北科大电子技术第14章
北京科技大学第1-8章作业答案(必做题)
（b）
解：求反馈通道的传函
R(s)
C (s)
G1 ( s )
G2 ( s )
H1 (s) 1 H1 (s) H 2 (s)
G1 ( s)G2 ( s) 1 H1 ( s) H 2 ( s) G1 ( s) C ( s) G2 ( s) H1 ( s) R( s ) 1 G ( s) 1 G1 ( s) H1 ( s) H1 ( s) H 2 ( s) 1 1 H1 ( s) H 2 ( s)
2 1 (0) sc(0) 3c(0) R ( s ) c 2 2 s 3s 2 s 3s 2 2 1 2 R( s) 2 ( s 3) 零初态响应C1(s) 零输入响应C2(s) s 3s 2 s 3s 2
所以零初态响应：
2 1 1 2 1 C1 ( s) 2 ， c1 (t ) 1 2et e 2t s 3s 2 s s s 1 s 2
零输入响应：
1 2 1 C2 ( s ) 2 ( s 3) ， c2 (t ) 2e t e 2t s 3s 2 s 1 s 2
系统的输出响应： c(t ) c (t ) c (t ) 1 4et 2e2t 1 2
2-4 如图，已知G(s)和H(s)两方框相对应的微分方程分 别是： dc(t ) 6 10c(t ) 20e(t ) dt db(t ) 20 5b(t ) 10c(t ) dt
E (s) 1 10 R( s) 1 G (s) H (s) 1 10 20 10 6s 10 20s 5 10(6 s 10)(20s 5) 10(12s 2 23s 5) 2 120s 230s 250 12s 2 23s 25
新版北京科技大学电子信息考研经验考研参考书考研真题
在决定考研的那一刻，我已预料到这一年将是怎样的一年，我做好了全身心地准备和精力来应对这一年枯燥、乏味、重复、单调的机械式生活。
可是虽然如此，我实在是一个有血有肉的人呐，面对诱惑和惰性，甚至几次妥协，妥协之后又陷入对自己深深的自责愧疚当中。
这种情绪反反复复，曾几度崩溃。
所以在此想要跟各位讲，心态方面要调整好，不要像我一样使自己陷入极端的情绪当中，这样无论是对自己正常生活还是考研复习都是非常不利的。
所以我想把这一年的经历写下来，用以告慰我在去年饱受折磨的心脏和躯体。
告诉它们今年我终于拿到了心仪学校的录取通知书，你们的付出和忍耐也终于可以扬眉了。
知道自己成功上岸的那一刻心情是极度开心的，所有心酸泪水，一扫而空，只剩下满心欢喜和对未来的向往。
首先非常想对大家讲的是，大家选择考研的这个决定实在是太正确了。
非常鼓励大家做这个决定，手握通知书，对未来充满着信念的现在的我尤其这样认为。
当然不是说除了考研就没有了别的出路。
只不过个人感觉考研这条路走的比较方便，流程也比较清晰。
没有太大的不稳定性，顶多是考上，考不上的问题。
而考得上考不上这个主观能动性太强了，就是说，自己决定自己的前途。
所以下面便是我这一年来积攒的所有干货，希望可以对大家有一点点小小的帮助。
由于想讲的实在比较多，所以篇幅较长，希望大家可以耐心看完。
文章结尾会附上我自己的学习资料，大家可以自取。
北京科技大学电子信息的初试科目为：（101）思想政治理论(201)英语一(301)数学一(850)自动检测技术或（101）思想政治理论(201)英语一(301)数学一(853)电路分析基础或（101）思想政治理论(203)日语(301)数学一(850)自动检测技术或（101）思想政治理论(203)日语(301)数学一(853)电路分析基础参考书目为：(850)自动检测技术1王伯雄，测试技术基础（第2版），清华大学出版社，20122张华，赵文柱，热工测量仪表（第二版），冶金工业出版社(853)电路分析基础邱关源原著，《电路（第5版）》，高等教育出版社，2006先介绍一下英语单词部分：我个人认为不背的单词再怎么看视频也没用，背单词没捷径。
北京科技大学2010-2011电子技术试题题目答案
答案: 一1B B A B 2E A C 3B 4A B B A 5A 6A 7A 8B 9D 10B 11C 12C 二 12为稳定输出电压应该引入电压负反馈，反馈电阻R F 引入如图所示，此时引入串联负反馈，输入电阻增大。
3设R P 上半部分为R P ˊ，则根据虚短虚断有图1+1P 12P 12XX XX OU U U R R U U R R R -=='+=++R P ˊ=0K Ω时， U O =42.5V R P ˊ=5.1K Ω时， U O =16.7V输出电压的可调节范围为16.7～42.5 V三、74LS153时逻辑函数为带入上式化简为并化简为与或表达式四、图中计数器在M=0时32101001Q Q Q Q =时置数端0LD =有效，置数0010，那么从0010到1001为八进制计数器 状态转换图。
0010→0011→0100→0101→0110→0111→1000→1001→0010 ↑0000→0001五、1）'b R 和R W 之和为R B2）101001021310()()()()Y D A A D A A D A A D A A =+++012301 ,,1,D A D D A D A B A C ======0S = 1Y ABC ABC ABC BC =+++⋅ Y ABC AB AC BC =+++0.720,12600CC BEQCC CCBQ BB BBQ CC B U U U U I R R R I A U V R k μ--=≈≈===Ω1000.022CQ BQI I mAβ≈=⨯=6,123CEQ CC CQ C CEQCCC U U I R U V U VR K =-===Ω3）微变等效电路为：若Ω=k r be 5.1,不接负载时该电路的电压放大倍数A u 为4）负载电阻R L 值与R C 相等时电压放大倍数A u 为带上负载后输出电压有效值U o六、1) u o 1和)(12i i u u -的关系表达式2) 当u o 2输出为正电压时，u o 1为u + > u - 时则输出为正电压，3）U c c =6V ，R 2=10R 1，R 3=2R 4，有报警信号输出时输入差值12i i u u -为31002001.5L u L c u be R'A R'R A r β=-==-⨯=-//300//3001001001.5L u L c L c Lbe uR'A R'R R R R r A β=-===-⨯=-311005100.5o u i U A U V-==⨯⨯⨯=21211()o i i R u u u R =-44113434o CC o CC R R u u u U u U R R R R +-==>++2414212113423421()0.2i i CC i i CCi i R R R R u u U u u U R R R R R R u u V->->++->七、1) 虚线框中的电路0110时异步清零,为六进制计数器状态转换表为0000→0001→0010→0011→0100→0101→0110(暂态) →0000 ↑ ↑ 1000→1001 0111 2) D0～D7为发光二极管，发光二极管点亮的顺序3Q S ==0一直有效，000→001→010→011→100→101012345Y YY Y Y Y 依次为零，D0～D5依次点亮然后循环。
北工大耿丹电子技术复习,必考题ppt
if =?
if
uC +–
CF
由虚短及虚断性质可得
i1 R1 +
ui – R2
– +
+
+
uO
–
i1 = if ,u+=u-=0, u--uc=uo
i1
ui R1
iF
CF
duC dt
ui R1
CF
duC dt
CF
duo dt
1
uo R1CF uidt
2019/8/23
21
北京工业大学
解：令输入电压达到上限时，流过稳压管的电流为
Izmax 。ImaxIzmaxURZLW25mA
1 .2 u iImR a x U zW 2R 5 10 ——方程1
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第 14 章
方程1
i
1 .2 u iiR U zW 2R 5 10
令输入电压降到下限 ui
时，流过稳压管的电流为 IzminI。minIzminURZLW10mA
I129001001.11m 1 A
I2
10 9.09mA 1100
I Z 1 . 1 1 9 . 0 1 2 . 9 0 m 2 I Z A M 8 mA
即没超过IZM。 ②如果超过了IZM，说明R1取值太小，可根据
I1 2010 R1
R 1I2 2 I 0 1 ZM 0(9 .0 1 9 8 ) 0 1 3 0 5 85
。稳压二极管Dz的稳定电压Uz = 10 V，最大稳定电
流IZM = 8 mA。试求稳压二极管中通过的电流Iz，是 否超过IZM? 如果超过怎么办?
#北京科技大学电工技术考试试题(打印版)
A输入电阻大B输入电阻小C输出电阻大D输出电阻小
5．测得某放大电路中晶体三极管三个管脚地电位分别为-6V、-2.1V、-1.9V,则该管为：
六、u=500 cos(10000t+20°>V,R=50Ω,L1=70mH,L2=25mH,M=25mH,C=1uF,求电流i1、i2和i3,
七、三相电路中,线电压=380V,R=XL=XC=38Ω,二瓦表法测功率地接线如题中所示,计算两个功率表地读数,并求电路总地有功功率,
北京科技大学2004—2005学年度第一学期
5．电路如图所示,已知：iL(0->= 2A,各电源均在t=0时开始作用于电路,试求
电路地初始值i(0+>,iL(0+>,稳态值i(∞>,iL(∞>,
6．已知变压器地副边有中间抽头,为使8Ω或2Ω地扬声器均能达到阻抗匹配,试求变压器副边两部分地匝数之比N2/ N3,
二、电路如图所示,试用戴维宁定理求电流I,(10分>
5、计算电路地谐振频率,
二、直流电路<共35分）
1、<10分）应用叠加定理计算电压u,
2、<10分）负载电阻RL可变,计算：<1）RL为多大时,它吸收地功率最大；<2）此最大功率,
3、<15分）开关S在t=0时刻闭合,计算开关闭合后地电流iL,
三、交流电路<共35分）
1、<10分）已知电流源电流 = 10/30°A,计算：<1）支路电流 和 ；<2）电源发出地复功率,
15级北京信息科技大学数字电子技术A卷
北京信息科技大学2016 ~2017学年第 1 学期《 数字电子技术 》课程期末考试试卷A课程所在学院： 信控中心 适用专业班级：15级自控、电气、通信、电信、智能 考试形式：闭卷一、单选题（本题满分30分，共含15空，每空2分）（1）逻辑函数A+BC = （ ）（A ）A+B （B ）A+C （C ）（A+B ）（A +C ） （D ）B+C（2）一个16选1的数据选择器，其地址（选择控制）输入端有（ ）个。
（A ）1 （B ）2 （C ）4 （D ）16 （3）TTL 驱动CMOS 电路时，需要考虑（ ）。
（A ）电压匹配 （B ）电流匹配 （C ）电容负载 （D ）电阻匹配 （4）C M O S 逻辑电路是以( )为基础的集成电路（A ）三极管 （B ）NMOS 管 （C ）PMOS 管 （D ）NMOS 管和PMOS 管 （5）I IS 灌电流是前级驱动门导通时，I IS （ ）后级门。
（A ）流出 （B ）流入 （C ）绕过 （D ）（A ）和（B ）（6）TTL OC 门指的是图3中左下角与非门的哪个三极管集电极开路 （ ）。
（A ）T 51 （B ）T 101 （C ）T 71 （D ）T 91（7）当优先编码器 74LS147 的输入端0I 、5I 、7I 为低电平，其余输入端为高电平时输出信号为（ ）。
（A ）1110 （B ）1010 （C ）1001 （D ）1000（8）在图1电路中，保证电路执行非门操作，输入信号A 为逻辑高电平“1”，输出F 为逻辑“0”时，信号B 、D 应该是（ ）。
（A ）1、0 （B ）0、0 （C ）0、1 （D ）1、1 （9）下面四个编码中，那个抗干扰能力最强（ ）。
（A ）4位环形计数器主环编码 （B ）4位扭环形计数器主环编码 （C ）8421BCD 编码 （D ）余3编码（10）触发器的异步置位端D S 和异步清零端D R 不能同时取值为（ ）。
2014年北京科技大学815数字电子考研真题
F1
=1
=1
F2
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三、（15 分）分析图中的逻辑电路， 1. 写出输出 F1 和 F2 的逻辑表达式； 2. 列出真值表。
A B C
A2 A1 A0 74LS138
&
J >C K
Q0
J >C K
Q1
&
J >C K
Q2
&
J
>C
Q3
≥1
K
CP
八、（15 分）电路如图， 1、555 定时器构成何种电路？ 2、写出 JK 触发器的特性方程；
3、画出 uo、Q、 Q 、Y1 和 Y2 的波形。
+UCC
R1 8 R2 4
1
6 2
7
≥1 J >C K Q
Y1
555
1 5
3
uo
Y0
1 1 0 1 1 1 1 1 1 1
Y1
1 1 1 0 1 1 1 1 1 1
Y2
1 1 1 1 0 1 1 1 1 1
Y3
1 1 1 1 1 0 1 1 1 1
Y4
1 1 1 1 1 1 0 1 1 1
Y5
1 1 1 1 1 1 1 0 1 1
Y6
1 1 1 1 1 1 1 1 0 1
Y7
1 1 1 1 1 1 1 1 1 0
74LS151
S
A2 A1 A0
1 1
五、（15 分）分析电路， 1、写出输出方程； 2、写出各触发器的状态方程； 3、画出状态转换图； 4、分析该电路的功能。
D
>C CP
北科大考博辅导班：2019北京科技大学数理学院考博难度解析及经验分享
北科大考博辅导班：2019北京科技大学数理学院考博难度解析及经验分享2019年我校拟招收攻读博士学位研究生560人左右(含各类专项计划），其中定向就业考生占10%左右。
最终招生人数以教育部下达的规模数为准。
招生制度将本着公平、公正、公开的原则，通过导师推荐、学院审核和基本能力测试，择优选拔优秀博士生。
下面是启道考博辅导班整理的关于北京科技大学数理学院考博相关内容。
一、院系简介北京科技大学数理学院前身是北京钢铁学院建校伊始的基础部，1984年数力系、物理系成立，1996年应用科学学院成立，2010年学校调整拆分后建立数理学院。
数理学院是综合实力较强的教学研究型学院。
由4个系、2个研究所、2个中心组成，分别是应用数学系、信息与计算科学系、应用力学系、物理系、应用物理研究所、应用数学研究所、现代物理技术研究中心、实验教学中心。
学院还设有陈难先院士领导的国家科技部新材料模拟设计实验室、国家工科物理基础课程教学基地、北京市实验教学示范中心。
教学基地和实验教学示范中心的教学改革成果已在全国三十所高校推广应用。
学院设有物理一级学科博士学位授权点，固体力学、一般力学与力学基础2个二级学科博士学位授权点，有数学、统计学2个一级学科硕士学位授权点，物理电子学、固体力学2个二级学科硕士学位授权点；有数学与应用数学、信息与计算科学、应用物理学3个本科生专业。
学院承担了全校200多门次课程的教学任务，承担了国家和北京市的教育教学改革项目，承担了国家重点基础研究发展规划项目（“973”项目）、“863”项目、国家自然科学基金重点项目、国家自然科学基金项目、北京市自然科学基金项目、北京市教委共建项目、中关村风险投资项目等研究任务。
2011年学院承担的科研项目经费达到1337万元，在国内外学术期刊上发表学术论文234篇。
学院建成了具有国内一流的力学实验室、数学实验室、基础物理实验室、现代物理实验室、大学物理演示实验室，为培养学生实验技能和科学研究能力提供了必要的条件。
北京科技大学817模拟电子技术与数字电子技术基础2004-2014历年考研真题汇编
北京科技大学2011年硕士学位研究生入学考试试题=============================================================================================================试题编号： 817 试题名称：模拟电子技术与数字电子技术基础（共10页）适用专业：物理电子学说明：所有答案必须写在答题纸上，做在试题或草稿纸上无效。
=============================================================================================================一、（23分）选择填空，将正确答案写在答题纸上。
1.二极管的主要特点是具有（）。
A 电流放大作用B 单向导电性C 稳压作用2.电路如图1，设 D Z1的稳定电压为 6 V，D Z2的稳定电压为 12V，设稳压管的正向压降为 0.7 V，则输出电压U o等于（）。
图1 第2题图A. 18V； B 6.7V；C 12.7V； D 6V3.微变等效电路法适用于放大电路的（）。
A 动态分析B 静态分析C 静态和动态分析4.对图2所示电路的描述，正确的是（）。
A 可以构成复合管，等效成NPN管；B 可以构成复合管，等效成PNP管；C 不能构成复合管图2 第4题图5.图3电路中，电阻R E的作用是（）。
图3 第5题图A 仅对共模信号起负反馈作用；B 仅对差模信号起负反馈作用；C 对共模、差模信号都起负反馈作用；D 对共模、差模信号都无负反馈作用；6.集成运放电路采用直接耦合方式是因为（）。
A 可获得很大的放大倍数B 可使温漂减小C 集成工艺难于制造大容量电容7.直接耦合放大电路在高频时，其放大倍数与中频时相比会（）。
A 增大B 降低C 不变8.在输入量不变的情况下，若引入反馈后（），则说明引入的反馈是负反馈。
北京科技大学2011年硕士研究生入学考试试题(模电-数电)
2011一、（23分）选择填空，将正确答案写在答题纸上。
1.二极管的主要特点是具有（）。
A 电流放大作用B 单向导电性C 稳压作用2.电路如图1，设 D Z1的稳定电压为 6 V，D Z2的稳定电压为 12V，设稳压管的正向压降为 0.7 V，则输出电压U o等于（）。
图1 第2题图A. 18V； B 6.7V ；C 12.7V； D 6V3.微变等效电路法适用于放大电路的（）。
A 动态分析B 静态分析C 静态和动态分析4.对图2所示电路的描述，正确的是（）。
A 可以构成复合管，等效成NPN管；B 可以构成复合管，等效成PNP管；C 不能构成复合管图 2 第4题图5.图3电路中，电阻R E的作用是（）。
图3 第5题图A 仅对共模信号起负反馈作用；B 仅对差模信号起负反馈作用；C 对共模、差模信号都起负反馈作用；D 对共模、差模信号都无负反馈作用；6.集成运放电路采用直接耦合方式是因为（）。
A 可获得很大的放大倍数B 可使温漂减小C 集成工艺难于制造大容量电容7.直接耦合放大电路在高频时，其放大倍数与中频时相比会（）。
A 增大B 降低C 不变8.在输入量不变的情况下，若引入反馈后（），则说明引入的反馈是负反馈。
A 输入电阻增大B 输出量增大C 净输入量增大D 净输入量减小9.b一个正弦波振荡器的反馈系数为：|F|=0.25，若该振荡器能够维持稳定振荡，则开环电压放大倍数|A| 必须等于（）。
A 4B 0.25C 110.已知图4（a）所示方框图各点的波形如图（b）所示，则电路2应为（）。
A 正弦波振荡电路B 同相输入过零比较器C 反相输入积分运算电路D 同相输入滞回比较器图4 第10题图11.测量一放大器的输出电阻时，当输出开路时，输出电压为3V；当负载为2KΩ时，输出电压为1V，则该放大器的输出电阻为：（）A 2KΩB 4KΩC 1KΩD 1/2KΩ12.5．当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）。
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§14.1 半导体的导电特性
•导体、半导体和绝缘体
• 导 体：自然界中很容易导电的物质称为导
体，金
•
属一般都是导体。
•
绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘
体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。
•
半导体：另有一类物质的导电特性处于导
体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、
砷化镓和一些硫化物、氧化物等。
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•硅和锗的 晶体结构：
• 在硅和锗晶体中，每个原子都处在正四面体的中 心，而相邻四个原子位于四面体的顶点，每个原子与 其相邻的原子之间形成共价键，共用一对价电子。
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北科大电子技术第14章
•硅和锗的共价键结构
•+4表示 除去价电 子后的原
子
•Si
•Si
•+4 •Si
•共价键、 •共用电子对
北科大电子技术第14章
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2020/11/12
北科大电子技术第14章
•第十四章 二极管和三极管
•§ 14.1 半导体的导电特性 •§ 14.2 PN结及其单向导电性 •§ 14.3 二极管 •§ 14.4 稳压二极管 •§ 14.5 晶体管 •§ 14.6 光电器件
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北科大电子技术第14章
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度。
北科大电子技术第14章
•本征半导体载流子的浓度
• 自由电子在运动过程中如果和空穴相遇就会填
补空穴，使两者同时消失，这种现象称为复合。
• 在一定的温度下自由电子和空穴的产生和复合
达到动态平衡，半导体中的载流子维持一定的数目。
• 但是由于这时的载流子数量很少，所以导电能 力很差。
• 温度越高，热运动加剧，自由电子和空穴 增多，载流子的浓度越高，本征半导体的导 电能力越强，温度是影响半导体性能的一个 重要的外部因素，这是半导体的一大特点。
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北科大电子技术第14章
•空穴
•+4 •+4
•自由电子
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•+4 •+4 •束缚电子
•自由电子、空穴成对出现
北科大电子技术第14章
•2.本征半导体的导电机理
• 本征半导体中存在数量相等的两种载流子： 自由电子和空穴。
•+4 •+4 •+4 •+4
• 在其它力的作用下， 空穴可吸引附近的电子 来填补，其结果相当于 空穴的迁移，而空穴的 迁移相当于正电荷的移 动，因此可认为空穴是 载流子。
•14.1.1 本征半导体
•一、本征半导体的结构
• 现代电子学中，用的最多的半导体是硅(Si)和锗 (Ge)，它们的最外层电子（价电子）都是四个。
•G
•Si
e
•
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•原子结构图
通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。
北科大电子技术第14章
•本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。
北科大电子技术第14章
• 半导体的导电机理不同于其它物质，所以 它具有不同于其它物质的特点。例如：
• 当受外界热和光的作用时，它的导电能 • 力明显变化 -- 热敏特性、光敏特性。
• 往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使 • 它的导电能力明显改变 -- 掺杂特性。
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北科大电子技术第14章
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北科大电子技术第14章
•14.1.2 N 型半导体和P 型半导体
• 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，会使 半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂 半导体的某种载流子的浓度大大增加。
•
N 型半导体：自由电子浓度大大增加
的杂质半导体，也称为（电子半导
体）。
•
P 型半导体：空穴浓度大大增加的杂
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北科大电子技术第14章
•二、P 型半导体
• 在硅或锗晶体中掺入少量三价元素硼（或铟）， 晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原
子的最外层有三个
•价电子，与相邻的 半导体原子形成共价
•空位
•Si
键时产生一个空位。
•空穴 •Si
这个空位可能吸引束
缚电子来填补，使得
•+3
•硼原
•Si
质半导体，也称为（空穴半导体）。
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北ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ大电子技术第14章
•一、N 型半导体
• 在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或 锑），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代， 磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相邻的 半导体原子形成共价键，必定多出一个电子，这个
•电子几乎不受束缚， 很容易被激发成为 自由电子，这样磷
硼原子成为不能移动
子
的带负电的离子。
•P 型半导体中空穴是多子，自由电子是少
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子。
北科大电子技术第14章
•三、杂质半导体的示意表示 法
•－•－•－ •－ •－ •－ •－•－•－ •－ •－ •－ •－•－•－ •－ •－ •－ •－•－•－ •－ •－ •－
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北科大电子技术第14章
•二、本征半导体的导电机理
•1.载流子、自由电子和空穴
• 在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时， 价电子完全被共价键束缚，本征半导体中没有 可以自由运动的带电粒子（即载流子），它的 导电能力为 0，相当于绝缘体。
• 在常温下，由于热激发，使一些价电子获 得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电 子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。
•价电子
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北科大电子技术第14章
•+4
•+4
•+4
•+4
• 共价键形成后，每个原
子最外层电子是八个，构成 比较稳定的结构。
• 共价键有很强的结合力， 使原子规则排列，形成晶体。
• 共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中， 称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成 为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少， 所以本征半导体的导电能力很弱。
•多余 •电子
原子就成了不能移
动的带正电的离子。 •磷原子
•S •S
i
i
•+
•S
5
i
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北科大电子技术第14章
•N 型半导体中的载流子是什么？
•1.由五价元素提供的电子，浓度与五价元素原子相同。 •2.本征半导体中成对产生的自由电子和空穴。
• 因掺杂浓度远大于本征半导体中载 流子浓度，所以自由电子浓度远大于空 穴浓度。自由电子称为多数载流子（多 子），空穴称为少数载流子（少子）。
•自由电子：在晶格中运动；空穴：在共价键中运动
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北科大电子技术第14章
•本征半导体中电流由两部分组成： •当本征半导体外加电场时
•+4 •+4
• 1. 自由电子做定向 运动 所形成的电子 电流。
• 2. 仍被原子核束缚
•+4 •+4
的价电子按一定方向 依次填补空 穴形成
的空穴电流。
•本征半导体的导电能力取决于载流子的浓