脉冲激光法沉积薄膜实验

脉冲激光沉积制备NiO薄膜的研究进展

光沉积等。冲激光沉积（ｌｅｌｓｒ脉Ｐｕｓｄａｅ
度为６０，积时间为２沉积后于３００℃ 沉ｈ。０℃ 下退火２测试发现，制备的Ｎｉ膜表ｈ。所Ｏ薄的电流密度并具有较高的可逆放电容量，
为４Ｘ１～ａ在５０５ ℃的衬底温度区间０Ｐ。０～６０以５～ｌ０Ｏ０ ℃为步长沉积。验结果发现，实在
面光滑，粒均匀，颗能承受１０Ａ／ｍ以上６０２Ｐ氧压条件下制备的Ｎｉ０ｃ５ ℃、０ａＯ薄膜为有望成为全固态锂离子电池的薄膜电极材ＲＨＥＤＩＥ￣试发现，１ｌ２１向入射］沿Ａ，【一０方ＯｌＳｓ等ｆ用ＮｄＹＡａｉ６Ｉ使：Ｇ激光器（３ｎ５２ｍ，８ｓ１Ｈｚ蚀高纯ＮＯ材，不同衬底温ｎ，０）烧ｉ靶于ＮｉＯ薄膜。沉积前腔室本底压强为ｌ－ｍｂｒ０６ａ，靶材与衬底距离为７ｍ。积过程中氧压为ｃ沉
电致变色等特性，其成为传感器、化料。使催
度下，在非晶石英衬底上制备了纳米结构的杂相并发生分解，氧压过高时薄膜的表且
ｄｐｓｔｎＰＤ是２世纪８年代末迅速发ｅｏｉｏＬ）ＯｉＯ先进的成膜技术。ＬＰＤ法是制备ＮｉＯ薄膜的重要方法，对于其他沉积方法，优点在相其

脉冲激光沉积Ge-Ga-S-CdS非晶薄膜

脉冲激光沉积Ge-Ga-S-CdS非晶薄膜
顾少轩
【期刊名称】《建材世界》
【年(卷),期】2007(028)006
【摘要】采用脉冲激光沉积(PLD)法在载玻片上沉积了Ge-Ga-S-CdS硫系非晶薄膜,利用XRD、分光光度计、扫描电镜、XPS等现代测试手段,研究薄膜的结晶形态、光学性质和成分.结果发现,利用脉冲激光沉积方法获得了可见光透过率为80%、光学质量优良、厚度均匀、没有明显缺陷的Ge-Ga-S-CdS硫系非晶薄膜,XPS光电
子能谱结果显示薄膜成分与靶材的成分存在微小的偏差.
【总页数】3页(P5-7)
【作者】顾少轩
【作者单位】武汉理工大学材料科学与工程学院,武汉,430070
【正文语种】中文
【中图分类】TU5
【相关文献】
1.电子束与电阻复合蒸发法制备 Zr-Cu 非晶薄膜及性能表征∗ [J], 张倩;胡青卓;张博
2.Nb-Zn-Sn-O非晶薄膜的生长与性能 [J], 闫伟超;孙汝杰;陈凌翔;吕建国;叶志镇
3.脉冲激光沉积制备MgO非晶薄膜介电性质的研究 [J], 韩亚萍;封敬艳;王金鑫
4.半导体Fe-Si非晶薄膜的成分解析及设计 [J], 张君仪;李晓娜;利助民;毕林霞;郑
月红;董闯
5.Ge-Ga-S-CdS玻璃的电致二次谐波发生特性 [J], 顾少轩;赵修建
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脉冲激光沉积法制备LiCoO2薄膜阴极

文章编号：１０５６（０９Ｓ０４０００— ４３２０）２— ０９— ３
脉冲激光沉积法制备ＬＣＯ薄膜阴极ｉｏ２
陈国光霍文培，，李晶泽
（．１电子科技大学微电子与固体电子学院，四川成都６０５；．１０４２电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川成都６０５）１０４
为含１ｍｏＬ的ＬＰ的ＥＤＣＤ（ｌ／ｉＦＣ、Ｅ、ＭＣ体积比为
发法、超声喷雾热分解法等等．对于化学结构和组ｊ
分复杂的三元过渡金属氧化物ＬＣＯ而言，分的ｉｏ：组微小偏离和结构的改化都会导致薄膜材料的电化学性质有明显变化．由于ＰＤ制备的薄膜具有与靶材Ｌ
作者简介：国光（９３一）男，苏人，陈１８，江电子科技大学２００７硕士研究生，要研究方向：膜锂离子电池阴极材料，ｍｉｍｉｏｎｒ＠ｕｓ主薄Ｅａｌｃｅｅｇ：ｒｙｅｔｕ
的入射角轰击靶材表面．薄膜沉积所使用的衬底是
单晶Ｓ片和表面抛光的不锈钢片．在薄膜沉积的ｉ
过程中，衬底以２／ｉ０ｒｍｎ的速率转动且保持衬底温度在６０℃ ，０腔体内Ｏ分压控制在ｌａ左右．：５Ｐ薄膜微结构测量采用Ｄ（ａｅ型薄膜Ｘ射线１Ｂｄ）衍射仪．表面形貌表征使用￥２０（ｉｃｉ型场发５０Ｈｔｈ）ａ
摘要：脉冲激光沉积方法（Ｌ）ＰＤ制备ＬＣＯｉｏ薄膜的关键因素之一是激光的功率．在功率不小于１０ｍ６Ｊ时，薄膜的结

常温下脉冲激光沉积氮化硼薄膜研究

维普资讯
第３卷第５期１
２ＯＯ２年１Ｏ月
人
工晶体学
报
Ｖｏ．Ｎｏ５１３１
．
ＪＯＵＲＮＯＦＹＮＡＬＳＴＨＥＣＣＹＳＡＬＴＩＲＴＳ
Ｏｔｂｒ２０ｃｏｅ．０２
ｔｍｆｍｆｒｄｓｅｔｍ（ＩＲ）ａｄＸｄｒｃｉ（Ｒ，ｔｉｆｎｈｔｈｅｃｎａｅｏｕｉｒｏｉｒｅｐｃｒａｒｎａｕＦＩｎ一ｉａｔｎＸＤ）ｉｓｏｄｔａｔｅｐｒｅｔｆｂｃｆｏｕｇｃｂｒｎｎｔｄｓｖｒｉｎｂｒｎｎｒｅｆｍ．ｎｔｅｏｅａｄａｏｒｈ出ｐｅｓｒｈｓｆｂｒｏｏｉｉｅｉｅｙｈｇｉｏｏｉｉｌｓＯｈｔｒｈｎ，ｎ￣ｅｉｒｓｅｐａｅｏｏｏｒｈｔｄｉｈｕｎ
（ａｕｔ０ｌｅｉｌａｄＰｏ－ｅｔｎｃＰｙｉ，ａｇｎＵｉｅｓｙ）∞ 鲫Ｆｃｌｆ￣ｔａｓｎｈｔｅｃｒｉｈｓｓＸｉｔｙｔｏｌｏｃｎａｎｖｒｔ，（ｉｉ（ｔｅ￣２却耐２０，Ｒｃｈ７０２ ∞呷２Ｊｎ０２ｕｅ２０）４１０，ｉａ１１５Ｏｆ）ｎ
ｂｒｎｎｔｄｍａｅｉｌｅｅｒｈｒｒｎｅｅｔｄｉｔｄｉｇｔｅｆｒａｌｎｉｏｏｉｉｅ，ｔｒｓｒｓａｃｅｓａｅｉｔｒｓｅｎｓｙｎｈｍｏｇｔｒａｕｏｍｅ．Ｉｈｓｐｐｒｐｌｅ－ｓｒｎｔｉａｅ，ｕｓｄｌｅａ

脉冲激光真空弧薄膜制备技术

ｌｄｆｍｅｏｉｏａｄｖ Ⅲｎａｃｔｈｉｅｈｒｃｐ￣，ｃａａｔｒ，ｒｓａｃｅｅ￣，ｓｓｌｄｐｓｉ￣ｎｅｉｔｔｒｃｎｑ．ｔｐｉｉｌｅｕｅｎｈｒｃｓｅｅｒｄｖｌｍｅｈｏｍｔ
ａｐｃｔｆａｅ－ｒ激 Ⅱ ｅａｒｓｎｅＩＣＬｂｒｃｓｔｔａｅ－ｔｔｈｕｌｈｖ１ｅｒｇｆａｐｃｆｎｅｓｉｃｎｐｈａｑｏｓｒａｋｃｎｕｒｐｅｅｔｉｍｓｌ积ＩｊｃＩｅｄｔＯｔｅｆｅａｔｈｓｒｅｅｍｑｅｌａｅｎｗｄｎｅｏｐｈａｏｓｉｔｃｅｅｄｏａｌａｅｗｉａｉｎｈｎａｔｗｏ￣，ｆｓｌｉｍｓｅｄｌ０ｏｄｆ．ｉｌ
激
光真空弧
ＴｈｎＦｉＰｒｐｒｔｏＵｌＰｕｓ－ｓｒＡｒｉ－ｌｍｅａａｉｎｗｉｌｅＬａｅ－ｃ
薄瞳
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：ＢｓｄＯｅｉｒｄｃｉａｅｎｔｔｔｎｉａ￣ｈｎｉｎｈａ光刁１ｕＭｉｇＳｈｏＴＩｍｊＭａＨｏｇｏＪｎＹｕｒｅｇＬＷｅｚｉ以ｎ蒸预备Ｋｙ Ⅱ目ｏＴｂｌＢｉ（ｓｅｆｆｏ￣．Ｉｉｏ咖Ｕｉｔｔｅｎｅｉ．Ｂｖｓｙ．ｌｏ￣）ｏ０发测ｕ．
，
良好的薄膜提供了基础。两种方法的特点列于表１
差攀真空重
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脉冲激光沉积AIN薄膜的结构表征和性能研究进展

ＤｅｅｏｖｌｐｍｅｆＳｒｃｕａａａｔｒｚｔ０ｎｄＰｒｐｅｔｅｆＡＩＦｉｍｎｔｏｔｕｔｒｌＣｈｒｃｅｉａｉｎａｏｒｉｓｏＮｌ
ＰｒｐａｅｅｒｄｂｙＰｕｌｅｓｒＤｅｏｉｉｎｓｄＬａｅｐｓｔｏ
ｓｒｔｓａｄＡ１ｆｌｓｒｖｅｄｔａｅｎＮｉｍｓｉｅｉｗｅ．Ｔｈｆｅｔｏｒｃｓｉｇｐｒｍｅｅｓｏｈｉｑａｉｎｌｚｄｅｅｆｃｆｐｏｅｓｎａａｔｒｎｔｅｆｌｕｌｙｉａａｙｅ．Ｔｈｌｃｒｎｃｍｔｓｅｅｅｔｏｉ，
ｓｍｉｎｕｔｒｆｍｕｓｌｄｐｓｉｎｔｍｐｒｔｒ．Ｏｐｉｌｌｓｂｔａｅｔｉｎｒｃｓｉｇｐｒｍｅｅｓｅｃｄｃｏｌｄｅｔｉｗｅｏｉｏｏｉｏｔｏｔｅｅａｕｅｔｍ／ｕｓｒｔｍａｃｎａｄｐｏｅｓａａｔｒｍａｆｉｈｇｎ
（．ｅ使其成为微电子器件中重要的绝缘材料；与同为６２Ｖ）在
１脉冲激光沉积ＡＩ薄膜的研究现状Ｎ
１１脉冲激光沉积的工作原理．
脉冲激光沉积是一种非平衡的成膜方法，其原理是将脉冲激光器所产生的脉冲激光束聚焦并作用于靶材表面，使靶材局部瞬间熔蚀，在靶面形成高粒子密度的Ｋｕｓｎ层，ｎｄｅ这些致密的等离子体进一步吸收激光能量，靶面法线方向向沿
ＸＩｈｎｓｅｇＨＥＨｕｎ。ＦｅｈｎＥＳａｇｈｎ，ａＵＹｕｃｕ

脉冲激光沉积技术

激光功率
激光功率是脉冲激光沉积过程中的重要参数，它决定了激光能量的大小，从而影响薄膜的生长速率和成分。
激光功率过低可能导致薄膜生长速率缓慢，而激光功率过高则可能导致基板熔化或产生其他热效应。
在实际应用中，需要根据基板材料、薄膜成分和厚度等因素选择合适的激光功率。
脉冲宽度
脉冲宽度决定了每个脉冲持续的时间，它与激光能量和脉冲频率共同决定了单位时间内激光的总
提高薄膜的生长速率。
然而，过高的脉冲频率可能导致热积累和热应力增加，因此需要综合考虑脉冲频率和其他工艺参
数的相互影响。
扫描速度
扫描速度决定了激光在基板上移动的快慢，它与激光能量和脉冲频率共同决定了单位面积上接收到的激光能量。
然而，过快的扫描速度可能导致激光能量不足，影响薄膜的生长速率和成分。
可能引起材料损伤
脉冲激光的高能量密度可能会引起材料损伤，如热裂、气孔等，需要进一步优化工艺参数。
05
脉冲激光沉积技术的发展趋势和未来展望
技术改进与创新
01
脉冲激光器的性能提升
随着激光技术的不断发展，脉冲激光器的功率、重复频率和稳定性等性
能将得到进一步提升，为脉冲激光沉积技术提供更强的能量和更好的加
靶材
01
02
03
靶材的种类
靶材是脉冲激光沉积技术的核心组成部分，根据不同的应用需求，可以选择不同的靶材。
靶材的特点
靶材需要具有良好的稳定性和高纯度，以确保制备出的材料具有高质量和可靠性。
靶材的应用
靶材广泛应用于材料科学、电子学、光学等领域，如薄膜制备、涂层制备、晶体生长等。
基板
04
脉冲激光沉积技术Leabharlann 的优缺点优点高沉积速率

脉冲激光沉积法制备Zn0薄膜中衬底温度对Zn0薄膜结构的影响

６０
（ ∞ ， ’
｛
．．．．．．．．．．．．．
１引言
表面存在微米一亚微米尺度的颗粒物，膜厚不均匀，
氧化锌（ｎ）ＺＯ是一种多功能宽带隙氧化物半导体材料，具有六方纤锌矿结构。它具有良好的透明导电性，非常适合用于制作短波长发光器件。还具有压电、电、光气敏、压敏特性，且易于与多种半导体材料实现集成化，此在许多方面具有实用价值。因由于ＺＯ薄膜的广泛应用，ｎｎＺＯ薄膜的制备方法也受到人们广泛研究。而且ＺＯ薄膜对制备条件要ｎ
关键。２薄膜制备方法２１脉冲激光沉积（Ｌ脉冲激光沉积法是一种．ＰＤ）真空物理沉积工艺，将高功率脉冲激光聚焦于靶是
燥、结固化制备出分子乃至纳米亚结构的材烧
料。
３实验工作
烧结，得到￣０ｍ靶材。５ｍ
气体，烧蚀物能量高，易制备多层膜和异质结，容工
艺简单，活性大，制薄膜种类多，灵可可用激光对薄
将基片放人盛有丙酮的烧杯中置于超声波清洗
膜进行多种处理等。ＰＤ的主要缺点是：薄膜及Ｌ在
材表面，使其产生高温及烧蚀，而产生高温高压等进离子体，等离子体定向局域膨胀发射并在衬底上沉
积形成薄膜Ｊ同其他制膜技术相比，Ｌ。ＰＤ具有如下优点：膜成分一致，长过程中可原位引入多种靶生

脉冲激光沉积法(PLD)制备InGaN薄膜的膜厚分布特征

脉冲激光沉积法(PLD)制备InGaN薄膜的膜厚分布特征刘宇伦;沈晓明;唐子媚;鲁姣;翁瑶;陆珊珊;莫祖康;谢武林;何欢;符跃春【摘要】[目的]探究脉冲激光沉积法(PLD)制备InGaN薄膜时薄膜的厚度分布规律,以便于能够改善薄膜的均匀性.[方法]在实际情况中,靶材和基片并不平行,取任一无限小面积元近似作为平行靶材时的情况来分析,研究此处各项等效参数即可得到该处的膜厚.[结果]当靶材与基片的倾斜角为0°时,靶材激光照射点处的法线与基片相交处的膜厚度最大,以该点为中心,基片两侧膜厚呈对称分布,且越远离基片中心点,膜的厚度越小;当靶材与基片的倾斜角不为0°时,基片左右两侧膜厚不对称分布,靠近靶材一侧的薄膜厚度大于远离靶材一侧的薄膜厚度,倾斜角越大,两侧膜厚的差异越大,膜厚最大的点不在基片中心处,而是偏向靠近靶材的一端,倾斜角越大,偏离越明显.靶基距增大,所形成的膜厚度均匀性提高,但与靶基距较小时相比,相同时间内沉积的膜厚度要低得多.[结论]PLD制备InGaN薄膜过程中,基片各处上的薄膜受倾斜角和靶基距的影响,厚度不均匀,存在一个厚度分布.%[Objective]In order to improve the thickness uniformity,the thickness distribution of the thin film was investigated by the pulse laser deposition (PLD)method to prepare the In-GaN film.[Methods]In practice,there was always a deflection angle between target and sub-strate.When any infinitesimal area element was used as a parallel target, we could get the thickness of the film when we studied all the e-quivalent parameters.[Results]When the inclina-tion angle between the target and the substrate was 0°,the film thickness at the origin O (The point at which the normal line of laser irradiation intersected the substrate)was largest,and the film thickness was symmetrical on both sides of the substrate distribution,the farther away from the origin O,the smallerthe thickness of the film.When the inclination angle was not 0°,the film thickness was asymmetric, the thickness near the target side was larger than that away from the target side,and the greater the inclina-tion angle,the greater the difference between the two sides of the film thickness.Correspond-ingly,the largest point of the film thickness was not at the center of the substrate,which bi-ased toward the end of the target,the greater the inclination angle,the more obvious devia-tion.The uniformity of the film thickness was improved but the deposited film thickness was much lower when the target-substrate distance increased.[Conclusion]In the process of prepar-ing InGaN thin films by PLD,the films on the substrate were affected by the tilt angle and the target-substrate distance.The thickness was not uniform and there was a thickness distribu-tion.【期刊名称】《广西科学》【年(卷),期】2017(024)006【总页数】6页(P556-560,567)【关键词】InGaN;太阳电池;PLD;膜厚分布【作者】刘宇伦;沈晓明;唐子媚;鲁姣;翁瑶;陆珊珊;莫祖康;谢武林;何欢;符跃春【作者单位】广西大学资源环境与材料学院,广西有色金属及特色材料加工重点实验室,广西南宁 530004;广西大学资源环境与材料学院,广西有色金属及特色材料加工重点实验室,广西南宁 530004;广西大学资源环境与材料学院,广西有色金属及特色材料加工重点实验室,广西南宁 530004;广西大学资源环境与材料学院,广西有色金属及特色材料加工重点实验室,广西南宁 530004;广西大学资源环境与材料学院,广西有色金属及特色材料加工重点实验室,广西南宁 530004;广西大学资源环境与材料学院,广西有色金属及特色材料加工重点实验室,广西南宁 530004;广西大学资源环境与材料学院,广西有色金属及特色材料加工重点实验室,广西南宁 530004;广西大学资源环境与材料学院,广西有色金属及特色材料加工重点实验室,广西南宁530004;广西大学资源环境与材料学院,广西有色金属及特色材料加工重点实验室,广西南宁 530004;广西大学资源环境与材料学院,广西有色金属及特色材料加工重点实验室,广西南宁 530004【正文语种】中文【中图分类】O484.10 引言【研究意义】随着科技的飞速发展以及人类生产力的不断进步，如何更好地开发利用资源以解决能源的巨大需求，成为社会继续发展的一大问题。

脉冲激光沉积制备氧化铋薄膜的电致变色性质

吸光度一电位谱图表明，当电位在３５—０７Ｖ之间变化时，ｉ。．．Ｂ薄膜的颜色可明显地呈现由透明到暗棕色的可Ｏ逆变化，重复次数可达５次，６０ｎ０在３ｍ测得的着色效率约为１・５ｍ２Ｃ．ｃ
关键词：脉冲激光沉积；氧化铋薄膜；循环伏安；电位阶跃；电致变色性质
ＣＵｎＱｉＨＹａ — ｕＷＵＢｏＷＵｉｇＬａｎＳＵｉｇＨＩｎＱＦｈｎ — ｅＵＺｅｇＷｎ
ＳａｇａｅａｏａｏｙｏＭｏｅｕｒｍａｓｓｎｎｖｔｅｔｉｌＬｓｒｈｍｉｒｓｔｔＣｅｓｐｒｅｔｈｎｈｉｙｂｒｔｒＫＬｆｌｌｃａＣｂｔａｄＩｏａｉｅａ，ｅｅｓＩｔｕｅｈｍｉｒＤｅａｔｎ，ｎｖＭａｒｓａＣｔｎｉ，ｙｔｙｍ
ｃ・ｍ２Ｃ．
Ｋｅｏｄ：Ｐｌｅｓｒｅｏｉｏ；ＢｉｍｕｘｄｉｌｙＷｒｓｕｓｄｌｅｐｓｔｎａｄｉｓｔｏｉｅｔｎｆｍ；Ｃｃｉｏｔｍｍｅｒ；Ｐｔｎａｔｐｈｈｉｙｌｖｌｃａｔｙｏｅｔｓ；ｉｌｅＥｅｔｃｒｍｉｒｐｒｅｌｃｒｈｏｃｐｏｅｔｓｏｉ
［ｔ］Ｎｏｅ
ｗｗｗ．ｘ．ｋ．ｄ．ｗｈｂｐｕｅｕｃａ
脉冲激光沉积制备氧化铋薄膜的电致变色性质
储艳秋吴波吴梁水青傅正文
２０３）０４３
（复旦大学化学系激光化学研究所，上海市分子催化和功能材料重点实验室，上海