影响封装取光效率的四要素
封装中的光学问题解析
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
从图中我们可以清晰的看到 H=2.7时 I类光线的比例为55% 中心光强3.5W/sr的主峰几乎 都是由I类光线中心峰值为3.2 的主峰所贡献 中间部分两者相似度极高 这与前面所述结果吻合
距离（mm）
5.7 0
8.2
角度（R2.45 半球） 峰值强度（R2.45 半球）
角度拟合
5.6 9.4
5.5
10.5
5.4
5.3
5.2
5.1
5
4.9
4.8
4.7
4.6
4.5
4.4
4.3
4.2
4.1
4
3.9
3.8
3.7
3.6
3.5
3.4
3.3
3.2
3.1
3
2.9
2.8
2.7 0
12.3
14.3
16.6
的两个指标之一。
4、辐射亮度 （Radiance) Le 面辐射源在单位体单位时间内从 表面的单位面积上辐射出的能量 单位 W/(sr*m2) 容易与辐射强度搞混
光学概念
5、辐射照度（Irradiance Flux density ) 单位时间内投射到单位面积上的辐射能量 单位 W/m2 mw/cm2 Ee
6、辐射出射度（Radiant exitance）Me
面辐射源在单位时间内从单位面积上辐射 出的辐射能量 单位W/m2
提高发光二极管(led)外量子效率的途径
提高发光二极管(led)外量子效率的途径1 LED基础知识发光二极管(LED)是一种常见的半导体器件，可以将电能转化为光能，并被广泛应用于照明、显示、通信等领域。
LED的外量子效率是指发出光子的数量与注入电子的数量之间的比值，是反映LED光电转换效率的重要参数。
提高LED的外量子效率可以增加其发光强度、降低其能量消耗和使用成本，对于LED产业的发展具有重要意义。
2 增加载流子浓度载流子浓度是影响LED发光效率的重要因素，可以通过增加注入电流、提高材料掺杂浓度等途径增加载流子浓度。
其原理是在P型和N 型半导体之间形成能带差，当施加正向电压时，电子从N型半导体向P 型半导体移动，空穴从P型半导体向N型半导体移动，当它们在PN结处复合时，会发射光子。
因此，增加载流子浓度可以促进载流子的复合，提高LED的发光效率。
3 提高材料品质发光效率受到材料品质的影响，包括晶格匹配度、散射、缺陷等因素。
材料品质差会导致载流子复合缓慢或通道散射，影响光子的产生和传输。
因此提高材料品质可以改善LED的外量子效率。
可以通过改变生长工艺、合适的后处理等方法来提高材料品质。
4 设计优化结构LED的结构设计也对其外量子效率产生一定影响。
结构设计方面包括对电极的布局、量子阱的设计、材料的选择等。
同时，指定适当的添加剂，可以提高发光强度。
因此，在阐述塞尔斯效应的基础上，不断优化LED器件结构，实现瞬态诱导荧光技术，可以更好的提高LED 外量子效率。
5 提高外部量子效率——光封装光封装是提高LED外量子效率的重要因素。
LED器件在出厂时需要进行封装后才能运用到各个领域。
光封装有直接耦合封装和反射杯封装两种，前者在外形小，光透过量大的项目使用较多；后者采用反射杯设计的光封装，能使光子反射并多次反射，从而提高LED外量子效率。
6 总结在提高LED的外量子效率方面，载流子浓度、材料品质、结构设计、光封装等因素都是需要考虑的重要因素。
进一步优化LED器件的结构设计，采用高品质材料，提高载流子浓度以及光封装等可以更好的提高LED的外量子效率，大大增强LED的发光强度，降低其能量消耗和成本，促进LED产业的持续发展。
教你如何提高LED的发光效率
教你如何提高LED的发光效率LED发光原理发光二极管核心是PN结，因此它具有一般PN结的电流电压特性，即正向导通，反向截止或击穿特性。
此外，在一定条件下，它还具有发光特性。
在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。
进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光，如图1所示。
由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近PN结面数微米以内产生。
有几种机制会影响正向电压的高低，包括接触电阻、透明导电层及P型与N型半导体内的载流子浓度及载流子迁移率。
假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。
由不同化学成份的半导体材料，基于它们具有之能隙值各不相同，再经适当的组合后可以得到不同发光波长的发光二极管。
LED发光效率描述1、内量子效率电子和空穴在PN结过渡层中复合会产生光子，然而并不是每一对电子和空穴都会产生光子，由于LED的PN结作为杂质半导体，存在着材料品质、位错因素以及工艺上的种种缺陷，会产生杂质电离、激发散射和晶格散射等问题，使电子从激发态跃迁到基态时与晶格原子或离子交换能量时发生无辐射跃迁，也就是不产生光子，这部分能量不转换成光能而转换成热能损耗在PN结内，于是就有一个复合载流子转换效率。
当然，很难去计算复合载流子总数和产生的光子总数。
一般是通过测量LED 输出的光功率来评价这一效率，这个效率就称为内量子效率。
用符号表示：2、外量子效率辐射复合所产生的光子并不是全部都能离开晶体向外发射，从有源区产生的光子通过半导体有部分可以被再吸收;另外由于半导体的高折射率，光子在界面处很容易发生全反射而返回晶体内部。
即使是垂直射到界面的光子，由于高折射率而产生高反射率，有相当部分被返回晶体内部。
因此外量子效率可以表示为：。
高光效LED的核心原理与优化策略
高光效LED的核心原理与优化策略
高光效的原理可以主要归结于LED(发光二极管)的工作原理及其发光效率的优化。
以下是关于高光效原理的详细解释:
一、LED的基础原理
LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种半导体器件，其核心结构由发光层(活性层)和两个半导体层(n型半导体和p型半导体)构成。
当电流通过LED时，n型半导体中的电子会跨越pn结与p型半导体中的空穴结合，发生电子-空穴复合过程。
在这个过程中，电子从高能级跃迁至低能级，释放出能量，形成光子，从而产生光。
二、提高光效的关键因素
1.内部量子效率:
定义:指在电子-空穴复合过程中，产生光子(即发光)的比例。
提高方法:使用高品质的半导体材料，减少缺陷和非辐射复合;优化活性层的带隙能级结构，增强辐射复合的概率。
2.注入效率:
定义:指电流成功注入到LED发光层中的比例。
提高方法:优化电极设计，提高电极与半导体的接触面积，选择良好的电极材料，减小接触电阻，从而提高注入效率。
3.光萃取效率:
定义:指从LED内部产生的光成功萃取到外部的比例。
提高方法:设计合理的封装结构和使用高透光性的封装材料，以减少内部光线的全反射和损失。
三、优化设计
为了实现高光效，需要在LED的设计和制造过程中综合考虑并优化以上所有因素。
这包括选择高品质的半导体材料、优化LED结构设计和封装技术、改进电极设计等。
总结来说，高光效的原理主要基于LED的工作原理，通过提高内部量子效率、注入效率和光萃取效率来实现。
在LED的设计和制造过程中，需要综合考虑并优化这些关键因素，以达到提高光效的目的。
led封装技术原理 -回复
led封装技术原理-回复LED（Light Emitting Diode），即发光二极管，是一种半导体器件，可以将电能直接转化为光能。
它具有体积小、节能、寿命长等诸多优点，因此被广泛应用于照明、显示、通信等领域。
而在LED的制造过程中，封装技术起着至关重要的作用。
本文将从LED封装的原理出发，逐步介绍LED 封装技术的相关内容。
一、LED封装技术的基本原理LED封装技术的主要目的是将发光芯片、导电线路和外部保护材料有机地结合在一起，以满足对光学性能、电学性能和物理性能的要求。
封装过程主要包括发光芯片固定、电极连接、芯片和引线的封装、外壳的塑封等步骤。
1. 发光芯片的固定LED的封装过程首先需要将发光芯片固定在封装基板上。
发光芯片是LED 的核心部件，是产生光的关键所在。
封装基板一般选用金属或陶瓷材料，具有良好的导热性能和机械强度。
通过粘接、焊接或电镀等方式，将发光芯片牢固地固定在封装基板上，以确保其稳定性和可靠性。
2. 电极的连接LED的电极连接是将芯片的正、负电极与外部电路连接的过程。
一般使用金线或锡膏等导电材料进行连接。
金线连接可以通过压接、焊接等方式进行，适用于小封装芯片；而锡膏连接则适用于大功率LED芯片。
电极连接的质量直接影响到LED的电学性能和使用寿命，因此需要精确控制连接的位置和压力。
3. 芯片和引线的封装LED芯片一般通过环氧树脂封装，以保护芯片不受外界环境的影响。
环氧树脂具有良好的绝缘性能、耐高温性能和耐候性能，能够有效隔离芯片与外界的接触。
封装过程中，需要将芯片和引线进行固定，并使用环氧树脂进行封装，以保证电极和引线与外界环境的隔离。
4. 外壳的塑封LED的封装过程最后一步就是对封装芯片进行外壳的塑封。
外壳的塑封过程中，通常使用透明树脂或瓷瓶进行封装。
透明树脂具有优良的光透过性能，能够保证LED的发光效果；瓷瓶则具有较好的耐高温性能和机械强度，适用于一些特殊领域的LED封装。
优化LED封装工艺：提高出光效率的研究
优化LED封装工艺：提高出光效率的研究摘要：本研究针对UV-LED封装行业中峰值波长350nm以下的UV-LED产品出光效率低的问题，提出了一种优化LED封装工艺的方法。
当前市场上的UV-LED 封装产品通常采用带坝体的垂直结构基板进行封装，但由于UV芯片的特性，横向光输出较强，垂直方向光输出较弱，导致封装后的器件出光效率低下，光损失严重。
为了解决这个问题，本研究在围坝部件内设置了反射面，用于反射发光元件侧面发出的光线。
通过将发光元件发出的光线经由与第一端面夹角的反射面反射，大部分横向发出的光线被反射到透光元件处并从透光元件发出，从而有效提升UV-LED器件的出光效率，减少光损失。
关键词：UV-LED封装，出光效率，优化工艺，反射面，围坝部件，光损失1.引言在UV-LED封装行业中，特别是峰值波长350nm以下的UV-LED产品，芯片发光效率低一直是一个关键的挑战。
目前市场上的UV-LED封装产品通常采用带坝体的垂直结构基板进行封装，但由于UV芯片的材质及结构特点，UV芯片横向的光输出较强，而垂直方向的光输出较弱，导致封装后的器件出光效率低下，光损失严重。
因此，如何提升UV-LED封装产品的出光效率一直是行业关注的焦点和研究重点。
为了解决这一问题，本研究提出了一种优化LED封装工艺的方法，旨在有效提升UV-LED器件的出光效率，减少光损失。
该方法通过在围坝部件围设的空间内设置用于反射发光元件所发出的部分光线的反射面，并将透光元件、围坝部件和基板合围形成封装腔，将发光元件置于封装腔内。
通过将发光元件所发出的光线经由与第一端面具有夹角的反射面反射，在反射面的作用下，发光元件横向发出的光大部分会被反射到透光元件处并从透光元件处发出，从而有效提升UV-LED 器件的出光率，减少光损失。
通过本研究的工作，期望能够为UV-LED封装行业提供一种可行的解决方案，以提升UV-LED器件的出光效率，推动行业的发展和创新。
LED的八大关键问题
LED的八大关键问题1、LED发光原理：PN结的端电压构成一定势垒，当加正向偏置电压时势垒下降，P区和N区的多数载流子向对方扩散。
由于电子迁移率比空穴迁移率大得多，所以会出现大量电子向P区扩散，构成对P区少数载流子的注入。
这些电子与价带上的空穴复合，复合时得到的能量以光能的形式释放出去。
这就是PN结发光的原理。
2、LED发光效率：一般称为组件的外部量子效率，其为组件的内部量子效率与组件的取出效率的乘积。
所谓组件的内部量子效率，其实就是组件本身的电光转换效率，主要与组件本身的特性(如组件材料的能带、缺陷、杂质)、组件的垒晶组成及结构等相关。
而组件的取出效率则指的是组件内部产生的光子，在经过组件本身的吸收、折射、反射后，实际在组件外部可测量到的光子数目。
因此，关于取出效率的因素包括了组件材料本身的吸收、组件的几何结构、组件及封装材料的折射率差及组件结构的散射特性等。
而组件的内部量子效率与组件的取出效率的乘积，就是整个组件的发光效果，也就是组件的外部量子效率。
早期组件发展集中在提高其内部量子效率，主要方法是通过提高垒晶的质量及改变垒晶的结构，使电能不易转换成热能，进而间接提高LED的发光效率，从而可获得70%左右的理论内部量子效率，但是这样的内部量子效率几乎已经接近理论上的极限。
在这样的状况下，光靠提高组件的内部量子效率是不可能提高组件的总光量的，因此提高组件的取出效率便成为重要的研究课题。
目前的方法主要是：晶粒外型的改变——TIP结构，表面粗化技术。
3、LED热学特性：小电流下，LED温升不明显。
若环境温度较高，LED的主波长就会红移，亮度会下降，发光均匀性、一致性变差。
尤其点阵、大显示屏的温升对LED的可靠性、稳定性影响更为显著。
所以散热设计很关键。
4、LED光学特性：LED提供的是半宽度很大的单色光，由于半导体的能隙随温度的上升而减小，因此它所发射的峰值波长随温度的上升而增长，即光谱红移，温度系数为+2~3A/ 。
影响光电池、模块输出特点的因素
影响光电池、模块输出特点的因素1. 光照强度光照强度是影响光电池和模块输出特点的最重要因素之一。
光照强度越高，光电池中的光电转换效率就会越高。
当光照强度增加时，光电池的输出电流和电压都会增大，从而提高光电池的输出功率。
但是光照强度过高也会导致光电池温度升高，降低光电转换效率。
2. 温度温度是另一个重要的影响因素。
光电池的输出功率随着温度的升高而降低。
高温会导致光电池内部电子和空穴的复合速率增加，电子和空穴重新组合形成的光电流减少。
此外，高温还会增加光电池的内阻，降低电池的输出电压。
因此，保持适宜的工作温度对于提高光电池和模块的输出特点至关重要。
3. 环境湿度湿度也会影响光电池和模块的输出特点。
高湿度会导致光电池表面的污染和氧化加速，降低光电转换效率。
湿度还会增加光电池和模块的绝缘电阻的降低，影响电路稳定性。
因此，在设计和安装光电池系统时需要考虑环境湿度的影响。
4. 遮挡情况光电池和模块的输出特点还受到遮挡情况的影响。
当光电池被遮挡时，光照强度下降，光电池的输出功率也会相应降低。
因此，在安装光电池和模块时，需要避免阴影或遮挡物对光照的影响，以确保输出特点的稳定性。
5. 组件质量光电池和模块的质量对其输出特点也有重要影响。
高质量的光电池和模块通常具有更高的光电转换效率和更好的耐久性，能够在不同的环境条件下保持较稳定的输出特点。
因此，在选择光电池和模块时，应该考虑其质量和性能，以满足实际需求。
综上所述，光照强度、温度、环境湿度、遮挡情况和组件质量是影响光电池和模块输出特点的重要因素。
只有充分理解和控制这些因素，才能最大限度地发挥光电池和模块的性能，实现高效的能源转换。
半导体封装工艺介绍
FOL– Wafer Saw晶圆切割
Wafer Mount 晶圆安装 Wafer Saw 晶圆切割 Wafer Wash 清洗
将晶圆粘贴在蓝膜（Mylar）上，使得即使被切割开后，不会散落；
通过Saw Blade将整片Wafer切割成一个个独立的Dice，方便后面的 Die Attach等工序；
EOL/中段
Plating/电镀
EOL/后段
Final Test/测试
FOL– Front of Line前段工艺
Wafer 2nd Optical 第二道光检 Die Attach 芯片粘接
Back Grinding 磨片
Wafer Wash 晶圆清洗
Epoxy Cure 银浆固化
EOL
Wafer Mount 晶圆安装
Wafer Wash主要清洗Saw时候产生的各种粉尘，清洁Wafer；
FOL– Wafer Saw晶圆切割
Saw Blade(切割刀片)： Wafer Saw Machine Life Time：900~1500M； Spindlier Speed：30~50K rpm： Feed Speed：30~50/s;
压力force超声usgpower时间time温度temperaturefolwirebonding引线焊接陶瓷的capillary内穿金线并且在efo的作用下高温烧球金线在cap施加的一定压力和超声的作用下形成bondball金线在cap施加的一定压力作用下形成wedgefolwirebonding引线焊接efo打火杆在磁嘴前烧球cap下降到芯片的pad上加force和power形成第一焊点cap牵引金线上升cap运动轨迹
• QFN—Quad Flat No-lead Package 四方无引脚扁平封装 • SOIC—Small Outline IC 小外形IC封装 • TSSOP—Thin Small Shrink Outline Package 薄小外形封装 • QFP—Quad Flat Package 四方引脚扁平式封装 • BGA—Ball Grid Array Package 球栅阵列式封装 • CSP—Chip Scale Package 芯片尺寸级封装
半导体激光器输出特性的影响因素
半导体激光器输出特性的影响因素半导体激光器输出特性的影响因素半导体激光器是⼀类⾮常重要的激光器，在光通信、光存储等很多领域都有⼴泛的应⽤。
下⾯我将探讨半导体激光器的波长、光谱、光功率、激光束的空间分布等四个⽅⾯的输出特性，并分析影响这些输出特性的主要因素。
1．波长半导体激光器的发射波长是由导带的电⼦跃迁到价带时所释放出的能量决定的，这个能量近似等于禁带宽度Eg(eV)。
hf = Eg f (Hz)和λ(µm)分别为发射光的频率和波长且c=3×108m/s ， h=6.628×10?34 J·s，leV=1.60×10?19 J得决定半导体激光器输出光波长的主要因素是半导体材料和温度。
不同半导体材料有不同的禁带宽度Eg ，因⽽有不同的发射波长λ：GaAlAs-GaAs 材料适⽤于0.85 µm 波段， InGaAsP-InP 材料适⽤于1.3~1.55 µm 波段。
温度的升⾼会使半导体的禁带宽度变⼩，导致波长变⼤。
2．光功率半导体激光器的输出光功率其中I 为激光器的驱动电流，P th 为激光器的阈值功率；I th 为激光器的阈值电流；ηd 为外微分量⼦效率；hf 为光⼦能量；e 为电⼦电荷。
hf 、e 为常数，Pth 很⼩可忽略。
由此可知，输出光功率主要取决于驱动电流I 、阈值电流I th 以及外微分量⼦效率ηd 。
驱动电流是可随意调节的，因此这⾥主要讨论后两者。
除此之外，温度也是影响光功率的重要因素。
1）阈值电流半导体激光器的输出光功率通常⽤P-I 曲线表⽰。
当外加正向电流达到某⼀数值时，输出光功率急剧增加，这时将产⽣激光振荡，这个电流称为阈值电流，⽤I th 表⽰。
当激励电流I< I th 时，有源区⽆法达到粒⼦数反转，也⽆法达到谐振条件，以⾃发辐射为主，输出功率很⼩，发出的是荧光；当激励电流I> I th 时，有源区不仅有粒⼦数反转，⽽且达到了谐振条件，受激辐射为主，输出功率急剧增加，发出的是激光，此时P-I 曲线是线性变化的。
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常规LED一般是支架式，采用环氧树脂封装，功率较小，整体发光光通量不大，亮度高的也只能作为一些特殊照明使用。
随着LED芯片技术和封装技术的发展，顺应照明领域对高光通量LED产品的需求，功率型LED逐步走入市场。
这种功率型的LED一般是将发光芯片放在散热热沉上，上面装配光学透镜以达到一定
光学空间分布，透镜内部填充低应力柔性硅胶。
功率型LED要真正进入照明领域，实现家庭日常照明，其要解决的问题还有很多，其中最重要的便是发光效率。
目前市场上功率型LED报道的最高流明效率在 50lm/W左右，还远达不到家庭日常照明的要求。
为了提高功率型LED发光效率，一方面其发光芯片的效率有待提高;另一方面，功率型LED的封装技术也需进一步提高，从结构设计、材料技术及工艺技术等多方面入手，提高产品的封装取光效率。
影响取光效率的封装要素
1. 散热技术
对于由PN结组成的发光二极管，当正向电流从PN结流过时，PN结有发热损耗，这些热量经由粘结胶、灌封材料、热沉等，辐射到空气中，在这个过程中每一部分材料都有阻止热流的热阻抗，也就是热阻，热阻是由器件的尺寸、结构及材料所决定的固定值。
设发光二极管的热阻为Rth(℃/W)，热耗散功率为 PD(W)，
此时由于电流的热损耗而引起的PN结温度上升为：
△T(℃)=Rth×PD。
PN结结温为：
TJ=TA+Rth×PD
其中TA为环境温度。
由于结温的上升会使PN结发光复合的几率下降，发光二极管的亮度就会下降。
同时，由于热损耗引起的温升增高，发光二极管亮度将不再继续随着电流成比例提高，即显示出热饱和现象。
另外，随着结温的上升，发光的峰值波长也将向长波方向漂移，约0.2-0.3nm/℃，这对于通过由蓝光芯片涂覆YAG荧光粉混合得到的白色LED来说，蓝光波长的漂移，会引起与荧光粉激发波长的失配，从而降低白光LED的整体发光效率，并导致白光色温的改变。
对于功率发光二极管来说，驱动电流一般都为几百毫安以上，PN结的电流密度非常大，所以PN结的温升非常明显。
对于封装和应用来说，如何降低产品的热阻，使PN结产生的热量能尽快的散发出去，不仅可提高产品的饱和电流，提高产品的发光效率，同时也提高了产品的可靠性和寿命。
为了降低产品的热阻，首先封装材料的选择显得尤为重要，包括热沉、粘结胶等，各材料的热阻要低，即要求导热性能良好。
其次结构设计要合理，各材料间的导热性能连续匹配，材料之间的导热连接良好，避免在导热通道中产生散热瓶颈，确保热量从内到外层层散发。
同时，要从工艺上确保，热量按照预先设计的散热通道及时的散发
出去。
2. 填充胶的选择
根据折射定律，光线从光密介质入射到光疏介质时，当入射角达到一定值，即大于等于临界角时，会发生全发射。
以GaN蓝色芯片来说，GaN材料的折射率是2.3，当光线从晶体内部射向空气时，根据折射定
律，临界角θ0=sin-1(n2/n1)
其中n2等于1，即空气的折射率，n1是GaN的折射率，由此计算得到临界角θ0约为25.8度。
在这种情况下，能射出的光只有入射角≤25.8度这个空间立体角内的光，据报导，目前GaN芯片的外量子效率在30%-40%左右，因此，由于芯片晶体的内部吸收，能射出到晶体外面光线的比例很少。
据报导，目前GaN 芯片的外量子效率在30%-40%左右。
同样，芯片发出的光要透过封装材料，传送到空间，也要考虑材料对
取光效率的影响。
所以，为了提高LED产品封装的取光效率，必须提高n2的值，即提高封装材料的折射率，以提高产品的临界角，从而提高产品的封装发光效率。
同时，封装材料对光线的吸收要小。
为了提高出射光的比例，封装的外形最好是拱形或半球形，这样，光线从封装材料射向空气时，几乎是垂直射到界面，因而不再产
生全反射。
3. 反射处理
反射处理主要有两方面，一是芯片内部的反射处理，二是封装材料对光的反射，通过内、外两方面的反射处理，来提高从芯片内部射出的光通比例，减少芯片内部吸收，提高功率LED成品的发光效率。
从封装来说，功率型LED通常是将功率型芯片装配在带反射腔的金属支架或基板上，支架式的反射腔一般是采取电镀方式提高反射效果，而基板式的反射腔一般是采用抛光方式，有条件的还会进行电镀处理，但以上两种处理方式受模具精度及工艺影响，处理后的反射腔有一定的反射效果，但并不理想。
目前国内制作基板式的反射腔，由于抛光精度不足或金属镀层的氧化，反射效果较差，这样导致很多光线在射到反射区后被吸收，无法按预期的目标反射至出光面，从而导致最终封装后的取光效率偏低。
我们经过多方面的研究和试验，研制成一种具有自主知识产权的使用有机材料涂层的反射处理工艺，通过这种工艺处理，使得反射到载片腔内的光线吸收很少，能将大部分射到其上面的光线反射至出光面。
这样处理后的产品取光效率与处理之前相比可提高30%-50%。
我们目前1W白光功率LED的光效可达40-50lm/W(在远方PMS-50光谱分析测试仪器上测试结果)，获得了很好的封装效果。
4. 荧光粉选择与涂覆
对于白色功率型LED来说，发光效率的提高还与荧光粉的选择和工艺处理有关。
为了提高荧光粉激发蓝色芯片的效率，首先荧光粉的选择要合适，包括激发波长、颗粒度大小、激发效率等，需全面考核，兼顾各个性能。
其次，荧光粉的涂覆要均匀，最好是相对发光芯片各个发光面的胶层厚度均匀，以免因厚度不均造成局部光线无法射出，同时也可改善光斑的质量。
良好的散热设计对提高功率型LED产品发光效率有着显著的作用，同时也是确保产品寿命和可靠性的前提。
而设计良好的出光通道，这里着重指反射腔、填充胶等的结构设计、材料选择和工艺处理，可以有效提高功率型LED的取光效率。
对功率型白光LED来说，荧光粉的选择和工艺设计，对光斑的改善和发光
效率的提高也至关重要。