dg14二极管和晶体管
三极管贴片封装
贴片三极管封装2007-09-20 16:021A SOT323 BC846AW NPN1A SOT416 BC846AT N BC546A1A SOT89 PXT3904 NPN1A SOT89 SXT3904 NPN-1A SOT323 PMST3904 N 2N39041A- SOT323 BC846AW N BC546A1AM SOT23 MMBT3904L N 2N39041Ap SOT23 BC846A N BC546A1At SOT23 BC846A N BC546A1At SOT323 BC846AW N BC546A1B SOT23 BC846B NPN1B SOT23 BC846B N BC546B1B SOT23 FMMT2222 NPN1B SOT23 FMMT2222 N 2N22221B SOT23 IRLML2803 F n-ch mosfet 30V 0.9A 1B SOT23 MMBT2222 NPN1B SOT23 MMBT2222 N 2N22221B SOT23 PMBT2222 NPN1B SOT23 SMBT2222 NPN1B SOT23 YTS2222 NPN1B SOT323 BC846BW NPN1B SOT416 BC846BT N BC546B1B SOT89 PXT2222 NPN-1B SOT323 PMST2222 N 2N22221Bp SOT23 BC846B N BC546B1Bs SC74 BC817UPN N1Bt SOT23 BC846B N BC546B1Bt SOT323 BC846BW N BC546B1C SOT23 FMMT-A20 NPN1C SOT23 FMMT-A20 N MPSA201C SOT23 IRLML6302 F p-ch mosfet 20V 0.6A1C SOT23 MMBTA20 NPN1C SOT23 MMBTA20L N MPS39041C SOT23 SMBTA20 NPN1Cp SOT23 BAP50-05 B dual cc GP RF pin diode 1Cs SOT363 BC847S BC4571D SOT23 BC846 NPN1D SOT23 IRLML5103 F p-ch mosfet 30V 0.6A1D SOT23 MMBTA42 NPN1D SOT23 MMBTA42 N MPSA42 300V npn1D SOT23 SMBTA42 NPN1D SOT323 BC846W NPN1D SOT89 SXTA42 NPN1D- SOT323 BC846W N BC4561DN 2SC4083 N npn 11V 3.2GHz TV tuners1Dp SOT23 BC846 N BC4561DR SC59 MSD1328-RT1 NPN1DR SOT346 MSD1328R N npn gp 25V 500mA1Ds SC74 BC846U N BC4561Ds SOT363 BC846U BC4561Dt SOT23 BC846 N BC4561Dt SOT323 BC846W N BC4561E FMMT-A43 N MPSA431E SOT23 BC847A NPN1E SOT23 BC847A N BC547A1E SOT23 FMMT-A43 NPN1E SOT23 MMBTA43 NPN1E SOT23 MMBTA43 N MPSA43 200V npn1E SOT23 SMBTA43 NPN1E SOT323 BC847AW NPN1E SOT416 BC847AT N BC547A1E SOT89 SXTA43 NPN1E- SOT323 BC847A N BC547A1EN 2SC4084 N npn 20V 2.0GHz TV tuners1Ep SOT23 BC847A N BC547A1ER SOT23R BC847AR R BC547A1Es SOT23 BC847A N BC4571Et SOT23 BC847A N BC547A1Et SOT323 BC847A N BC547A1F SOT23 BC847B NPN1F SOT23 BC847B N BC547B1F SOT23 FMMT5550 NPN1F SOT23 MMBT5550 NPN1F SOT23 MMBT5550 N 2N5550 140V npn 1F SOT23 PMBT5550 NPN1F SOT323 BC847BW NPN1F SOT416 BC847BT N BC547B1F- SOT323 BC847BW N BC547B1Fp SOT23 BC847B N BC547B1FR SOT23R BC847BR R BC547B1Fs SC75 BC847BT N BC547B1Fs SOT23 BC847B N BC547B1Fs SOT323 BC847BW N BC547B1Ft SOT23 BC847B N BC547B1Ft SOT323 BC847BW N BC547B1G FMMT-A06 N MPSA061G SOT23 BC847C NPN1G SOT23 BC847C N BC547C1G SOT23 FMMT-A06 NPN1G SOT23 MMBTA06 NPN1G SOT23 MMBTA06 N MPSA061G SOT23 SMBTA06 NPN1G SOT323 BC847CW NPN1G SOT416 BC847CT N BC547C1G- SOT323 BC847CW N BC547C1GM SOT23 MMBTA06 N MPSA061Gp SOT23 BC847C N BC547C1GR SOT23R BC847CR R BC547C1Gs SOT23 BC847C N BC547C1Gs SOT323 BC847CW N BC547C1GT SOA06 N MPSA061GT SOT23 SOA06 NPN1Gt SOT323 BC847CW N BC547C1H FMMT-A05 N MPSA051H SOT23 BC847 NPN1H SOT23 FMMT-A05 NPN1H SOT23 MMBTA05 NPN1H SOT23 MMBTA05 N MPSA051H SOT23 SMBTA05 NPN1H SOT323 BC847W NPN1Hp SOT23 BC847 N BC5471Ht SOT23 BC847 N BC5471HT SOT23 SOA05 NPN1HT SOT23 SOA05 N MPSA051Ht SOT323 BC847W N BC5471J FMMT2369 N 2N23691J SOT23 BC848A N BC548A1J SOT23 MMBT2369 N MPS23691JA SOT23 MMBT2369A N MPS2369A1JR SOT23R BC848AR R BC548A1Js SOT143 BCV61A VQ npn current mirror hFe 180 1Js SOT23 BC848A N BC548A1Js SOT323 BC848AW N BC548A1K FMMT4400 N 2N44001K SOT143 BCV61B NPN1K SOT23 BC848B NPN1K SOT23 BC848B N BC548B1K SOT23 FMMT4400 NPN1K SOT23 MMBT6428 NPN1K SOT23 MMBT6428 N MPSA18 50V1K SOT23 PMBT6428 NPN1K SOT23 SMBT6428 NPN1K SOT323 BC848BW NPN1KM SOT23 MMBT6428L N MPSA18 50V1Kp SOT23 BC848B N BC548B1KR SOT23R BC848BR R BC548B1Ks SOT143B BCV61B VQ npn current mirror hFe 290 1Ks SOT23 BC848B N BC548B1Ks SOT323 BC848BW N BC548B1L FMMT4401 N 2N44011L MMBT6429 N MPSA18 45V1L SOT143 BCV61C NPN1L SOT143B BCV61C VQ npn current mirror hFe 520 1L SOT23 BC848C NPN1L SOT23 BC848C N BC548C1L SOT23 FMMT4401 NPN1L SOT23 FMMT5400 PNP1L SOT23 MMBT6429 NPN1L SOT23 PMBT6429 NPN1L SOT23 SMBT6429 NPN1L SOT323 BC848CW NPN1Lp SOT143B BCV61C VQ npn current mirror hFe 520 1Lp SOT23 BC848C N BC548C1Ls SOT23 BC848C N BC548C1Ls SOT323 BC848CW N BC548C1M SOT143 BCV61 NPN1M SOT23 BC848 NPN1M SOT23 FMMT-A13 NPN1M SOT23 FMMT-A13 N MPSA131M SOT23 MMBTA13 NPN1M SOT23 MMBTA13 N MPSA13 darlington1M SOT23 PMBTA13 NPN1M SOT23 SMBTA13 NPN1M SOT323 BC848W NPN1Mp SOT143B BCV61 VQ npn current mirror1Mp SOT23 BC848 N BC5481N SOT23 FMMT-A14 NPN1N SOT23 FMMT-A14 N MPSA141N SOT23 MMBTA14 NPN1N SOT23 MMBTA14 N MPSA14 darlington1N SOT23 PMBTA14 NPN1N SOT23 SMBTA14 NPN1N SOT89 PXTA14 NPN1N10 SOT223 MMFT1N10ET1 MOSFET1P BC847PN DI pnp/npn separate pair gpAF1P FMMT2222A N 2N2222A1P SOT23 FMMT2222A NPN1P SOT23 MMBT2222A NPN1P SOT23 MMBT2222A N 2N2222A1P SOT23 PMBT2222A NPN1P SOT23 SMBT2222A NPN1P SOT23 YTS2222A NPN1P SOT89 PKT2222A NPN1Q SOT23 FMMT5088 NPN1Q SOT23 MMBT5088 NPN1Q SOT23 MMBT5088 N MPSA18 Vce 30V1Q SOT23 PMBT5088 NPN半导体三极管参数符号及其意义三极管基础知识及检测方法：一、晶体管基础双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管 PN 结。
信号采集原理ppt
AD转换电路与DA转换电路得基础
元件性能得影响与要求
• 模拟开关得性能参数
静态特性:主要指开关导通与断开时输入端与输出 端之间得电阻Ron与Roff,此外还有最大开关电压、最 大开关电流与驱动功耗等。
动态特性:开关动作延迟时间,包括开关导通延迟时 间Ton与开关截止延迟时间Toff, 通常Ton>Toff, 理想模 拟开关时Ton→0,Toff→0
b) Ron1
R1
C1
∞ -
+ + N2
C
uo uo
精度提高得方法(电路)
(2)电容校正方法得矛盾
精度 《》 速度
Ron2
C1
∞
∞
-
-
Ron
+
uo
+
+ N2
ui
+ N1
C
b)
提高速度得方法(电路)
减少反馈回路中得时间常数数目来提高速度
Uc
VD1
VD2
V2
V1
∞
-
ui
+
+ N1
R1
R2
V
∞
-
uo
+
(2)当在比较器后面连接数字电路时,专用集成比较器无需 添加任何元器件,就可以直接连接,但对通用运算放大器 而言,必须对输出电压采取嵌位措施,使它得高,彽输出电 位满足数字电路逻辑电平得要求。
电压比较电路
一 电平比较电路(单阈 值比较器)
(a)差动比较电路
第9章--电力二极管、电力晶体管和晶闸管的应用简介
目录目录.............................................................................................................................................................................. 第9章电力二极管、电力晶体管和晶闸管的应用简介 . 09.1 电力二极管的应用简介 09.1.1 电力二极管的种类 09.1.2 各种常用的电力二极管结构、特点和用途 09.1.3 电力二极管的主要参数 09.1.4 电力二极管的选型原则 (1)9.2 电力晶体管的应用简介 (2)9.2.1 电力晶体管的主要参数 (2)9.2.2 电力晶体管的选型原则 (2)9.3 晶闸管的应用简介 (3)9.3.1 晶闸管的种类 (3)9.3.2 各种常用的晶体管结构、特点和用途 (3)9.3.3 晶闸管的主要参数 (4)9.3.4 晶闸管的选型原则 (5)9.4 总结 (6)第9章电力二极管、电力晶体管和晶闸管的应用简介9.1 电力二极管的应用简介电力二极管（Power Diode）在20世纪50年代初期就获得应用，当时也被称为半导体整流器；它的基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管相同，都以半导体PN结为基础，实现正向导通、反向截止的功能。
电力二极管是不可控器件，其导通和关断完全是由其在主电路中承受的电压和电流决定的。
电力二极管实际上是由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的。
9.1.1 电力二极管的种类电力二极管主要有普通二极管、快速恢复二极管和肖特基二极管。
9.1.2 各种常用的电力二极管结构、特点和用途名称结构特点、用途实例图片整流二极管多用于开关频率不高（1kHz以下）的整流电路中。
其反向恢复时间较长，一般在5s以上，其正向电流定额和反向电压定额可以达到很高。
晶体管的分类
晶体管的分类晶体管是一种半导体器件，广泛应用于电子电路中的开关、放大、稳压等功能。
根据晶体管的结构和性质，可以将其分为多种不同的类型。
本文将从几个方面详细介绍晶体管的分类。
一、按材料分类1.硅晶体管硅晶体管是最常见的一种晶体管，其材料主要由硅元素制成。
它具有高稳定性、可靠性和低噪声等特点，被广泛应用于各种电子设备中。
2.锗晶体管锗晶体管是硅晶体管之前使用的一种材料。
它具有较高的导电率和热稳定性，但容易受到氧化影响而失效。
3.砷化镓晶体管砷化镓晶体管是一种新型半导体材料，具有高速、高频、低噪声等优点。
它被广泛应用于高频率放大器和微波电路中。
二、按结构分类1.结型晶体管结型晶体管又称为JFET（Junction Field Effect Transistor），它是通过控制PN结上空间电荷区域内场效应来控制电流的。
它具有低噪声、高输入阻抗等特点，被广泛应用于放大器和开关电路中。
2.双极型晶体管双极型晶体管又称为BJT（Bipolar Junction Transistor），它是由两个PN结组成的三层结构。
它具有较高的放大倍数和较低的输入阻抗，被广泛应用于放大器、开关和振荡器等电路中。
3.场效应晶体管场效应晶体管又称为FET（Field Effect Transistor），它是由金属栅极、绝缘层和半导体构成的。
它具有高输入阻抗、低噪声等特点，被广泛应用于放大器、开关和振荡器等电路中。
三、按工作方式分类1.增强型晶体管增强型晶体管是一种需要外加正向偏压才能工作的晶体管。
当栅极与源极之间施加正向偏压时，会形成导通通道，从而使得漏极之间产生电流。
它具有较高的放大倍数和较低的输入阻抗。
2.耗尽型晶体管耗尽型晶体管是一种不需要外加偏压就能工作的晶体管。
当栅极与源极之间没有施加偏压时，会形成一个耗尽区，从而使得漏极之间无法产生电流。
当施加负向偏压时，会增加耗尽区的宽度，从而减小漏极之间的电流。
3.复合型晶体管复合型晶体管是一种同时具有增强型和耗尽型特点的晶体管。
晶体管种类
晶体管种类晶体管是一种半导体器件，是现代电子技术的重要部分。
晶体管因其小型化、高速度、低功耗等特点，被广泛应用于计算机、电视、电话、音响、汽车和医疗等领域。
虽然晶体管的种类很多，但总的来说，它们都属于三类：二极管、MOSFET和BJT。
1. 二极管二极管是最早的晶体管之一，也是最简单的一种。
二极管由晶体管两个区域组成，其中一个区域为P型半导体，另一个区域为N型半导体。
二极管有两种类型：正向偏置和反向偏置。
正向偏置时，电流从P型半导体进入N型半导体，形成导电。
反向偏置时，电流从N型半导体进入P型半导体，形成阻隔。
二极管可以抑制电压波动、整流交流电和提供电压参考。
2. MOSFETMOSFET的全称是金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor）。
MOSFET多用于数字电路。
它和二极管不同的地方是，它有一个栅极，可以通过改变栅极电压来控制电流。
MOSFET优点是高输入阻抗、小电流漏泄、可靠性高，适合高速器件。
根据栅极的作用可以分为增压MOSFET和光MOSFET等。
3. BJTBJT的全称是双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor）。
BJT是最常用的晶体管之一，广泛应用于模拟和数字电路中。
BJT由三个半导体区域组成，分别是发射区、基区和集电区。
BJT有NPN型和PNP型，分别对应于发射区和集电区的掺杂类型不同。
BJT根据不同的用途，可以分为低压高频、小信号放大和电源开关等类型。
IGBT是继MOSFET之后，又一种高压大功率开关器件，是最新型的高集成度器件之一。
IGBT的全称是绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor）。
IGBT相比BJT，有高输入阻抗、低饱和电压、大输出阻抗等优点。
同时，IGBT又比MOSFET获得更高的电压和电流。
IGBT常使用在交流变频调速、大型UPS（不间断电源）和电力电子系统等领域。
肖特基限流二极管
肖特基限流二极管
肖特基限流二极管，也被称为肖特基二极管（Schottky Diode）或肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode，缩写成SBD），是一种具有特殊工作原理的半导体器件。
它的基本结构是在金属（如铅）和半导体（如N型硅片）的接触面上形成肖特基势垒，用以阻挡反向电压。
这种二极管的主要特点是具有较低的正向压降（通常在0.3V至0.6V 之间），同时其反向恢复时间非常短，可以在几纳秒级别。
这些特性使得肖特基二极管非常适合用于高频开关电路和低压大电流整流电路。
肖特基二极管的另一个重要特点是其开关速度非常快，这主要得益于它的多子参与导电机制，相比少子器件有更快的反应速度。
因此，肖特基二极管常用于门电路中作为三极管集电极的箝位二极管，以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度。
肖特基二极管通常用于低功耗、大电流、超高速的半导体器件中，例如开关电源、高频电路、检波电路等。
尽管肖特基二极管的耐压能力相对较低（通常低于150V），但由于其优良的特性，它在许多应用中仍被广泛使用。
晶体管和二极管区别
晶体管和二极管区别晶体管和二极管区别首先说明一下：晶体管，就是指的半导体器件，二极管也是晶体管里的一种。
下面我们详细介绍一下二极管和三极管的特性及功能原理。
半导体二极管及其特性半导体二极管按其结构和制造工艺的不同，可以分为点接触型和面接触型两种。
点接触二极管是在P型硅晶晶体或N型锗晶体的表面上，安装上一根用钨或金丝做成的触针，与晶体表面接触而成，然后加以电流处理，使触针接触处形成一层异型的晶体。
很据所用金属丝的不同，分别称之为钨键二极管和金键二极管。
国产2APl一7和2APll—17型半导体二极管即属此类。
但前者触针是钨丝，后者是金丝。
面接触型二极管多数系用合金法制成。
在N型锗晶体的表面上安放上一块铟，然后在高温下使一部分锗熔化于铟内。
接着将温度降低，使熔化于姻内的锗又沉淀而出，形成P型晶体。
此P型晶体与末熔化的N型晶体组成P—N结。
点接触型半导体二极管具有较小的接触面积，因而触针与阻挡层间的电容饺小(约1微微法)；而面接触型二极管的极间电容较大，约为15一20微微池。
因此，前者适合于在频率较高的场合工作，而后者只适宜于频率低于50千赫以下的地方工作；另外前者允许通过的电流小，在无线电设备中宜作检波用，后者可通过较大之电流，多用于整流。
常用的半导体二极管其特性指标参数意义如下：1.工作频率范围f(MHz)：指由于P—N结电容的影响，二极管所能应用的频率范围。
2.最大反向电压Vmax(V)：指二极管两端允许的反向电压，一般比击穿电压小。
反向电压超过允许值时，在环境影响下，二极管有被击穿的危险。
3.击穿电压VB(V)：当二极管逐渐加上一定的反向电压时，反向电流突然增加，这时的反向电压叫反向击穿电压。
这时二极管失去整流性能。
4.整流电流I(mA)I指二极管在正常使用时的整流电流平均值。
晶体三极管的结构和类型晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，如图从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。
3ag14晶体管参数
3ag14晶体管参数3AG14晶体管参数一、引言3AG14晶体管是一种常用的电子元件，广泛应用于电子电路中。
本文将介绍3AG14晶体管的参数以及其在电路设计中的应用。
二、3AG14晶体管的基本参数1. 最大耐压（VCEO）：3AG14晶体管能够承受的最大电压。
该参数决定了晶体管在工作时所能承受的最大电压，超过该电压将导致晶体管损坏。
2. 最大电流（IC）：3AG14晶体管能够承受的最大电流。
该参数决定了晶体管在工作时所能够通过的最大电流，超过该电流将导致晶体管过载而损坏。
3. 最大功率（P）：3AG14晶体管能够承受的最大功率。
该参数由最大电流和最大电压共同决定，超过该功率将导致晶体管过热而损坏。
4. 直流电流放大倍数（hFE）：3AG14晶体管的放大能力。
该参数表示输入电流和输出电流之间的倍数关系，决定了晶体管的放大效果。
5. 饱和电压（VCEsat）：3AG14晶体管在饱和状态下的电压。
该参数表示晶体管在饱和状态下的工作电压，超过该电压将导致晶体管无法正常开关。
6. 频率响应（fT）：3AG14晶体管的最高工作频率。
该参数表示晶体管能够正常工作的最高频率，超过该频率将导致晶体管失去放大能力。
7. 封装形式：3AG14晶体管的外观和尺寸。
根据不同的应用需求，3AG14晶体管可采用不同的封装形式，如TO-92、SOT-23等。
三、3AG14晶体管在电路设计中的应用1. 放大电路：由于3AG14晶体管具有较高的直流电流放大倍数，因此广泛应用于放大电路中。
通过控制输入电流，可以实现对输出电流的放大，从而达到信号放大的目的。
2. 开关电路：3AG14晶体管具有较低的饱和电压和较高的开关速度，因此在开关电路中具有广泛的应用。
通过控制晶体管的开关状态，可以实现对电路的开关控制。
3. 振荡电路：由于3AG14晶体管具有较高的频率响应，因此在振荡电路中也可以使用。
通过合适的电路设计，可以利用晶体管的振荡特性实现信号的产生和放大。
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价电子
Si
Si
共价健
Si
Si
晶体中原子的排列方式
硅单晶中的共价健结构
共价键中的两个电子，称为价电子。
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自由电子 本征半导体的导电机理电子技术
Si
Si
空穴
Si Si
价电子
本征激发：价电子在获得 一定能量（温度升高或受 光照）后，即可挣脱原子 核的束缚，成为自由电子 （带负电），同时共价键 中留下一个空位，称为空 穴（带正电）。
多子：空穴 少子：自由电子
无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。
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电子技术
1. 在杂质半导体中多子的数量与 a （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。
2. 在杂质半导体中少子的数量与 b （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。
3. 当温度升高时，少子的数量 c （a. 减少、b. 不变、c. 增多）。
(1)自由电子作定向运动 电子电流 (2)价电子递补空穴 空穴电流 自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。 在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡， 半导体中载流子便维持一定的数目。 注意： (1) 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差； (2) 温度愈高， 载流子的数目愈多,半导体的导电性能 也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。
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二极管的结构示意图
金属触丝 N型锗片
阳极引线阴极引线源自( a) 点接触型 外壳铝合金小球 N型硅
阳极引线
PN结 金锑合金
底座
阴极引线
( b) 面接触型
电子技术
阳极引线 二氧化硅保护层
或N型半导体。
失去一个 电子变为 正离子
磷原子
多数载流子（多子）：自由电子 少数载流子（少子）：空穴
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14.1.2 N型半导体和 P 型半导体
电子技术
Si BS–i
接受一个 电子变为 负离子
Si Si
硼原子
掺入三价元素 空穴 掺杂后空穴数目大量
增加，空穴导电成为这 种半导体的主要导电方 式，称为空穴半导体或 P型半导体。
温度愈高，晶体中产 生的自由电子便愈多。
在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子 来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当 于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。
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本征半导体的导电机理
电子技术
半导体有两种导电粒子（载流子）：自由电子、空穴
当半导体两端加上外电压时，载流子定向运动（漂移 运动），在半导体中将出现两部分电流
－－－ － －－ + + + + + + －－－ － －－ + + + + + + －－－ － －－ + + + + + +
P
外电场
N
– + IR
少子在外电场 作用下定向移 动，形成很小 的反向电流。
PN 结加反向电压时，反向电阻较大，处于截止状态。 温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。
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4. 在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流 主要是 b ，N 型半导体中的电流主要是 a 。
（a. 电子电流、b.空穴电流）
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电子技术
14.2 PN结及其单向导电性
PN 结：P型半导体和N型半导体交界面的特殊薄层 1. PN 结加正向电压（正向偏置） P接正、N接负
－－－－ － － －－－－ － － －－－－ － －
+ + ++ + + + + ++ + + + + ++ + +
P IF
外电场 N +–
多子在外电 场作用下定 向移动，形 成较大的正 向电流。
PN 结加正向电压时，正向电阻较小，处于导通状态。
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2. PN 结加反向电压（反向偏置） P接负、N接正
14.3 半导体二极管 电子技术
14.3.1 基本结构（一个PN结）
(a) 点接触型 结面积小、
结电容小、正 向电流小。用 于检波和变频 等高频电路。
(b)面接触型 结面积大、
正向电流大、 结电容大，用 于工频大电流 整流电路。
(c) 平面型 用于集成电路制作工艺中。PN结结面积可大可小，
用于高频整流和开关电路中。
器件是非线性的、特性有分散性、RC 的值有误差， 工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。对 电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不 要过分追究精确的数值。
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14.1 半导体的导电特性
半导体的导电特性： 热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强
(可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 (可做
第14章 二极管和晶体管
14.1 半导体的导电特性 14.2 PN结及其单向导电性 14.3 半导体二极管 14.4 稳压二极管 14.5 晶体管 14.6 光电器件
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第14章 半导体二极管和三极管
本章要求： 一、理解PN结的单向导电性，三极管的电流分配和
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14.1.2 N型半导体和 P 型半导体
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在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）,
形成杂质半导体。 在常温下即可
变为自由电子 掺入五价元素
Si
Si
pS+i
Si
多
掺杂后自由电子数目
余 大量增加，自由电子导电
电 成为这种半导体的主要导
子 电方式，称为电子半导体
电流放大作用； 二、了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工
作原理和特性曲线，理解主要参数的意义； 三、会分析含有二极管的电路。
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电子技术
对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和 正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器 件的目的在于应用。
学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况， 对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近 似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结 果。
成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等)。 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力明显改变(可做成各种不同用途的半导 体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。
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14.1.1 本征半导体
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完全纯净的、具有晶体结构的鍺、硅、硒，称为
本征半导体。