dg14二极管和晶体管(1)
16 常见物料分类及编码规则
密级：★高★版本：1.0 常见物料分类及编码规则XXX股份有限公司金蝶软件（中国）有限公司2022年4月25日2022-04-25物料分类及编码规则公司所有物料（除固定资产外）实行三级分类管理，划分为大类别、小类别和品种类型，物料编码总长为15位，物料大类、小类、物料品种和物料规格型号之间用英文句号隔开。
基本编码结构如下：X．XX．XX．XXXXXXXXXX物料规格（10位）物料品种类型（2位阿拉伯数字）物料小分类（2位大写英文字母）物料大分类（1位大写英文字母）一、物料大分类及其代码：1、电子材料：用“T”表示电子材料是指以其电性能为主要应用的材料，根据公司目前应用情况看，包括：集成电路类、印刷电路板类、电容器类、电阻器类、电感器类、晶体管类、接插件类、稳压器类、变压器类、充电器类、开关类、电池类、电声器类、电位器类、磁珠类、数据线类和电线电缆类等。
2、光学材料：用“G”表示光学材料是指传输光线的介质材料，包括光学玻璃、光学晶体和光学塑料等光学介质材料，但不包括光电性能一体化应用的光电材料，例如发光二极管、氖灯、日光灯、显像管、液晶屏等光电类材料，该类材料归于电子材料类，3、塑胶材料：用“S”表示塑胶材料是指以高分子合成树脂为主要应用的材料，包括ABS、PVC、PA、PS、PE 等塑胶料，但不包括光学与塑胶一体化应用的材料，以及用于产品包装的塑胶材料，例如有机玻璃、玻璃钢、吸塑盒等，该类材料归于光学材料类或包装材料类。
公司目前应用的塑胶材料主要包括数码相机、车载摄像头、网络摄像头等产品的塑胶结构件，例如机壳，以及用于其他用途的PVC线管、塑胶工具、塑胶模具等。
4、金属材料：用“J”表示金属材料是指以钢、铁、铝等为主要应用的材料，公司目前主要包括数码相机、摄像头等产品使用的金属结构件，以及用于其他用途的角铁、金属线管、金属紧固件、金属工具、金属模具等。
5、包装材料：用“B”表示包装材料是指用于产品包装的材料，主要包括包装箱、吸塑盒、胶袋、包装带、封箱胶纸、不干胶标签、防潮剂、合格证等。
3ag14晶体管参数
3ag14晶体管参数3AG14晶体管参数3AG14晶体管是一种常用的NPN型晶体管，具有以下参数：1. 最大集电极电流（Icmax）：3AG14晶体管的最大集电极电流是指在正常工作条件下，集电极电流的最大允许值。
它通常决定了晶体管的功率处理能力和热稳定性。
对于3AG14晶体管来说，其最大集电极电流一般为200mA。
2. 最大集电极-基极电压（Vceo）：3AG14晶体管的最大集电极-基极电压是指在正常工作条件下，集电极和基极之间的最大允许电压。
它反映了晶体管的电压处理能力和耐压能力。
对于3AG14晶体管来说，其最大集电极-基极电压一般为30V。
3. 最大功耗（Pd）：3AG14晶体管的最大功耗是指在正常工作条件下，晶体管能够承受的最大功耗。
它与最大集电极电流和最大集电极-基极电压有关。
对于3AG14晶体管来说，其最大功耗一般为625mW。
4. 最大集电极-发射极电压（Vce(sat)）：3AG14晶体管的最大集电极-发射极电压是指在饱和状态下，集电极和发射极之间的电压。
饱和状态是指晶体管工作在最大集电极电流下，且集电极-基极电压低于最大集电极-基极电压的情况。
对于3AG14晶体管来说，其最大集电极-发射极电压一般为0.5V。
5. 最大直流电流增益（hfe）：3AG14晶体管的最大直流电流增益是指在正常工作条件下，集电极电流变化与基极电流变化之间的比值。
它反映了晶体管的放大能力。
对于3AG14晶体管来说，其最大直流电流增益一般为100。
6. 最大频率（fT）：3AG14晶体管的最大频率是指在正常工作条件下，晶体管能够正常工作的最高频率。
它与晶体管的内部结构和工作状态有关，一般与集电极电流和集电极-基极电压有关。
对于3AG14晶体管来说，其最大频率一般为100MHz。
3AG14晶体管具有200mA的最大集电极电流，30V的最大集电极-基极电压，625mW的最大功耗，0.5V的最大集电极-发射极电压，100的最大直流电流增益以及100MHz的最大频率。
肖特基二极管结构原理及参数 知乎
一、肖特基二极管结构原理肖特基二极管（Schottky Diode）是一种特殊的二极管，它的结构原理和普通的 PN 结二极管有所不同。
普通的 PN 结二极管是由 P 型半导体和 N 型半导体材料构成的，而肖特基二极管是由金属和半导体材料构成的。
具体而言，肖特基二极管是由金属和半导体的接触界面构成的，通常是一种金属覆盖在 N 型半导体表面上，形成一种金属－半导体接触。
二、肖特基二极管的参数对于肖特基二极管来说，有一些关键的参数需要我们了解。
其中最重要的参数之一是肖特基势垒高度，记作Φ_B。
它是描述金属和半导体接触界面的势垒高度的重要参数。
另外，肖特基二极管还有正向电压降（V_F）、反向漏电流（I_R）、最大反向工作电压（V_RRM）等参数，这些参数都影响着肖特基二极管的性能和应用。
三、深度探讨：肖特基二极管的优势和应用相对于普通的 PN 结二极管，肖特基二极管具有许多优势和特点。
它的正向压降较小，约为0.3V左右，这意味着在一些特定的应用场合中，肖特基二极管可以替代普通的 PN 结二极管，实现更低的功耗和更高的效率。
肖特基二极管的开关速度非常快，这使得它在高频和射频电路中得到广泛应用。
四、广度探讨：肖特基二极管的应用领域肖特基二极管由于其独特的特性，在许多领域都有着广泛的应用。
在通信领域，肖特基二极管被广泛应用于射频功率放大器和射频混频器等电路中，用于实现信号的调制和解调。
在开关电源和电源管理领域，肖特基二极管也被用于设计高效、稳定的开关电源电路和直流电源管理电路。
在光伏领域、功率电子领域和微波领域，肖特基二极管也都有着重要的应用。
五、总结与回顾通过本文的深度和广度探讨，我们对肖特基二极管的结构原理和参数有了全面的了解。
肖特基二极管作为一种特殊的二极管，在功耗、开关速度和应用领域等方面有着许多优势，因此在现代电子电路中有着广泛的应用前景。
希望本文能够帮助读者深入理解肖特基二极管，并在实际应用中发挥其重要作用。
马自达维修手册-马自达6电路图1
一般信息……………………………2 接地点………………………………12 电器配线图解………………………14
与发动机有关的系统 充电系统……………………………16 起动系统 欧洲（左侧驾驶）规格……………18
发动机控制系统 欧洲（左侧驾驶）规格……………22 GCC 规格……………………………38 燃油控制系统……………………54 冷却风扇系统 LF，L8：一般区域…………………56 LF，L8：高热区域…………………58 L3……………………………………60
·当电流超过电路的规定，它将熔 化，并中断电流。 小心 ·更换后的保险丝不要超过规定功 率。
片式
管式
熔丝管型
熔丝型
电阻 电机 泵
点烟器
喇叭 扬音器
意义 ·当电流通过白热丝时发光并生热。
·有固定值的电阻器。 ·通过保持额定电压，主要用作保 护电路中的电器。
·将电能转化为机械能。
·吸入并排放气体和液体。
与仪表组有关的系统 仪表组………………………………62
与车身有关的系统 风挡玻璃刮水……………………74 后刮水器和清洗器………………76 喇叭………………………………108 后窗除霜器………………………126 电动车窗系统……………………162 无双重锁定系统……………………166 有双重锁定系统……………………172 电动车外后视镜……………………178 电热式车外后视镜……………………178 滑动天窗……………………180 座椅加热器………………………190 电动座椅…………………………192 巡航控制系统……………………194 安全气囊系统维修注意事项 /维修警告…………………………196 安全气囊系统…………………………198 侧气囊系统……………………198 驻车装置系统……………………206 防盗系统…………………………208
第9章--电力二极管、电力晶体管和晶闸管的应用简介
目录目录.............................................................................................................................................................................. 第9章电力二极管、电力晶体管和晶闸管的应用简介 . 09.1 电力二极管的应用简介 09.1.1 电力二极管的种类 09.1.2 各种常用的电力二极管结构、特点和用途 09.1.3 电力二极管的主要参数 09.1.4 电力二极管的选型原则 (1)9.2 电力晶体管的应用简介 (2)9.2.1 电力晶体管的主要参数 (2)9.2.2 电力晶体管的选型原则 (2)9.3 晶闸管的应用简介 (3)9.3.1 晶闸管的种类 (3)9.3.2 各种常用的晶体管结构、特点和用途 (3)9.3.3 晶闸管的主要参数 (4)9.3.4 晶闸管的选型原则 (5)9.4 总结 (6)第9章电力二极管、电力晶体管和晶闸管的应用简介9.1 电力二极管的应用简介电力二极管（Power Diode）在20世纪50年代初期就获得应用，当时也被称为半导体整流器；它的基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管相同，都以半导体PN结为基础，实现正向导通、反向截止的功能。
电力二极管是不可控器件，其导通和关断完全是由其在主电路中承受的电压和电流决定的。
电力二极管实际上是由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的。
9.1.1 电力二极管的种类电力二极管主要有普通二极管、快速恢复二极管和肖特基二极管。
9.1.2 各种常用的电力二极管结构、特点和用途名称结构特点、用途实例图片整流二极管多用于开关频率不高（1kHz以下）的整流电路中。
其反向恢复时间较长，一般在5s以上，其正向电流定额和反向电压定额可以达到很高。
晶体二极管的归纳总结
晶体二极管的归纳总结晶体二极管（Diode）是一种具有非线性电阻特性的电子元器件，广泛应用于电子电路中。
它具有正向导通和反向截止的特性，被广泛用作整流器、开关以及信号调制等电路的基本元件。
本文将对晶体二极管的工作原理、分类、特性以及应用进行归纳总结。
一、晶体二极管的工作原理晶体二极管是一种半导体器件，由P型和N型半导体材料组成。
在P-N结中，P型半导体的掺杂原子与N型半导体的掺杂原子形成势垒，使得P区电子豁免区域中电子浓度较高，N区电子豁免区域中空穴浓度较高。
当外加电压使P区电势相对于N区升高，势垒减小，使得P 区的电子跨越势垒进入N区，形成正向电流。
当外加电压反向时，势垒增大，使得P-N结处形成耗尽区，电流几乎为零。
二、晶体二极管的分类根据材料、结构和用途的不同，晶体二极管可以分为多种类型。
常见的晶体二极管包括硅二极管、锗二极管、肖特基二极管、LED（发光二极管）等。
1. 硅二极管硅二极管是最常见和广泛使用的一种二极管。
它具有较高的工作温度、稳定性和可靠性，被广泛应用于各种电子电路中。
2. 锗二极管锗二极管是晶体二极管的一种，其主要特点是正向导通电压较低，适用于低电压应用电路。
3. 肖特基二极管肖特基二极管是一种利用PN结形成的金属与N型半导体之间的势垒来控制电流流动的二极管。
与普通PN结二极管相比，肖特基二极管具有较低的正向导通电压和快速响应速度。
4. LED（发光二极管）LED是一种能够将电能直接转换为光能的二极管。
它具有高效率、长寿命、低功耗等特点，被广泛应用于指示灯、背光源、室内外照明等领域。
三、晶体二极管的特性晶体二极管具有以下主要特性：1. 非线性特性晶体二极管在正向电压作用下具有较低的电阻，呈现出导通状态，而在反向电压作用下电阻很大，呈现出截止状态，具有明显的非线性特性。
2. 稳压性能晶体二极管具有稳压能力，能够在一定的工作电压范围内稳定输出，被广泛应用于稳压电源电路中。
3. 快速开关特性晶体二极管具有快速开关特性，可以迅速从导通状态切换到截止状态，被广泛应用于高频开关电路中。
二极管的分类与特性参数
二极管的分类与特性参数一、二极管的分类1.按材料分类：（1）硅二极管：硅二极管是最常见的二极管，具有较高的工作温度和较低的导通电压。
（2）锗二极管：锗二极管具有较低的导通电压，适用于低功耗和低电压应用。
2.按结构分类：（1）环绕式二极管：环绕式二极管是最简单的结构，由P型和N型两种半导体材料组成。
（2）肖特基二极管：肖特基二极管是一种PN结构的二极管，特点是导通电压低，反向漏电流小。
（3）合金二极管：合金二极管是一种PN结构的二极管，具有高转导特性和高工作频率。
3.按工作电压分类：（1）低压二极管：低压二极管的导通电压一般在0.2V以下。
（2）中压二极管：中压二极管的导通电压一般在0.2V~0.6V之间。
（3）高压二极管：高压二极管的导通电压一般在0.6V以上。
二、二极管的特性参数1.最大可逆电压（VRM）：指二极管可承受的最大反向电压，超过该电压会导致二极管击穿损坏。
2.最大正向电流（IFM）：指二极管可承受的最大正向电流，超过该电流会使二极管过热损坏。
3.最大反向电流（IRM）：指二极管在反向电压下的最大反向漏电流，超过该电流会导致负载电路的误操作。
4.导通电压降（VF）：指二极管在正向工作时的导通电压，也称为正向压降。
5.反向漏电流（IR）：指二极管在反向电压下的漏电流，也称为反向电流或反向饱和电流。
6.反向恢复时间（tRR）：指二极管从正向导通转为反向截止的时间，也称为反向恢复速度。
时间越短，二极管的高频特性越好。
7.热稳定工作电流（Iz）：指二极管在指定温度下的稳态工作电流，也称为额定工作电流。
8.温度系数：指二极管的电压、电流等参数随温度变化的大小，也称为温度稳定性。
9.前导电压降（VF1）：指二极管开始正向导通时的电压降。
10.储电容（Cj）：指二极管内部的储电容量，是二极管的一个重要参数，与二极管的高频特性有关。
三、总结二极管是电子电路中使用最广泛的器件之一，根据不同的分类标准，二极管可以分为硅二极管、锗二极管、环绕式二极管、肖特基二极管和合金二极管等。
晶体管种类
晶体管种类晶体管是一种半导体器件，是现代电子技术的重要部分。
晶体管因其小型化、高速度、低功耗等特点，被广泛应用于计算机、电视、电话、音响、汽车和医疗等领域。
虽然晶体管的种类很多，但总的来说，它们都属于三类：二极管、MOSFET和BJT。
1. 二极管二极管是最早的晶体管之一，也是最简单的一种。
二极管由晶体管两个区域组成，其中一个区域为P型半导体，另一个区域为N型半导体。
二极管有两种类型：正向偏置和反向偏置。
正向偏置时，电流从P型半导体进入N型半导体，形成导电。
反向偏置时，电流从N型半导体进入P型半导体，形成阻隔。
二极管可以抑制电压波动、整流交流电和提供电压参考。
2. MOSFETMOSFET的全称是金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor）。
MOSFET多用于数字电路。
它和二极管不同的地方是，它有一个栅极，可以通过改变栅极电压来控制电流。
MOSFET优点是高输入阻抗、小电流漏泄、可靠性高，适合高速器件。
根据栅极的作用可以分为增压MOSFET和光MOSFET等。
3. BJTBJT的全称是双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor）。
BJT是最常用的晶体管之一，广泛应用于模拟和数字电路中。
BJT由三个半导体区域组成，分别是发射区、基区和集电区。
BJT有NPN型和PNP型，分别对应于发射区和集电区的掺杂类型不同。
BJT根据不同的用途，可以分为低压高频、小信号放大和电源开关等类型。
IGBT是继MOSFET之后，又一种高压大功率开关器件，是最新型的高集成度器件之一。
IGBT的全称是绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor）。
IGBT相比BJT，有高输入阻抗、低饱和电压、大输出阻抗等优点。
同时，IGBT又比MOSFET获得更高的电压和电流。
IGBT常使用在交流变频调速、大型UPS（不间断电源）和电力电子系统等领域。
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阳极引线
PN结 金锑合金
底座
阴极引线
( b) 面接触型
2021/3/5
电子技术
阳极引线 二氧化硅保护层
N型硅 阴极引线
(c ) 平面型
P 型硅
阳极 D 阴极 ( d) 符号
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14.3.2 伏安特性
特点：非线性
I
反向电流在一定电压
正向特性
电子技术
P+ – N
范围内保持常数。
3. 当温度升高时，少子的数量 c （a. 减少、b. 不变、c. 增多）。
4. 在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流 主要是 b ，N 型半导体中的电流主要是 a 。
（a. 电子电流、b.空穴电流）
2021/3/5
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电子技术
14.2 PN结及其单向导电性
电子技术
1. 符号
2. 伏安特性
I
_+
稳压管正常工作
时加反向电压
UZ
O
U
稳压管反向击穿后，
电流变化很大，但其
两端电压变化很小， 利用此特性，稳压管
UZ
IZ
IZ IZM
在电路中可起稳压作 用。
使用时要加限流电阻
2021/3/5
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1.什么是传统机械按键设计？
电子技术
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3. 主要参数
电子技术
(1) 稳定电压UZ 稳压管正常工作(反向击穿)时管子两端的电压。
(2) 电压温度系数ｕ
环境温度每变化Z IZ
rZ愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。
(4) 稳定电流 IZ 、最大稳定电流 IZM
2021/3/5
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电子技术
14.1 半导体的导电特性
半导体的导电特性：
热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强
(可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。
光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 (可做 成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等)。
掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力明显改变(可做成各种不同用途的半导 体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。
导通压降 硅0.6~0.8V锗
0.2~0.3V
U
反向击穿 电压U(BR)
P– + N 反向特性
死区电压 硅管0.5V, 锗管0.1V。
外加电压大于反向击 穿电压二极管被击穿， 失去单向导电性。
2021/3/5
外加电压大于死区电 压二极管才能导通。
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14.3.3 主要参数
– B
断开二极管，分析二 极管阳极和阴极的电
位。
V阳 =－6 V ， V阴 =－12 V V阳 > V阴 ，二极管导通 若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB =－ 6V 否则， UAB低于－6V一个管压降，为－6.3Ｖ或－6.7V
二极管起钳位作用。
2021/3/5
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电子技术
1.二最极大管整长流期电使流用IO时M ，允许流过二极管的最大正向
平均电流。
2. 反向工作峰值电压URWM 是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，
一般是二极管反向击穿电压UBR的一半或三分之二。 二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。
3. 反向峰值电流IRM
指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反 向电流大，说明管子的单向导电性差，IRM受温度的 影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小， 锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。
2021/3/5
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电子技术
2. PN 结加反向电压（反向偏置） P接负、N接正
－－－ － －－ + + + + + + －－－ － －－ + + + + + + －－－ － －－ + + + + + +
P
外电场
N
– + IR
少子在外电场 作用下定向移 动，形成很小 的反向电流。
或N型半导体。
失去一个 电子变为 正离子
2021/3/5
磷原子
多数载流子（多子）：自由电子 少数载流子（少子）：空穴
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14.1.2 N型半导体和 P 型半导体
电子技术
Si
Si
掺入三价元素 空穴 掺杂后空穴数目大量
增加，空穴导电成为这
BS–i
Si
种半导体的主要导电方 式，称为空穴半导体或
接受一个 电子变为 负离子
硼原子
P型半导体。
多子：空穴 少子：自由电子
无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。
2021/3/5
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电子技术
1. 在杂质半导体中多子的数量与 a （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。
2. 在杂质半导体中少子的数量与 b （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。
例2: D2
D1
3k 6V
12V
求：UAB
电子技术
A 解： 取 B 点作参考点，断开 + 二极管，分析二极管阳极和 UAB 阴极的电位。
–B
V1阳 =－6 V，V2阳=0 V，V1阴 = V2阴= －12 V
UD1 = 6V，UD2 =12V
∵ UD2 >UD1 ∴ D2 优先导通， 钳位，使D1截止。
于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。
2021/3/5
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本征半导体的导电机理
电子技术
半导体有两种导电粒子（载流子）：自由电子、空穴
当半导体两端加上外电压时，载流子定向运动（漂移 运动），在半导体中将出现两部分电流
(1)自由电子作定向运动 电子电流 (2)价电子递补空穴 空穴电流 自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。 在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡， 半导体中载流子便维持一定的数目。 注意： (1) 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差； (2) 温度愈高， 载流子的数目愈多,半导体的导电性能 也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。
PN 结加反向电压时，反向电阻较大，处于截止状态。 温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。
2021/3/5
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14.3 半导体二极管 电子技术
14.3.1 基本结构（一个PN结）
(a) 点接触型
(b)面接触型
结面积小、 结电容小、正 向电流小。用 于检波和变频 等高频电路。
2021/3/5
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二极管的单向导电性
电子技术
1. 二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴 极接负 ）时， 二极管处于正向导通状态，二极管正 向电阻较小，正向电流较大。
2. 二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴 极接正 ）时， 二极管处于反向截止状态，二极管反 向电阻较大，反向电流很小。
解： ui
18V 8V
参考点
二极管的用途：
整流、检波、
限幅、钳位、开
t 关、元件保护、
温度补偿等。
二极管阴极电位为 8 V ui > 8V，二极管导通，可看作短路 uo = 8V ui < 8V，二极管截止，可看作开路 uo = ui
2021/3/5
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14.4 稳压二极管
3. 外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去 单向导电性。 4. 二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反向 电流愈大。
2021/3/5
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二极管电路分析举例
定性分析：判断二极管的工作状态
导通 截止
电子技术
分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位 的高低或所加电压UD的正负。 若 V阳 >V阴或 UD为正，二极管导通
2021/3/5
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14.1.2 N型半导体和 P 型半导体
电子技术
在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）,
形成杂质半导体。 在常温下即可 变为自由电子 掺入五价元素
Si
Si
pS+i
Si
多
掺杂后自由电子数目
余 大量增加，自由电子导电
电 成为这种半导体的主要导
子 电方式，称为电子半导体
学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况， 对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近 似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结 果。
器件是非线性的、特性有分散性、RC 的值有误差， 工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。对 电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不 要过分追究精确的数值。
PN 结：P型半导体和N型半导体交界面的特殊薄层 1. PN 结加正向电压（正向偏置） P接正、N接负
－－－－ － － －－－－ － － －－－－ － －
+ + ++ + + + + ++ + + + + ++ + +
P
外电场 N
IF
+–
多子在外电 场作用下定 向移动，形 成较大的正 向电流。