第14章习题 二极管和晶体管
电工类第五版《电子技术基础》全章节习题与及答案
电工类第五版《电子技术基础》全章节习题与及答案一．填空题：(共59题)1.PN结正向偏置时，应该是P区的电位比N区的电位高。
2.硅二极管导通时的正向管压降约为0.7V 。
3.锗二极管导通时的正向管压降约为0.2V 。
4.半导体三极管放大的实质是小电流控制大电流。
5.工作在截止和饱和状态的三极管可作为开关器件使用。
6.三极管的极限参数分别是I CM、P CM和U CEO。
7.在共射极放大电路中输出电压和输入电压的相位相反。
[此处图片未下载成功]8.小功率三极管的输入电阻经验公式= 30 09.放大电路产生非线性失真的根本原因静态工作点不合适。
10.在放大电路中负载电阻值越大其电压放大倍数越大。
11.反馈放大器是由基本放大电路和反馈电路组成。
12.电压负反馈的作用是稳定输出电压。
13.电流负反馈的作用是稳定输出电流。
14.反馈信号增加原输入信号的反馈叫正反馈。
15.反馈信号减弱原输入信号的反馈叫负反馈。
16.放大直流信号时放大器应采用的耦合方式为直接耦合。
17.为克服零漂常采用长尾式和具有恒流源的差动放大电路。
18.集成运放按电路特性分类可分为通用型和专用型。
19.线性状态的理想集成运算放大器，两输入端电位差=0。
20.线性状态的理想集成运算放大器，两输入端的电流=0。
21.单门限电压比较器中的集成运放工作在开环状态。
22.单门限电压比较器中的集成运放属于线性应用。
23.将交流电变换成直流的过程叫整流。
24.在单相桥式整流电路中，如果负载电流是20A,则流过每只晶体二极管的电流是10 A。
25.在输出电压平均值相等的情况下，三相半波整流电路中二极管承受的最高反向电压是三相桥式整流电路的2倍.26.整流二极管的冷却方式有自冷、风冷和水冷三种。
27.检查硅整流堆正反向电阻时对于高压硅堆应用兆欧表。
28.三端可调输出稳压器的三端是指输入、输出和调整三端。
29.三端固定输出稳压器CW7812型号中的12表示为 12 V。
半导体器件物理课后习题解答
半导体器件物理课后作业第二章对发光二极管（LED）、光电二极管（PD）、隧道二极管、齐纳二极管、变容管、快恢复二极管和电荷存储二极管这7个二端器件，请选择其中的4个器件，简述它们的工作原理和应用场合。
解：发光二极管它是半导体二极管的一种，是一种固态的半导体器件，可以把电能转化成光能；常简写为LED。
工作原理：发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成，也具有单向导电性。
当给发光二极管加上正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，产生自发辐射的荧光。
不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量状态不同。
当电子和空穴复合时释放出的能量多少是不同的，释放出的能量越多，则发出的光的波长越短；反之，则发出的光的波长越长。
应用场合：常用的是发红光、绿光或黄光的二极管，它们主要用于各种LED显示屏、彩灯、工作（交通）指示灯以及居家LED节能灯。
光电二极管光电二极管（Photo-Diode）和普通二极管一样，也是由一个PN结组成的半导体器件，也具有单方向导电特性，但在电路中它不是作整流元件，而是把光信号转换成电信号的光电传感器件。
工作原理：普通二极管在反向电压作用时处于截止状态，只能流过微弱的反向电流，光电二极管在设计和制作时尽量使PN结的面积相对较大，以便接收入射光，而电极面积尽量小些，而且PN结的结深很浅，一般小于1微米。
光电二极管是在反向电压作用下工作的，没有光照时，反向电流极其微弱，叫暗电流；当有光照时，携带能量的光子进入PN结后，把能量传给共价键上的束缚电子，使部分电子挣脱共价键，从而产生电子—空穴对，称为光生载流子。
它们在反向电压作用下参加漂移运动，使反向电流迅速增大到几十微安，光的强度越大，反向电流也越大。
这种特性称为“光电导”。
光电二极管在一般照度的光线照射下，所产生的电流叫光电流。
如果在外电路上接上负载，负载上就获得了电信号，而且这个电信号随着光的变化而相应变化。
北京交通大学模拟电子技术习题及解答第二章 半导体二极管及其基本电路
第二章半导体二极管及其基本电路2-1．填空（1）N型半导体是在本征半导体中掺入；P型半导体是在本征半导体中掺入。
（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流会。
（3）PN结的结电容包括和。
（4）晶体管的三个工作区分别是、和。
在放大电路中，晶体管通常工作在区。
（5）结型场效应管工作在恒流区时，其栅-源间所加电压应该。
（正偏、反偏）答案：（1）五价元素；三价元素；（2）增大；（3）势垒电容和扩散电容；（4）放大区、截止区和饱和区；放大区；（5）反偏。
2-2．判断下列说法正确与否。
（1）本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。
（）（2）P型半导体带正电，N型半导体带负电。
（）（3）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。
（）（4）只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。
（）（5）晶体管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。
（）（6）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）（7）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）（8）若耗尽型N沟道MOS场效应管的U GS大于零，则其输入电阻会明显减小。
（）答案：（1）对；温度升高后，载流子浓度会增加，但是对于本征半导体来讲，电子和空穴的数量始终是相等的。
（2）错；对于P型半导体或N型半导体在没有形成PN结时，处于电中性的状态。
（3）对；结型场效应管在栅源之间没有绝缘层，所以外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。
（4）错；稳压管要进入稳压工作状态两端加反向电压必须达到稳压值。
（5）错；晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过，只有在截止状态时没有电流流过。
（6）对；N型半导体中掺入足够量的三价元素，不但可复合原先掺入的五价元素，而且可使空穴成为多数载流子，从而形成P型半导体。
（7）对；PN结在无光照、无外加电压时，处于动态平衡状态，扩散电流和漂移电流相等。
半导体器件 分立器件 、微波二极管和晶体管
半导体器件是一种能够控制和放大电流的电子器件，是现代电子技术的核心组成部分。
其中，分立器件、微波二极管和晶体管是半导体器件的重要代表。
本文将分别介绍这三种器件的特点、原理和应用。
一、分立器件1.概述分立器件是指独立存在、不与其他器件直接耦合的半导体器件，包括二极管、三极管、场效应晶体管等。
它们具有较高的工作频率和功率，广泛应用于通信、计算机、电源等领域。
2.二极管二极管是一种常见的分立器件，具有正向导通、反向截止的特性。
它主要用于整流、限流、稳压等电路中，是电子设备中不可或缺的元件。
3.三极管三极管是一种具有放大功能的分立器件，常用于放大、开关、调节信号等电路中。
它具有<状态|三种工作状态>：放大、饱和和截止，是电子技术中的重要组成部分。
二、微波二极管1.概述微波二极管是一种特殊的二极管，能够在较高频率下工作。
它具有快速开关速度、低损耗、稳定性好的特点，在微波通信、雷达、太赫兹技术等领域有广泛应用。
2.特点微波二极管具有低噪声、高增益、快速响应等特点，适用于高频信号的检测、调制和整形。
它是微波领域中不可或缺的器件之一。
3.原理微波二极管的工作原理主要涉及微波的电荷输运、电磁场的作用等，是电磁波和电子运动相互作用的产物。
三、晶体管1.概述晶体管是一种半导体器件，具有放大、开关、调节信号等功能。
它取代了真空管，是现代电子技术中的重要组成部分。
2.种类晶体管按结构可分为双极型和场效应型两大类，其中双极型晶体管常用于低频放大、中频放大等电路中，而场效应型晶体管主要用于高频放大、功率放大等领域。
3.应用晶体管广泛应用于电视、收音机、计算机、通信设备等各类电子产品中，在现代科技的发展中发挥着不可替代的作用。
结语半导体器件分立器件、微波二极管和晶体管是现代电子技术中的重要组成部分，它们在不同领域具有重要的应用价值。
随着科技的不断进步，半导体器件将会迎来更广阔的发展空间，为人类生活和工作带来更多的便利和创新。
模拟电路之二极管考试题库完整
二级管电路习题选1 在题1.1图所示电路中，U 0电压为（ ）。
（a ）12V （b ）-9V （c ）-3V2 在题1.2图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则D 1、D 2、D 3的工作状态为（ ）。
（a ）D 1导通，D 2、D 3截止 （b ）D 1、D 2截止，D 3导通 （c ）D 1、D 3截止，D 2导通题1.1图 题1.2图3 在题1.3图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则D 1、D 2的工作状态为（ ）。
（a ）D 1导通，D 2、截止 （b ）D 1、D 2均导通 （c ）D 1、截止，D 2导通题1.3图 题1.4图4 在题1.4图所示电路中，D 1、D 2为理想元件，则电压U 0为（ ）。
（a ）3V （b ）5V （c ）2V5 电路如题1.5图（a ）所示，二极管D 为理想元件，输入信号u i 为图（b ）所示的三角波，则输出电压u 0 的最大值为（ ）。
（a ）5V （b ）17V （c ）7V（a ）(b)题1.5图6 在题1.6图所示电路中，二极管为理想元件，u A =3v,u B =2sinωtV,R=4KΩ,则u F 等于( ).（a ）3V （b ）2sinωtV （c）3+2sinωtV题1.6图 题1.7图7 在题1.7图所示电路中，二极管为理想元件，则输出电压U 0为（ ）。
（a ）3V （b ）0V （c ）－12V8 在题1.8图（1）所示电路中，二极管D 为理想元件，设u 1=2sinωtV,稳压二极管D Z 的稳定电压为6V ，正向压降不计，则输出电压u 0的波形为图（2）中的波形（ ）。
(1) (2)9 在题1.9图所示电路中，稳压二极管D Z2的稳定电压为6V，D Z2的稳定电压为12V，则输出电压U0等于（）。
18V（a）12V （b）6V （c）10 在题1.10图所示电路中，稳压二极管D Z1和D Z2的稳定电压分别为6V和9V，正向电压降都是0.7V。
二极管和二极和二极整流电路练习题资料讲解
二极管和二极和二极整流电路练习题晶体二极管和二极管整流电路复习题复习题一（二极管的单向导电性）一、填空题：1晶体二极管加_____________ 时导通，加______ 电压时截止，这一导电特性称为晶体二极管的单向导电性。
二、判断题：1二极管加上反向电压时，它的正极电位比负极电位高。
（）2由于二极管具有单向导电性，所以二极管要正向接入电路才能发挥作用。
（）3、二极管两端加上正向电压就导通。
（）4、二极管导通时两端所加的是正向偏置电压。
（）三、选择题：1晶体二极管的阳极电位是-10V，阴极电位是-5V，则该晶体二极管处于）状态。
A零偏B反偏D正偏2、如果把二极管的阳极接到6V的电源正极，把阴极接到电源的负极，二极管会（）。
A正偏B反偏C不允许这样接3、晶体二极管正偏时相当于（）A断开的开关B闭合的开关C以上都不对4、二极管具有（）A信号放大作用B单向导电性C双向导电性D负阻特性四、问答题：1如图所示的电路中，当输入端a b间输入交流电压时，通过R i、R2两电阻上的是交流电，还是直流电。
2、二极管电路如下图所示，判断图中二极管的状态是导通还是截止，并确定输出电压为多少3、如下图所示，二极管导通电压约为0.7V，试分析开关断开和闭合时电R 上的压各为多少。
4、在下图所示的电路中，灯会亮吗？复习题二（PN结）一、填空题：1半导体是指导电性能______________ 的物体。
2、在半导体中存在两种载流子：一种是 _________ ，带_____ 电；一种是_________ ，带____ 电。
3、_________________________ 称为本征半导体。
4、P型半导体又称______ 半导体，其内部空穴数量 _____ （填“多于”或“少于”）自由电子数量，________ 是多数载流子。
5、P型半导体又称______ 半导体，其内部空穴数量 _____ （填“多于”或“少于”）自由电子数量， _______ 是多数载流子。
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二级管电路习题选1 在题1.1图所示电路中，U0电压为（）。
（a）12V （b）-9V （c）-3V2 在题1.2图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则D1、D2、D3的工作状态为（）。
（a）D1导通，D2、D3截止（b）D1、D2截止，D3导通（c）D1、D3截止，D2导通题1.1图题1.2图3 在题1.3图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则D1、D2的工作状态为（）。
（a）D1导通，D2、截止（b）D1、D2均导通（c）D1、截止，D2导通题1.3图题1.4图4 在题1.4图所示电路中，D1、D2为理想元件，则电压U0为（）。
（a）3V （b）5V （c）2V5 电路如题1.5图（a）所示，二极管D为理想元件，输入信号u i为图（b）所示的三角波，则输出电压u0的最大值为（）。
（a）5V （b）17V （c）7V（a）(b)题1.5图6 在题1.6图所示电路中，二极管为理想元件，u A=3v,u B=2sinωtV,R=4KΩ,则u F等于( ).（a）3V （b）2sinωtV （c）3+2sinωtV题1.6图题1.7图7 在题1.7图所示电路中，二极管为理想元件，则输出电压U0为（）。
（a）3V （b）0V （c）－12V8 在题1.8图（1）所示电路中，二极管D为理想元件，设u1=2sinωtV,稳压二极管D Z的稳定电压为6V，正向压降不计，则输出电压u0的波形为图（2）中的波形（）。
(1) (2)9 在题1.9图所示电路中，稳压二极管D Z2的稳定电压为6V，D Z2的稳定电压为12V，则输出电压U0等于（）。
（a）12V （b）6V （c）18V10 在题1.10图所示电路中，稳压二极管D Z1和 D Z2的稳定电压分别为6V和9V，正向电压降都是0.7V。
则电压U0等于（）。
（a）3V （b）15V （c）－3V11 在题1.11图所示电路中，稳压二极管D Z1的稳定电压U Z1=12V,D Z2的稳定电压U Z2=6V，则电压U0等于（）。
半导体器件物理施敏答案
半导体器件物理施敏答案【篇一：施敏院士北京交通大学讲学】t>——《半导体器件物理》施敏 s.m.sze,男，美国籍，1936年出生。
台湾交通大学电子工程学系毫微米元件实验室教授，美国工程院院士，台湾中研院院士，中国工程院外籍院士，三次获诺贝尔奖提名。
学历：美国史坦福大学电机系博士（1963），美国华盛顿大学电机系硕士（1960），台湾大学电机系学士（1957）。
经历：美国贝尔实验室研究（1963-1989），交通大学电子工程系教授（1990-），交通大学电子与资讯研究中心主任（1990-1996），国科会国家毫微米元件实验室主任（1998-），中山学术奖（1969），ieee j.j.ebers奖（1993），美国国家工程院院士（1995）, 中国工程院外籍院士 (1998)。
现崩溃电压与能隙的关系，建立了微电子元件最高电场的指标等。
施敏院士在微电子科学技术方面的著作举世闻名，对半导体元件的发展和人才培养方面作出了重要贡献。
他的三本专著已在我国翻译出版，其中《physics of semiconductor devices》已翻译成六国文字，发行量逾百万册；他的著作广泛用作教科书与参考书。
由于他在微电子器件及在人才培养方面的杰出成就,1991年他得到了ieee 电子器件的最高荣誉奖（ebers奖），称他在电子元件领域做出了基础性及前瞻性贡献。
施敏院士多次来国内讲学，参加我国微电子器件研讨会；他对台湾微电子产业的发展，曾提出过有份量的建议。
主要论著：1. physics of semiconductor devices, 812 pages, wiley interscience, new york, 1969.2. physics of semiconductor devices, 2nd ed., 868 pages, wiley interscience, new york,1981.3. semiconductor devices: physics and technology, 523 pages, wiley, new york, 1985.4. semiconductor devices: physics and technology, 2nd ed., 564 pages, wiley, new york,2002.5. fundamentals of semiconductor fabrication, with g. may,305 pages, wiley, new york,20036. semiconductor devices: pioneering papers, 1003 pages, world scientific, singapore,1991.7. semiconductor sensors, 550 pages, wiley interscience, new york, 1994.8. ulsi technology, with c.y. chang,726 pages, mcgraw hill, new york, 1996.9. modern semiconductor device physics, 555 pages, wiley interscience, new york, 1998. 10. ulsi devices, with c.y. chang, 729 pages, wiley interscience, new york, 2000.课程内容及参考书：施敏教授此次来北京交通大学讲学的主要内容为《physics ofsemiconductor device》中的一、四、六章内容，具体内容如下：chapter 1: physics and properties of semiconductors1.1 introduction 1.2 crystal structure1.3 energy bands and energy gap1.4 carrier concentration at thermal equilibrium 1.5 carrier-transport phenomena1.6 phonon, optical, and thermal properties 1.7 heterojunctions and nanostructures 1.8 basic equations and exampleschapter 4: metal-insulator-semiconductor capacitors4.1 introduction4.2 ideal mis capacitor 4.3 silicon mos capacitorchapter 6: mosfets6.1 introduction6.2 basic device characteristics6.3 nonuniform doping and buried-channel device 6.4 device scaling and short-channel effects 6.5 mosfet structures 6.6 circuit applications6.7 nonvolatile memory devices 6.8 single-electron transistor iedm，iscc, symp. vlsi tech.等学术会议和期刊上的关于器件方面的最新文章教材：? s.m.sze, kwok k.ng《physics of semiconductordevice》,third edition参考书：? 半导体器件物理(第3版)(国外名校最新教材精选)(physics of semiconductordevices) 作者:(美国)(s.m.sze)施敏 (美国)(kwok k.ng)伍国珏译者:耿莉张瑞智施敏老师半导体器件物理课程时间安排半导体器件物理课程为期三周，每周六学时，上课时间和安排见课程表：北京交通大学联系人：李修函手机：138******** 邮件：lixiuhan@案2013~2014学年第一学期院系名称：电子信息工程学院课程名称：微电子器件基础教学时数： 48授课班级： 111092a,111092b主讲教师：徐荣辉三江学院教案编写规范教案是教师在钻研教材、了解学生、设计教学法等前期工作的基础上，经过周密策划而编制的关于课程教学活动的具体实施方案。
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第14章 二极管和晶体管 练习题
1
选择与填空题
14-001、测得电路中几个三极管的各极对地电压题2.8图所示，其中某些管子
已损坏。对于已损坏的管子，判断损坏情况；其他管子则判断它们各工作在放
大，饱和和截止中的哪个状态？ 判断是锗管还是硅管？
+0.7V+2.7V+2V+2.3V+5V0V0V0V0V0V0V+6V+6V+3V
−5V
−0.2V
−6V−1V−2V−1.3V
−1V−1.7V−5.3V−6V
题 2.8图
(a)(b)(c)(e)(f)(g)(h)(d)
答案 (a) 放大 硅管 (b) 放大 锗管 (c) 饱和 硅管 (d) 坏
(e ) 坏 (f) 饱和 硅管 (g) 坏 (h) 放大 硅管
14-002、用直流电压表测某电路三只晶体管的三个电极对地的电压分别是如图所示。试指
出每只晶体管的E、B、C极。
14-003、
写出下图所示各电路的输出电压值，设图中二极管都是理想的。
①
② ③ V6V3 V3.2 1T① ②
③
V0
V5
V7.0
2
T
①
②
③ V6V6 V7.5
3
T
图（a）
图（b）
图（c）
第14章 二极管和晶体管 练习题
2
答案 (a) 2V (b) 0 V (c) -2 V (d) 2V (e ) 2 V (f) -2V
14-004、电路如图所示，设 DZ1 的稳定电压为6 V，DZ2 的稳定电压为12 V，
设稳压管的正向压降为0.7V，则输出电压UO 等于（ ）。
(a) 18V (b) 6.7V (c) 30V (d) 12.7V
30V
2k
U
O
D
Z1
D
Z2
+
-
+
-
答案 (b)
14-005、判断下图所示各电路中三极管的工作状态，（ ）图工作在截止区。
图1-2
14-006、
（1）二极管的正极电位为-5V，负极电位为-4.3V，则二极管处于（ ）状态。
（a）反偏 （b）正偏 （c）零偏
（2）稳压管是特殊的二极管，它一般工作在（ ）状态。
（a）正向导通 （b）反向截止 （c）反向击穿
（3）晶体管工作在放大区时，具有以下哪个特点（ ）。
（a）发射结反向偏置 （b）集电结反向偏置 （c）晶体管具有开关作用
（4）当三极管的两个PN结都有反偏电压时，则三极管处于（ ），当三极管的两个PN结
都有正偏电压时，则三极管处于（ ）。
（a）截止状态 （b）饱和状态 （c）放大状态
第14章 二极管和晶体管 练习题
3
作图题
14-201、电路如图五所示，二极管的正向压降忽略不计，电路中
,sin10tVui
画出波形uo的波形
D
5V
+
iu-+-o
u
-
+
R
＋
－＋－
u1u
2
RLu
O
ABiViOT
(a)
＋－
V
0
0
0
第14章 二极管和晶体管 练习题
4
分析计算题
14-301、
二极管电路如图所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO两端电压VAO。
设二极管是理想的。
解 图a：将D断开，以O点为电位参考点，D的阳极电位为－6 V，阴极电位为－12 V，
故 D处于正向偏置而导通，VAO=–6 V。
图b：对D1有阳极电位为 0V，阴极电位为－12 V，故D1导通，此后使D2的阴极电
位为 0V，而其阳极为－15 V，故D2反偏截止，VAO=0 V。
图c：对D1有阳极电位为12 V，阴极电位为0 V，对D2有阳极电位为12 V，阴极电位
为－6V．故D2更易导通，此后使VA＝－6V；D1反偏而截止，故VAO＝－6V。
14-302、图示放大电路中，电容CE断开后电路的电压放大倍数的大小将（ ）
A.减小
B.增大
C.忽大忽小
D.保持不变
第14章 二极管和晶体管 练习题
5
14-303、理想二极管构成的电路如题2图，其输出电压u0为（ ）
A．-6V
B．0V
C．+3V
D．+9V
14-304、某锗三极管测得其管脚电位如题3图所示，则可判定该管处在（ ）
A．放大状态
B．饱和状态
C．截止状态
D．无法确定伏态
14-305、
图13为稳压管稳压电路，分析当负载电阻不变，电网电压上升时，该
电路的稳压原理。[3分]
图 13解：Ui→Uo↑→IZ↑→IR↑→UR↑→Uo↓
14-306、如图1.1所示，二极管正向压降忽略不计，试求下列各种情况下输出端F点的
电位和电阻R、二极管VDA、VDB中流过的电流。
（1）VA=VB=0V（2）VA=6V，VB=0（3）VA=VB=6V。
图1.1
R
＋
－
U
i
I
R
V I Z R
L
I
L
U
o
第14章 二极管和晶体管 练习题
6
解：（1）VUF0，mAIR5，mAIVDA5.2，mAIVDB5.2；
（2）VUF0，mAIR5，0VDAI，mAIVDB5；
（3）VUF6，mAIR2，mAIVDA1，mAIVDB1。
14-307、如图1.2所示，二极管正向压降忽略不计，试求下列各种情况下输出端F点的
电位和电阻R、二极管VDA、VDB中流过的电流。
（1）VA=10V，VB=0（2）VA=VB=6V。
图1.2
解：（1）VUF8，mAIR1，mAIVDA1，0VDBI；
（2）VUF3.5，mAIR67.0，mAIVDA33.0，mAIVDB33.0。
14-308、硅二极管电路如图所示，试判断图中二极管是导通还是截止？并求出AB两端的
电压值？
解：（a）DV导通，VUAB7.3；
（b）DV截止，VUAB7；
（c）1DV导通、2DV截止，VUAB7.0。
14-309、如图所示，已知在电路中无交流信号时测得晶体管（均为硅管）各极对地的电
位值，试说明各晶体管的工作状态。
第14章 二极管和晶体管 练习题
7
解：（a）饱和，（b）放大，（c）放大，（d）截止。