4路模拟开关芯片低内阻
常用模拟开关芯片型号与功能和应用介绍
常用模拟开关芯片型号与功能和应用介绍
1.CD4066:
CD4066是一种四路双开关模拟集成电路。
它可以用作高速CMOS开关、模拟信号开关和数字信号开关。
CD4066具有低电平阈值和高通串脉冲响
应等特性，可以通过外部电压来控制其开关状态。
其应用包括模拟开关、
数据路由、模拟选择器和模拟交换等。
2.MAX4617:
MAX4617是一种低电阻四路双开关。
它具有低电阻和低电平失真的特点，可用于模拟交换、模拟多路复用和模拟电流控制等应用。
MAX4617还
具有高速开关时间和广泛的供电电压范围，适用于多种电路设计。
3.ADG601:
ADG601是一种单路、高精度CMOS模拟开关芯片。
它具有低电位失真、低电流和低电压操作的特点，适用于音频信号开关、电量计选择、过程控
制和自动测试设备等应用。
ADG601还具有低串扰和低抖动等特性，可以
提供高品质的信号传输。
这些模拟开关芯片的功能和应用广泛，可以满足不同领域的需求。
它
们在信号传输、数据交换、功率控制和信号处理等方面发挥着重要作用。
无论是工业自动化、通信设备、消费电子产品还是医疗设备，这些模拟开
关芯片都能够提供可靠和精确的信号控制。
因此，选取适合的模拟开关芯
片对于电路设计和系统性能至关重要。
模拟开关使用指南-使用模拟开关必读
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低电压高性能系统中的模拟开关
对于 CD4066，乘积是 400ps（200Ω和 0.2pF）；对于 MAX323,该乘积减小到 26p（s 33Ω和 0.8pF）, 性能超出 10 倍以上！ 设计举例
作为笔记本电脑附件的音频切换开关，应满足的典型指标为： ! 实现功能：对两个立体声源实现二选一； ! 工作电压：3.3V ! 电源电流：尽可能地小（《10mA） ! 串扰：80dB（20KHZ 时） ! 隔离度：80dB（20KHZ 时） ! 失真度：输入信号 1V（RMS）时，失真 1% ! 阻抗：47KΩ
图 1: 模拟开关由 N-MOSFET 与 P-MOSFET 并联而成。
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低电压高性能系统中的模拟开关
在较早的开关器件中，尤其是那些采用金属门工艺的模拟开关（如 CD4066），FET 场效 应开关需要高达 3V 的门极驱动电压才能完全导通。虽然生产厂商暗示其产品在 5V 甚至 3V 都可以工作，然而由于通态电阻平坦度差，仅适用于要求不严格场合，而非所有场合。因为， 在如此低的供电电压时，信号电平处于某些范围内时，两个 FET 均不能完全导通，结果导通 电阻平坦度很差。（见图 2）
硅门开关（如 74HC4066）在低电压时有比较好的性能。采用这种较新工艺生产的 FET 只 需不到 1V 的门极驱动电压即可导通，十分有助于改善开关的低电压工作性能。5V 电压时， 这种开关的导通电阻不大，平坦度也较好。它们甚至还可在某些 3V 场合使用。
图 2 中最下面两条曲线是另一类模拟开关的特性，它们采用了最新的硅门工艺，性能优 良。请注意开关 MAX323， 3V 工作电压时，性能比 5V 时的 74HC4066 还好一些。当工作电压 5V 时，导通电阻变化只有几欧姆。这种高性能为模拟开关开拓了新的应用领域。
4位数贴片电阻
4位数贴片电阻1.引言概述部分的内容可以按照以下方式编写：1.1 概述四位数贴片电阻是一种电子元件，常用于电路设计和电子设备制造中。
它是一种非常小型化的电阻器，因其外形尺寸只有四位数毫米级别而得名。
与传统电阻器相比，四位数贴片电阻具有更高的集成度和更好的性能。
在电子领域，电阻器是经常用到的元件，用于控制电流和调整电路中的功率。
四位数贴片电阻作为一种常见的电阻器，通过将电流限制在特定的范围内，起到了保护电路和电子设备的作用。
本文将主要介绍四位数贴片电阻的定义、特点以及其在工程和科技领域中的应用。
通过了解四位数贴片电阻的工作原理和性能特点，读者将能够更好地理解和应用该电子元件。
接下来的章节中，我们将首先介绍四位数贴片电阻的定义，包括其结构、材料和制造工艺等方面内容。
随后，我们将详细探讨四位数贴片电阻的特点，如精度、功率承载能力以及温度系数等。
最后，我们将总结四位数贴片电阻的应用，并展望其在未来的发展前景。
通过本文的阅读，读者将对四位数贴片电阻有一个全面的了解，从而能够更好地应用于实际工程和科技项目中。
四位数贴片电阻作为一种常见的电子元件，无论在什么领域，都有着广泛的应用前景。
接下来，我们将深入研究并探讨四位数贴片电阻的相关知识。
1.2 文章结构文章结构部分的内容可以如下编写：文章结构部分旨在向读者介绍本篇长文的组织结构和逻辑框架。
本文主要分为引言、正文和结论三个部分。
下面将详细介绍每个部分的内容和目的。
引言部分分为三个小节，分别是概述、文章结构和目的。
概述部分将简要介绍4位数贴片电阻的背景和重要性，引起读者的兴趣。
文章结构部分介绍文章的整体组织结构，让读者了解各个部分的内容和安排。
目的部分明确说明本文的写作目的和意义，以及希望读者能够从中获得的收益。
正文部分是本文的主要内容，包括了4位数贴片电阻的定义和特点两个小节。
首先，在2.1小节中将详细介绍4位数贴片电阻的定义，包括其组成结构、工作原理和主要功能。
低开启电压低内阻MOS-A03416
SymbolTyp Max 659085125R θJL 4360°C/W Maximum Junction-to-Ambient A Steady-State °C/W Maximum Junction-to-Lead CSteady-State°C/WThermal Characteristics ParameterUnits Maximum Junction-to-Ambient A t ≤ 10s R θJA AO3416SymbolMin TypMaxUnits BV DSS 20V 1T J =55°C5±1µA ±10µA V GS(th)0.40.61V I D(ON)30A 1822T J =125°C25302126m Ω2634m Ωg FS 29S V SD 0.761V I S2.5A C iss 1160pF C oss 187pF C rss 146pF R g 1.5ΩQ g 16nC Q gs 0.8nC Q gd 3.8nC t D(on) 6.2ns t r 12.7ns t D(off)51.7ns t f 16ns t rr 17.7ns Q rr 6.7nCV DS =0V, V GS =±8V Maximum Body-Diode Continuous CurrentInput Capacitance Output Capacitance Turn-On DelayTime DYNAMIC PARAMETERS V GS =0V, V DS =10V, f=1MHz Gate Drain Charge Turn-On Rise Time Turn-Off DelayTime V GS =5V, V DS =10V, R L =1.5Ω, R GEN =3ΩGate resistance V GS =0V, V DS =0V, f=1MHzTurn-Off Fall Time SWITCHING PARAMETERS Total Gate Charge V GS =4.5V, V DS =10V, I D =6.5AGate Source Charge m ΩV GS =2.5V, I D =5.5A I S =1A,V GS =0V V DS =5V, I D =6.5A V GS =1.8V, I D =5AR DS(ON)Static Drain-Source On-ResistanceForward Transconductance Diode Forward Voltage I DSS µA Gate Threshold Voltage V DS =V GS I D =250µA V DS =16V, V GS =0VZero Gate Voltage Drain Current I GSS Gate-Body leakage current V DS =0V, V GS =±4.5V Electrical Characteristics (T J =25°C unless otherwise noted)STATIC PARAMETERS ParameterConditions Body Diode Reverse Recovery Time Body Diode Reverse Recovery ChargeI F =6.5A, dI/dt=100A/µsDrain-Source Breakdown Voltage On state drain currentI D =250µA, V GS =0V V GS =4.5V, V DS =5V V GS =4.5V, I D =6.5AReverse Transfer Capacitance I F =6.5A, dI/dt=100A/µs A: The value of R θJA is measured with the device mounted on 1in 2FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with T A =25°C. The value in any a given application depends on the user's specific board design. The current rating is based on the t ≤ 10s thermal resistance rating.B: Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature.C. The R θJA is the sum of the thermal impedence from junction to lead R θJL and lead to ambient.D. The static characteristics in Figures 1 to 6,12,14 are obtained using 80 µs pulses, duty cycle 0.5% max.E. These tests are performed with the device mounted on 1 in 2FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with T A =25°C. The SOA curve provides a single pulse rating.。
模拟开关ISL43143、ISL43145中文资料
工作条件
温度范围
ISL4314XIX ………………………………………………………… -40℃到 85℃
热信息
热敏电阻（典型值）
θJA(℃/W)
16 Ld TSSOP 封装(注 4) …………………………………… 150
16 Ld QFN 封装（注 5） …………………………………… 75
最大结点温度（塑料封装）……………………………………… 150℃
测试条件： V+=+3.0V到+3.6V，V-=GND =0V，VINH=2.4V，VINL=0.8V(注 5)，除非另有说明。
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武汉力源信息技术股份有限公司
免费电话：800-880-8051
数据手册 DS-107-00019CN
电气指标：12V 电源
测试条件： V+=+10.8V到+13.2V，V-=GND =0V，VINH=3.0V，VINL=0.8V(注 5)，除非另有说明。
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武汉力源信息技术股份有限公司
免费电话：800-880-8051
测试电路和波形图
数据手册 DS-107-00019CNFra bibliotek9
武汉力源信息技术股份有限公司
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数据手册 DS-107-00019CN
详细描述
ISL43143-ISL43145 四芯线模拟开关可以在 ± 2V到 ± 6V的双极性电源，和 2V到 12V的单电源下工作
电气指标：5V 电源
测试条件： V+=+4.5V到+5.5V，V-=GND =0V，VINH=2.4V，VINL=0.8V(注 5)，除非另有说明。
常用模拟开关芯片型号与功能和应用介绍
◆ 模 拟 断 路 器 跳 合 闸 电 源 电 压 为 DC220V 和 DC110V两档，试验前必须选择好电压和输入电压一致。
◆ 在模拟回路中设有继电器A、B、C各输出一组 转换触点，动断触点闭合或断开触点断开的触点和操 作电源完全隔离，可和微机型继电保护试验设备进行 配合。
高压模拟开关技术参数 1.跳闸时间选择：20-100ms 2.供电电源AC200V±10% 3.跳合闸操作为电源电压：DC220V、DC110V 4.合闸时间选择：20-200ms 5.跳合闸阻抗选择400Ω、200Ω、110Ω 6.模拟断路器常闭/常开接点容量为AC220V/5A
高压模拟开关应用 高压模拟开关主要用于电力系统断电保护装置或
二、常用的CMOS模拟开关集成电路
在模拟开关的集成过程中，晶体三极管和场效应 晶体管均可用来做模拟开关的有源器件，实际上，由 于场效应晶体管特性的对称性不存在残余电压等优点， 所以在模拟开关中用的最多的还是场效应晶体管。
• 开关在电路中起接通信号或断开信号的作用。最常见的 可控开关是继电器，当给驱动继电器的驱动电路加高电 平或低电平时，继电器就吸合或释放，其触点接通或断 开电路。
注意：
AD7501，AD7502，AD7503 芯片都是单向多 到一的多路开关，即信号只允许从多个 (8个) 输入端 向一个输出端传送。
单八路模拟开关CD4051
• CD4051相当于一个单刀八掷开关，开关接通哪一通 道，由输入的3位地址码ABC来决定。
• “INH”是禁止端，当“INH”=1时，各通道均不接通。 • CD4051还设有另外一个电源端VEE，以作为电平位移
模拟开关CH440芯片手册
4、引脚
4.1. CH440G、CH440R、CH445P 引脚
CH440 引脚 CH445P 引脚 引脚名称 类型
引脚说明
16
14
VCC
电源
正电源
8
6、0
GND
电源
公共接地，数字信号参考地
15
13
EN#
输入
全局使能输入，低电平有效
1
15
IN
输入
单刀双掷模拟开关选择输入： 高电平选择 2#端（S2x）；低电平选择 1#端（S1x）
最小值 2.1
-0.5 1.8
0 -0.3
典型值 3.3 0.1 0.6
0.1 ±0.005
7 9 28 14
最大值 3.9 5 3 0.7
VCC+0.5 5
±0.5 1.5
VCC+0.3 9 13 38 20
单位
V uA mA V V uA uA V V Ω Ω Ω Ω
6.4. 5V 开关芯片模拟开关时序参数（测试条件：TA=25℃，VCC=5V，VANA=0V）
DC S2C
Decode & Drive
EN#
IN
CH443K 是单通道低阻宽带双向模拟开关芯片。CH443K 包含 1 通道 SPDT 单刀双掷模拟开关，高
CH440、CH442、CH443、CH444、CH445 手册
２
带宽，低导通电阻，可以用于视频或者 USB 信号二选一切换。
CH0 COM
单刀四掷模拟开关的 1#端，IN1&IN0 引脚输入 00 选中
单刀四掷模拟开关的 2#端，IN1&IN0 引脚输入 01 选中
单刀四掷模拟开关的 3#端，IN1&IN0 引脚输入 10 选中
低阻模拟开关芯片
低阻模拟开关芯片1. 介绍低阻模拟开关芯片是一种电子器件，用于在电路中实现模拟开关功能。
它能够控制模拟信号的通断，实现信号的开关和选择。
低阻模拟开关芯片的主要作用是将低阻抗的模拟信号源与负载电路连接或断开，以实现信号的通断、切换和选择功能。
2. 工作原理低阻模拟开关芯片通常由模拟开关、控制逻辑和驱动电路组成。
控制逻辑根据输入的控制信号对模拟开关进行控制，驱动电路则将控制信号转换为适合模拟开关的电平。
当控制信号为高电平时，模拟开关闭合，模拟信号得以通过；当控制信号为低电平时，模拟开关断开，模拟信号被隔离。
低阻模拟开关芯片通常采用 CMOS 或者特殊的硅基技术来实现。
CMOS 在功耗和低电压操作方面有着显著的优势，而硅基技术则在高频等特殊应用中表现出色。
3. 应用领域低阻模拟开关芯片在众多电子设备中都有广泛的应用，下面介绍其中几个典型的应用领域：3.1 通信系统低阻模拟开关芯片在通信系统中起到了至关重要的作用。
它们常常被用于实现信号切换、滤波和串行/并行转换等功能。
通信系统中的模拟信号需要经过不同的处理阶段，低阻模拟开关芯片能够提供灵活的信号路由，并保持良好的信号质量。
3.2 音频设备低阻模拟开关芯片在音频设备中也有广泛的应用。
例如，它们可以用于实现音频信号的输入选择、输出切换，以及音频信号的放大和滤波等功能。
通过使用低阻模拟开关芯片，音频设备可以更好地控制信号流动的路径，保证音频信号的清晰度和准确性。
3.3 医疗设备在医疗设备中，低阻模拟开关芯片也有着广泛的应用。
例如，在医学成像设备中，模拟开关芯片可以用于选择不同的传感器输入信号，并实现信号的放大和滤波。
另外，在生命体征监测设备中，模拟开关芯片可以用于控制不同传感器之间的信号切换和选择。
3.4 测试和测量仪器低阻模拟开关芯片在测试和测量仪器中也有重要的应用。
它们可以用于实现信号的开关、切换和选择，以满足不同测试需求。
例如，电压源可以通过低阻模拟开关芯片与被测电路连接，实现对被测电路的测试和测量。
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4路模拟开关芯片低内阻
随着电子设备的不断发展，对模拟开关芯片的需求也越来越大。
模拟开关芯片作为一种关键的电子元件，广泛应用于通信设备、计算机、消费电子产品等各个领域。
其中，低内阻是模拟开关芯片的重要性能指标之一。
本文将介绍一种具有低内阻的4路模拟开关芯片。
一、模拟开关芯片的基本原理
模拟开关芯片是一种能够在模拟信号路径上实现快速切换的电子元件。
它通过控制开关管的通断，从而实现信号的传输或隔离。
模拟开关芯片通常由开关管、控制电路和输出电路等组成。
二、低内阻的意义和应用
内阻是指电流通过芯片时所遇到的电阻。
对于模拟开关芯片而言，低内阻意味着在信号传输过程中能够最大程度地减小能量损耗和信号失真。
因此，具有低内阻的模拟开关芯片在信号的放大、切换和传输等方面具有重要的应用价值。
三、4路模拟开关芯片低内阻的实现
为了实现低内阻，4路模拟开关芯片采用了一系列的技术手段：
1. 优化材料选择：通过选择低电阻材料作为芯片的基础材料，可以降低芯片的内阻。
同时，优化电路结构和布局，减小电流通路的长度和阻抗。
2. 优化晶体管设计：晶体管作为模拟开关芯片的核心组件，对内阻的影响非常大。
通过优化晶体管的结构设计和工艺制造，可以减小晶体管的导通电阻和开关电阻，从而降低整体内阻。
3. 优化控制电路：控制电路对模拟开关芯片的性能也有重要影响。
优化控制电路的设计，可以提高开关的响应速度和稳定性，进一步降低内阻。
4. 优化输出电路：输出电路在信号传输过程中承担着重要的角色。
通过优化输出电路的设计，提高其驱动能力和信号质量，可以减小信号在传输过程中的能量损耗和失真，进而降低内阻。
通过以上的优化手段，4路模拟开关芯片的内阻得到了有效降低，使得信号传输更加稳定和可靠。
四、4路模拟开关芯片低内阻的应用场景
具有低内阻的4路模拟开关芯片在各种电子设备中有着广泛的应用。
以下是几个应用场景的例子：
1. 通信设备：在无线通信基站中，模拟开关芯片通常用于信号的选择和切换。
低内阻的4路模拟开关芯片可以实现快速切换，并减小信号在传输过程中的损耗，提高通信质量。
2. 计算机：在计算机主板的信号处理电路中，模拟开关芯片常用于数据的选择和传输。
低内阻的4路模拟开关芯片可以实现高速数据
的传输，提高计算机的性能和响应速度。
3. 消费电子产品：在各种消费电子产品中，模拟开关芯片被广泛应用于音频、视频和图像信号的处理。
低内阻的4路模拟开关芯片可以提高音频、视频和图像的传输质量，使用户获得更好的体验。
五、总结
4路模拟开关芯片低内阻的实现对于提高信号传输质量和性能具有重要意义。
通过优化材料选择、晶体管设计、控制电路和输出电路等方面，可以有效降低内阻，实现信号的快速切换和传输。
这种具有低内阻的4路模拟开关芯片在通信设备、计算机、消费电子产品等领域有着广泛的应用前景。
随着科技的不断进步和创新，相信模拟开关芯片的性能和应用将会有更大的突破和发展。