DP-VO V1 的区别
线性第1-3章习题
1.5习题解答1-1 一块本征锗半导体，掺入三价受主杂质硼，浓度为1.5×1015cm -3,试分别求出T=300K （27℃）、400K （127℃）时自由电子和空穴热平衡浓度值，并指出相应半导体类型。
解：T=300K 时，n i =1.5×1010cm -3<<N a ，因此，p 0≈N a =1.5×1015cm -3 ，n 0=n 2i /p 0≈3.84×1011cm -3。
由于p 0>>n o ，故为P 型半导体。
T=400K 时，n i =AT e =1.62×1015cm -3由于n i >N a ，因此，必须利用p 0=N a +n 0及n 0p 0=n 2i 两方程联立求解，经分析计算得知：p 0=2.5×1015cm -3、n 0=1.03×1015cm -3，由于p 0与n 0近似相等，故为本征半导体。
1-2 一块本征硅半导体，掺入五价元素砷，浓度为1014cm -3，试分别求出T=300K 、500K 时自由电子和空穴的热平衡浓度值，并指出相应半导体类型。
解：T=300K 时，n i =1.5×1010cm -3<<N d ，则n 0≈N d =1014cm -3因此p 0=n 2i /n 0≈2.25×106cm -3。
由于p 0<<N 0，故为N 型半导体。
T=500K 时n i = AT e = 3.49×1014cm -3，由于n i 与掺杂浓度N d 近似相等，故为本征半导体。
1-3 在本征硅半导体中，掺入浓度为5×1015cm -3的受主杂质，试指出T=300K 时所形成的杂质半导体类型。
若再掺入浓度为1016cm-3的施主杂质，则将为何种类型半导体？若将该半导体温度分别上升到T=500K 、600K ，试分析为何种类型半导体。
第3章动量定理
F
I to F t t to
t
Fdt
o
to
t
t
平均冲力与同段时间内变力等效。
第一篇
力学
思考
重 大 数 理 学 院
I p
例1：撑杆跳运动员从横杆跃 过,落在海棉垫子上不会摔伤， 如果不是海棉垫子，而是大 理石板，又会如何呢？
赵 承 均
例2：汽车从静止开始运动， 加速到20m/s。如果牵引力大， 所用时间短；如果牵引力小， 所用的时间就长。
[A]
第一篇
力学
例3.质量为 m 的小球，以水平速度 v 与固定的竖直壁作弹性碰撞，设 指向壁内的方向为正方向，则由于此碰撞，小球的动量变化为：
重 大 数 理 学 院
（A）mv （B）0 （C）2mv （D）-2mv
赵 承 均
m v v 2mv
[D]
第一篇
力学
重 大 数 理 学 院
③由①可知，小球所受重力和拉力的冲量为0，因此，拉力的冲量必然等 于小球重力冲量的负值，即：
2 mg I N mgT
第一篇
力学
z
mc mi
§3.2 质点系的动量定理 一、质点系
重 大 数 理 学 院
particle system
相互作用的质点构成的整体，称为质 点系。由运动的可迭加性质（亦即矢量的 性质），质点系的整体运动可以看做是各 个质点单独运动的迭加。 质心
第一篇
力学
讨论
重 大 数 理 学 院
动量与冲量的区别
①.动量是状态量；冲量是过程量； ②.动量方向为物体速度方向；冲量方向为作用时间内动量变化的方向。
冲量定理的使用
COMS反相器原理
Y
VDD
B
图3-5-14 带缓冲级的与非门
A
上述电路虽然简单;但存在一些严重缺点： 1 输出电阻受输入端状态的影响； 2 当输入端数目增多时;输出低电平也随着相应提高;使低电平噪声容限降低
3 5 CMOS电路
3 5 1 CMOS反相器工作原理
3 5 2 CMOS反相器的主要特性
3 5 3 CMOS传输门
3 5 4 CMOS逻辑门电路
3 5 5 CMOS电路的锁定效应及 正确使用方法
图351 CMOS反相器
D
G
S
S
G
D
vO
VDD
TL
T0
vI
3 5 1 CMOS反相器工作原理
CMOS反相器由一个P沟道增强型MOS管和一个N沟道增强型MOS管串联组成 通常P沟道管作为负载管;N沟道管作为输入管
第一种形式： 在反相器基础上增加一对P沟道T'P和N沟道T'N MOS管 当控制端为1时;T'P和T'N同时截止;输出呈高阻态；当控制端为0时;T'P和T'N同时导通;反相器正常工作 该电路为低电平有效的三态输出门
EN
图3516 三态输出CMOS门结构之二
A
Y
VDD
≥1
TN
TP
A
Y
&
TN
当输入vI为高电平时;负载管截止;输入管导通;负载电流IOL灌入输入管;如图356 所示 灌入的电流就是N沟道管的iDS;输出特性曲线如图357 所示 输出电阻的大小与vGSNvI有关;vI越大;输出电阻越小;反相器带负载能力越强
理论力学-9-动量定理及其应用
y
解法1：建立Oxy坐标系，在角度q为任意值的情形下
vA
yA 2lsin q
A
xB 2lcosq
vA yA 2lqcosq 2lcosq
vB xB 2lqsinq 2lsin q
Oθ
vB
B
p mivi
i
p mAvA mBvB
p mAvA mBvB
x
2lmcosq j 2lmsinq i
l
cost
例题 3
2．求作用在O轴处的最大水平约束力
y
由质心运动定理
A
O
C
B
l/2
x
&x&C
m1 2(m1
2m2 2m3 m2 m3 )
lω2
cos
ωt
D
Fox
MaCx
(m1
2m2
2m3 )
lω2 2
cos ωt
当 cosωt 1 时，水平约束力最大，其值为
Fox,max
Macx
(m1
2m2
隔板
水池
？抽去隔板后将会
发生什么现象
水
光滑台面
第9章 动量定理及其应用
？ 二人在太空中拔河，
初始静止，同时用尽 全力相互对拉。若A 的力气大于B的力气， 则拔河的胜负将如何？
第9章 动量定理及其应用
9.1 动量定理与动量守恒 9.2 质心运动定理 9.3 综合应用举例 9.4 结论与讨论
第9章 动量定理及其应用
2lm(-sinq i cosq j)
9.1.1 质点和质点系的动量
例题 1
解法2： 质点系的质心在C处，其速度大小为
A vC
1.dBdBmdBV定义及换算说明(陈理奎)
dB相关整理理解
dB是一个比例数值为10为底的对数log x，（及指数函数的指数，再乘以20或10）。
用dB表述的好处：方便电气计算值用小的指数就可以表述（由于dB为取Log对数函数，可以把很大的数变得很小指数值来表示）
知识回顾：指数函数：y=a x （a一般为参数）
对数函数：y=log a x（指数函数和对数函数互为反函数）
幂函数：y=x a
dB：表相对值。
电压类：dB=20 log（V2/V1）功率类：dB=10 log（P2/P1）
dBV： V1为1V,表示以1V为基准的相对电压V2，如：0 dBV=20 log（1V/1V）,20dBV=20 log （10V/1V）
dBuV: V1为1uV，表示以1uV为基准的相对电压V2
dBmV ：V1为1mV，表示以1mV为基准的相对电压V2
dBm: P1为1mW，表示以1mW为基准的相对功率P2 (特别注意：该表示功率毫瓦) dBW: P1为1mW，表示以1W为基准的相对功率P2
整理：陈理奎 20200229。
华中科技大学电子技术基础 数字部分 课件
如N个NMOS 管串联?
与非门
A& B
Y = AB
2. CMOS 与门 Y = AB = AB
+VDD
vO / V
TP
VDD A B
电压传输特性
+
vI
-
iD
vO
TN
C
0
DE F
VTH
vI / V
CA阈DB值、段电E：F压：段：
iD / mA
C D 电流传输特性
管截的止T漏状VNT、极态HTT=电，Np0、流均故.5T达导VPi总DD到通D≈有最，0一大流。个值过为两iD = iD（（maVx)D。D = 3 ~ 18 V）
P 沟道增强型 MOS 管: VGS <0
VGS > VTP VGS < VTP
MOS管导通 MOS管截止
5). MOS管的开关作用
a)N 沟道增强型 MOS 管)：
+VDD 导通
截止
RD
D G
vD
ROON约在1k以
内，与GVGS的
vO
vI
D vO vI
B
v CI RON 大小有关. CI
I
G 栅极S与衬底之间存
VNL =VIL(max)－VOL(max)
VOH VOH min
VIH
VNH
驱动门
VIH min负载门
VIL max
VOL V maxNL
VOL
VIL
3.传输延迟时间
传输延迟时间是表征门电路开关速度 的参数，它说明门电路在输入脉冲波
CMOS电路传输延迟时间
形的作用下，其输出波形相对于输入 波形延迟了多长的时间。
电源VCC、VSS、VDD、VEE、VPP、Vddf标号的区别
电源VCC、VSS、VDD、VEE、VPP、Vddf标号的区别VCC、VSS、VDD、VEE、VPP、Vddf 是什么？他们有什么区别？一、解释VCC：C=circuit 表示电路的意思，即接入电路的电压；VDD：D=device表示器件的意思，即器件内部的工作电压；VEE：发射极电源电压，Emitter Voltage，一般用于ECL，电路的负电源电压.VSS：S=series 表示公共连接的意思，通常是指电路公共接地端电压。
VPP：不同芯片对Vpp的定义稍有不同,比如电压峰峰值,单片机中Vpp多数定义为编程电压Vddf：Vddf为Flash(闪存)供电的外部电压二、说明1、对于数字电路来说，VCC是电路的供电电压，VDD是芯片的工作电压（通常Vcc>Vdd），VSS是接地点。
2、有些IC既有VDD引脚又有VCC引脚，说明这种器件自身带有电压转换功能。
3、在场效应管（或COMS器件）中，VDD为漏极，VSS为源极，VDD和VSS指的是元件引脚，而不表示供电电压。
4、一般来说VCC=模拟电源，VDD=数字电源，VSS=数字地，VEE=负电源另外一种解释：Vcc和Vee出现在双极型晶体管电路中，和集电极(collector)发射极(emitter)有关，所以一正一负。
Vdd，Vss在MOS电路中出现，和漏级(Drain)，源极(Source)有关，也是一正一负。
Vcc和Vdd是器件的电源端。
Vcc是双极器件的正，Vdd多半是单级器件的正。
下标可以理解为NPN晶体管的集电极C，和PMOSorNMOS场效应管的漏极D。
同样你可在电路图中看见Vee和Vss，含义一样。
因为主流芯片结构是硅NPN所以Vcc通常是正。
如果用PNP结构Vcc就为负了。
荐义选用芯片时一定要看清电气参数。
Vcc来源于集电极电源电压，CollectorVoltage，一般用于双极型晶体管，PNP管时为负电源电压，有时也标成-Vcc，NPN管时为正电压。
线路板英语
PCB、PWB、FPC的定义和区别PCB是英文Printedcircuitboard的缩写，正式译文是印制电路板或印制线路板，或印刷线路板；包括印制线路图形和印制元件；PWB是英文Printedwireboard的缩写，正式译文是印刷线路板，是英国人早期的叫法，因为当时线路板上只有线路图，而没有印制元件等，所以属于较为原始的板子；由于传统好多英国人和部分香港人还称线路板为PWB；FPC是柔性线路板简称，又称软板，英文是Flexibleprintedboard的缩写。
FPC常用术语中英文对照AAccelerate Aging ——加速老化，使用人工的方法，加速正常的老化过程。
Acceptance Quality Level (AQL) ——一批产品中最大可以接受的缺陷数目，通常用于抽样计划。
Acceptance Test ——用来测定产品可以接受的试验，由客户与供应商之间决定。
Access Hole ——在多层线路板连续层上的一系列孔，这些孔的中心在同一个位置，而且通到线路板的一个表面。
Annular Ring ——是指保围孔周围的导体部分。
Artwork ——用于生产“Artwork Master”“production Master”,有精确比例的菲林。
Artwork Master ——通常是有精确比例的菲林，其按1：1的图案用于生产“Production Master”。
BBack Light ——背光法，是一种检查通孔铜壁完好与否得放大目检方法，其做法是将孔壁外的基材自某一方向上小心的予以磨薄，再利用树脂半透明的原理，从背后射入光线。
假如化学铜孔壁品质完好而无任何破洞或针孔时，则该铜层必能阻绝光线而在显微中呈现黑暗，一旦铜壁有破洞时，则必有光点出现而被观察到，并可放大摄影存证，称为背光法，但只能看到半个孔。
Base Material ——绝缘材料，线路在上面形成。
（可以是刚性或柔性，或两者综合。
反激变压器的计算
1.计算原边输入最小直流电压： Vinmin(DC) =1.414*Vinmin(AC) -△Vin= 2.计算原边输入最大直流电压：Vinmax(DC) =1.414*Vinmax(AC) = 3.计算第一路实际输出功率(包括整流二极管功耗)： PO1=(VO1+Vf1)*IO1= 4.计算第二路实际输出功率(包括整流二极管功耗)： PO2=(VO2+Vf2)*IO2= 5.计算第三路实际输出功率(包括整流二极管功耗)： PO3=(VO3+Vf3)*IO3= 6.计算总的实际输出功率(包括整流二极管功耗)： PO=PO1+PO2+PO3= 7.计算总的实际输入功率： Pin=PO/η= 8.输入平均电流: Iin(aver)= Pin/Vinmin(DC) = 9.变压器原边的峰值电流：IP=2*Iin(aver) /(1+k)/Dmax= 10.变压器原边电流的变化量：△IP=IP*(1-K)= 11.变压器的原边电感量：LP=Vinmin(DC) *Dmax*T/△IP= 12.变压器的原边匝数： NP=Vinmin(DC) *Dmax*T/(△B*Ae)= 13.变压器原副边的匝比: NPS1=Vinmin(DC) *Dmax/(Vo1+Vf1)/(1-Dmax)= 14.变压器副边第一路匝数：NS1=NP/NPS1= 15.变压器副边第二路匝数：NS2=(Vo2+Vf2)*NS1/(Vo1+Vf1)= 16.变压器副边第三路匝数：NS3=(Vo3+Vf3)*NS1/(Vo1+Vf1)=
mm
25.次级边第一路的电流峰值(断续状态下)：
Is1= 2PO1NPS12 T LP
4.65
A
26.次级边第一路的电流持续时间(断续状态下)： T1=2I01*T/IS1= 27.次级边第一路的电流有效值(断续状态下)：
热力学第零定律
§1 热力学系统概述 §2 热力学第零定律 §3 物态方程
§1 热力学系统概述
一、热力学系统
由大量微观粒子组成的、有明确界面的连续介质系统。
（界面可以是真实的，也可以是虚拟的，即认为划定的。）
系统 外 界
孤立系统： 无能量、物质交换。
封闭系统： 有能量交换、无物质交换
开放系统： 能量、物质交换。
p 0 V m 0/xR T
xm 0 R T 0
p 0 V
m R p V Tm p 0 R 0 V T 0p p 0 T T 0m 0
由题意， T T0
m p p 0 m 0 1 .0 5 1 .3 0 2 5 1 0 1 4 0 5 1 .0 g 0 .4 9 3 g
三、实际气体的物态方程 1、范德瓦耳斯方程 考虑到分子间的引力和斥力作用，把理想气体方程 进行了修正。
3、 热力学温标 与具体的测温物质的属性无关，是一种理论温标。 在理想气体温标适用的温度范围内，理想气体温 标是热力学温标的具体实现方式。（第三章介绍）
4、国际温标
1927年开始建立国际实用温标.几经修改，现在国际 上采用的是1990年国际温标（ITS--90）。
1K定义为水的三相点温度的1/273.16。
T = t+273.15（k）
§3 物态方程之间满足一定的函 数关系。
处于热平衡的热力学系统具有确定的温度，而且温 度是状态参量的函数：
T = T（x、y） 上式可改写为： f（T、x、y）= 0
系统的物态方程
一、气体定律（实验定律）
1.玻意耳定律（1662） PVC
3、各向同性固体与液体的物态方程
各向同性固体和液体同气体一样，也可以用p,V作 状态参量描述一定质量的系统状态。
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PROFIBUS-DP用于现场的高速数据传送时,主站周期地读取
从站的输入信息并周期地向从站发送输出信息。目前PROFIBUS-DP
有3个功能版本,即DPV0、DPV1、DPV2。
DPV0实现的PROFIBUS-DP基本功能和特征:即采用RS-485双绞
线、双线电缆或光缆进行数据传输,波特率为9.6K~12Mbps。设备类
型有:(1)一类主站(DPM1),中央可编程控制器PLC等。(2)二类主站
(DPM2),如可编程、可组态、可诊断的设备。(3)DP从站,如分散式I/O
设备。各主站间令牌传递,总线上最大站点(主-从设备)数为126。主-
从用户数据传送采用循环方式,每个DP从站的输入和输出数据最大
为246字节。主-主数据传送采用非循环方式;DPM1与DP从站之间
的数据传送分为3个阶段:参数设定、组态配置和数据交换。
因为DPV0只允许主站和从站之间进行周期性数据交换,而不允
许进行非周期性数据传输, DPV1可实现这一要求,它是DP的扩展功
能,是对DPV0基本功能的补充,且与DPV0兼容。其扩展的功能有:
DPM1与DP从站间可以进行非循环的数据传输;带DDLM读和
DDLM写的非循环读/写功能,可读写从站任何所需要的数据;允许报
警响应,DP基本功能允许DP从站用诊断信息向主站自发地传输事件,
新增的DDLM-ALAM-ACK功能被用来直接响应在DP从站上接收的
报警数据;DPM1与从站间的非循环数据传输。
DPV0是循环交换数据,例如CPU与分布式IO的通讯.DPV1是
非循环数据交换,例如报警信息上传等. DPV2则可支持从站间的数
据交换.
比如：在某一时刻，我要控制该设备动作，这时要求写数据到该设备
以达到控制目的，又比如修改该设备的某些参数等，但都不是周期性
地写，而是在我需要的是时候就写，平时还是一直读实时数据）这样
用DPV0 就不能实现，要用DPV1 才能实现以上功能 ！
任何非周期的报文都可通过周期报文实现，关键是如果你不需要
实时数据的话，比如偶尔设置参数，读参数，那用非周期实现是最好
不过的了。可以在周期性报文中自己定义个传输规则，就能实现了！
（如果你没有DPV1的开发包的话，要自己编程，很难实现DPV1
的功能的！）
PROFIBUS –DP用于现场层的高速数据传送。主站周期地读取从站
的输入信息并周期地向从站发送输出信息。总线循环时间必须要比主
站（PLC）程序循环时间短。任何非周期的报文都可通过周期报文实
现，关键是如果你不需要实时数据的话，比如故障报警，（时间偏差
1μs），比如偶尔用上位机设置参数，那用非周期实现是最好不过的了。
DPV1的主站一定兼容DPV0的子站。DPV1的设备名称可视
（设备的名称地址）可以用组态实现。设备的故障报警是在报文中加
入一个故障信息字节。不涉及过程自动化，完全满足通讯的目的需要。