晶体的生长方法简介
最全的材料晶体生长工艺汇总
最全的材料晶体生长工艺汇总材料晶体生长是一种重要的制备材料的方法，它可以获得具有优良性能的晶体材料，广泛应用于各个领域。
下面是一个最全的材料晶体生长工艺汇总，详细介绍了各种常用的生长方法和工艺步骤。
1.物质熔融法物质熔融法是最常用的晶体生长方法之一、它适用于高熔点物质的晶体生长，通过将材料加热到熔融状态，然后缓慢冷却，使晶体从熔融液中生长出来。
这种方法包括Czochralski法、Bridgman法等，它们的主要过程是将熔融物质加热至适当温度，然后撇去熔融液表面的杂质，然后用适当的速度慢慢降低温度，使晶体在逐渐凝固过程中从熔融液中生长出来。
2.溶液法溶液法是一种常用的低温晶体生长方法。
它适用于低熔点材料的晶体生长，通过将溶解了材料的溶液缓慢蒸发或者用化学反应生成晶体。
溶液法包括坩埚法、溶液蛹法、溶液冷温法等。
其中，坩埚法是将溶解到溶剂中的物质加热至溶解温度，然后慢慢冷却，使晶体从溶液中生长出来。
3.气相法气相法是一种高温高真空条件下进行晶体生长的方法。
它适用于高熔点、不易溶解或化学反应性强的材料的晶体生长。
气相法包括化学气相沉积法（CVD）和物理气相沉积法（PVD）等。
这些方法通过将气体或蒸汽中的原料转化成固态晶体，然后在衬底上生长出晶体。
4.熔盐法熔盐法是一种利用熔盐作为溶剂和晶体生长培养物质的方法。
它适用于高温高熔点材料的生长和掺杂晶体的制备。
熔盐法包括坩埚熔盐法和区域熔盐法等，其中坩埚熔盐法是将晶体原料和熔盐混合，加热至溶解温度，然后通过缓慢冷却使晶体从熔盐中生长出来。
5.拉伸法拉伸法是一种通过拉伸单晶将其变成纤维或片状晶体的方法。
这种方法适用于一些难以获得大尺寸单晶的材料，通过拉伸使晶体在拉应力下断裂，形成纤维或片状晶体。
总结：以上是最全的材料晶体生长工艺汇总，介绍了物质熔融法、溶液法、气相法、熔盐法和拉伸法等常用的生长方法和工艺步骤。
不同方法适用于不同的材料和应用领域，科学家可以根据具体情况选择最适合的生长方法，以获得优质晶体材料。
长晶体的方法
长晶体的方法长晶体是指在某个方向上具有较大尺寸的晶体。
其生长方法主要有几种：单晶生长、多晶生长和晶体生长。
单晶生长是指在特定条件下，使晶体在单一晶核的基础上生长，从而得到具有高度有序排列的晶体结构。
单晶生长的方法有许多种，常见的有液相法、气相法和固相法。
液相法是指利用溶液中的溶质经过适当的操作，使溶质在溶液中重新结晶，从而生长出单晶。
液相法的优点是操作简单，适用范围广，但也存在一些问题，比如晶体生长速度较慢，晶体质量难以控制等。
气相法是指利用气体中的溶质通过气相扩散、气相反应等途径，在适当的温度和压力条件下进行晶体生长。
气相法的优点是可以获得高纯度的晶体，但其操作条件较为苛刻，且晶体生长速度较慢。
固相法是指利用固相反应或固相扩散等方式，在固体物质中进行晶体生长。
固相法的优点是可以通过控制反应条件和固相的组成来调控晶体生长速度和质量，但也存在一些问题，比如反应条件较为复杂，晶体生长速度较慢等。
多晶生长是指在特定条件下，使多个晶核同时生长，从而得到具有多个晶体结构的晶体材料。
多晶生长通常采用的方法有凝固法、凝胶法和溶胀法。
凝固法是指将溶液或熔体冷却至一定温度，使其凝固成固体晶体。
凝固法的优点是操作简单，可以大规模生产，但晶体质量较差。
凝胶法是指利用溶胶在溶胶-凝胶转变过程中产生的凝胶网络结构，来控制晶体生长。
凝胶法的优点是可以得到高纯度的晶体，但晶体生长速度较慢。
溶胀法是指在溶胶中加入溶剂，使溶剂浸润溶胶，通过溶剂的蒸发或混合，使溶胶凝胶并生长成晶体。
溶胀法的优点是操作简单，可以得到高质量的晶体，但也存在一些问题，比如晶体生长速度较慢，晶体尺寸难以控制等。
晶体生长是一门复杂而精细的科学，不同的生长方法适用于不同的晶体材料。
通过选择合适的生长方法，可以获得具有良好性能的晶体材料，进而推动相关领域的发展。
晶体生长技术
在高温高压下，通过各种碱性或酸性的水溶液使材料溶解而达到过饱和进而析晶的生长晶体方法叫水热生长 法。这个方法主要用来合成水晶，其他晶体如刚玉、方解石、蓝石棉以及很多氧化物单晶都可以用这个方法生成。 水热法生长的关键设备是高压釜，它是由耐高温、高压的钢材制成。它通过自紧式或非自紧式的密封结构使水热 生长保持在200～1000°C的高温及1000～10000大气压的高压下进行。培养晶体所需的原材料放在高压釜内温度 稍高的底部，而籽晶则悬挂在温度稍低的上部。由于高压釜内盛装一定充满度的溶液，更由于溶液上下部分的温 差，下部的饱和溶液通过对流而被带到上部，进而由于温度低而形成过饱和析晶于籽晶上。被析出溶质的溶液又 流向下部高温区而溶解培养料。水热合成就是通过这样的循环往复而生长晶体。
气相外延 材料在气相状况下沉积在单晶基片上，这种生长单晶薄膜的方法叫气相外延法，气相外延有开管 和闭管两种方式，半导体制备中的硅外延和砷化镓外延，多半采用开管外延方式。
液相外延 将用于外延的材料溶解在溶液中，使达到饱和，然后将单晶基片浸泡在这溶液中，再使溶液达到 过饱和，这就导致材料不断地在基片上析出结晶。控制结晶层的厚度得到新的单晶薄膜。这样的工艺过程称为液 相外延。这方法的优点是操作简单，生长温度较低，速率也较快，但在生长过程中很难控制杂质浓度的梯度等。 半导体材料砷化镓的外延层，磁泡材料石榴石薄膜生长，多半用这种方法。
这个方法是指在高温下把晶体原材料溶解于能在较低温熔融的盐溶剂中，形成均匀的饱和溶液，故又称熔盐 法。通过缓慢降温或其他办法，形成过饱和溶液而析出晶体。它类似于一般的溶液生长晶体。对很多高熔点的氧 化物或具有高蒸发气压的材料，都可以用此方法来生长晶体。这方法的优点是生长时所需的温度较低。此外对一 些具有非同成分熔化（包晶反应）或由高温冷却时出现相变的材料，都可以用这方法长好晶体。BaTiO3晶体及 Y3Fe5O12晶体的生长成功，都是此方法的代表性实例，使用此法要注意溶质与助熔剂之间的相平衡问题。
材料学基础中的晶体生长
材料学基础中的晶体生长晶体是许多材料的重要结构基础，所以晶体生长的研究对于材料学有着至关重要的影响。
晶体生长是指在固体、液体或气体中某种物质形成晶体的过程，晶体的形成可以是自发的，也可以是人为地加速反应。
很多重要的材料，如半导体、金属、陶瓷等，都需要通过晶体生长来进行制备。
因此，晶体生长作为材料学的基础，在学习和研究中占有重要的地位。
1. 晶体的成长方式晶体的成长可以有多种方式，有些晶体的成长方式可能很快，而另一些则需要很长时间才能完成。
(1) 液相成长液相成长是指在溶液中，模板分子和溶液中其它分子结合而形成晶体的成长方式。
溶液中的溶质会在解离后形成离子或分子，这些离子和分子缓慢地进入结晶器，然后在结晶的表面聚集，逐渐形成晶体。
液相成长需要严格控制晶体的生长速度，否则就会导致不同方向的晶面生长速度不均匀，最终形成多种不同纯度和颗粒大小的晶体。
(2) 气相成长气相成长是指在气相中，模板分子在高温和高压条件下结合成为晶体的成长方式。
气相中的溶质在空气压力的作用下表现出反应活性，受到温度、压力、冷却速度等因素的影响，形成不同生长方向和形态的晶体。
(3) 固相成长固相成长是指随着晶体核心的长大，固体中相应的固相物质向着晶体核心聚集并成长。
固相成长是一种在极值条件下的成长方式，每个晶体的生长速度极为缓慢，需要一定的时间才能移动晶体核心。
2. 晶体成长机理晶体成长的机理比较复杂，主要受到以下因素的影响：(1) 溶液中的化学反应晶体的形成需要先有离子或分子发生化学反应形成，形成的离子或分子在晶体核心处结晶，逐渐贯穿细胞成长。
(2) 磁场作用磁场会影响晶体的形态和大小，磁场产生的电场可能会引起离子或分子的聚集并形成晶体。
(3) 温升作用当温度升高时，晶体中各种物质之间的相互作用能够促进晶体的生长。
温度过高时，物质的分解将会对晶体生长造成不利影响。
(4) 核形成条件核是晶体成长的核心，晶体生长的最终速度和晶体形态都与核的形成条件有关。
晶体生长ppt
晶体缺陷与晶体的物理性质之间存在密切关系。例如，位错 密度越高，材料的强度和韧性越差；空位浓度越高，材料的 导电性越差等。通过对晶体缺陷的控制和优化，可以改善材 料的性能。
03
晶体生长的化学基础
化学键与晶体结构
共价键
01
共价键是原子间通过共享电子对而形成的强相互作用力，它决
定了晶体的结构和化学性质。
固相生长是指通过固态物质之间的反应或扩散过 程，形成新的固态晶体的过程，包括机械研磨法 、热压烧结法等。
晶体生长的应用
1
晶体生长在材料科学和物理学领域具有广泛的 应用价值，如制备高性能材料、制造光学器件 、制备半导体材料等。
2
在能源领域，晶体生长技术也被广泛应用于太 阳能电池、燃料电池等新能源器件的制造过程 中。
04
晶体生长方法
气相生长法
物理气相沉积法
包括真空蒸发、激光烧蚀等，通过 在真空中蒸发原料，使原料原子或 分子沉积在基底表面形成晶体。
化学气相沉积法
通过化学反应的方式，使用气体原 料在基底表面形成晶体。
气相生长法的优点
可以生长出高质量、大尺寸的单晶 ，同时具有高沉积速率。
气相生长法的缺点
需要高真空设备，生产成本较高， 且生长速度较慢。
3
同时，晶体生长技术还可以应用于生物医学领 域，如制备生物材料、药物传递等。
02
晶体生长的物理基础
晶体的结构与性质
晶体结构
晶体具有格子构造，原子或分子在空间中按照一定的规律重复排列。不同的 晶体结构具有不同的物理性质，如硬度、导电性、光学特性等。
晶体对称性
晶体具有对称性，即晶体的形状和内部结构可以在空间中重复出现。这种对 称性也影响了晶体的物理性质。
半导体晶体生长技术
半导体晶体生长技术半导体晶体生长技术是一项重要的技术领域，它在半导体器件制造、光电子器件制造等领域起着关键作用。
本文将从晶体生长方法、生长机理和应用等方面进行介绍。
一、晶体生长方法半导体晶体生长技术包括气相生长、液相生长和固相生长等方法。
其中，气相生长是在特定温度和压力条件下，通过气相中的原料气体在衬底上生长晶体。
液相生长是通过溶液中的溶质在衬底上沉积晶体，常用的方法有溶液浸渍法、溶液蒸发法等。
固相生长是通过固体相变化的方式在衬底上生长晶体，常用的方法有化学蒸发法、分子束外延法等。
二、晶体生长机理半导体晶体的生长机理涉及到热力学和动力学过程。
在热力学方面，晶体生长是由于原子或分子在原料气体或溶液中的过饱和度引起的。
过饱和度越大，晶体生长速度越快。
在动力学方面，晶体生长是由于原子或分子在表面附着、扩散和沉积的过程。
表面附着是原子或分子与晶体表面相互作用并附着在晶体上的过程，扩散是原子或分子在晶体表面上的迁移过程，沉积是原子或分子在晶体表面上的沉积过程。
三、晶体生长的应用半导体晶体生长技术在半导体器件制造、光电子器件制造等领域具有广泛的应用。
在半导体器件制造中，晶体生长技术可以用于生长硅、镓砷化镓、硫化锌等半导体材料，用于制备晶体管、二极管、场效应管等器件。
在光电子器件制造中，晶体生长技术可以用于生长锗、镓砷化镓等光电子材料，用于制备激光器、光电探测器等器件。
此外，晶体生长技术还在生物医学、能源等领域有着重要的应用，如用于生长蛋白质晶体、太阳能电池材料等。
半导体晶体生长技术是一项重要的技术领域，它通过不同的生长方法和生长机理，实现了半导体晶体的高质量生长。
该技术在半导体器件制造、光电子器件制造等领域具有广泛的应用。
随着科学技术的不断发展，半导体晶体生长技术将继续得到改进和创新，为相关领域的发展提供更多可能性。
几种典型的晶体生长方法.
遇到的主要问题是：
如何有效地控制成核数目和成核位臵； 如何提高溶质的扩散速度和晶体的生长 速度； 如何提高溶质的溶解度和加大晶体的生 长尺寸； 如何控制晶体的成分和掺质的均匀性。
⑹ 水热法 基本原理：
使用特殊设计的装臵，人为地创造一个高 温高压环境，由于高温高压下水的解离常数 增大、黏度大大降低、水分子和离子的活动 性增加，可使那些在通常条件下不溶或难溶 于水的物质溶解度、水解程度极大提高，从 而快速反应合成新的产物。 可分为温差法、等温法和降温法等。
助熔剂提拉法
自发成核的缓冷生长法
Tb3
Sm3
Nd 3
Er 3
Gd 3
Eu 3
Dy 3
Na5 RE WO4 4 系列基质发光晶体
助熔剂法的特点及不足简单，适应性强，特别适用于新材料的探 索和研究； 生长温度低，特别适宜生长难熔化合物、在熔 点处极易挥发、变价或相变的材料，以及非同 成分熔融化合物； 只要采取适当的措施，可生长比熔体法生长的 晶体热应力更小、更均匀和完整； 生长速度慢，生长周期较长，晶体尺寸较小； 助熔剂往往带有腐蚀性或毒性； 由于采用的助熔剂往往是多种组分的，各组分 间的相互干扰和污染是很难避免的。
⑸ 高温溶液法
将晶体的原成分在常压高温下溶解于低熔 点助熔剂溶液内，形成均匀的饱和溶液；然后 通过缓慢降温或其他方法，形成过饱和溶液而 使晶体析出。 良好的助熔剂需要具备下述物理化学性质： • 应具有足够强的溶解能力，在生长温度范围内， 溶解度要有足够大的变化； • 在尽可能宽的范围内，所要的晶体是唯一的稳 定相。最好选取与晶体具有相同离子的助熔剂， 而避免选取性质与晶体成分相近的其他化合物；
切割好的籽晶
籽晶培养
最全的材料晶体生长工艺汇总
最全的材料晶体生长工艺汇总提拉法提拉法又称直拉法，丘克拉斯基（Czochralski）法，简称CZ法。
它是一种直接从熔体中拉制出晶体的生长技术。
用提拉法能够生长无色蓝宝石、红宝石、钇铝榴石、钆镓榴石、变石和尖晶石等多种重要的人工宝石晶体。
提拉法的原理：首先将待生长的晶体的原料放在耐高温的坩埚中加热熔化，调整炉内温度场，使熔体上部处于过冷状态；然后在籽晶杆上安放一粒籽晶，让籽晶下降至接触熔体表面，待籽晶表面稍熔后，提拉并转动籽晶杆，使熔体处于过冷状态而结晶于籽晶上，并在不断提拉和旋转过程中，最终生长出圆柱状的大块单晶体。
提拉法的工艺步骤可以分为原料熔化、引晶、颈缩、放肩、等径生长、收尾等几个阶段。
具体过程如示意图。
提拉法晶体生长工艺有两大应用难点：一是温度场的设置和优化；二是熔体的流动和缺陷分析。
下图为提拉法基本的温度场设置以及五种基本的熔体对流模式。
在复杂的工艺条件下，实际生产需要调整的参数很多，例如坩埚和晶体的旋转速率，提拉速率等。
因此实际中熔体的温度场和流动模式也更复杂。
下图是不同的坩埚和晶体旋转速率下产生的复杂流动示意图。
这两大应用难点对晶体生长的质量和效率都有很大影响，是应用和科研领域中最关心的两个问题。
通常情况下为了减弱熔体对流，人为地引入外部磁场是一种有效办法，利用导电流体在磁场中感生的洛伦兹力可以抑制熔体的对流。
常用的磁场有横向磁场、尖端磁场等。
下图是几种不同的引入磁场类型示意图。
引入磁场可以在一定程度上减弱对流，但同时磁场的引入也加大了仿真模拟的难度，使得生长质量预测变的更难，因此需要专业的晶体生长软件才能提供可靠的仿真数据。
晶体提拉法有以下优点：（1）在晶体生长过程中可以直接进行测试与观察，有利于控制生长条件；（2）使用优质定向籽晶和“缩颈”技术，可减少晶体缺陷，获得优质取向的单晶；（3）晶体生长速度较快；（4）晶体光学均一性高。
晶体提拉法的不足之处在于：（1）坩埚材料对晶体可能产生污染；（2）熔体的液流作用、传动装置的振动和温度的波动都会对晶体的质量产生影响。
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晶体的一些应用
• • • • • • • • 晶体特别是单晶广泛应用于各个高新科技领域： 激光工作物质：YAG (Y3Al5O12) 非线性光学晶体：KDP(KH2PO4)、BBO(β-BaB2O4)、 LBO(LiB3O5)、CBO(CsB3O5)、LCB(La2CaB10O19) 闪烁晶体：BGO (Bi4Ge3O12)、PbWO3 磁性材料：R3Fe5O12、(Te,Dy)Fe2 半导体材料：Si、Ge、GaAs、GaN 超硬材料：金刚石、立方氮化硼，
存在着两个固—液界面，一个界面上发生结晶过程，而另一个界
面上发生多晶原料的熔化过程。
1) 提拉法（Czochralski,Cz）
晶体提拉法的创始人是J. Czochralski，他的 论文发表于1918年。提拉法是熔体生长中最常用的 一种方法，许多重要的实用晶体就是用这种方法制 备的。近年来，这种方法又得到了几项重大改进， 如采用液封的方式（液封提拉法，LEC），如图1， 能够顺利地生长某些易挥发的化合物（GaP等）；采 用导模的方式（导模提拉法）生长特定形状的晶体 （如管状宝石和带状硅单晶等）。 所谓提拉法，是指在合理的温场下，将装 在籽晶杆上的籽晶下端，下到熔体的原料中， 籽晶杆在旋转马达及提升机构的作用下，一边 旋转一边缓慢地向上提拉，经过缩颈、扩肩、 转肩、等径、收尾、拉脱等几个工艺阶段，生 长出几何形状及内在质量都合格单晶的过程。
5．水热法（高压溶液法）
• 基本原理：利用高温高压的水溶液使那些在大气条件下不溶或难溶于 水的物质通过溶解或反映生成该物质的溶解产物，并达到一定的过饱 和度而进行结晶和生长的方法。 • 特点：适于生长熔点很高，具有包晶反映或非同成分熔化而在常温常
压下又不溶于各种溶剂或溶解后即分解，且不能再结晶的晶体材料。
循环流动育晶装置
1.原料 2.过滤器 3.泵 4.晶体 5.加热电阻丝
3．蒸发法
• 基本原理：将溶剂不断蒸发移去，而使溶液
保持在过饱和状态，从而使晶体不断生长。
这种方法比较适合于溶解度较大而溶解度温 度系数很小或是具有负温度系数的物质。
• 这种装置比较适合于在较高的温度下使用（
60°C以上）。若要在室温附近用蒸发法培养 晶体，可向溶液表面不断送入干燥空气，它 在溶液下方带走了部分水蒸气，然后经过冷 凝器除去水分，再送回育晶器循环使用，使 水不断蒸发，但蒸发速度难以准确控制。
“基元” 过程的主要步骤：
基元的形成
基元在生长界面的吸附
基元在界面上结晶或脱附
基元在界面的运动
晶体的生长方式
•从固相中生长晶体 •从溶液中生长晶体 •从熔融液中生长晶体
•从气相中生长晶体
高质量晶体生长的条件
(1)反应体系的温度要控制得均匀一致，以防止
局部过冷或过热，影响晶体的成核和生长；
(2)结晶过程要尽可能地慢，以防止自发成核的 出现，因为一旦出现自发的晶核，就会生成许
4．凝胶法
• 凝胶生长法就是以凝胶作为扩散和支持 介质，使一些在溶液中进行的化学反应
通过凝胶(最常用的是硅胶)扩散．缓慢
进行。溶解度较小的反应产物常在凝胶 中逐渐形成晶体，所以凝胶法也是通过
扩散进行的溶液反应法。
• 该法适于生长溶解度十分小的难溶物质 的晶体。由于凝胶生长是在室温条件下 进行的，因此也适于生长对热很敏感(如 分解温度低或熔点下有相变)的物质的晶 体。
• 如果在热压中升高温度，烧结所引起的晶体长大将更为显著。热压生
长MgO、Al2O3、ZnWO4等得到很大的成功,可以采用这一技术生长出达 7cm3的Al2O3晶体。
3．借助多形性转变生长
先生长出高温多形体，然后小心地使炉温降至 室温，并形成室温多形体单晶。有时需要借助淬火 高温相“冻结”起来。 对于大多数高压多形性转变，相 变进行得很快，往以一种不可控制的 方式进行。因此，利用高压多性转变 较难生长出具有合适尺寸的单晶。利
2．流动法（温差法）
• 基本原理：将溶液配制、过热处理、单晶生长等操作 过程分别在整个装置的不同部位进行，构成一个连续 的流程。 • 优点：利用这种方法生长大批量的晶体和培养大学晶 并不受晶体溶解度和溶液体积的限制，而只受容器大 小的限制， • 缺点：设备比较复杂，必须用泵强制溶液循环流动， 这在某种程度上限制了它的应用。
高压反映釜
从熔体中生长晶体
• 从熔体中生长晶体，一般有两种类型： • (1)晶体与熔体有相同的成分。纯元素和同成分熔化的化
合物(具有最高熔点)属于这一类，在生长过程中，晶体和
熔体的成分均保持恒定，熔点亦不变。这种材料容易得到 高质量的晶体(例如Si，Ge，Al2O3，YAG等)，
• (2)生长的晶体与熔体成分不同。掺杂的元素或化合物以
• (1)根据溶解度曲线，改变温度。
• (2)采取各种方式(如蒸发、电解)移去溶剂．改变溶
液成分。 • (3)通过化学反应来控制过饱和度。 • (4)用亚稳相来控制过饱和度，即利用某些物质的稳 定相和亚稳相的溶解度差别，控制一定的温度，使 亚稳相不断溶解，稳定相不断生长。
1．降温法
• 基本原理：利用物质较大的正溶解度温度系数，用这种方 法生长的物质的溶解度温度系数最好不低于1.5g／(kg溶 液·°C)。 • 适用于溶解度和温度系数都较大的物质，并需要一定的温 度区间。比较合适的起始温度是50—60℃，降温区间以 15—20℃为宜。
溶液法的缺点：
• (1) 组分多；
• (2) 影响晶体生长的因素也比较复杂；
• (3) 生长周期长。 • (4) 低温溶液生长对控温精度要求很高，因为在一定的生长温度(T) 下，温度波动(Δ T)的影响主要取决于Δ T／T，在低温下要求Δ T相对 地小。对培养高质量的晶体，可容许的温度波动一般不超过百分之几
坩埚下降晶体炉的结构示意图
3) 泡生法（Kyropoulos, KY） 该方法的创始人是Kyropoulos，他的论 文发表于1926年。这种方法是将一要受冷 的籽晶与熔体接触，如果界面的温度低于 凝固点，则籽晶开始生长。为了使晶体不 断长大，就需要逐渐降低熔体的温度，同 时旋转晶体，以改善熔体的温度分布。也 可以缓慢的（或分阶段的）上提晶体，以 扩大散热面。晶体在生长过程中或生长结 束时不与坩埚壁接触，这就大大减少了晶 体的应力。不过，当晶体与剩余的熔体脱 离时，通常会产生较大的热冲击。70年代 以后，该方法已较少用于生长同成分熔化 的化合物，而多用于含某种过量组分的体 系，可认为目前常用的高温溶液顶部籽晶 法是该方法的改良和发展。
及非同成分熔化的化合物属于这一类。在生长过程中，晶 体和熔体的成分均不断交化，熔点(或凝固点)也随成分的 变化而变化。
熔体生长法分类
• 根据熔区的特点，将熔体生长的方法分为两大类：
• (1)正常凝固法该方法的特点是在晶体开始生长的时候，全部材
料均处于熔态(引入的籽晶除外)。在生长过程中，材料体系由晶 体和熔体两部分所组成。 • (2)逐区熔化法该方法的特点是固体材料中只有一小段区域处于 熔态，材料体系由晶体、熔体和多晶原料三部分所组成，体系中
多细小品体，阻碍晶体长大；
(3)使降温速度与晶体成核、生长速度相配匹， 使晶体生长得均匀、晶体中没有浓度梯度、组 成不偏离化学整比性。
从固相中生长晶体的主要优点在于：
• 1)可以在不添加组分的情况下较低温进行生长， 即在熔点以下的温度下生长； • 2)生长晶体的形状是事先固定的，所以丝、箔等 形状的晶体容易生长出来；
2) 坩埚下降法（垂直布里奇曼法，Vertical Bridgman method, VB）
坩埚下降法又称为布里奇曼－斯托克巴格 法，是从熔体中生长晶体的一种方法。通常坩埚 在结晶炉中下降，通过温度梯度较大的区域时， 熔体在坩埚中，自下而上结晶为整块晶体。这个 过程也可用结晶炉沿着坩埚上升方式完成。与提 拉法比较该方法可采用全封闭或半封闭的坩埚， 成分容易控制；由于该法生长的晶体留在坩埚中， 因而适于生长大块晶体，也可以一炉同时生长几 块晶体。另外由于工艺条件容易掌握，易于实现 程序化、自动化。典型的晶体生长炉的结构如图 4所示。 该方法的缺点是不适于生长在结晶时体积 图4 增大的晶体，生长的晶体通常有较大的内应力。 同时在晶体生长过程中也难于直接观察，生长周 期比较长。
用高压形性转变生长晶体的典型例子
是金刚石的合成。
从溶液中生长单晶
•基本原理：将原料(溶质)溶解在溶剂中，采取适当的措施 造成溶液的过饱和，使晶体在其中生长。 • 溶液法具有以下优点： • (1)晶体可以在远低于其熔点的温度下生长。而 且，低温下生长的热源和生长容器也较易选择。 • (2)降低黏度。 • (3)容易长成大块的、均匀性良好的晶体，并且 有较完整的外形。 • (4)在多数情况下(低温溶液生长)，可直接观察 晶体生长。
图1 提拉法晶体生长装置结构示意图
这种方法的主要优点是：(a) 在生长过程中，可以方便地观察晶体 的生长情况；(b) 晶体在熔体的自由表面处生长，而不与坩埚相接触， 这样能显著减小晶体的应力并防止坩埚壁上的寄生成核；(c) 可以方便 地使用定向籽晶与“缩颈”工艺，得到完整的籽晶和所需取向的晶体。 提拉法的最大优点在于能够以较快的速率生长较高质量的晶体。 提拉法中通常采用高温难熔氧化物，如氧化锆、氧化铝等作保温材 料，使炉体内呈弱氧化气氛，对坩埚有氧化作用，并容易对熔体造成污 杂，在晶体中形成包裹物等缺陷；对于那些反应性较强或熔点极高的材
料，难以找到合适的坩埚来盛装它们，就不得不改用其它生长方法。
提拉法的改进
• (1)晶体直径的自动控制技术(ADC技术) 这种技术不仅使生长过程的 控制实现了自动化，而且提高了晶体的质量和成品率；
• (2)液相封盖技术和高压单晶炉(LEC技术) 用这种技术可以生长那些
具有较高蒸气压或高离解压的材料； • (3)导模法(EFG技术) 用这种技术可以按照所需要的形状（片、带、 管、纤维状）和尺寸来生长晶体，晶体的均匀性也得到改善。