半导体存储器的工作原理1
先进半导体存储器-结构、设计与应用__概述说明
先进半导体存储器-结构、设计与应用概述说明1. 引言1.1 概述随着信息技术的快速发展，存储器设备在计算机和移动设备等领域中扮演着至关重要的角色。
在过去的几十年里，人们开发了各种类型的存储器，其中最为先进和广泛应用的是半导体存储器。
半导体存储器以其快速读写操作、高密度数据存储和较低功耗的优势成为主流技术。
1.2 文章结构本文将对先进半导体存储器的结构、设计与应用进行全面深入地探讨。
首先，我们将介绍先进半导体存储器的基本原理和发展历程，包括其在计算机系统中的主要类别和性能指标。
然后，我们将重点探讨先进半导体存储器在计算机系统中主存和缓存系统中的应用以及其在移动设备和云计算中的应用。
此外，我们还将探讨未来先进半导体存储器发展方向及挑战，并分析微细加工技术对其造成的影响与挑战。
最后，在结论部分对该论题进行总结，并展望先进半导体存储器的未来发展方向和挑战。
1.3 目的本文旨在通过对先进半导体存储器的结构、设计与应用进行全面分析，帮助读者深入了解该领域的最新进展和技术趋势。
文章将从基础原理入手，详细介绍各种先进半导体存储器的类型、特点和性能指标，并探讨其在计算机系统中的广泛应用。
此外，文章还将关注微细加工技术对先进半导体存储器的影响和挑战，并展望该技术领域的未来发展方向。
通过阅读本文，读者将深入了解现代存储器技术的发展趋势，为相关研究和应用提供参考依据。
2. 先进半导体存储器的结构与设计2.1 先进半导体存储器的基本原理先进半导体存储器是一种利用电子场效应管和电容来实现数据存储的半导体器件。
它通常由晶体管和电容构成，其中晶体管用于控制电荷在电容中的流动以实现数据的存取。
基本存储单元包括位线、字线、感应线和电容，通过调整位线、字线和感应线上的电势，并利用晶体管对数据进行读写操作。
2.2 先进半导体存储器的发展历程先进半导体存储器起源于上世纪60年代，经历了多个阶段的技术演进。
最初的静态随机访问存储器(SRAM)采用双稳态触发器作为基本单元，具有快速读写速度和较高可靠性。
dram原理
dram原理DRAM原理。
动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一种常见的半导体存储器，广泛应用于计算机系统中。
它以其高密度、低成本和快速访问速度而闻名。
本文将介绍DRAM的工作原理及其在计算机系统中的应用。
首先，我们来了解一下DRAM的基本结构。
DRAM由存储单元组成，每个存储单元由一个电容和一个晶体管构成。
电容用于存储数据，而晶体管则用于控制数据的读写操作。
由于电容会逐渐失去电荷，因此DRAM需要不断地进行刷新操作，以保持数据的稳定性。
这也是为什么它被称为“动态”存储器的原因。
接下来，我们来看一下DRAM的工作原理。
当计算机需要读取或写入数据时，控制器会发送相应的地址和控制信号给DRAM芯片，以选择特定的存储单元进行操作。
读取数据时，电荷状态会被转换为电压信号，然后传输到控制器；写入数据时，控制器会将电压信号转换为电荷状态，并存储到相应的存储单元中。
由于DRAM是一种易失性存储器，因此在断电后数据会丢失，这也是为什么需要不断刷新的原因。
在计算机系统中，DRAM扮演着重要的角色。
它被用作主存储器，用于存储运行中的程序和数据。
由于其高速的读写速度，使得CPU能够快速地访问数据，从而提高了系统的整体性能。
此外，由于DRAM的高密度和低成本，使得它成为了存储大容量数据的理想选择。
然而，DRAM也存在一些缺点。
首先，由于其动态存储的特性，需要不断进行刷新操作，这会消耗一定的能量。
其次，由于存储单元之间的电容会相互影响，导致了读取数据时的干扰，因此需要额外的电路来进行数据的校正和修正。
最后，由于DRAM是一种易失性存储器，断电后数据会丢失，因此需要配合其他存储介质进行数据的备份和恢复。
总的来说，DRAM作为一种常见的半导体存储器，在计算机系统中扮演着重要的角色。
通过了解其工作原理和特点，我们能够更好地理解其在计算机系统中的应用，以及如何更好地利用它来提高系统的性能和稳定性。
半导体器件的工作原理和应用场景
半导体器件的工作原理和应用场景半导体器件是现代电子技术的重要组成部分，广泛应用于计算机、通信、医疗、军事、工业等领域。
它通过控制电子的流动来实现各种功能，是现代电子设备的核心元器件。
本文将对半导体器件的工作原理和应用场景进行详细介绍。
一、半导体器件的工作原理半导体器件是一种能够控制电流的元器件，其工作原理基于半导体材料的电学性质。
半导体材料是指在温度较低时导电能力比金属差，而又比绝缘材料好的一类物质。
常见的半导体材料有硅(Si)、锗(Ge)等。
半导体器件的工作基础是PN结。
PN结的制备是将半导体材料中掺杂不同种类的杂质，形成N型和P型两个区域。
N型区域中的杂质能提供自由电子，P型区域中的杂质能提供空穴。
两个区域接触的位置就形成了PN结。
PN结具有电子流从P区到N区时好，从N区到P区时难的特性。
当PN结接受到一个正向电压时，电子就流向P区，空穴流向N区，导通状态就建立了；当PN结接受到一个反向电压时，电子则被挤向N区，空穴被挤向P区，此时就会出现堵塞状态。
常见的半导体器件有二极管、晶体管和集成电路等。
二极管是由PN结组成，具有单向导电性；晶体管可以通过控制一个电极上的电流，从而使另外一个电极的电流变化；集成电路则是在单个芯片上集成了多个器件的电路，实现各种功能。
二、半导体器件的应用场景1.计算机领域半导体器件在计算机领域功不可没。
计算机的中央处理器芯片大多采用集成电路，由上千万甚至上亿个晶体管组成。
晶体管的主要作用是控制电流的流动，实现逻辑运算、计算、存储等功能。
同时，半导体随机存储器芯片（SRAM）和动态随机存储器芯片（DRAM）等也是计算机不可或缺的组件。
2.通信领域随着移动通信技术的飞速发展，半导体器件在通信领域的应用也越来越广泛。
无线电频率控制器（RFIC）是一种集成了各种放大器、滤波器和信号处理器的半导体器件，用于通过无线电信号进行通讯。
智能手机、移动电视等器件都离不开RFIC的支持。
3.医疗领域半导体器件在医疗领域的应用也越来越广泛。
半导体存储器1只读存储器ROM
课后小结——见黑板
复习与提问：1.模/数转换电路一般由哪几部分构成? 2.逐次逼近型和渐进比较型的特点是什么? 思考和练习 1．什么是ROM？它主要由哪几部分组成？简述其工作原理。 2．比较ROM、PROM、EPROM和E2PROM有哪些异同点？ 简述其主要应用。 3．什么是RAM？它主要由哪几部分组成？ 4．RAM和ROM有什么区别？各适用于什么场合？ 作业题：P72 5-25、26 预习：可编程逻辑器件
§5-6 半导体存储器
学习要点：
•ROM、RAM特点及基本结构
•用EPROM实现函数
半导体存储器
5-6-1 只读存储器（ROM） 5-6-2 随机存储器（RAM） 退出
存储器——是数字系统中用于存储大量信息的部件 半导体存储器——是一种能存储大量二进制信息的半导体器件。
半导体存储器分类——
1）只读存储器（ROM）：只能从中读取数据，不能修改 或重新写入数据。是一种大规 模的组合逻辑电路。 2）随机存储器（RAM）：又叫读写存储器，可以任意存 入（写入）或取出（读出）信 息的操作。属于大规模时序逻 辑电路。
A0 A1
W3
地 址 译 码 器
W2
W3
W1
W0 R R R R
W2
W1 W0
D3 D 2 D 1 D 0
D3 D2 D1 (a) D0 (b)
4×4二极管ROM结构图 (a) 二极管结构图 ( b) ROM的简化阵列图
得到下列函数表达式： W0 m0 A1 A 0
W2 m2 A1 A 0 D2 W1 W2 m1 m2 D1 W0 W3 m0 m3 D0 W2 W3 m2 m3
A
1
B
半导体存储器原理
半导体存储器原理半导体存储器是一种利用半导体材料来存储数据的设备，它广泛应用于计算机、通讯设备、消费电子产品等领域。
半导体存储器具有体积小、速度快、功耗低等优点，因此在现代电子设备中占据着重要的地位。
要深入了解半导体存储器的原理，首先需要了解半导体存储器的基本结构和工作原理。
半导体存储器主要分为RAM（随机存储器）和ROM（只读存储器）两大类。
RAM主要用于临时存储数据，其特点是读写速度快，但断电后数据会丢失；而ROM主要用于存储固定数据，其特点是数据不易丢失。
这两种存储器都是基于半导体材料制造而成的，其工作原理是利用半导体材料的导电特性来实现数据的存储和读取。
半导体存储器的基本单元是存储单元，每个存储单元可以存储一个数据位。
在RAM中，存储单元通常由一个存储电容和一个存储晶体管组成。
当需要向存储单元写入数据时，控制电路会向存储电容充放电，从而改变存储单元的电荷状态；当需要读取数据时，控制电路会根据存储单元的电荷状态来判断数据位的数值。
而在ROM中，存储单元通常由一个存储晶体管和一个存储栅组成，其工作原理类似于RAM，只是数据的写入是一次性的，无法修改。
半导体存储器的工作原理可以简单概括为存储单元的电荷状态代表数据的数值，通过控制电路来实现数据的写入和读取。
半导体存储器的读写速度快、功耗低、体积小等优点使其成为现代电子设备中不可或缺的部分。
随着科技的不断进步，半导体存储器的容量不断增加，速度不断提高，功耗不断降低，将会为人类带来更多便利和可能性。
总之，半导体存储器是一种基于半导体材料制造的存储设备，其工作原理是利用半导体材料的导电特性来实现数据的存储和读取。
通过对半导体存储器的工作原理的深入了解，可以更好地理解现代电子设备的工作原理，为相关领域的研究和应用提供理论基础。
随着科技的不断进步，相信半导体存储器将会在未来发展中发挥越来越重要的作用。
半导体存储器的原理
半导体存储器的原理半导体存储器是一种用于存储和检索数据的主要电子器件，常见的半导体存储器包括随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM）。
半导体存储器的原理是基于半导体材料的导电性能以及电荷在其中的存储能力。
半导体存储器通常由一组存储单元组成，每个存储单元可以存储一个二进制位（bit）的数据。
一个存储单元由一个晶体管和一个电容器构成，晶体管用于控制读或写操作，而电容器则用于存储数据。
在RAM中，存储单元使用晶体管和电容器的组合来存储数据。
每个存储单元有一个控制线（Word Line）和一个位线（Bit Line），通过激活控制线和位线的组合，可以选择和操纵特定的存储单元。
当我们想在RAM中写入数据时，首先要将相关的地址和数据信号传递给RAM芯片，芯片内的控制逻辑根据传递的信号确定要写入的存储单元，然后将数据写入对应的存储单元中。
当需要读取数据时，通过将地址信号传递给RAM芯片，芯片内的控制逻辑会找到对应的存储单元，并将该存储单元中的数据传递给输出引脚。
在ROM中，存储单元包含一个或多个可编程的开关，这些开关用于控制存储单元的导通状态。
在制造ROM芯片时，有选择性地烧写或编程存储单元的导通状态，使得这些开关可以表示不同的二进制位。
一旦存储单元的导通状态确定，它就无法再次改变。
因此，ROM存储的是固化的数据，不可修改。
半导体存储器之所以能够存储和检索数据，是因为半导体材料具有导电性和非易失性。
导电性是指材料在受到电场激励时能够通过电子传导产生电流，这是由于半导体材料中的载流子（电子和空穴）的存在。
非易失性是指数据在断电后仍然保持不变，这是由于存储单元中的电荷在断电后能够保持在电容器中。
通过合理的控制和设计，半导体存储器可以长时间保存数据而不需要持续提供电力。
半导体存储器具有许多优点，例如快速的读写速度、低功耗、体积小、可靠性高等。
这使得半导体存储器在计算机和电子设备中得到了广泛的应用。
例如，RAM 用于计算机的主存储器，可临时保存正在运行的程序和数据，而ROM用于存储系统的基本程序和指令，例如BIOS。
DRAM基本工作原理
DRAM基本工作原理DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一种常见的半导体存储器，被广泛应用于计算机系统中。
其工作原理主要包括存储单元结构、数据存取过程和刷新机制。
首先，DRAM的存储单元由一个电容和一个开关构成，电容负责存储数据，开关则决定是否读出或写入数据。
相比于SRAM（Static Random Access Memory）的存储单元结构，DRAM的存储密度更高，但读写速度较慢。
在数据存取过程中，DRAM分为读取和写入两个阶段。
首先，计算机通过地址总线将待读取或写入的数据的内存地址传输给DRAM芯片。
DRAM内部存在一组线路，它们被称为行线路和列线路。
地址总线的低位部分用于选择行线路，而高位部分则用于选择列线路。
DRAM芯片还包含了一组控制线路，用于传输控制信号。
在读取数据时，DRAM首先接收到来自地址总线的读命令。
然后，它根据行地址选择相应的行线路。
每个行线路连接到DRAM芯片上的多个存储单元，其中只有一个存储单元与所需的地址匹配。
DRAM内部会打开该存储单元的开关，从而将存储单元中的电荷传输到一个放大器中。
该放大器负责放大被读取的电荷，并输出给数据总线，供处理器使用。
在写入数据时，DRAM首先接收到来自地址总线的写命令，并将所需的数据传输到数据总线上。
DRAM执行与读取数据相同的地址选择过程，选择要写入的存储单元。
DRAM芯片的控制线路会将写命令传递给该存储单元的开关，从而将数据写入其中。
然而，DRAM还存在一个重要问题，即电容的电荷会逐渐泄漏。
因此，DRAM需要定期刷新以保持存储的数据。
刷新机制通过周期性地读取并重写内存中的数据来实现。
这一过程通常由电脑的内存控制器自动完成，以避免数据丢失。
总而言之，DRAM的基本工作原理包括存储单元结构、数据存取过程和刷新机制。
DRAM通过充电电容来存储数据，并通过开关控制读取和写入。
为了保持存储的数据，DRAM需要定期刷新。
dram原理
dram原理DRAM原理。
动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一种常见的半导体存储器，被广泛应用于计算机系统和其他电子设备中。
它具有高密度、低成本和易于集成的特点，因此在现代电子设备中扮演着重要的角色。
本文将介绍DRAM的工作原理及其相关知识。
DRAM的基本结构由存储单元组成，每个存储单元由一个电容和一个晶体管组成。
电容用于存储数据位，晶体管用于读取和写入数据。
DRAM的存储单元按行和列排列成矩阵，每个存储单元都有一个唯一的地址，通过地址线来选择特定的存储单元进行读写操作。
在DRAM中，数据的存储是以电荷的形式存在于电容中的。
由于电容会逐渐失去电荷，因此需要不断地刷新数据以保持存储的稳定。
这就是为什么称之为“动态”的原因。
在读取数据时，控制电路会将选定的存储单元中的电荷读取出来，然后根据需要进行相应的操作。
DRAM的工作原理可以简单概括为，存储数据、刷新数据、读取数据和写入数据。
存储数据是通过输入电荷到电容中来实现的，刷新数据是通过周期性地刷新存储单元中的电荷来防止数据丢失，读取数据是通过选择特定的存储单元并读取其中的电荷来实现的，写入数据是通过改变电容中的电荷来实现的。
除了基本的工作原理外，DRAM还有一些特殊的工作模式，例如自刷新、异步刷新和同步刷新等。
自刷新是指DRAM芯片内部集成了一个特殊的计数器和逻辑电路，可以在不需要外部控制信号的情况下周期性地刷新存储单元。
异步刷新是指需要外部控制信号来触发刷新操作，而同步刷新是指需要与系统时钟同步来触发刷新操作。
在实际应用中，由于DRAM的存储单元非常多，因此需要复杂的地址线和控制电路来管理。
此外，由于DRAM是一种易失性存储器，因此在设计中需要考虑如何有效地刷新数据以防止数据丢失。
因此，对于系统设计者来说，需要充分理解DRAM的工作原理和特性，以便设计出高效、稳定的系统。
总之，DRAM作为一种重要的半导体存储器，在现代电子设备中发挥着重要的作用。
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• 写入时，在T3、T4开始导通的同时，将待 写信息加到W2上。 • 写1：W2加高平，将被选电路的存储电容 充电为有电荷，实现写1。 • 写0：W2为低电平，使被选电路的存储电 容放电为无电荷，实现写0。
4116芯片的读、写周期时序
• 在读周期中，行地址必须在RAS有效前有效， 列地址必须在CAS有效前有效，并且在CAS 到来之前，WE必须为高电平，并保持到CAS 结束之后。 • 在写周期中，当WE有效之后，所加的DIN信 号必须保持到CAS变为低电平之后，RAS、 CAS和WE全部有效时，将DIN数据写入被选的 存储单元。
CS R/ W
0 0 1 0 1 × 操作 写 读 未选中
• 字片式结构存储器芯片，由于采用单译码方案， 有多少个存储字，就有多少个译码驱动电路， 所需译码驱动电路多。 • 双译码方式（二维译码）：采用行列译码的方 式，位于选中的行和列的交叉处的存储单元被 唯一选中。 • 采用双译码方式的存储芯片即位片式结构存储 器芯片
• 存储体中共有64个字，每个字为8位，排成 64×8的阵列。 • 存储芯片共需6根地址线，8根数据线，一次可 读出一个字节。 • 存储体中所有存储单元的相同位组成一列，一 列中所有单元电路的两根位线分别连在一起， 并使用一个读/写放大电路。读/写放大电路与 双向数据线相连。
• • •
读/写控制线 R/W ：控制存储芯片的读/写操作。 R/ W 片选控制线 CS： CS CS CS 为低电平时，选中芯片工作； CS 为高电平时，芯片不被选中。 CS
• 当选中存储芯片工作时，首先给定访存地址， 并给出片选信号 CS 和读写信号 R/ W6行列地 CS R/W 址，被选的行、列选择线的交叉处的存储电路 被唯一地选中，读出或写入一位二进制信息。 • 思考： • 对于4096个字采用单译码方案，需4096个译码 驱动电路。 • 若采用双译码方案，只需128个译码驱动电路。
• 半导体存储器芯片一般有两种结构：字片式结构和位片式结构。
存储器芯片
An－1～0 － ～ R/W CS Dm－1～0 － ～ 电源 地线 … …
内部存储结构：字片式、位片式
字片式结构的存储器（64字×8位）
• 单译码方式（一维译码）：访存地址仅进行一个方向 译码的方式。 • 每个存储单元电路接出一根字线和两根位线。 • 存储阵列的每一行组成一个存储单元，存放一个8位的 二进制字。 • 一行中所有单元电路的字线联在一起，接到地址译码 器的对应输出端。 • 6位访存地址经地址译码器译码选中某一输出端有效时， 与该输出端相联的一行中的每个单元电路同时进行读 写操作，实现一个字的同时读/写。
？？？
2. 存储器芯片举例
• 1） Intel 2114芯片
• Intel 2114 是1K×4位的静态MOS存储器芯片。 采用N—MOS工艺制作，双列直插式封装。共18 个引脚。 • A9～A0：10根地址线，用于寻址1024个存储单 元 • I/O4～I/O1：4根双向数据线 • CS ：片选信号线 CS • WE ：读/写控制线 WE • +5V：5V电源线 • GND：地线
2）TMS4116芯片
• TMS4116是由单管动态MOS存储单元电路构成的随 机存取存储器芯片。 • 容量为16k×1位。 • 16k的存储器应有14根地址线，为了节省引脚，该 芯片只使用7根地址线A6～A0，采用分时复用技术， 分两次把14位地址送入芯片。 • 行地址选通信号 RAS ：用于将低7位地址A6～A0 打入行地址缓冲器锁存。 CAS • 列地址选通信号 CAS ：用于将高7位地址A13～A7， 打入列地址缓冲器锁存。
• 在存储体内部的阵列结构中，存储器的读/写操 作由片选信号 CS 与读/写控制信号 WE控制。 CS WE • CS 为高电平时，输入与输出的三态门均关闭， CS 不能与外部的数据总线交换信息。 • CS 为低电平时，芯片被选中工作， CS • 若 WE 为低电平，则打开4个输入三态门，数据 WE 总线上的信息被写入被选的存储单元； • 若 WE 为高电平，打开4个输出三态门，从被选 WE 的存储单元中读出信息并送到数据总线上。
• 存储器的读出 • 行地址经行地址译码选中某一根行线有效，接 通此行上的128个存储电路中的MOS管，使电容 所存信息分别送到128个读出再生放大器放大。 同时，经放大后的信息又回送到原电路进行重 写，使信息再生。 • 列地址经列地址译码选中某根列线有效，接通 相应的列控制门，将该列上读出放大器输出的 信息送入I/O缓冲器，经数据输出寄存器输出到 数据总线上。 • 存储器的写入 • 首先将要写入的信息由数据输入寄存器经I/O缓 冲器送入被选列的读出再生放大器中，然后再 写入行、列同时被选中的存储单元。
X0
X63
三态门
Y0
Y15
• 2114芯片由存储体、地址缓冲器、地址译码器、读/写 控制电路及三态输入输出缓冲器组成。 • 存储体中共有4096个六管存储单元电路，排列成 64×64阵列。 • 地址译码采用二维译码结构， 10位地址码分成两组 A8～A3作为6位行地址，经行地址译码器驱动64根行选 择线。 A2～A0及A9作为4位列地址，经列地址译码器驱动16根 列选择线，每根列选择线同时选中64列中的4列，控制 4个转接电路。 控制被选中的4列存储电路的位线与I/O电路的接通。 被选的行选择线与列选择线的交叉处的4个存储电路， 就是所要访问的存储字。4个存储电路对应一个字的4 位。
2. 动态 RAM ( DRAM ) (1) 动态 RAM 基本单元电路
V DD
读选择线 T2 T1 T3 Cg T4 预充电信号 T 无电流 有电流
4.2
数据线
1 0
读数据线
0 1
字线
1 0
Cs
写选择线 写数据线
读出与原存信息相反 写入与输入信息相同
读出时数据线有电流 为 “1” 写入时 CS 充电 为 “1” 放电 为 “0”
读出再生放大器电路
• 放大器由T1、T2、T3、T4组成，T6、T7与Cs是 两个预选单元，由XW1与XW2控制。 • 读写前，先使两个预选单元中的电容Cs预充 电到0与1电平的中间值，并使控制信号φ1 ＝0，φ2＝1，使T3、T4截止，T5导通，使读 出放大器两端Wl、W2处于相同电位。
• 读出时，先使φ2＝0，T5截止。放大器处于 不稳定平衡状态。这时使φ1＝1，T3、T4导 通， T1、T2、T3、T4构成双稳态触发器，其 稳定状态取决于W1、W2两点电位。 • 设选中的行选择线处于读出放大器右侧 （如行65），同时使处于读出放大器另一 侧的预选单元选择线有效（如XW1＝1）。这 样，在放大器两侧的位线W1和W2上将有不同 电位： • 预选单元侧具有0与1电平的中间值 • 被选行侧具有所存信息的电平值0或1。
TMS4116的刷新
• 当某个存储单元被选中进行读/写操作时， 该单元所在行的其余127个存储电路也将自 动进行一次读出再生操作，即完成一次刷 新操作。 • TMS4116的刷新是按行进行的，每次只加行 地址，不加列地址，即可实现被选行上的 所有存储电路的刷新。即一次可以刷新128 个存储单元电路。
• 若选中存储电路原存“1”，则W2电位高于W1的 电位。使T1导通，T2截止，因而W2端输出高电 平，经I/O缓冲器输出“1”信息，并且W2的高 电平使被选存储电路的电容充电，实现信息 再生。 • 若选中存储电路原存“0”，则W2电位低于W1的 电位。使T1截止，T2导通，因而W2端输出低电 平，经I/O缓冲器输出“0”信息，并回送到原 电路，使信息再生。
4.2.1
0 1 0 1
ROM存储器 存储器
+5V
0111 0110 0101 0100 0011 0010 0001 0000
0 1 0 1
4.2.2 RAM的结构及工作原理 的结构及工作原理
• 1. 芯片的结构及实例 • 存储器芯片 • 集成了存储体及其外围电路的一块硅片 （包括地址译码与驱动电路、读写放大电路及时序控制电路等） • 芯片形状：双列直插—由若干引脚引出地址线、数据线、控制线 • 及电源与地线等。
数据输出 驱动
DOUT
④ 4116 (16K × 1位) 芯片 读 原理 位 …
Cs
读放大器 读放大器
4.2
0
128
…
1
列 选 择
… …
… …
0
… … … …
读放大器
… …
… …
127
读/写线 写线
Cs
…
63
128 根行线
64
…
127 DOUT
DIN
数据输入
I/O缓冲 缓冲
输出驱动
⑤ 4116 (16K×1位) 芯片 写 原理 × 位 …
Cs
读放大器 读放大器 读放大器 读出放大器
4.2
0
128
…
1
列 选 择
…
… …
0
… … … …
读放大器
… …
… …
127
读/写线 写线
Cs
…
63
128 根行线
64
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
…
127 DOUT
DIN
数据输入
I/O缓冲 缓冲
输出驱动
• 16k×1位共16384个单管MOS存储单元电路，排 列成128×128的阵列，并将其分为两组，每组 为64行×128列。 • 每根行选择线控制128个存储电路的字线。列 选择线控制读出再生放大器与I/O缓冲器的接 通，控制数据的读出或写入。 • 每一根列选择线控制一个读出再生放大器， 128列共有128个读生再生放大器，一列中的 128个存储电路分为两组，每64个存储电路为 一组，两组存储电路的位线分别接入读出再生 放大器的两端。
RAS
③ 单管动态 RAM 4116 (16K × 1位) 外特性 4.2