工字形太赫兹超材料吸波体的传感特性研究

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《太赫兹超材料设计仿真及其传感特性研究》范文

《太赫兹超材料设计仿真及其传感特性研究》范文

《太赫兹超材料设计仿真及其传感特性研究》篇一一、引言太赫兹(THz)技术是近年来快速发展的一种新兴技术,具有许多独特的物理特性和应用潜力。

其中,太赫兹超材料作为太赫兹技术的关键组成部分,其设计、仿真和传感特性研究成为了研究的热点。

本文旨在研究太赫兹超材料的设计仿真方法,并探讨其传感特性的应用。

二、太赫兹超材料设计仿真1. 材料设计原理太赫兹超材料的设计基础是电磁超材料原理。

通过对材料内部的微观结构进行精心设计,实现对电磁波的特殊调控。

太赫兹超材料的设计需要考虑到材料的电磁参数、结构形状、尺寸大小等因素。

2. 设计仿真方法设计仿真方法主要包括数值计算和电磁仿真两种方法。

数值计算主要是通过计算电磁波在材料内部的传播特性,得出材料的电磁参数;而电磁仿真则是通过模拟电磁波在材料内部的传播过程,从而得出材料的物理特性。

在实际应用中,这两种方法常常相互结合使用。

三、太赫兹超材料的传感特性研究1. 传感原理太赫兹超材料的传感原理主要是基于其特殊的电磁响应特性。

当外部电磁波与太赫兹超材料相互作用时,会引起材料的物理特性变化,从而实现对外部环境的感知和测量。

这种传感方式具有高灵敏度、高分辨率和快速响应等优点。

2. 传感应用太赫兹超材料的传感应用广泛,可以用于安全检测、生物医学、环境监测等领域。

例如,在安全检测中,可以利用太赫兹超材料实现对金属、炸药等危险物品的检测;在生物医学中,可以利用太赫兹超材料实现对生物分子的检测和成像;在环境监测中,可以利用太赫兹超材料实现对大气污染物的监测和预警等。

四、实验结果与分析我们设计了一种基于太赫兹超材料的传感器,并进行了实验验证。

实验结果表明,该传感器具有高灵敏度、高分辨率和快速响应等优点。

通过分析实验数据,我们发现该传感器的性能与太赫兹超材料的结构设计和材料选择密切相关。

此外,我们还发现该传感器在安全检测、生物医学和环境监测等领域具有广泛的应用前景。

五、结论本文研究了太赫兹超材料的设计仿真方法及其传感特性的应用。

《2024年基于超材料的太赫兹滤波器研究》范文

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《基于超材料的太赫兹滤波器研究》篇一一、引言太赫兹(THz)技术已成为近年来科学研究的热点之一。

其特殊的频率特性使其在生物医学、通信和材料研究等多个领域展现出了广阔的应用前景。

在众多研究领域中,超材料被广泛应用于太赫兹器件的设计和制作。

而超材料因其独特的光学性能,能够改变光的传播和与物质之间的相互作用,成为制作高精度、高效率太赫兹滤波器的理想材料。

因此,本文着重研究了基于超材料的太赫兹滤波器设计及其实验性能。

二、超材料在太赫兹波段的应用超材料是一种具有特殊物理性质的复合材料,其独特的电磁特性使其在太赫兹波段具有广泛的应用前景。

超材料通过精确设计其结构,可以实现对电磁波的精确控制,包括波的传播方向、速度、相位等。

因此,利用超材料来设计太赫兹滤波器是一种具有巨大潜力的方法。

三、基于超材料的太赫兹滤波器设计本文基于对超材料的理解和特性,设计了基于超材料的太赫兹滤波器。

该滤波器采用了一种新型的谐振结构,通过精确控制谐振结构的尺寸和形状,实现了对太赫兹波的精确控制。

此外,我们还通过仿真软件对滤波器的性能进行了模拟和优化。

四、实验结果与分析我们通过实验验证了基于超材料的太赫兹滤波器的性能。

实验结果表明,该滤波器在太赫兹波段具有较高的传输效率和较低的插入损耗。

此外,我们还发现该滤波器具有良好的选择性和抗干扰能力,可以在复杂的电磁环境中实现高效的信号处理。

实验结果与理论分析基本一致,验证了基于超材料的太赫兹滤波器的设计方法和可行性。

五、应用前景基于超材料的太赫兹滤波器在许多领域具有广泛的应用前景。

首先,它可以应用于生物医学领域,如生物分子的检测和成像等。

其次,它可以用于通信领域,如高速数据传输和无线通信等。

此外,它还可以用于安全检测和雷达等领域。

随着超材料技术的不断发展,其将在更多领域得到应用和推广。

六、结论本文研究了基于超材料的太赫兹滤波器的设计和实验性能。

通过对超材料的理解和特性进行深入研究,我们设计了一种新型的谐振结构并实现了对太赫兹波的精确控制。

《基于超材料的太赫兹滤波器研究》范文

《基于超材料的太赫兹滤波器研究》范文

《基于超材料的太赫兹滤波器研究》篇一一、引言太赫兹(THz)技术是近年来快速发展并广泛关注的研究领域。

由于其在通信、医疗诊断、安全检测等领域的重要应用,太赫兹波段的技术研究已成为一个前沿的研究课题。

在众多关键技术中,太赫兹滤波器是影响太赫兹系统性能的重要组件。

本文旨在探讨基于超材料的太赫兹滤波器的研究,包括其设计、性能和潜在应用。

二、超材料概述超材料是一种具有特殊电磁性能的人工复合材料。

其独特的电磁特性主要源于其微观结构对电磁波的特殊响应。

超材料在太赫兹波段的应用,如滤波器、透镜、吸收器等,因其具有高效率、高精度和可定制性等优点而备受关注。

三、太赫兹滤波器设计基于超材料的太赫兹滤波器设计主要涉及两个关键步骤:超材料结构设计以及滤波器设计。

首先,超材料结构设计是关键的一步。

设计者需要根据所需的电磁性能,通过调整材料的微观结构(如金属线栅格、开口环谐振器等)来控制电磁波的传播和反射。

这种结构的设计需要考虑多种因素,如材料的选择、尺寸的调整以及排列方式等。

其次,基于超材料结构的太赫兹滤波器设计需要考虑滤波器的性能指标,如中心频率、带宽、插入损耗等。

设计者需要利用仿真软件(如FDTD Solutions、CST等)进行模拟和优化,以实现所需的滤波性能。

四、性能分析基于超材料的太赫兹滤波器的性能分析主要包括仿真分析和实验分析两部分。

仿真分析是通过使用电磁仿真软件对设计的滤波器进行模拟和分析,以预测其性能。

这种分析可以提供滤波器的电场分布、传输特性等重要信息,为实验提供理论依据。

实验分析则是通过制备实际的滤波器样品,并使用太赫兹测试系统对其性能进行测试和分析。

实验结果可以与仿真结果进行对比,以验证设计的正确性和有效性。

五、潜在应用基于超材料的太赫兹滤波器具有广泛的应用前景。

首先,它可以应用于通信领域,作为太赫兹通信系统中的关键组件,提高通信系统的性能和稳定性。

其次,它可以应用于医疗诊断领域,用于检测和诊断疾病,提高医疗诊断的准确性和效率。

太赫兹波段电磁超材料吸波器折射率传感特性

太赫兹波段电磁超材料吸波器折射率传感特性

太赫兹波段电磁超材料吸波器折射率传感特性*王鑫 王俊林†(内蒙古大学电子信息工程学院, 呼和浩特 010021)(2020 年7 月3日收到; 2020 年9 月4日收到修改稿)太赫兹超材料吸波器作为一类重要的超材料功能器件, 除了可以实现对入射太赫兹波的完美吸收外, 还可以作为折射率传感器实现对周围环境信息变化的捕捉与监测. 通常从优化表面金属谐振单元结构和改变介质层材料和形态两个方面出发, 改善太赫兹超材料吸波器的传感特性. 为深入研究中间介质层对太赫兹超材料吸波器传感特性的影响, 本文基于金属开口谐振环阵列设计实现了具有连续介质层、非连续介质层和微腔结构的3款太赫兹超材料吸波器, 并对其传感特性与传感机理进行了深入研究. 结果表明, 为了提高太赫兹超材料吸波器的折射率灵敏度、最大探测范围等传感特性, 除了可以选用相对介电常数较小的材料作为中间介质层外, 还可以改变中间介质层的形态, 进而减小中间介质层对谐振场的束缚, 增强谐振场与被测分析物之间的耦合. 与传统的具有连续介质层的太赫兹超材料吸波器相比, 具有非连续介质层和微腔结构的超材料吸波器具有更优越的传感特性, 可应用于对待测分析物的高灵敏度、快速检测, 在未来的传感领域具有更加广阔的应用前景.关键词:太赫兹, 超材料吸波器, 传感PACS:81.05.Xj, 87.50.U, 07.07.Df DOI: 10.7498/aps.70.202010541 引 言太赫兹(terahertz, THz)[1]波通常是指频率在0.1—10 THz范围内, 波长在30—3000 µm的电磁波, 在电磁波谱中介于红外光与微波之间. 太赫兹技术[1−4]融合了宏观电子学与微观光子学的优势,广泛涉及物理学、光学、电磁场与微波技术、材料学等学科, 因此相关的研究对各个学科的相互借鉴和融合具有重大的科学意义.自然材料难以对太赫兹波产生强烈响应, 而电磁超材料的出现弥补了自然材料对太赫兹波缺乏响应的缺陷, 于是, 研究人员逐步将研究重点转移到基于超材料的太赫兹器件中. 超材料(Metamaterials, MMs)[5−7]通常是由刻蚀在半导体衬底或电介质基底上, 按照特定规则排列的具有亚波长或深亚波长尺寸的金属谐振单元阵列构成的人工电磁材料, 具有自然材料所不具备的超常物理性质, 能够以一定的方式操控电磁波. 超材料对周围环境介电性质的改变具有敏感特性, 且对入射电磁场的局域性增强具有很强的光谱特性[8−10], 当外围环境的介电特性发生改变时, 太赫兹波通过超材料后的谐振特性(谐振幅度、谐振频率等)会随之发生变化, 因此通过观察或测定该变化, 可以实现对超材料周围非线性物质的探测和对极少量待测物的选择.太赫兹超材料吸波器[11−13]作为太赫兹超材料的一种典型结构, 在完美吸收体、传感器、成像系统、热辐射器等领域发挥着重要的作用. 自太赫兹超材料吸波器被广泛应用于实现对待测生物分析物的传感检测后, 研究人员一直致力于不断提高太赫兹超材料吸波器的品质因数Q、折射率灵敏度、* 国家自然科学基金(批准号: 51965047)、内蒙古自然科学基金(批准号: 2018MS06007)和内蒙古大学 2018 年高层次人才引进科研启动项目(批准号: 21700-5185128, 21700-5185131)资助的课题.† 通信作者. E-mail: wangjunlin@© 2021 中国物理学会 Chinese Physical Society FOM (figure of merit)值等各项传感特性指标. 首先, 从改变超材料表面金属谐振单元结构出发[14−22],考虑引入LC 谐振、偶极子谐振、四偶极子谐振、Fano 谐振、类电磁诱导透明效应等, 产生更加尖锐的谐振峰, 进而提高传感器的品质因数Q ; 其次,从改变介质材料和介质层形态出发[23−32], 减小介质层效应, 进而提高传感器的灵敏度; 此外, 通过设计合适的谐振单元结构, 实现具有多谐振峰的超材料吸波器[33,34], 实现传感器与待测物质之间特征频率的多点匹配, 增加反映被测物质差异的信息量, 提高物质探测的精确度和灵敏度.为了改善超材料吸波器作为折射率传感器的传感能力, 本文拟从改变介质层材料和形态出发,基于开口谐振环单元阵列设计实现具有连续介质层、非连续介质层和微腔结构等3款可工作于太赫兹频段的超材料吸波器. 基于电磁仿真软件, 首先对太赫兹超材料吸波器的吸收特性进行数值计算,其次通过考察超材料吸波器对金属谐振单元阵列周围的待测物质参数响应的变化, 验证其作为折射率传感器的可行性, 最后通过数值计算对超材料吸波器的传感特性进行深入比较. 通过对具有连续介质层的太赫兹超材料吸波器谐振场分布的仿真研究, 深入分析了超材料吸波器作为折射率传感器的传感机理, 揭示了各类超材料吸波器传感特性存在差异的内在原因. 与传统的具有连续介质层的太赫兹超材料吸波器相比, 基于非连续介质层和微腔结构的超材料吸波器具有更优越的传感特性, 可应用于对待测物质的高灵敏度、快速检测, 在未来的传感领域具有更加广阔的应用前景.2 具有连续介质层的太赫兹超材料吸波器2.1 结构设计与仿真σ=5.8×107S /m εr =3.5基于连续介质层和金属开口谐振环阵列的太赫兹超材料吸波器的结构示意图如图1所示, 该超材料吸波器具有典型的“三明治”结构, 即自下向上分别由底层的连续金属层、中间的连续介质层和顶层的金属开口谐振环阵列构成. 其中, 底层的连续金属层和顶层的开口谐振环阵列的材料均采用金属铜(电导率 ), 而中间的连续介质层采用无损的柔性聚酰亚胺(polyimide, PI) 材料(相对介电常数 ).x 采用基于有限元法的电磁仿真软件的频域求解器对该太赫兹超材料吸波器的结构进行仿真优化. 在仿真过程中, 太赫兹波垂直入射到超材料吸波器表面, 波矢量k 沿着z 轴方向, 电场E 沿着 轴方向, 而磁场H 沿着y 轴方向. 另外, 在x -y 平面上设置周期性的边界条件, z 平面上设置开放性的边界条件, 以此来模拟无限周期阵列.L 1L 2L 3L 4W 1H m =2f 0当太赫兹波垂直入射, 且基于开口谐振环阵列的太赫兹超材料吸波器取如下优化的结构参数, 即= = 230 µm, = = 112.5 µm, =12 µm, H r = 0.3 µm, 结构单元周期为P = 250 µm,中间介质层的厚度为H d = 25 µm, 底层金属底板的厚度为 µm, 对应的吸收特性曲线如图2所示. 该超材料吸波器在 = 0.183 THz 处产生了一个吸收率为99.97%的吸收峰, 实现了对入射太赫兹波的“完美”吸收. 就谐振带宽而言, 该太赫兹超材料吸波器的谐振峰半高宽 (full width half( )21 134r( )( )图 1 基于连续介质层和金属开口谐振环阵列的太赫兹超材料吸波器的结构示意图Fig. 1. Schematic diagram of THz MM absorber based on continuous dielectric layer and metallic split-ring resonator array.1.00.80.60.40.2A b s o r p t i o n00.10.20.30.4Frequency/THz图 2 具有连续介质层的太赫兹超材料吸波器的吸收特性仿真曲线Fig. 2. Simulated absorption characteristic curve of THz MM absorber with continuous dielectric layer.Q (f 0)=f 0/FWHM f 0Q (f 0)maximum, FWHM)为9.3 GHz. 通常, 品质因数Q 反映了传感器的谐振特性, 即谐振峰越尖锐, 其对应的Q 值越大, 传感器的灵敏度也越高. 此外, Q 值也决定了传感器的分辨率, Q 值越大, 传感器的分辨率也越高. 传感器的品质因数Q 可定义为, 其中 为谐振峰的谐振频率.对于该太赫兹超材料吸波器来说, 谐振峰所对应的品质因数为 = 19.7, 较高的品质因数说明了该太赫兹超材料吸波器具有较强的频率选择性.y x 为了进一步理解该太赫兹超材料吸波器的谐振机理, 数值仿真研究了谐振频率处的表面电场、表面电流及 = 0截面的电场和 = 0截面的磁场分布. 如图3(a)所示, 谐振频率处开口谐振环的表面电流主要集中在左右两个边缘处, 且电荷在上下两个端点处交替积累, 说明该谐振峰源于开口谐振环中的电偶极子谐振. 从图3(b)可以看出, 谐振频率处的表面电场主要分布在开口谐振环的上下两端, 而这两端正是图3(a)所示的电荷累积的地方, 因此, 图3(a)所示的表面电流分布与图3(b)所示的表面电场分布实现了良好的吻合.y x 虽然, 开口谐振环阵列可对入射电磁场产生强烈谐振, 实现对谐振电磁场的局域增强, 然而, 从谐振频率处 = 0截面的电场和 =0截面的磁场分布可以看到(如图4(a)和图4(b)所示), 对于具有连续介质层和金属开口谐振环阵列的超材料吸波器来说, 有很大一部分谐振电磁场被局限在了中间介质层的内部, 而这部分谐振场很难与涂覆于金属谐振单元阵列表面的待测分析物充分接触, 因此对由待测分析物改变而引起的周围环境介电性质的改变缺乏敏感性.2.2 传感特性与传感机理研究为研究该太赫兹超材料吸波器作为传感器对待测分析物参数的电磁响应特性, 将待测分析物涂覆于超材料吸波器的金属谐振单元阵列表面, 并对其参数变化时的吸收特性进行一系列仿真分析.10(a)S u r f a c e c u r r e n t /(103 A S m -1)987654321010(b)S u r f a c e e l e c t r i c /(105 V S m -1)9876543210图 3 (a) 谐振频率处的表面电流分布; (b) 谐振频率处的表面电场分布Fig. 3. (a) Surface current distribution at the resonance frequency; (b) surface electric field distribution at the resonance frequency.(a)40E l e c t r i c f i e l d /(104 V S m -1)3632282420161284010M a g n e t i c f i e l d /(102 A S m -1)9876543210y x 图 4 (a) 谐振频率处 = 0 截面的电场分布; (b) 谐振频率处 = 0 截面的磁场分布y x Fig. 4. (a) Electric field distribution at cross section of = 0 at the resonance frequency; (b) magnetic field distribution at cross section of = 0 at the resonance frequency.S (f )=d f /d n d f =f −f 1f 1d n S (f )由于许多生物分子的折射率都处在1.0—2.0范围内, 因此, 在整个仿真过程中将待测生物分析物的折射率范围设定为1.0—1.8. 当涂覆于超材料吸波器表面的待测分析物的厚度固定为H a = 0.3 µm (金属开口谐振环阵列的高度, 恰好将金属开口谐振环阵列浸没于待测分析物中)不变, 而折射率从n = 1增加到n = 1.8, 该太赫兹超材料吸波器的谐振频率发生明显红移(如图5所示). 通常, 传感器的折射率频率灵敏度定义为 , 其中, 表示传感器谐振频率的变化(f 为超材料吸波器表面涂覆具有不同折射率的待测分析物后所对应的谐振频率, 为待测分析物为折射率n = 1的空气时所对应的谐振频率); 表示待测分析物折射率的变化. 如图6所示, 当待测分析物的厚度固定为H a = 0.3 µm 时, 而折射率以0.1为间隔从n = 1增加到n = 1.8时, 该太赫兹超材料吸波器所对应的折射率频率灵敏度 为8.6 GHz/RIU, 其中RIU (refractive index unit)代表单位折射率.1.00.80.60.40.200.10Frequency/THzA b s o r p t i o n0.15=1.0 =1.1 =1.2 =1.3 =1.4 =1.5 =1.6 =1.7 =1.80.200.25图 5 在分析物折射率从n = 1变化到n = 1.8时具有连续介质层的太赫兹超材料吸波器的吸收特性仿真曲线Fig. 5. Simulated absorption characteristic curves of THz MM absorber with continuous dielectric layer under ana-lyte refractive index changes from n = 1 to n = 1.8.S FOM =S /FWHM S 为了对工作在不同频段的传感器性能进行更加合理的比较, 通常采用FOM 值对传感器特性进行描述, 当传感器的灵敏度 相同时, FOM 值越大, 则传感器的性能越好. FOM 值可定义为 , 其中 表示传感器的折射率频率灵敏度. 对于该太赫兹超材料吸波器来说, FOM = 0.92.由此可见, 基于连续介质层和开口谐振环阵列的太赫兹超材料吸波器可以作为折射率传感器实现对涂覆于其表面具有不同折射率的待测分析物的传感检测, 但是从其对应的折射率频率灵敏度S (f ) 和FOM 值可以看出, 该传感器的检测灵敏度有限, 其传感性能仍有待提升. 究其原因, 主要是由于该太赫兹超材料吸波器的谐振电磁场大部分被紧密束缚在中间介质层中(如图4所示), 只有延伸到超材料吸波器谐振单元阵列表面的边缘场才能与待测分析物充分接触, 发生传感现象, 而这部分场的强度直接决定了传感器的灵敏度.εr S (f )εr S (f )为了提高该太赫兹超材料吸波器的折射率频率灵敏度, 在所有参数均保持不变的情况下, 仅改变中间介质层的材料, 则传感器的折射率频率灵敏度发生了明显改变, 如图7所示. 当中间介质层材料为相对介电常数 = 4.4的FR-4时, 折射率频率灵敏度 = 8.3 GHz/RIU, 而当中间介质层材料为相对介电常数 = 2.68的PDMS 时, 折射率频率灵敏度 = 15.2 GHz/RIU, 实现了灵敏76543211.01.11.2Refractive indexSimulation Linear fitting:( )=8.6 GHz/RIUF r e q u e n c y s h i f t /GH z1.31.41.51.61.71.81.9图 6 在分析物折射率从n = 1变化到n = 1.8时具有连续介质层的太赫兹超材料吸波器的谐振频率偏移及其线性拟合Fig. 6. Resonance frequency shifts and linear fitting of THz MM absorber with continuous dielectric layer under ana-lyte refractive index changes from n = 1 to n = 1.8.121086420Linear fitting of r =2.68 ( )=15.2 GHz/RIU Linear fitting of r =3.50 ( )=8.6 GHz/RIU Linear fitting of r =4.40 ( )=8.3 GHz/RIUF r e q u e n c y s h i f t /GH z1.01.1 1.2Refractive index1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9图 7 介质层材料的相对介电常数变化对传感器折射率频率灵敏度的影响Fig. 7. Influence of relative permittivity of dielectric layer material on the refractive index frequency sensitivity of the sensor.度的大幅提升. 中间介质层材料的介电常数越小(折射率越低), 则对谐振场的束缚越小, 因此有更多的谐振场扩展到了开口谐振环阵列表面, 实现了与待测分析物的充分接触, 提高了传感器的灵敏度.以上仿真分析已经验证了所设计的基于连续介质层的太赫兹超材料吸波器对涂覆于其表面的待测分析物的折射率存在不同的电磁响应, 下面通过仿真分析深入探讨该太赫兹超材料吸波器的最大探测范围, 即可以检测的被测分析物的最大厚度.S (f )S (f )如图8和图9所示: 当涂覆于超材料吸波器表面的待测分析物的厚度H a 从0.3 µm (金属开口谐振环阵列的高度, 恰好将金属开口环谐振阵列浸没于待测分析物中)逐渐增大到25 µm, 待测分析物与超材料吸波器表面的边缘场从部分接触逐步实现了充分的全接触, 于是太赫兹超材料吸波器的折射率频率灵敏度 从8.6 GHz/RIU 呈指数趋势增大到34.8 GHz/RIU; 然而, 超材料吸波器周围的谐振场属于近场, 超过一定的空间范围后, 远离超材料表面的谐振场将呈指数下降. 因此, 当待测分析物的厚度H a 从25 µm 继续增大到80 µm, 该太赫兹超材料吸波器的折射率频率灵敏度 从34.8 GHz/RIU 小幅增加到36.2 GHz/RIU, 并逐渐趋于饱和, 即对待测分析物的厚度已不再敏感.353025201510501.01.11.2Refractive indexa =0.3 m m a =3.0 m m a =12.5 m m a =25.0 m m a =55.0 m m a =80.0 m mF r e q u e n c y s h i f t /GH z1.31.41.51.61.71.81.9图8 在分析物厚度不同条件下, 分析物折射率从n = 1变化到n = 1.8时具有连续介质层的太赫兹超材料吸波器的谐振频率偏移Fig. 8. Resonance frequency shifts of THz MM absorber with continuous dielectric layer under analyte refractive in-dex changes from n = 1 to n = 1.8 for different thicknessesof the analyte.因此, 对于该太赫兹超材料吸波器而言, 为获得较高的传感灵敏度, 应根据实际需要选择在金属谐振单元阵列表面涂覆较厚的待测分析物, 但是并不意味着折射率频率灵敏度会随着分析物厚度的增大而无限制的增大下去, 当待测分析物的厚度为80 µm 时, 可以获得很高的传感灵敏度.3 具有非连续介质层的太赫兹超材料吸波器3.1 结构设计与仿真基于对具有连续介质层的太赫兹超材料吸波器的传感特性与机理的深入分析, 我们知道, 连续介质层对谐振电磁场的强烈束缚, 限制了谐振电磁场与被测分析物之间的相互作用, 最终影响了太赫兹超材料吸波器作为传感器的折射率频率灵敏度.虽然通过选用相对介电常数(折射率)较低的材料作为中间介质层, 可以在一定程度上改善传感器的灵敏度, 但是其作用仍然有限.为了进一步提升太赫兹超材料吸波器的折射率频率灵敏度, 减小中间介质层对谐振电磁场的束缚, 增强谐振电磁场与被测分析物之间的相互作35403025201510502040Analyte thickness/m mR e f r a c t i v e i n d e x s e n s i t i v i t y /(G H z S R I U -1)608010012080604020002040Analyte thickness/m mR e f r a c t i v e i n d e x s e n s i t i v i t y /(G H z S R I U -1)6010080图 9 选用连续介质层的太赫兹超材料吸波器作为传感器时, 被测分析物厚度对传感器折射率频率灵敏度的影响Fig. 9. Influence of the thickness of the analyte to be meas-ured on the refractive index frequency sensitivity of the sensor for the THz MM absorber with continuous dielectric layer.用, 实现两者之间的紧密耦合, 提出了具有非连续介质层的太赫兹超材料吸波器结构, 如图10所示,该超材料吸波器自下向上分别由底层的连续金属层、中间的非连续介质层和顶层的金属开口谐振环阵列构成, 其中非连续介质层与金属开口谐振环阵列的形状完全相同. 该太赫兹超材料吸波器所采用的材料和对应的结构参数与具有连续介质层的太赫兹超材料吸波器完全一致, 两者之间的唯一区别仅在于介质层的形态不同.f 0Q (f 0)Q 如图11所示, 当太赫兹波垂直入射时, 具有非连续介质层的太赫兹超材料吸波器在 =0.245 THz 处产生了1个吸收率为93.3%的吸收峰, 对应的谐振峰半高宽FWHM 为13 GHz, 对应的品质因数为 = 18.8. 与图2所示的具有连续介质层的太赫兹超材料吸波器的吸收特性曲线相比, 该太赫兹超材料吸波器的谐振峰发生了蓝移, 吸收率有所下降, 谐振峰半高宽FWHM 增大,品质因数 小幅减小, 这主要源于本设计所采用的不连续介质层. 由于中间介质层的不连续, 使得原来局限在连续介质层当中的谐振电磁场发生了泄漏, 因此影响了该太赫兹超材料吸波器的吸收特性.3.2 传感特性与传感机理研究当涂覆于超材料吸波器表面的待测分析物的厚度固定为H a = 25.3 µm (中间介质层的高度与金属开口谐振环阵列的高度之和, 恰好将金属开口谐振环阵列浸没于待测分析物中)不变, 而折射率从n = 1增加到n = 1.8, 如图12所示, 该太赫兹超材料吸波器的谐振频率发生明显红移, 对应的吸收率逐渐增大. 当分析物折射率为n = 1.8时, 与具有连续介质层的太赫兹超材料吸波器一样, 实现了对入射电磁波的“完美”吸收.S (f )=65.8GHz /RIU ,如图13所示, 当待测分析物的厚度固定为H a = 25.3 µm, 而折射率以0.1为间隔从n = 1增加到n = 1.8时, 该太赫兹超材料吸波器所对应的折射率频率灵敏度 FOM =( ) ( )( )图 10 基于非连续介质层和金属开口谐振环阵列的太赫兹超材料吸波器的结构示意图Fig. 10. Schematic diagram of THz MM absorber based on discontinuous dielectric layer and metallic split-ring reson-ator array.1.00.80.60.40.2A b s o r p t i o n00.10.20.30.50.4Frequency/THz图 11 具有非连续介质层的太赫兹超材料吸波器的吸收特性仿真曲线Fig. 11. Simulated absorption characteristic curve of THz MM absorber with discontinuous dielectric layer.1.00.80.60.40.200.10Frequency/THzA b s o r p t i o n0.15 =1.0 =1.1 =1.2 =1.3 =1.4 =1.5 =1.6 =1.7 =1.80.250.350.200.30图 12 在分析物折射率从n = 1变化到n = 1.8时具有非连续介质层的太赫兹超材料吸波器的吸收特性仿真曲线Fig. 12. Simulated absorption characteristic curves of THz MM absorber with discontinuous dielectric layer under ana-lyte refractive index changes from n = 1 to n = 1.8.6050403020101.01.11.2Refractive indexSimulation Linear fitting:( )=65.8 GHz/RIUF r e q u e n c y s h i f t /GH z1.3 1.4 1.5 1.6 1.71.81.9图 13 在分析物折射率从n = 1变化到n = 1.8时具有非连续介质层的太赫兹超材料吸波器的谐振频率偏移及其线性拟合Fig. 13. Resonance frequency shifts and linear fitting of THz MM absorber with discontinuous dielectric layer un-der analyte refractive index changes from n = 1 to n = 1.8.S (f )5.06, 远高于具有连续介质层的太赫兹超材料吸波器的折射率频率灵敏度 = 8.6 GHz/RIU 和FOM = 0.92. 由此可见, 所设计的基于非连续介质层与开口谐振环阵列的太赫兹超材料吸波器可以作为折射率传感器实现对涂覆于其表面的待测分析物的高灵敏度传感检测.S (f )H a S (f )S (f )如图14和图15所示: 当涂覆于超材料吸波器表面的待测分析物的厚度H a 从12.5 µm (中间介质层高度的一半)增大到25 µm (中间介质层的高度), 继续增大到25.3 µm (中间介质层的高度与金属开口谐振环阵列的高度之和, 恰好将金属开口谐振环阵列浸没于待测分析物中), 直到50 µm 时,待测分析物与超材料吸波器的边缘场从部分接触逐步实现了紧密的全接触, 于是太赫兹超材料吸波器的折射率频率灵敏度 从12.75 GHz/RIU 呈指数趋势增大到102.4 GHz/RIU; 同样, 由于远离超材料吸波器表面的谐振场呈指数下降, 因此, 当待测分析物的厚度 从50 µm 继续增大到100 µm,该太赫兹超材料吸波器的折射率频率灵敏度 逐渐趋于饱和, 基本保持在 = 105.2 GHz/RIU 不变. 对于该太赫兹超材料吸波器而言, 为获得较高的传感灵敏度, 应根据实际需要选择在其表面涂覆厚度大于中间介质层高度与金属开口谐振环阵列高度之和的待测分析物. 当待测分析物的厚度为80 µm 时, 即可获得很高的传感灵敏度, 之后待测分析物的厚度继续增加, 不会再对其传感灵敏度产生明显影响.仿真结果表明, 基于连续介质层与非连续介质层的太赫兹超材料吸波器对待测分析物的最大探测厚度基本都可以达到80 µm. 对基于连续介质层和非连续介质层的太赫兹超材料吸波器在不同待测分析物厚度情况下的折射率频率灵敏度进行比较会发现(比较图9和图15), 当待测分析物厚度较薄(H a ≤12.5 µm)时, 选用具有连续介质层的太赫兹超材料吸波器作为传感器可获得更高的灵敏度, 而当待测分析物厚度较厚(H a ≥25 µm), 选用具有非连续介质层的太赫兹超材料吸波器作为传感器获得的传感灵敏度会更高.4 具有微腔结构的太赫兹超材料吸波器4.1 结构设计与仿真为了进一步减小介质层对谐振场的束缚, 增强谐振场与被测分析物之间的相互作用, 提升太赫兹超材料吸波器的折射率频率灵敏度, 提出具有微腔结构的太赫兹超材料吸波器, 如图16所示. 该超材料吸波器自下向上分别由底层的连续金属板、中间的微腔结构、顶层的金属开口谐振环阵列和支撑层构成. 所谓的微腔结构其实就是在底层的连续金属板与顶层的支撑层之间形成的微米级别的空隙,填充到微腔结构中的待测分析物可充当该太赫兹超材料吸波器的中间介质层. 该太赫兹超材料吸波器所采用的材料和对应的结构参数仍然与具有连续介质层的太赫兹超材料吸波器保持完全一致, 且1008060402001.01.1 1.2Refractive indexa =12.5 m m a =25.0 m m a =25.3 m m a =28.0 m m a =50.0 m m a =80.0 m m a=100.0 m mF r e q u e n c y s h i f t /GH z1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9图 14 在分析物厚度不同条件下, 分析物折射率从n = 1变化到n = 1.8时具有非连续介质层的太赫兹超材料吸波器的谐振频率偏移Fig. 14. Resonance frequency shifts of THz MM absorber with discontinuous dielectric layer under analyte refractive index changes from n = 1 to n = 1.8 for different thick-nesses of the analyte.10012080604020002040Analyte thickness/m mR e f r a c t i v e i n d e x s e n s i t i v i t y /(G H z S R I U -1)6010080图 15 选用非连续介质层的太赫兹超材料吸波器作为传感器时, 被测分析物厚度对传感器折射率频率灵敏度的影响Fig. 15. Influence of the thickness of the analyte to be measured on the refractive index frequency sensitivity of the sensor for the THz MM absorber with discontinuous dielectric layer.金属谐振单元阵列的下表面与底层连续金属层之间的距离设置为H d = 25 µm.f 0Q (f 0)Q 如图17所示, 当太赫兹波垂直入射时, 该太赫兹超材料吸波器在 = 0.277 THz 处产生了1个吸收率为86.6%的吸收峰, 对应的谐振峰半高宽FWHM 为15 GHz, 品质因数为 = 18.4.与图2和图11所示的太赫兹超材料吸波器的吸收特性曲线相比, 该太赫兹超材料吸波器的谐振峰发生蓝移, 吸收率下降, 谐振峰半高宽FWHM 增大,品质因数 小幅减小, 这样的差异源于仿真过程中在金属谐振单元阵列与底层连续金属层之间未填充任何物质, 因此影响了该太赫兹超材料吸波器的吸收特性.4.2 传感特性与传感机理研究充当中间介质层的待测分析物厚度固定为H a = 25.3 µm (金属开口谐振环阵列的上表面与底面连续金属板之间的高度, 恰好将金属谐振环阵列浸没于待测分析物中)不变, 而折射率从n = 1增加到n = 1.8, 如图18所示, 该太赫兹超材料吸波器的谐振频率同样发生明显红移, 对应的吸收率逐渐增大. 当分析物折射率为n = 1.8时, 实现了对入射电磁波的“完美”吸收.1.00.80.60.40.200.10Frequency/THzA b s o r p t i o n0.15 =1.0 =1.1 =1.2 =1.3 =1.4 =1.5 =1.6 =1.7 =1.80.250.400.350.200.30图 18 分析物折射率从n = 1变化到n =1.8时具有微腔结构的太赫兹超材料吸波器的吸收特性仿真曲线Fig. 18. Simulated absorption characteristic curve of THz MM absorber with microcavity structure under analyte re-fractive index range from n = 1 to n = 1.8.S (f )如图19所示, 当待测分析物的厚度固定为H a = 25.3 µm, 而折射率以0.1为间隔从n = 1增加到n = 1.8时, 该太赫兹超材料吸波器所对应的折射率频率灵敏度 = 101.5 GHz/RIU,FOM = 6.77, 远高于具有连续介质层和非连续介质层的太赫兹超材料吸波器的折射率频率灵敏度.对于该太赫兹超材料吸波器来说, 待测分析物充当了中间介质层, 当待测分析物的厚度为H a =25.3 µm 时, 金属开口谐振环阵列完全浸没于待测分析物中, 原本局限于中间介质层中的谐振电磁场与待测分析物实现了空间上的完全重叠, 因此, 与前两种太赫兹超材料吸波器相比, 待测分析物作为( )Top supportlayerAnalyte to be measured( )( )图 16 待测分析物充当介质层的太赫兹超材料吸波器的结构示意图Fig. 16. Schematic diagram of THz MM absorber whose analyte to be measured acts as dielectric layer.1.00.80.60.40.2A b s o r p t i o n00.150.250.200.300.350.40Frequency/THz图 17 未填充待测分析物的太赫兹超材料吸波器的吸收特性仿真曲线Fig. 17. Simulated absorption characteristic curve of THz MM absorber without filling the analyte to be measured.6070809050403020101.01.11.2Refractive indexSimulation Linear fitting:( )=101.5 GHz/RIU F r e q u e n c y s h i f t /G H z1.31.41.51.61.71.81.9图 19 分析物折射率从n = 1变化到n = 1.8时具有微腔结构的太赫兹超材料吸波器的谐振频率偏移及其线性拟合Fig. 19. Resonance frequency shifts and linear fitting of THz MM absorber with microcavity structure under ana-lyte refractive index changes from n = 1 to n = 1.8.。

《太赫兹超材料设计仿真及其传感特性研究》范文

《太赫兹超材料设计仿真及其传感特性研究》范文

《太赫兹超材料设计仿真及其传感特性研究》篇一一、引言随着科技的不断进步,太赫兹波(THz wave)技术在诸多领域如通信、生物医学、安全检测等逐渐显现出其重要价值。

太赫兹超材料(Terahertz Metamaterials)作为调控太赫兹波的重要工具,近年来得到了广泛的研究和关注。

本文旨在设计并仿真太赫兹超材料,研究其传感特性,以期为相关应用提供理论依据和技术支持。

二、太赫兹超材料设计1. 设计原理太赫兹超材料设计基于亚波长尺度下的人工结构单元,通过调整结构单元的尺寸、形状和排列方式,实现对太赫兹波的特殊响应。

设计过程中需遵循电磁场理论、传输线理论等基本原理,结合计算机仿真软件进行模拟验证。

2. 结构单元设计在太赫兹超材料设计中,结构单元的设计至关重要。

本文设计了一种新型的开口环谐振器(Split-Ring Resonators, SRRs)结构,通过调整开口环的尺寸、间距和排列方式,实现对太赫兹波的精确调控。

此外,还设计了其他多种结构单元进行对比分析。

3. 仿真方法本文采用时域有限差分法(Finite-Difference Time-Domain, FDTD)进行仿真分析。

通过建立三维模型,设置合适的边界条件和激励源,模拟太赫兹波在超材料中的传播特性。

此外,还利用电磁场仿真软件对结构单元的电磁响应进行了仿真分析。

三、太赫兹超材料传感特性研究1. 传感原理太赫兹超材料的传感特性主要基于其特殊的电磁响应。

当太赫兹波与超材料相互作用时,其电磁场与超材料中的结构单元发生耦合,产生特定的共振效应。

通过测量共振频率、振幅等参数,可以实现对物质特性的检测和传感。

2. 实验方法实验中,我们采用太赫兹时域光谱技术(Terahertz Time-Domain Spectroscopy, THz-TDS)对太赫兹超材料的传感特性进行测量。

通过将超材料样品置于太赫兹波束中,测量透射、反射等信号,获取样品的太赫兹光谱数据。

人工电磁材料太赫兹吸波器等效电路的研究

人工电磁材料太赫兹吸波器等效电路的研究

人工电磁材料太赫兹吸波器等效电路的研究人工电磁材料太赫兹吸波器等效电路的研究随着太赫兹技术的不断发展,太赫兹波在通信、成像、安检等领域得到了广泛应用。

然而,太赫兹波的穿透能力弱,易被吸收,因此如何提高太赫兹波的传输效率成为了研究的热点之一。

人工电磁材料太赫兹吸波器是一种有效的解决方案,其等效电路的研究对于太赫兹波的传输和应用具有重要意义。

人工电磁材料是一种具有特殊电磁性质的材料,其电磁参数可以通过设计和制备来实现对电磁波的控制。

太赫兹波的频率范围在0.1~10 THz之间,这个频率范围正好处于电磁波和微波之间,因此太赫兹波的传输和应用具有很多特殊性质。

人工电磁材料太赫兹吸波器是一种利用人工电磁材料的特殊性质来实现对太赫兹波的吸收和反射的装置。

人工电磁材料太赫兹吸波器的等效电路是指将人工电磁材料太赫兹吸波器抽象成一个电路模型,通过电路模型来分析和设计太赫兹吸波器的性能。

人工电磁材料太赫兹吸波器的等效电路模型可以分为两种类型:RLC电路模型和传输线电路模型。

RLC电路模型是将人工电磁材料太赫兹吸波器抽象成一个由电阻、电感和电容组成的电路模型。

这种电路模型简单易懂,可以通过改变电阻、电感和电容的参数来实现对太赫兹波的吸收和反射。

但是,这种电路模型只适用于简单的太赫兹吸波器,对于复杂的太赫兹吸波器无法进行精确的建模和分析。

传输线电路模型是将人工电磁材料太赫兹吸波器抽象成一个由传输线和阻抗组成的电路模型。

这种电路模型可以更加精确地描述太赫兹吸波器的性能,可以通过改变传输线的参数来实现对太赫兹波的吸收和反射。

但是,这种电路模型相对于RLC电路模型更加复杂,需要更高的数学和物理知识。

人工电磁材料太赫兹吸波器等效电路的研究对于太赫兹波的传输和应用具有重要意义。

通过等效电路模型的分析和设计,可以实现对太赫兹波的精确控制,提高太赫兹波的传输效率和应用效果。

未来,随着太赫兹技术的不断发展,人工电磁材料太赫兹吸波器等效电路的研究将会越来越受到关注,成为太赫兹技术研究的重要方向之一。

《太赫兹超材料高灵敏度生物传感器研究》范文

《太赫兹超材料高灵敏度生物传感器研究》范文

《太赫兹超材料高灵敏度生物传感器研究》篇一一、引言随着科技的不断发展,生物传感器已成为生物医学、生物工程和医疗诊断等领域不可或缺的装置。

太赫兹超材料因其独特的物理性质,在传感器技术中展现出了巨大的应用潜力。

本文旨在研究太赫兹超材料高灵敏度生物传感器的设计、制备及其在生物医学中的应用。

二、太赫兹超材料概述太赫兹(THz)波是一种电磁波,其频率介于微波与红外线之间。

太赫兹超材料是一种具有特殊电磁性质的人工结构材料,能够控制太赫兹波的传播和散射。

其独特的物理性质使得太赫兹超材料在传感器、通信和成像等领域具有广泛的应用前景。

三、高灵敏度生物传感器设计1. 材料选择:选用具有高灵敏度和稳定性的太赫兹超材料作为传感器的基础材料。

2. 结构设计:设计合理的传感器结构,包括超材料的排列方式、厚度、尺寸等,以优化传感器的性能。

3. 制备工艺:采用先进的微纳加工技术,制备出高质量的太赫兹超材料生物传感器。

四、传感器制备与性能测试1. 制备过程:详细描述传感器的制备过程,包括材料准备、结构设计、加工工艺等。

2. 性能测试:对制备出的生物传感器进行性能测试,包括灵敏度、响应时间、稳定性等。

实验结果表明,该生物传感器具有高灵敏度和良好的稳定性。

五、生物医学应用1. 生物分子检测:利用太赫兹超材料生物传感器检测生物分子,如蛋白质、DNA等。

通过测量太赫兹波的散射或吸收变化,实现对生物分子的高灵敏度检测。

2. 细胞成像:将太赫兹超材料生物传感器应用于细胞成像,通过测量细胞对太赫兹波的响应,实现对细胞的非侵入性检测和成像。

3. 疾病诊断:利用太赫兹超材料生物传感器检测生物标志物,实现疾病的早期诊断和监测。

例如,通过检测肿瘤标志物,实现对肿瘤的早期发现和评估。

六、结论本文研究了太赫兹超材料高灵敏度生物传感器的设计、制备及其在生物医学中的应用。

实验结果表明,该生物传感器具有高灵敏度和良好的稳定性,可应用于生物分子的检测、细胞成像以及疾病诊断等领域。

《太赫兹超材料设计仿真及其传感特性研究》范文

《太赫兹超材料设计仿真及其传感特性研究》范文

《太赫兹超材料设计仿真及其传感特性研究》篇一一、引言随着科技的发展,太赫兹(THz)波段的超材料技术已经成为了科学研究的重要领域。

太赫兹波段因其特殊的物理特性,在安全检测、医疗诊断、无损检测等多个领域具有广泛的应用前景。

本文将探讨太赫兹超材料的设计仿真及其传感特性的研究,旨在为相关领域的研究和应用提供理论支持。

二、太赫兹超材料设计仿真1. 设计原理太赫兹超材料是一种具有特殊电磁特性的材料,其设计原理主要基于电磁场理论及光学原理。

通过合理设计材料的结构,如改变材料的形状、尺寸和排列方式等,可以实现太赫兹波的操控和转换。

在设计中,需要考虑材料的基本性质、工作环境及目标性能等因素。

2. 仿真方法为了验证设计的可行性,需要采用仿真软件进行模拟分析。

目前常用的仿真软件包括COMSOL、ANSYS等。

在仿真过程中,需要建立准确的模型,并设定合适的边界条件和参数。

通过分析仿真结果,可以预测太赫兹超材料的性能和特点,为后续的实验研究提供依据。

三、太赫兹超材料的传感特性研究1. 传感原理太赫兹超材料具有独特的传感特性,其传感原理主要基于太赫兹波的传输和反射特性。

通过测量太赫兹波的传播速度、强度和相位等信息,可以实现对物质性质的感知和识别。

在传感过程中,需要考虑物质的吸收、散射及太赫兹波与物质的相互作用等因素。

2. 传感特性分析通过对不同设计的太赫兹超材料进行实验研究,可以分析其传感特性。

例如,可以研究不同结构参数对传感性能的影响,以及在不同环境下的传感性能变化等。

此外,还可以通过与其他传感器进行比较,评估太赫兹超材料的优势和局限性。

四、实验结果与讨论1. 实验结果通过设计仿真和实验研究,我们得到了不同设计的太赫兹超材料的传感特性数据。

实验结果表明,合理设计的太赫兹超材料具有优异的传感性能,能够实现对物质性质的快速、准确感知。

同时,我们还发现不同环境因素对太赫兹超材料的传感性能有一定影响。

2. 讨论与展望从实验结果来看,太赫兹超材料在传感领域具有广泛的应用前景。

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[7]
太赫兹辐射通常指频率在 0.1—10 THz 范围内 的电磁波. 太赫兹辐射具有非电离性, 许多复杂的 分子在太赫兹频段具有自旋和振动模式, 使其在 生物学、 传感技术和安全监测应用中有广阔的前 景
[1−4]
. 然而, 光子波长和待测样品尺寸不匹配及
有效光源的缺乏等问题极大限制了太赫兹技术向 更加广泛的应用发展的进程 [5,6] . 由于自然界的材 料对 THz 波缺乏响应, 研究人员尝试将超材料应用 于 THz 器件的研究. 超材料是一种人工复合材料, 具有许多天然材 料所不具备的超常物理性质, 如负折射率现象 负电磁参数 位调制器
( 2014 年 12 月 3 日收到; 2015 年 1 月 7 日收到修改稿 )
利用超材料吸波体对材料参数的电磁响应, 可将其应用于传感. 本文设计了一种工字形单元结构的超材 料吸波体, 基于频域算法对其在太赫兹频段的传感特性进行数值模拟, 研究了待测样品折射率、 厚度及电介质 隔层厚度对超材料吸波体传感器的频率灵敏度、 振幅灵敏度及品质因数的影响. 研究结果表明: 当待测样品 厚度为 40 µm 时, 折射率频率灵敏度可达到 153.17 GHz/RIU, 折射率振幅灵敏度可达到 41.37%/RIU; 待测 样品折射率一定时, 厚度频率灵敏度随其厚度的增大而线性减小; 随着待测样品厚度的增加, RFOM 呈增大 趋势, 但增大幅度在逐渐减小; TFOM 随待测样品厚度的增加而减小.
1.0 (b) 0.8 Ԧ࠱૝ࣨ 0.6 0.4 0.2 0 0.3 t=5 mm t=15 mm t=25 mm t=35 mm t=45 mm 0.4 0.5 0.6 ᮠဋ/THz 0.7 0.8 0.9
2 工字形吸波体传感应用的可行性
我们设计的工字形吸波体结构单元如图 1 所 示. 吸波体由四层结构组成, 由上到下依次为: 金 工字形, 聚酰亚胺隔离层, 硅基底, 金基板. 材料参 数为: 金的电导率为 4.561 × 107 S/m, 厚度为 200 nm; 聚酰亚胺的介电常数为 3.1+0.217 i; 硅的介电 常数为 11.9+0.0476 i, 厚度为 500 µm. 图中结构参 数分别为: 金条宽度 w 为 15 µm, a 为 150 µm, b 为 120 µm, c 为 80 µm. 利用仿真软件 CST 微波工作 室的频域求解器对所设计的超材料吸波体进行全 波仿真, 单元结构的 x 和 y 方向设为周期边界条件,
度取不同值时反射谱随频率的变化关系 Fig. 2. (color online) (a) Reflectance spectra on the dependence of refractive indexes as a function of frequency at a fixed thickness of sample to be tested; (b) reflectance spectra on the dependence of thickness as a function of frequency at a fixed refractive index of sample to be tested.
物 理 学 报 Acta Phys. Sin.
Vol. 64, No. 11 (2015) 117801
工字形太赫兹超材料吸波体的传感特性研究∗
张玉萍 1)2) 李彤彤 1) 吕欢欢 1) 黄晓燕 1) 张会云 1)†
266510) 1) (山东科技大学电子通信与物理学院, 青岛市太赫兹技术重点实验室, 青岛 2) (洛斯阿拉莫斯国家实验室, 洛斯阿拉莫斯 87545, 美国)
© 2015 中国物理学会 Chinese Physical Society 117801-1

物 理 学 报 Acta Phys. Sin.
Vol. 64, No. 11 (2015) 117801
材料吸波体, 并进行了仿真及实验测试, 可实现对 垂直入射电磁波实现双向强吸收. 近五年来, 基于超材料的太赫兹吸波体在太 赫兹与超材料领域引起了科研人员的极大兴趣 等 [22−27] . Cheng [28] 数值分析了基于周期排列的 正方形铜薄膜的太赫兹超材料吸波体, 通过改变结 构的几何参数可以实现对吸收特性的调节作用. 如 果超材料吸波体对待测材料有电磁响应, 那么可以 利用这种响应对材料传感, 测量材料的折射率、 厚 度等参数. Weili [29,30] 课题组已经在这方面做了有 益的探索. 基于以上研究背景, 本文设计了一种工字形超 材料吸波体, 通过考察其对待测材料参数的响应, 验证了其作为 THz 传感应用的可行性, 并进而通过 数值模拟探讨了其传感特性. 研究了待测样品折射 率、 厚度及电介质隔层厚度对超材料吸波体传感器 的频率灵敏度、 振幅灵敏度及品质因数的影响. 该 超材料吸波体传感器设计简单, 加工容易, 灵敏度 较高, 具有潜在的应用价值.
Fig. 1. (color online) The schematic diagram of the structure of sensor based on I-shaped metamaterial absorber: (a) top view; (b) side view.
为研究该吸波体对材料参数的电磁响应, 我们 将待测样品放置于吸波体上方, 电磁波入射方向 如图 1 所示. 当待测样品参数发生变化时, 通过频 域仿真可以得到不同的共振频率响应和反射振幅 响应. 图 2 (a) 中, 我们计算了待测样品厚度 t 一定 (为 40 µm)、 折射率发生变化时, 超材料吸波体的反 射谱振幅与频率的关系. 由图可以看出, 随着待测 样品折射率增大, 共振频率发生红移 (由 0.651 THz 移 到 0.483 THz), 反 射 振 幅 增 大 (由 8.9% 增 大 到 53.2%). 图 2 (b) 为待测样品折射率一定 (n = 1.8)、 厚度发生变化时, 超材料吸波体的反射谱振幅与频 率的关系. 由图可知, 当待测材料折射率一定时, 该 吸波体对材料厚度也有明显的电磁响应, 随着厚度 增大, 共振频率发生红移 (由 0.592 THz 移到 0.529 THz), 反射振幅增大 (由 13.5% 增大到 46.1%). 由 此可知, 工字形超材料结构对放置在其上方的待测 样品的参数能够产生电磁响应, 导致共振频率和反 射振幅的变化. 在待测样品厚度一定时, 通过吸波
关键词: 超材料, 吸波体, 太赫兹, 传感 PACS: 78.67.Pt, 42.81.Pa, 75.40.Mg DOI: 10.7498/aps.64.117801
好的平台. Driscoll 等 [14] 提出了通过在开口环元件
1 引

附近增加材料来实现磁共振频率的调谐作用, 为 实现太赫兹频段的传感器件提供了可能. O’Hara 等 [15] 利用太赫兹时域光谱仪, 实现电响应共振频 率的变化, 为发展太赫兹传感技术提供了广阔前 景. Lahiri 等 [16] 提出了一种红外频段的非对称圆 形的开口环谐振腔阵列, 双开口环谐振腔两个臂之 间的不对称会产生明显的等离子体共振, 使得传感 灵敏度增大. Cubukcu 等 [17] 报道了表面增强分子 探测技术, 提出的开口环谐振腔传感器可用于单分 子层的红外检测. Tao 等 [18] 设计了一种在超薄氮 化硅基底上基于平面太赫兹超材料的开口环谐振 腔, 可应用于生物传感. Withayachumnankul 等提 出了一种用于太赫兹频段电介质薄膜传感的平面 超材料 [19] . 通过将超材料传感平台放置在亚衍射 太赫兹源附近, 受激谐振腔数目会减小, 从而使得 共振 Q 因数显著增大. 程用志等 [20] 提出了两种环 状微波电共振结构, 通过模拟优化得到最佳吸收效 果. 鲁磊等 [21] 设计并制作出极化无关双向吸收超117 Nhomakorabea01-2
物 理 学 报 Acta Phys. Sin.
Vol. 64, No. 11 (2015) 117801
体共振频率及反射振幅的调谐作用, 可以实现对待 测样品折射率的传感; 同样, 当待测样品折射率一 定时, 超材料吸波体可以实现对待测样品厚度的传 感. 工字形结构各向异性, 对入射的电磁波具有极 化敏感特性, 因此, 我们又研究了入射光极化方向 垂直时超材料吸波体的反射谱振幅与频率的关系. 当待测样品厚度 t 一定 (40 µm)、 折射率发生变化 时, 以及待测样品折射率一定 (n = 1.8)、 厚度发生 变化时, 我们均得到与上述类似的趋势, 只是不同 的极化方向对应的共振频率不同. 根据这一特性, 在设计和使用传感器时, 我们可以通过设置入射波 极化方向以实现其共振频率与光源频率的匹配.
1.0 (a) 0.8 Ԧ࠱૝ࣨ 0.6 0.4 0.2 0 0.3 n/ n/⊲ n/⊲ n/⊲ n/⊲ 0.4 0.5 0.6 ᮠဋ/THz 0.7 0.8 0.9
图2
(网刊彩色)(a) 待测样品厚度不变, 折射率取不同值时反射谱随频率的变化关系; (b) 待测样品折射率不变, 厚
120 100 ᮠဋԫӑ/GHz 80 60 40 20 0 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 ઉ࠱ဋ 1.5 1.6 1.7 (a) 1.8 t=5 mm t=20 mm t=40 mm ጳভલՌt=5 mm ጳভલՌt=20 mm ጳভલՌt=40 mm
斜率即为折射率振幅灵敏度. 待测样品厚度不变 时, 通过 CST Microwave Studio 对待测样品折射 率 (n = 1—1.8) 进行参数扫描, 扫描间隔为 0.1, 可 以得到不同折射率下反射率随频率变化的曲线 图, 继而知道折射率 (n = 1.1, 1.2, · · · ) 相对于折 射率 n = 1 时的共振频率变化和振幅变化, 并进 行拟合, 得到相应的折射率频率灵敏度和折射率 振幅灵敏度. 这里, 我们分别研究了待测样品厚 度为 5 µm, 20 µm 和 40 µm 时, 待测样品折射率 改变与共振频率变化和反射振幅变化的关系, 如 图 3 所示. 通过数值计算得到: 当待测样品厚度由 5 µm 增加到 40 µm 时, 折射率频率灵敏度由 74.00 GHz/RIU 增大到 153.17 GHz/RIU, 折射率振幅灵 敏度由 5.72%/RIU 增大到 41.37%/RIU. 由此可以 得出, 折射率灵敏度随样品厚度有增大的趋势, 当 待测样品厚度为 40 µm 时, 吸波体用于传感的折射 率灵敏度更高. 是否厚度越大, 折射率传感灵敏度越高呢?随 后, 我们研究了待测样品厚度变化对基于吸波体传 感器的折射率频率灵敏度和折射率振幅灵敏度的 影响, 如图 4 . 从图 4 (a) 中可以看出, 随着待测样 品厚度的增加, 折射率频率灵敏度不断增大, 但是 增大的幅度却在减小, 逐渐趋于饱和. 通过对数据 进行拟合, 发现折射率频率灵敏度相对于待测样品 厚度的走势大致满足指数函数. 从图 4 (b) 中可以 看出, 折射率振幅灵敏度随待测样品厚度的增加而 线性增大. 然而, 这不意味着折射率振幅灵敏度可 以无限制增大, 因为振幅调制会在特定待测样品厚 度或折射率的条件下达到饱和. 由以上分析可知, 将样品厚度选为 40 µm 可以获得较高的折射率传 感灵敏度.
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