gjb 5441-2005固体激光器测试方法

激光测试方法

激光测试方法嘿，朋友们！今天咱来聊聊激光测试方法这玩意儿。

你说激光，那可真是个神奇的东西啊！就好像是一把能精准测量的魔法棒。

想象一下，一道细细的激光束，嗖地一下就能帮我们搞清楚好多事情呢！比如说在工业生产里，激光测试就大显身手啦。

它能快速又准确地测量出各种零件的尺寸和形状，这可太重要啦！要是没有它，那些精细的活儿可咋整呀？就好比你要盖一座高楼，没有精确的测量工具，那楼还不得歪歪扭扭的呀！再看看医学领域，激光测试也在帮忙呢！它可以用来检测眼睛的健康状况，哇塞，是不是很厉害？就好像是医生的超级助手，能一下子找到问题所在。

那激光测试方法具体是怎么操作的呢？嘿嘿，这可得好好讲讲。

首先得有一台厉害的激光测试仪器吧，这就好比战士上战场得有把好枪一样。

然后呢，要把它对准要测量的东西，让激光束发挥作用。

这时候啊，仪器就会给出各种数据，这些数据可都是宝贝呀，能告诉我们好多信息呢！咱就说，要是没有激光测试，好多事情得多麻烦呀！就像你要在茫茫大海里找一条小鱼，那可太难啦。

但有了激光测试，就好像有了一双超级眼睛，一下子就能找到目标。

而且啊，激光测试的精度那是相当高的。

高到什么程度呢？就像能在头发丝上雕花一样！这可不是开玩笑哦，真的超级厉害的。

在生活中，我们也能时不时碰到激光测试的应用呢。

比如说有些电子设备的制造，就得靠它来保证质量。

你想想，要是手机的零件尺寸都不对，那手机还能用吗？肯定不行呀！总之呢，激光测试方法真是个了不起的东西。

它让我们的生活变得更精确，更美好。

咱可得好好珍惜这个神奇的技术，让它为我们的生活增添更多的光彩呀！这可不是我瞎吹，激光测试就是这么牛！你们说是不是呀？。

激光测量仪的使用方法

激光测量仪的使用方法
激光测量仪是一种高精度的测量工具，广泛应用于建筑、制造、地质勘探等领域。

它利用激光束的特性，通过测量光的传播时间和反射角度来计算出被测物体的距离、高度、角度等参数。

下面介绍一下激光测量仪的使用方法。

准备工作。

在使用激光测量仪之前，需要先检查仪器是否正常工作，电池是否充足，激光发射器是否清洁。

同时，需要选择一个平坦、稳定的测量基准面，以确保测量结果的准确性。

进行测量。

将激光测量仪对准被测物体，按下测量键，仪器会发射一束激光束，经过反射后返回仪器，仪器会自动计算出被测物体的距离、高度、角度等参数，并显示在屏幕上。

需要注意的是，在测量过程中，要保持仪器与被测物体之间的距离稳定，避免干扰因素的影响。

处理测量结果。

激光测量仪可以将测量结果保存在仪器内存中，也可以通过连接电脑进行数据传输和处理。

在处理测量结果时，需要注意单位的转换和精度的控制，以确保测量结果的可靠性和准确性。

激光测量仪是一种高精度、高效率的测量工具，可以大大提高测量的准确性和效率。

在使用激光测量仪时，需要注意仪器的准备工作、测量过程和结果处理，以确保测量结果的可靠性和准确性。

激光测量仪的使用方法【干货技巧】

激光测量仪的使用方法内容来源网络，由“深圳机械展（11万㎡，1100多家展商，超10万观众）”收集整理！更多cnc加工中心、车铣磨钻床、线切割、数控刀具工具、工业机器人、非标自动化、数字化无人工厂、精密测量、3D打印、激光切割、钣金冲压折弯、精密零件加工等展示，就在深圳机械展.一、使用前的准备（一）电池的装入/更换打开仪器尾部的固定挡板。

向前推卡钮，向下将底座取下。

按住红色的卡钮推开电池盒盖。

安装或更换电池。

关闭电池盒盖，安装底座和卡扣。

当电池的电压过低时，显示屏上将持续闪烁显示电池的标志{B，21}。

此时应及时更换电池。

1、按照极性正确装入电池。

2、使用碱性电池（建议不要使用充电电池）。

3、当长时间不使用仪器时，请取出电池，以避免电池的腐蚀。

更换电池后，设置和储存的值都保持不变。

（二）多功能底底座固定挡板可以在下面的测量情况下使用：1、从边缘测量，将固定挡板拉出，直到听到卡入的声音。

2、从角落测量，将固定挡板拉出，直到听到卡入的声音，轻轻将固定挡板向右推，此时固定挡板完全展开。

仪器自带的传感器将辨认出固定挡板的位置，并将自动设置测量其准点。

（三）内置的望远镜瞄准器在仪器的右部有一个内置的望远镜瞄准器。

此望远镜瞄准器为远距离测量起到辅助的作用。

通过瞄准器上的十字丝可以精确地观察到测量目标。

在30米以上的测量距离，激光点会显示在十字线的正中。

而在30米以下的测量距离，激光点不在十字线中间。

（四）气泡一体化的水泡使仪器更容易调平。

（五）键盘1、开/测量键2、第二级菜单功能3、加+键4、计时（延迟测量）键5、等于[=]键6、面积/体积键7、储存键8、测量基准边键9、清除/关键10、菜单键11、照明键12、间接测量（勾股定律）键13、减-键14、BLUETOOTH（六）显示屏1、关于错误测量的信息2、激光启动3、周长4、最大跟踪测量值5、最小跟踪测量值6、测量基准边7、调出储存值8、储存常数9、主显示10、单位，包括乘方立方（2/3）11、顶的面积12、墙面积13、3个额外显示（如：测量中间值）14、BLUETOOTH蓝牙开/关15、第二级菜单功能开16、硬件故障17、间接测量-利用勾股定律18、间接测量-利用勾股定律-部分高度19、面积/体积20、带常数的测量21、电池充电量显示二、菜单功能（一）设置在菜单中可以改变设置，并将其长久保存，并在关机和更换电池后不改变。

SEMI 标准列表

标准名称编号标准化标准技术制图图样画法制图GB/T 17451-1998产品标准化大纲编制指南GJB/Z 114A-2005标准化评审GJB/Z 113-98新产品工艺标准化综合要求编写指南GJB/Z 106-98企业标准体系管理标准和工作标准体系GB/T 15498-2003企业标准体系要求GB/T 15496-2003企业标准体系评价与改进GB/T 19273-2003军用标准文献分类法GJB/T 832-2005标准化工作导则第一部分：标准的结构和编写规则GB/T 1.1-2000综合标准化工作导则工业产品综合标准化一般要求GB/T 12366.2-90综合标准化工作导则原则与方法GB/T 12366.1-90标准化工作指南第二部分：采用国际标准的规则GB/T 20000.2－2001标准编写规则第三部分：信息分类编码GB/T 20001.3-2001标准编写规则第四部分：化学分析方法GB/T 20001.4-2001标准体系表编写原则和要求GB/T 13016-91标准化和有关领域的通用术语第一部分：通用术语GB/T 3935.1-1996消费品使用说明总则GB 5296.1-1997电磁干扰和电磁兼容性术语GJB 72A-2002标准化工作指南第三部分：引用文件GB/T 20000.3-2003标准化工作指南第四部分：标准中涉及安全的内容GB/T 20000.4-2003环境检测分析方法标准制订技术导则HJ/T 168-2004军用标准文件编制工作导则第一部分：军用标准和指导性技术文件编写规定GJB 0.1-2001军用标准文件编制工作导则第二部分：军用规范编写规定GJB 0.2－2001军用标准文件编制工作导则第三部分：出版印刷规定GJB 0.3－2001说明书的编制构成内容和表示方法GB/T 19678-2005/IEC 62079:2001气体和超净标准、环保标准中国环境保护标准汇编水质分析方法中国环境保护标准汇编废气废水废渣分析方法中国环境保护标准汇编大气质量分析方法气体中微量水分的测定电解法GB 5832.1-86气体中微量水分的测定露点法GB 5832.2-86气体中微量氧的测定电化学法GB 6285-86氢气GB/T 3634-1995氮GB/T 3864-1996洁净厂房设计规范GB 50073-2001纯氢、高纯氢和超纯氢GB/T 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762.3-89军用电子元器件破坏性物理分析方法GJB 4027-2000军用设备环境试验方法GJB 150.3-86半导体材料标准目录基础标准一、我国半导体材料标准1.基础标准锗晶体缺陷图谱GB/T 8756-1988掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程GB/T 13389-1992半导体材料术语GB/T 14264-1993半导体材料牌号表示方法GB/T 14844-1993晶片通用网络规范GB/T 16595-1996确定晶片坐标系规范GB/T 16596-1996硅材料原生缺陷图谱（原GBn 266-87）YS/T 209-1994 2.产品标准工业硅技术条件GB/T 2881-1991锗单晶GB/T 5238-1995高纯镓GB/T 101 18-1988高纯二氧化锗GB/T 1 1069-1989还原锗锭GB/T 1 1070-1989区熔锗锭GB/T 1 1071-1989锑化铟多晶、单晶及切割片GB/T 1 1072-1989液封直拉法砷化镓单晶及切割片GB/T 1 1093-1989水平法砷化镓单晶及切割片GB/T 1 1094-1989硅单晶GB/T 12962-1996硅多晶GB/T 12963-1996硅单晶抛光片GB/T 12964-2003硅单晶切割片和研磨片GB/T 12965-1996硅外延片GB/T 14139-1993锗单晶片GB/T 15713-1995高纯四氯化锗YS/T 13-1991硅片包装YS/T 28-1992高纯砷YS/T 43-1992高纯铟（原GB 8003-87）YS/T 264-1994霍尔器件和甘氏器件用砷化镓液相外延片（原GB1 1095-89）Ys/T 290-1994锗富集物（原zB H 31003-87）YS/T 300-1994 3.方法标准非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T 1550-1997硅、锗单晶电阻率测定　直流两探针法GB/T 1551-1995硅、锗单晶电阻率测定　直排四探针法GB/T 1552-1995硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法GB/T 1553-1997硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法GB/T 1554-1995半导体单晶晶向测定方法GB/T 1555-1997硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法GB/T 1557-1989硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法GB/T 1558-1997硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法GB/T 4058-1995硅多晶气氛区熔磷检验方法GB/T 4059-1983硅多晶真空区熔基硼检验方法GB/T 4060-1983硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法GB/T 4061-1983半导体硅材料中杂质元素的活化分析方法GB/T 4298-1984非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法GB/T 4326-1984锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法GB/T 5252-1985半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法GB/T 6616-1995硅片电阻率测定扩展电阻探针法GB/T 6617-1995硅片厚度和总厚度变化测试方法GB/T 6618-1995硅片弯曲度测试方法GB/T 6619-1995硅片翘曲度非接触式测试方法GB/T 6620-1995硅抛光片表面平整度测试方法GB/T 6621-1995硅抛光片表面质量目测检验方法GB/T 6624-1995砷化镓中载流子浓度等离子共振测量方法GB/T 8757-1988砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法GB/T 8758-1988砷化镓单晶位错密度的测量方法GB/T 8760-1988砷化镓外延层载流子浓度电容一电压测量方法GB/T 11068-1989硅片径向电阻率变化的测量方法GB/T 11073-1989电子材料晶片参考面长度测量方法GB/T 13387-1992硅片参考面结晶学取向x射线测量方法GB/T 13388-1992硅片直径测量方法光学投影法GB/T 14140.1-1993硅片直径测量方法千分尺法GB/T 14140.2-1993 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法GB/T 1414l-1993硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法GB/T 14142-1993 300-900&m硅片间隙氧含量红外吸收测量方法GB/T 14143-1993硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法GB/T 14144-1993硅外延层堆垛层错密度测定干涉相衬显微镜法GB/T 14145-1993硅外延层载流子浓度测定汞探针电容一电压法GB/T 14146-1993重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法GB/T 14847-1993工业硅化学分析方法　1，10一二氮杂菲分光光度法测定铁量GB/T 14849.1-1993工业硅化学分析方法　铬天青-S分光光度法测定铝量GB/T 14849.2-1993工业硅化学分析方法　钙量的测定GB/T 14849.3-1993硅片抗弯强度测试方法GB/T 15615-1995硅抛光片和外延片表面质量光反射测试方法GB/T 17169-1997非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法GB/T 17170-1997砷化镓单晶AB微缺陷检验方法GB/T 18032-2000半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法GB/T 19199-2003异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法YS/T 14-1991硅外延层和扩散层厚度的测定磨角染色法YS/T 15-1991硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法YS/T 23-1992外延钉缺陷的检验方法YS/T 24-1992硅抛光表面清洗方法YS/T 25-1992硅片边缘轮廓检验方法YS/T 26-1992晶片表面上微粒沾污测量和计数的方法YS/T 27-1992高纯砷化学分析方法孔雀绿分光光度法测定锑量YS/T 34.1-1992高纯砷化学分析方法化学光谱法测定钴、锌、银、铜、钙、铝、镍、铬、铅、镁、铁量YS/T 34.2-1992高纯砷化学分析方法极谱法测定硒量YS/T 34.3-1992高纯砷化学分析方法极谱法测定硫量YS/T 34.4-1992高纯二氧化锗化学分析方法硫氰酸汞分光光度法测定氯量YS/T 37.1-1992高纯二氧化锗化学分析方法钼蓝分光光度法测定硅量YS/T 37.2－1992高纯二氧化锗化学分析方法石墨炉原子吸收光谱法测定砷量YS/T 37.3－1992高纯二氧化锗化学分析方法化学光谱法测定铁、镁、铅、镍、铝、钙、铜、铟和锌量YS/T 37.4-1992高纯镓化学分析方法钼蓝分光光度法测定硅量YS/T 38.1-1992高纯镓化学分析方法化学光谱法测定锰、镁、铬和锌量YS/T 38.2-1992高纯镓化学分析方法化学光谱法测定铅、镍、锡和铜量YS/T 38.3-1992高纯铟中铝、镉、铜、镁、铅、锌量的测定（化学光谱法）（原GB 2594.1-81）YS/T 230.1-1994高纯铟中铁量的测定（化学光谱法）（原GB2594.2-81）YS/T 230.2-1994高纯铟中砷量的测定（二乙氨基二硫代甲酸银（Ag-DDC）法）（原GB 2594.3-81）YS/T 230.3-1994高纯铟中硅量的测定（硅钼蓝吸光光度法）（原GB 2594.4-81）YS/T 230.4-1994高纯铟中硫量的测定（氢碘酸、次磷酸钠谱法）（原GB 2594.5-81）YS/T 230.5-1994高纯铟中鉈量的测定（罗丹明B吸光光度法）（原GB 2594.6-81）YS/T 230.6-1994高纯铟中锡量的测定（苯芴铜－溴代十六烷基三甲氨吸光光度法）（原GB 2594.7-81）YS/T 230.7-1994 SEMI 标准硅单晶抛光片规范SEMI M1-0302直径2inch硅单晶抛光片规格SEMI M1.1-89（重订本0299）直径3inch硅单晶抛光片规格SEMI M1.2-89（重订本0299）直径100mm硅单晶抛光片规格（厚度525μm）SEMI M1.5-89（重订本0699）直径100mm硅单晶抛光片规格（厚度625μm）SEMI M1.6-89（重订本0699）直径125mm硅单晶抛光片规格SEMI M1.7-89（重订本0699）直径150mm硅单晶抛光片规格SEMI M1.8-0669直径200mm硅单晶抛光片规格(切口)SEMI M1.9-0669直径200mm硅单晶抛光片规格(参考面)SEMI M1.10-0669直径100mm无副参考面硅单晶抛光片规格（厚度525μm）SEMI M1.11-90（重订本0299）直径100mm无副参考面硅单晶抛光片规格　SEMI M1.12-90（重订本0299）直径150mm无副参考面硅单晶抛光片规格（厚度625μm）SEMI M1.13-0699直径350mm和400mm硅单晶抛光片指南SEMI M1.14-96直径300mm硅单晶抛光片规格(切口)SEMI M1.15-0302分立器件用硅外延片规范SEMI M2.0997蓝宝石单晶抛光衬底规范SEMI M3.12962inch蓝宝石衬底标准SEMI M3.2－91 3inch蓝宝石衬底标准SEMI M3.4－91 100mm蓝宝石衬底标准SEMI M3.5－92 3inch回收蓝宝石衬底标准SEMI M3.6－88 125mm蓝宝石衬底标准SEMI M3.6－88 150mm蓝宝石衬底标准SEMI M3.8－91蓝宝石衬底上硅单晶（SOS）外延片规范SEMI M4－1296太阳能光电池用硅片规范SEMI M6－1000硅单晶抛光试验片规范SEMI M8－0301砷化镓单晶抛光片规范SEMI M9－0999电子器件用直径50.8mm砷化镓单晶圆形抛光片标准SEMI M9.1－96电子器件用直径76.2mm砷化镓单晶圆形抛光片标准SEMI M9.2－96光电子用直径2inch砷化镓单晶圆形抛光片标准SEMI M9.3－89光电子用直径3inch砷化镓单晶圆形抛光片标准SEMI M9.4－89电子器件用直径100mm砷化镓单晶圆形抛光片标准SEMI M9.5－96直径125mm砷化镓单晶圆形抛光片标准SEMI M9.6－95直径150mm砷化镓单晶圆形抛光片（切口）规范SEMI M9.7－0200鉴别砷化镓晶片上观察到的结构和特征的标准术语SEMI M10－1296集成电路用硅外延片规范SEMI M11－0301晶片正面系列字母数字标志规范SEMI M12－0998硅片字母数字标志规范SEMI M13－0998半绝缘砷化镓单晶离子注入与激活工艺规范SEMI M14－89半绝缘砷化镓抛光片缺陷限度表SEMI M15－0298多晶硅规范SEMI M16－1296块状多晶硅标准SEMI M16.1－89晶片通用网格规范SEMI M17－0998硅片订货单格式SEMI M18－0302体砷化镓单晶衬底电学特性规范SEMI M19－91建立晶片坐标系的规范SEMI M20－0998地址分配到笛卡尔坐标系的矩形单元规范SEMI M21－0998介电绝缘（DI）晶片规范SEMI M22－1296磷化铟单晶抛光片规范SEMI M23－0302直径50mm磷化铟单晶圆形抛光片标准SEMI M23.1－0600 3inch(76.2mm)磷化铟单晶圆形抛光片标准SEMI M23.2－1000矩形磷化铟单晶抛光片标准SEMI M23.3－0600电子和光电子器件用100mm圆形磷化铟单晶抛光片规范（燕尾槽）SEMI M23.4－0999电子和光电子器件用100mm圆形磷化铟单晶抛光片规范（V尾槽）SEMI M23.5－1000优质单晶抛光片规范SEMI M24－1101根据聚苯乙烯乳胶球直径校准光点缺陷硅片检验系统用硅片规范SEMI M25－95运输晶片用的片盒和花篮再使用指南SEMI M26－96确定测试仪器的精度与公差比（P/T）的规程SEMI M27－96开发中的直径300mm硅单晶抛光片规范SEMI M28－0997（1000撤回）直径300mm晶片传递盒规范SEMI M29－1296用傅立叶变换红外吸收光谱测量砷化镓中代位碳原子浓度的标准方法SEMI M30－0997用于300mm晶片传送和发货的正面打开的发货片盒暂定机械规范SEMI M31－0999统计规范指南SEMI M32－0998用全反射X射线荧光光谱（TXRF）测定硅片表面残留玷污的测试方法SEMI M33－0998制定SIMOX硅片技术规范指南SEMI M34－0299开发自动检查方法测量硅片表面特征规范的指南SEMI M35－0299低位错密度砷化镓晶片腐蚀坑密度（EPD）的测试方法SEMI M36－0699低位错密度磷化铟晶片中腐蚀坑密度（EPD）的测试方法SEMI M37－0699硅抛光回收片规范SEMI M38－1101半绝缘砷化镓单晶材料的电阻率、霍尔系数盒霍尔迁移率测试方法SEMI M39－0999关于硅片平坦表面的表面粗糙度的测量指南SEMI M40－0200功率器件、集成电路用绝缘体上硅（SOI）晶片的规范SEMI M41－1101化合物半导体外延片规范SEMI M42－1000关于编制硅片纳米形貌报告的指南SEMI M43－0301硅中间隙氧的转换因子指南SEMI M44－0301 300mm晶片发货系统临时标准SEMI M45－0301用EVC剖面分布测量外延层结构中载流子浓度的测试方法SEMI M46－1101 CMOS LSI电路用绝缘体上硅（SOI）晶片规范SEMI M47－0302评价无图形硅衬底上薄膜的化学机械抛光工艺的指南SEMI M48－1101用于130nm级工艺硅片几何尺寸测量设备的指南SEMI M49－1101采用覆盖法确定表面扫描检查系统的捕获率和虚假计数率的测试方法SEMI M50－1101化合物半导体外延片规范SEMI M42－1000硅片背面条型代码标志规范SEMI T1－95带有二维矩阵代码符号的晶片标志规范SEMI T2－0298晶片盒标签规范SEMI T3－0302 150mm和200mm晶片箱标志尺寸规范SEMI T4－0301砷化镓圆形晶片字母数字刻码规范SEMI T5－96带二维矩阵代码符号的双面抛光晶片背面标志规范SEMI T7－0302。

GJBB微电子器件试验方法和程序

G J B B微电子器件试验方法和程序Revised final draft November 26, 2020G J B548B-2005微电子器件试验方法和程序点击次数：181 发布时间：2011-3-1 14:24:07GJB 548B-2005 代替 GJB 548A-1996?中华人民共和国国家军用标准微电子器件试验方法和程序Test methods and procedures for microelectronic device方法盐雾(盐汽)1 目的本试验是为了模拟海边空气对器件影响的一个加速的腐蚀试验术语和定义1.1.1 腐蚀 corrosion指涂层和(或)底金属由于化学或电化学的作用而逐渐地损坏腐蚀部位 corrosion site指涂层和(或)底金属被腐蚀的部位，即腐蚀位置腐蚀生成物(淀积物) corrosion product(dcposit)指腐蚀作用的结果(即锈或氧化铁、氧化镍、氧化锡等)。

腐蚀生成物可能在原来腐蚀部位，或者由于盐液的流动或蔓延而覆盖非腐蚀区域。

1.1.4 腐蚀色斑 corrosion stain腐蚀色斑是由腐蚀产生的半透明沉淀物。

气泡 blister指涂层和底金属之间的局部突起和分离针孔 pinhole指涂层中产生的小孔，它是完全贯穿涂层的一种缺陷。

凹坑 pitting指涂层和(或)底金属的局部腐蚀，在某一点或小区域形成空洞起皮 flaking指局部涂层分离，而使底金属显露2 设备盐雾试验所用设备应包括：a) 带有支撑器件夹具的试验箱。

该箱及其附件应彩不会与盐雾发生作用的材料(玻璃、塑料等)制造。

在试验箱内，与试验样品接触的所有零件，应当用不产生电解腐蚀的材料制造。

该箱应适当通风，以防止产生“高压”，并保持盐雾的均匀分布；b) 能适当地防止周围环境条件对盐溶液容器的影响。

如需要，为了进行长时间试验，可采用符合试验条件C和D(见要求的备用盐溶液容器；c) 使盐液雾化的手段，包括合适的喷嘴和压缩空气或者由20%氧、80%氮组成的混合气体(应防止诸如油和灰尘等杂质随气体进入雾化器中);d) 试验箱应能加热和控制e) 在高于试验箱温度的某温度下，使空气潮湿的手段；f) 空气或惰性气体于燥器；g) 1倍~3倍、10倍~20倍和30倍~60倍的放大镜。

SEMI 标准列表

标准名称编号标准化标准技术制图图样画法制图GB/T 17451-1998产品标准化大纲编制指南GJB/Z 114A-2005标准化评审GJB/Z 113-98新产品工艺标准化综合要求编写指南GJB/Z 106-98企业标准体系管理标准和工作标准体系GB/T 15498-2003企业标准体系要求GB/T 15496-2003企业标准体系评价与改进GB/T 19273-2003军用标准文献分类法GJB/T 832-2005标准化工作导则第一部分：标准的结构和编写规则GB/T 1.1-2000综合标准化工作导则工业产品综合标准化一般要求GB/T 12366.2-90综合标准化工作导则原则与方法GB/T 12366.1-90标准化工作指南第二部分：采用国际标准的规则GB/T 20000.2－2001标准编写规则第三部分：信息分类编码GB/T 20001.3-2001标准编写规则第四部分：化学分析方法GB/T 20001.4-2001标准体系表编写原则和要求GB/T 13016-91标准化和有关领域的通用术语第一部分：通用术语GB/T 3935.1-1996消费品使用说明总则GB 5296.1-1997电磁干扰和电磁兼容性术语GJB 72A-2002标准化工作指南第三部分：引用文件GB/T 20000.3-2003标准化工作指南第四部分：标准中涉及安全的内容GB/T 20000.4-2003环境检测分析方法标准制订技术导则HJ/T 168-2004军用标准文件编制工作导则第一部分：军用标准和指导性技术文件编写规定GJB 0.1-2001军用标准文件编制工作导则第二部分：军用规范编写规定GJB 0.2－2001军用标准文件编制工作导则第三部分：出版印刷规定GJB 0.3－2001说明书的编制构成内容和表示方法GB/T 19678-2005/IEC 62079:2001气体和超净标准、环保标准中国环境保护标准汇编水质分析方法中国环境保护标准汇编废气废水废渣分析方法中国环境保护标准汇编大气质量分析方法气体中微量水分的测定电解法GB 5832.1-86气体中微量水分的测定露点法GB 5832.2-86气体中微量氧的测定电化学法GB 6285-86氢气GB/T 3634-1995氮GB/T 3864-1996洁净厂房设计规范GB 50073-2001纯氢、高纯氢和超纯氢GB/T 7445-1995洁净室检测规范GB/T16292-1996电子级气体中颗粒和痕量杂质测定方法SJ2798~2807-87电子工业用气体GB/T 14600~14604-93电子工业用气体氮GB/T 16944-1997大气污染物综合排放标准GB16297-1996微电子标准微电子器件试验方法和程序GJB 548B-2005半导体分立器件总规范GJB 33A-97半导体分立器件型号命名方法GB/T249-89半导体集成电路总规范GJB 597A－96混合集成电路通用规范GJB 2438A-2002半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理SJ/T 10741-2000半导体分立器件包装规范GJB 3164-98电子产品防静电放电控制手册GJB/Z 105-98防静电包装手册GJB/Z 86-97印制板总规范GB/T 16261-1996集成电路A/D和 D/A转换器测试方法的基本原理半导体集成电路JSC145152型CMOS并行输入锁相环4频率合成器详细规范SJ50597/37-95膜集成电路和混合集成电路外形尺寸GB/T 15138-94计量校准及管理标准测量不确定度的表示及评定GJB 3756-99检测和校准实验室能力的通用要求GB/T 15481-2000测量管理体系测量过程和测量设备的要求GB/T 19022-2003测量设备的质量保证要求计量确认体系GJB 2712-96测试实验室和校准实验室通用要求GJB 2725A－2001测量设备的质量保证要求第一部分测量设备的计量确认体系GB/T 19022.1-1994测量设备的质量保证第二部分：测量过程控制指南GB/T 19022.2-2000抽样标准计数抽样检验程序及表GJB 179A-96周期检验计数抽样程序及表GB/T 2829-2002计数抽样检验程序第一部分：按接收质量限（AQL)检索的逐批检验抽样计划GB/T 2828.1-2003军用电子元件失效率抽样方案和程序GJB 2649-96产品质量监督计数抽样程序及抽样表GB/T 14162-93光电类标准半导体光电模块总规范SJ 20642-97固体激光器总规范SJ 20027-92空间用单晶硅太阳能电池总规范GJB 1431-92固体激光器总规范GB/T 15490-1995红外探测器总规范GJB 1206-91红外探测器参数测试方法GB/T13584－92红外探测器外形尺寸系列GB/T13583-92半导体激光二极管空白详细规范GB/T 15649-1995半导体激光二极管总规范GJB3519-99固体激光器通用规范GJB 5849-2006大功率半导体激光二极管阵列通用规范SJ 20957-2006固体激光器测试方法GJB 5441-2005固体激光二极管测试方法SJ 2749-87太阳电池光谱响应测试方法GB 11009-89航天用标准太阳电池GB 6492-86航天用太阳电池标定的一般规定GB 6496-86航天用太阳电池电性能测试方法GB 6494-86太阳敏感电池通用规范GJB 2932-97太阳能电池温度系数测试方法SJ/T 10459-93太阳电池组件参数测试方法GB/T 14009-92光伏器件第1部分：光伏电流－电压特性的测量GB/T 6495.1-1996光伏器件第2部分：标准太阳电池的要求GB/T 6495.2-1996光伏器件第3部分：地面用光伏器件的测量原理及标准光谱辐照度数据GB/T 6495.3-1996半导体光电组件总规范SJ 20786-2000 PIN、APD光电探测器总规范SJ 20644-97PIN、APD光电探测器通用规范GJB 5022-2003军用激光器辐射传输测试方法GJB 894A－99PIN、雪崩光电二极管测试方法SJ 2354.1-83激光产品的安全第1部分：设备分类、要求和用户指南GB 7247.1-2001纤维光学试验方法GJB 915A-97纤维光学转接器第1部分：总规范GB/T 18308.1-2001纤维光学互连器件和无源器件基本试验和测量程序第2－4部分：试验光纤、光缆保持力GB/T 18310.4-2001纤维光学互连器件和无源器件基本试验和测量程序第3－2部分：检查和测量单模纤维光绪器件偏振依赖性GB/T 18311.2-2001纤维光学互连器件和无源器件基本试验和测量程序第3－3部分：检查和测量监测衰减和回波损耗变化（多路）GB/T 18311.3-2001纤维光学互连器件和无源器件基本试验和测量程序第3－6部分：检查和测量回波损耗GB/T 18311.6-2001纤维光学互连器件和无源器件基本试验和测量程序第2－18部分：试验干热－高温耐久性GB/T 18310.18-2001热敏电阻总规范GJB 601A-98光纤总规范GJB 1427A-99光纤光缆连接器第1部分：总规范GB/T 12507.1-2000光纤光缆连接器第2部分：F-SMA型光缆连接器分规范.0地面用晶体硅光伏组件设计鉴定和定型GB/T 9535-1998激光辐射功率测试方法GB/T 13863-92激光辐射功率稳定度测试方法GB/T 13864-92红外探测器试验方法GJB 1788-93超辐射发光二极管组件测试方法SJ 20785-2000红外发射二极管总规发GJB 3930-2000半导体光电器件GR1325J型长波长发光二极管组件详细规范SJ 20642/7-2000激光辐射发散角测试方法GB/T 13740-92激光辐射光束直径测试方法GB/T 13741-92晶体硅光伏器件的I-V实测特性的温度和辐照度修正方法GB/T 6495.4-1996发光二极管固体显示器总规范GJB 2146-94固体激光器主要参数测试方法GB/T 15175-94军用激光测距仪通用规范SJ 20793－2000质量控制管理标准产品质量保证大纲要求GJB 1406A-2005产品质量标志和可追溯性要求GJB 726A-2004不合格控制指南SJ/T 10466.15-94军用电气和电子元器件的标志GJB 2118-94武器装备研制项目管理GJB 2993-97军工批次管理的质量控制要求GJB 1330-91合同中质量保证要求GJB 2102-94航天产品质量问题归零实施指南QJ 3183-2003军工产品的批次管理的质量控制要求GJB 1330-91关键件和重要件的质量控制GJB 909-2005产品质量评审GJB 907-90故障报告、分析和纠正措施系统GJB 841-90质量管理和质量保证军用标准GJB/Z 9000~9004-96电子行业质量管理和质量体系要素标准SJ/T10466.1~10466.13-93质量管理和质量体系要素第4部分：质量改进指南GB/T 19004.1-1994航天产品设计文件管理制度QJ 1714.1~1714.8A-99QJ 1714.9A-99QJ 1714.10A~1714.12A-99电子元器件选用管理要求GJB 3404-98纠正措施指南SJ/T 10466.16-94产品包装、装卸、运输、贮存的质量管理要求GJB 1443-92质量经济性管理指南GB/Z 19024-2000电子元器件设计文件编制示例SJ/T 10718-1996质量成本管理指南GJB/Z4-88质量管理术语GJB 1405-92质量管理技术状态管理指南GB/T 19017-1997质量管理体系要求GJB 9001A-2001质量管理体系标准GB/T 19000-2000GB/T 19001-2000GB/T 19004-2000质量改进指南SJ/T 10466.19-1995系统安全性通用大纲GJB 900-90技术状态管理GJB 3206-98设计文件管理制度第1－3部分SJ/T 207.1-3-1999设计文件管理制度第4部分：设计文件的编号SJ/T 207.4-1999设计文件管理制度第5部分：设计文件的更改SJ/T 207.5-1999成套技术资料质量管理要求GJB 906-90设计评审GJB 1310A-2004设计质量控制指南SJ/T 10466.14-94外购器材的质量管理GJB 939-90人员培训和资格评定指南SJ/T 10466.21-1995包装储运图示标志GB 191-2000可靠性增长试验GJB 1407-92工艺设计评审指南SJ/T 10466.17-94厂际质量保证体系工作指南GJB/Z2-88不合格品管理GJB 571-88工艺评审GJB 1269A-2000工艺管理常用图形符号SJ/T 10462-93工序质量控制要求GJB 467-88工业产品保证文件GB/T 14436-93工艺文件标准汇编SJ/T 10375~10377-1993SJ/T 10531-1994SJ/T 10631-1995军工产品定型程序和要求GJB 1362-92军工产品质量管理要求与评定导则GJB/Z16-91接地、搭接和屏蔽设计的实施GJB 1210-91国防计量通用术语GJB 2715-96工艺文件完整性与工艺文件格式JB/T 9165.1~9165.4-1998武器装备研制项目管理GJB 2116-94装备维修性通用大纲GJB 368A-94特性分类GJB 190-86理化试验质量控制规范GJB 466-88器材供应单位质量保证能力评定GJB 1404-92装备可靠性维修性参数选择和指标确定要求总则GJB 1909－96金属镀覆和化学覆盖工艺质量控制要求GJB 480A-95焊接质量控制要求GJB 481-88故障树分析指南GJB/Z 768A-98故障模式、影响及危害性分析程序GJB 1391-92可靠性模型的建立和可靠性预计GJB 912-90装备综合保障通用要求GJB 3872-99装备质量与可靠性信息管理要求GJB 1686-93维修性试验与评定GJB 2072－94电子元器件统计过程控制体系GJB 3014-97电子元器件产品出厂平均质量水平评定方法GJB 2823-97电子工业用工艺装备分类编号SJ/T 10672-1995半导体分立器件结构相似性应用指南SJ 20756-1999电子元器件质量保证大纲GJB 546A-96中国国防科学技术报告编写规则GJB 567A-97大型试验质量管理要求GJB 1452A-2004维修性分配与预计手册GJB/Z 57－94电路容差分析指南GJB/Z 89-97熔模铸造工艺质量控制GJB 905-90技术文件使用与归档管理规定QJ 1089A~1092A-98产品质量信息管理指南SJ/T 10466.18-1995工艺文件格式的填写SJ/T 10375-93电子文件归档与管理规范GB/T 18894-2002质量手册编制指南GB/T 19023-1996多余物控制要求GJB 5296-2004军工产品售后技术服务GJB/Z 3-88装备可靠性工作通用要求GJB 450A-2004装备保障性分析GJB 1371-92电子设备可靠性预计手册GJB/Z 299B-98装备测试性大纲GJB 2547-95试验方法标准微电子器件试验方法标准－美国国防部标准（上、下）电子及电气元件试验方法GJB 360A-96半导体分立器件试验方法GJB 128A-97电子产品环境应力筛选方法GJB 1032-90无损检测质量控制规范磁粉检验GJB 593.3-88元器件破坏性物理分析管理要求QJ 3179-2003电子产品制造与应用系统防静电检测通用规范SJ/T 10694-2006防静电工作区技术要求GJB 3007-97电子元器件制造防静电技术要求SJ/T 10630-1995半导体器件辐射加固试验方法中子辐照试验GJB 762.1-89半导体器件辐射加固试验方法γ总剂量辐照试验GJB 762.2-89半导体器件辐射加固试验方法γ瞬时辐照辐照试验GJB 762.3-89军用电子元器件破坏性物理分析方法GJB 4027-2000军用设备环境试验方法GJB 150.3-86半导体材料标准目录基础标准一、我国半导体材料标准1.基础标准锗晶体缺陷图谱GB/T 8756-1988掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程GB/T 13389-1992半导体材料术语GB/T 14264-1993半导体材料牌号表示方法GB/T 14844-1993晶片通用网络规范GB/T 16595-1996确定晶片坐标系规范GB/T 16596-1996硅材料原生缺陷图谱（原GBn 266-87）YS/T 209-1994 2.产品标准工业硅技术条件GB/T 2881-1991锗单晶GB/T 5238-1995高纯镓GB/T 101 18-1988高纯二氧化锗GB/T 1 1069-1989还原锗锭GB/T 1 1070-1989区熔锗锭GB/T 1 1071-1989锑化铟多晶、单晶及切割片GB/T 1 1072-1989液封直拉法砷化镓单晶及切割片GB/T 1 1093-1989水平法砷化镓单晶及切割片GB/T 1 1094-1989硅单晶GB/T 12962-1996硅多晶GB/T 12963-1996硅单晶抛光片GB/T 12964-2003硅单晶切割片和研磨片GB/T 12965-1996硅外延片GB/T 14139-1993锗单晶片GB/T 15713-1995高纯四氯化锗YS/T 13-1991硅片包装YS/T 28-1992高纯砷YS/T 43-1992高纯铟（原GB 8003-87）YS/T 264-1994霍尔器件和甘氏器件用砷化镓液相外延片（原GB1 1095-89）Ys/T 290-1994锗富集物（原zB H 31003-87）YS/T 300-1994 3.方法标准非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T 1550-1997硅、锗单晶电阻率测定　直流两探针法GB/T 1551-1995硅、锗单晶电阻率测定　直排四探针法GB/T 1552-1995硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法GB/T 1553-1997硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法GB/T 1554-1995半导体单晶晶向测定方法GB/T 1555-1997硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法GB/T 1557-1989硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法GB/T 1558-1997硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法GB/T 4058-1995硅多晶气氛区熔磷检验方法GB/T 4059-1983硅多晶真空区熔基硼检验方法GB/T 4060-1983硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法GB/T 4061-1983半导体硅材料中杂质元素的活化分析方法GB/T 4298-1984非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法GB/T 4326-1984锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法GB/T 5252-1985半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法GB/T 6616-1995硅片电阻率测定扩展电阻探针法GB/T 6617-1995硅片厚度和总厚度变化测试方法GB/T 6618-1995硅片弯曲度测试方法GB/T 6619-1995硅片翘曲度非接触式测试方法GB/T 6620-1995硅抛光片表面平整度测试方法GB/T 6621-1995硅抛光片表面质量目测检验方法GB/T 6624-1995砷化镓中载流子浓度等离子共振测量方法GB/T 8757-1988砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法GB/T 8758-1988砷化镓单晶位错密度的测量方法GB/T 8760-1988砷化镓外延层载流子浓度电容一电压测量方法GB/T 11068-1989硅片径向电阻率变化的测量方法GB/T 11073-1989电子材料晶片参考面长度测量方法GB/T 13387-1992硅片参考面结晶学取向x射线测量方法GB/T 13388-1992硅片直径测量方法光学投影法GB/T 14140.1-1993硅片直径测量方法千分尺法GB/T 14140.2-1993 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法GB/T 1414l-1993硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法GB/T 14142-1993 300-900&m硅片间隙氧含量红外吸收测量方法GB/T 14143-1993硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法GB/T 14144-1993硅外延层堆垛层错密度测定干涉相衬显微镜法GB/T 14145-1993硅外延层载流子浓度测定汞探针电容一电压法GB/T 14146-1993重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法GB/T 14847-1993工业硅化学分析方法　1，10一二氮杂菲分光光度法测定铁量GB/T 14849.1-1993工业硅化学分析方法　铬天青-S分光光度法测定铝量GB/T 14849.2-1993工业硅化学分析方法　钙量的测定GB/T 14849.3-1993硅片抗弯强度测试方法GB/T 15615-1995硅抛光片和外延片表面质量光反射测试方法GB/T 17169-1997非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法GB/T 17170-1997砷化镓单晶AB微缺陷检验方法GB/T 18032-2000半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法GB/T 19199-2003异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法YS/T 14-1991硅外延层和扩散层厚度的测定磨角染色法YS/T 15-1991硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法YS/T 23-1992外延钉缺陷的检验方法YS/T 24-1992硅抛光表面清洗方法YS/T 25-1992硅片边缘轮廓检验方法YS/T 26-1992晶片表面上微粒沾污测量和计数的方法YS/T 27-1992高纯砷化学分析方法孔雀绿分光光度法测定锑量YS/T 34.1-1992高纯砷化学分析方法化学光谱法测定钴、锌、银、铜、钙、铝、镍、铬、铅、镁、铁量YS/T 34.2-1992高纯砷化学分析方法极谱法测定硒量YS/T 34.3-1992高纯砷化学分析方法极谱法测定硫量YS/T 34.4-1992高纯二氧化锗化学分析方法硫氰酸汞分光光度法测定氯量YS/T 37.1-1992高纯二氧化锗化学分析方法钼蓝分光光度法测定硅量YS/T 37.2－1992高纯二氧化锗化学分析方法石墨炉原子吸收光谱法测定砷量YS/T 37.3－1992高纯二氧化锗化学分析方法化学光谱法测定铁、镁、铅、镍、铝、钙、铜、铟和锌量YS/T 37.4-1992高纯镓化学分析方法钼蓝分光光度法测定硅量YS/T 38.1-1992高纯镓化学分析方法化学光谱法测定锰、镁、铬和锌量YS/T 38.2-1992高纯镓化学分析方法化学光谱法测定铅、镍、锡和铜量YS/T 38.3-1992高纯铟中铝、镉、铜、镁、铅、锌量的测定（化学光谱法）（原GB 2594.1-81）YS/T 230.1-1994高纯铟中铁量的测定（化学光谱法）（原GB2594.2-81）YS/T 230.2-1994高纯铟中砷量的测定（二乙氨基二硫代甲酸银（Ag-DDC）法）（原GB 2594.3-81）YS/T 230.3-1994高纯铟中硅量的测定（硅钼蓝吸光光度法）（原GB 2594.4-81）YS/T 230.4-1994高纯铟中硫量的测定（氢碘酸、次磷酸钠谱法）（原GB 2594.5-81）YS/T 230.5-1994高纯铟中鉈量的测定（罗丹明B吸光光度法）（原GB 2594.6-81）YS/T 230.6-1994高纯铟中锡量的测定（苯芴铜－溴代十六烷基三甲氨吸光光度法）（原GB 2594.7-81）YS/T 230.7-1994 SEMI 标准硅单晶抛光片规范SEMI M1-0302直径2inch硅单晶抛光片规格SEMI M1.1-89（重订本0299）直径3inch硅单晶抛光片规格SEMI M1.2-89（重订本0299）直径100mm硅单晶抛光片规格（厚度525μm）SEMI M1.5-89（重订本0699）直径100mm硅单晶抛光片规格（厚度625μm）SEMI M1.6-89（重订本0699）直径125mm硅单晶抛光片规格SEMI M1.7-89（重订本0699）直径150mm硅单晶抛光片规格SEMI M1.8-0669直径200mm硅单晶抛光片规格(切口)SEMI M1.9-0669直径200mm硅单晶抛光片规格(参考面)SEMI M1.10-0669直径100mm无副参考面硅单晶抛光片规格（厚度525μm）SEMI M1.11-90（重订本0299）直径100mm无副参考面硅单晶抛光片规格　SEMI M1.12-90（重订本0299）直径150mm无副参考面硅单晶抛光片规格（厚度625μm）SEMI M1.13-0699直径350mm和400mm硅单晶抛光片指南SEMI M1.14-96直径300mm硅单晶抛光片规格(切口)SEMI M1.15-0302分立器件用硅外延片规范SEMI M2.0997蓝宝石单晶抛光衬底规范SEMI M3.12962inch蓝宝石衬底标准SEMI M3.2－91 3inch蓝宝石衬底标准SEMI M3.4－91 100mm蓝宝石衬底标准SEMI M3.5－92 3inch回收蓝宝石衬底标准SEMI M3.6－88 125mm蓝宝石衬底标准SEMI M3.6－88 150mm蓝宝石衬底标准SEMI M3.8－91蓝宝石衬底上硅单晶（SOS）外延片规范SEMI M4－1296太阳能光电池用硅片规范SEMI M6－1000硅单晶抛光试验片规范SEMI M8－0301砷化镓单晶抛光片规范SEMI M9－0999电子器件用直径50.8mm砷化镓单晶圆形抛光片标准SEMI M9.1－96电子器件用直径76.2mm砷化镓单晶圆形抛光片标准SEMI M9.2－96光电子用直径2inch砷化镓单晶圆形抛光片标准SEMI M9.3－89光电子用直径3inch砷化镓单晶圆形抛光片标准SEMI M9.4－89电子器件用直径100mm砷化镓单晶圆形抛光片标准SEMI M9.5－96直径125mm砷化镓单晶圆形抛光片标准SEMI M9.6－95直径150mm砷化镓单晶圆形抛光片（切口）规范SEMI M9.7－0200鉴别砷化镓晶片上观察到的结构和特征的标准术语SEMI M10－1296集成电路用硅外延片规范SEMI M11－0301晶片正面系列字母数字标志规范SEMI M12－0998硅片字母数字标志规范SEMI M13－0998半绝缘砷化镓单晶离子注入与激活工艺规范SEMI M14－89半绝缘砷化镓抛光片缺陷限度表SEMI M15－0298多晶硅规范SEMI M16－1296块状多晶硅标准SEMI M16.1－89晶片通用网格规范SEMI M17－0998硅片订货单格式SEMI M18－0302体砷化镓单晶衬底电学特性规范SEMI M19－91建立晶片坐标系的规范SEMI M20－0998地址分配到笛卡尔坐标系的矩形单元规范SEMI M21－0998介电绝缘（DI）晶片规范SEMI M22－1296磷化铟单晶抛光片规范SEMI M23－0302直径50mm磷化铟单晶圆形抛光片标准SEMI M23.1－0600 3inch(76.2mm)磷化铟单晶圆形抛光片标准SEMI M23.2－1000矩形磷化铟单晶抛光片标准SEMI M23.3－0600电子和光电子器件用100mm圆形磷化铟单晶抛光片规范（燕尾槽）SEMI M23.4－0999电子和光电子器件用100mm圆形磷化铟单晶抛光片规范（V尾槽）SEMI M23.5－1000优质单晶抛光片规范SEMI M24－1101根据聚苯乙烯乳胶球直径校准光点缺陷硅片检验系统用硅片规范SEMI M25－95运输晶片用的片盒和花篮再使用指南SEMI M26－96确定测试仪器的精度与公差比（P/T）的规程SEMI M27－96开发中的直径300mm硅单晶抛光片规范SEMI M28－0997（1000撤回）直径300mm晶片传递盒规范SEMI M29－1296用傅立叶变换红外吸收光谱测量砷化镓中代位碳原子浓度的标准方法SEMI M30－0997用于300mm晶片传送和发货的正面打开的发货片盒暂定机械规范SEMI M31－0999统计规范指南SEMI M32－0998用全反射X射线荧光光谱（TXRF）测定硅片表面残留玷污的测试方法SEMI M33－0998制定SIMOX硅片技术规范指南SEMI M34－0299开发自动检查方法测量硅片表面特征规范的指南SEMI M35－0299低位错密度砷化镓晶片腐蚀坑密度（EPD）的测试方法SEMI M36－0699低位错密度磷化铟晶片中腐蚀坑密度（EPD）的测试方法SEMI M37－0699硅抛光回收片规范SEMI M38－1101半绝缘砷化镓单晶材料的电阻率、霍尔系数盒霍尔迁移率测试方法SEMI M39－0999关于硅片平坦表面的表面粗糙度的测量指南SEMI M40－0200功率器件、集成电路用绝缘体上硅（SOI）晶片的规范SEMI M41－1101化合物半导体外延片规范SEMI M42－1000关于编制硅片纳米形貌报告的指南SEMI M43－0301硅中间隙氧的转换因子指南SEMI M44－0301 300mm晶片发货系统临时标准SEMI M45－0301用EVC剖面分布测量外延层结构中载流子浓度的测试方法SEMI M46－1101 CMOS LSI电路用绝缘体上硅（SOI）晶片规范SEMI M47－0302评价无图形硅衬底上薄膜的化学机械抛光工艺的指南SEMI M48－1101用于130nm级工艺硅片几何尺寸测量设备的指南SEMI M49－1101采用覆盖法确定表面扫描检查系统的捕获率和虚假计数率的测试方法SEMI M50－1101化合物半导体外延片规范SEMI M42－1000硅片背面条型代码标志规范SEMI T1－95带有二维矩阵代码符号的晶片标志规范SEMI T2－0298晶片盒标签规范SEMI T3－0302 150mm和200mm晶片箱标志尺寸规范SEMI T4－0301砷化镓圆形晶片字母数字刻码规范SEMI T5－96带二维矩阵代码符号的双面抛光晶片背面标志规范SEMI T7－0302。

激光指示器的多参数检测装配与调整

一系统组成激光指示器主要由基准光管，模拟光管底座壳体，衰减片，计算机系统组成。

其中模拟光管主要是用来解束散角偏移量等。

基准光管主要用来提供对准目标，底座是为了提供一个基准，壳体是为了防尘防背景光杂光以及美观性。

二检测指标检测系统主要完成对被测激光指示器以下几个性能参数的检测：作用距离：在指示器发射处能清晰看到米距离上的激光光斑，其背景照度20Lx；激光束发散角（光斑大小）50m处2θ≤1mil光斑走动量：作用距离上50米处背景光20lx下≤1m;作用距离50m；光斑偏移量：≤1mil；光斑调整范围：≥10mil.检测系统数据采集与处理要满足以下要求：能自动计算激光指示器的激光束发散角、作用距离、光点走动量、光斑调整范围和光斑偏移量的精确判定；能实时显示激光光斑图像，输入测试时间、操作人员、指示器编号等信息。

当检测激光指示器不合格时，能自动提示。

具备数据备份（输出表格、数据统计、历史记录查询功能（输入激光指示器类型、试验时间、编号等信息即可查询）。

系统具备视频信号采集与数据传输同时进行的能力，每次检测时间节点可控制。

三检测原理针对以上被检测激光指示器的功能要求及技术指标，确定如下几个部分：1)对目前激光束发散角的检测方法进行分析，确定焦斑法检测原理，对各个检测参数原理进行分析;2)对检测系统的激光光束发散角焦斑法检测技术、多参数集成检测技术等的关键技术进行分析研究;3)对系统检测精度进行分析。

4)确定装调检测方案。

产品的原理光路图如图3.1：图3.1光路原理图当作用距离为50m远时。

激光的光轴和对准光管的光轴会发生交叉。

（1）激光束散角固体激光器的出射光束多为高斯光束，其光场分布规律呈高斯曲线形式，在波阵面上振幅的分布是不均匀的。

高斯光束在共焦腔中的中心处(坐标系原点)是强度为高斯分布的平面波，在其他处为高斯分布的球面波。

沿Z轴传播的高斯光束的电矢量为:（3-1）式中E (x,y,z)为点(x,y,z)处的电矢量;W(z)为Z点处的光斑半径。

无损检测技术中的激光检测操作技巧

无损检测技术中的激光检测操作技巧无损检测技术是一种非破坏性的材料检测方法，广泛应用于工业生产和科学研究领域。

在无损检测技术中，激光检测是一种常见的方法。

本文将从激光检测的原理、操作技巧和注意事项等方面介绍无损检测技术中的激光检测操作技巧。

激光检测的原理主要是利用激光束的高聚光性、高定向性和低辐散性特点进行材料的探测。

当激光束照射到材料表面时，会产生反射、散射和透射等现象。

通过对激光的反射、散射和透射进行分析，可以得到材料内部的信息。

在进行激光检测时，需要注意以下几点操作技巧：1. 选择适当的激光器：在激光检测中，激光器的选择非常重要。

不同的材料对激光的散射、透射和吸收有不同的特性，因此选择适合目标材料的激光器是必要的。

同时，还需考虑激光器的功率、频率和波长等参数，确保能够获得准确的检测结果。

2. 控制激光器与待检测材料的距离：激光束的焦点位置与激光器与待检测材料的距离有关。

如果距离太近，激光束可能会损坏待检测材料的表面；而距离太远，则可能导致检测结果的失真。

因此，在进行激光检测时，需要控制好激光器与待检测材料的距离，确保激光束能够准确地照射到待检测材料表面。

3. 调整激光束的强度和大小：激光束的强度和大小对于激光检测的精度和灵敏度有重要影响。

一般来说，较大的激光束可以提高检测的覆盖范围和工作效率，但对于细小缺陷的检测可能不够敏感；而较小的激光束可以提高细小缺陷的检测精度，但对于大面积的缺陷检测可能不够高效。

因此，在进行激光检测时，需要根据具体应用场景和检测要求，适当调整激光束的强度和大小。

4. 注意激光束的安全使用：激光束具有较高的能量密度，如果操作不当可能对人眼和皮肤造成伤害。

因此，在进行激光检测时，需要注意激光束的安全使用。

操作人员应戴上适当的激光防护眼镜和手套，确保自身安全。

同时，还需确保激光束不会照射到未经保护的人员和设备上，以避免事故发生。

除了上述的操作技巧，还需要注意以下几点事项：1. 环境条件：在进行激光检测时，环境条件也对检测结果有一定影响。