源,其峰值功率分别为P p10和P p20,泵浦脉冲和信号脉冲ωs (1.5μm 波段)同时注入准相位匹配的铌酸锂光波导中。

泵浦脉冲通过SFG 产生780nm 波段的和频光脉冲,此光脉冲再与信号光脉冲通过DFG 作用,产生频率为ωc =ωp1+ωp2-ωs 的转换光脉冲,从而实现了波长转换。

图1 脉冲泵浦下SFG +DFG 波长转换原理图这里,我们采用准相位匹配的周期性极化反转的铌酸锂光波导(PP LN ),它的通光范围大(0.4~4.5μm ),光波导对光波约束性强,互作用距离较长,便于与半导体激光器直接耦合。

设传输轴为ξ,收稿日期:2005-07-15作者简介:周敏娟(1982-),女,江苏常熟人,硕士,主要研究方向为全光波长转换及全光信号处理。

862006年 第2期(总第134期)光通信研究ST UDY ON OPTI CAL COMMUN I CATI O NS2006(Sum.No .134)光栅周期为Λ,根据非线性波动方程以及三波混频原理[4],脉冲泵浦下的SFG +DFG 波长转换可用以下联立的耦合波方程组描述:5A p15ξ+1νgp15A p15t -i β2p1252A p15t 2=i ωp1κSF A 3p2A SF exp (i ΔβSF ξ),5A p25ξ+1νgp25A p25t -i β2p2252A p25t 2=i ωp2κSF A 3p1A SF exp (i ΔβSF ξ),5A SF 5ξ+1νgSF 5A SF5t -i β2SF 252A SF 5t 2=i ωSF κSF A p1A p2exp (-i ΔβSF ξ)+i ωSF κDF A s A c exp (-i ΔβDF ξ),5A s 5ξ+1νgs 5A s 5t-i β2s 252A s 5t 2=i ωs κD F A 3c A SF exp (i ΔβD F ξ),5A c 5ξ+1νgc 5A c 5t-i β2c 252A c 5t 2=i ωc κDF A 3s A SF exp (i ΔβDF ξ),(1)式(1)中,A m 、νg m ,β2m (m =p1、p2、SF 、s 、c )分别表示泵浦1、2、和频、信号、差频光脉冲的复振幅,群速度以及群速度色散(G VD )的影响。

κSF 和κDF 分别是和频与差频过程的耦合系数,ΔβSF 和ΔβD F 分别表示和频与差频过程的相位失配。

2 数值模拟及分析我们采用有限差分法进行数值模拟,选择泵浦与信号脉冲为双曲正割型:A (0,t )=P 0sec h (1.76tτ0),P 0为脉冲峰值功率。

图2是模拟得到的转换脉冲三维图,从图中可看出它在光波导中的传播特性。

图2 转换光脉冲的三维图转换脉冲在传输过程中得到放大,并且逐渐偏离传输轴。

这种偏离现象称为群速度失配引起的走离。

不同波长的光脉冲在波导中传播,由于群速度不同,随着传播距离的增加,原本同步的脉冲逐渐不再重叠。

在数值模拟中,我们以泵浦脉冲为基准,令坐标轴以群速度v gp1移动,从而观察到了走离现象。

在脉冲传播过程中,由于G VD 的影响,会引起转换光脉冲的展宽。

图3(a )中(τp10=τp20=τs0=5p s ),转换脉宽与初始信号脉宽之比(τc /τs0)的变化,说明在脉冲传播过程中,转换脉宽会逐渐展宽。

但展宽不是无限制的,它受到输入脉冲的制约。

图3(b )曲线中,信号初始脉宽τs0=5p s,改变泵浦脉宽(τp10=τp20两者同时变化),转换脉宽会随之变化,逐渐趋近初始信号脉宽(τc /τs0→1)。

可见,当输入的泵浦脉宽改变,转换脉宽会随着传播距离的增加,逐渐接近输入脉冲中的最短脉冲宽度。

原因在于当不同脉宽的脉冲相互作用时,光脉冲参与转换的部分是有限的。

图3 τc /τs0的变化曲线转换效率是评价波长转换的一个重要的性能参数。

脉冲泵浦下的波长转换效率定义如下:η=∫P c (ξ=L )d t ∫P s(ξ=0)d t 。

(2) 从图4的转换效率曲线可以看出,由于泵浦脉冲峰值功率高,脉冲能量大,脉冲泵浦下的波长转换效率明显高于连续泵浦情况(通常<100%)。

在波长转换中,湮灭一对泵浦脉冲光子,产生一对信号与转换脉冲光子,根据能量守恒,泵浦能量转移给信号与转换脉冲,使之得到放大,这样,转换效率可超过100%(0d B )。

从图4(a )可以看出,在1.5μm 波段,由于差频过程的相位失配小,转换效率高,在1.56μm 附近,96周敏娟等: 基于铌酸锂光波导的全光波长转换图4 转换效率η的变化曲线出现了一个转换效率的峰值,这是因为当信号频率接近泵浦频率时,SFG 与DFG 过程的相位失配同时趋近0,转换效率达到最大。

图4(b )揭示了脉宽与器件长度对转换效率的影响。

在一定范围内,脉冲宽度越大,能量越高,转换脉冲放大越多,转换效率越高。

然而,脉宽越宽,速率越低,要获得高转换效率,则必须牺牲转换速率,高速与高效两者不能兼得。

另外,从图4(b )看出,在一定范围内,器件长度越长,转换脉冲放大越多,转换效率越高。

所以,适当选择脉宽与器件长度,对实际的波长转换器的设计来说是很重要的。

3 结 论通过对脉冲泵浦的全光波长转换的研究,我们推导了在准相位匹配的铌酸锂光波导中,利用级联二阶非线性效应(SFG +DFG )实现全光波长转换的理论模型。

脉冲泵浦下的波长转换由于受到时间的影响,转换脉冲传播过程中出现了走离效应与脉冲展宽现象。

通过数值模拟,我们看到信号波长在1.5μm 波段转换效率最高。

另外,泵浦脉宽与器件长度都对转换效率有影响。

宽脉冲能够得到高效的波长转换,但却要牺牲转换速率。

总之,脉冲泵浦下的波长转换有着独特的优越性,是波长转换技术的又一重要突破,它对未来光网络的发展有着十分重要的意义。

参考文献:[1] 薛挺,于建,杨天新,等。

1.5μm 波段基于级联二阶非线性的铌酸锂光波导全光波长变换的理论分析[J ]。

物理学报,2002,51(1):91297。

[2] Bo Chen,Chang 2Q ing Xu .Analysis of novel cascadedχ(2)(SFG +DFG )wavelength conversi ons in quasi 2phase 2matched waveguides [J ].I EEE J.Quantu m Elec 2tr on,2004,40(3):2562261.[3] S ong Yu,W anyi Gu .W avelength conversi ons in quasi 2phase 2matched L i N b O 3waveguide based on double 2passcascaded χ(2)SFG +DFG interacti ons [J ].I EEE J.Quantu m Electr on,2004,40(11):154821554.[4] 石顺祥,陈国夫,赵卫,等。

相关文档
最新文档