Si基近红外光电探测器总结
光电探测器技术的发展现状与趋势
光电探测器技术的发展现状与趋势一、绪论光电探测器是指将光信号转换为电信号的器件，是现代光电技术的核心。
光电探测器具有高灵敏度、高分辨率、宽波长响应范围等优点，广泛应用于通讯、医疗、安防、航空航天、环境监测等领域。
本文就光电探测器技术的发展现状与趋势进行探讨。
二、发展现状1. 热释电探测器热释电探测器是一种新型的光电探测器，其工作原理是利用光辐射引起探测物质的温度变化，产生热释电效应，并将其转化为电信号。
与传统的半导体探测器相比，热释电探测器具有响应速度快、低噪声等优点，广泛应用于热成像、红外探测等领域。
2. 硅基光电探测器硅基光电探测器是一种典型的光电元件，以硅材料为基底制造。
硅基光电探测器具有成熟的制造工艺和高灵敏度、低噪声、快速响应等优点，是光通信、光计算、遥感、医疗等领域的重要器件。
3. 红外探测器红外探测器是一种高灵敏度、高分辨率的光电探测器。
随着红外光技术的不断发展，红外探测器的性能也逐步提高，应用范围更加广泛。
当前市场上主要的红外探测器有热释电探测器、光电二极管探测器、金属半导体场效应管探测器等。
三、技术趋势1. 制造工艺的进一步优化目前光电探测器制造的主要难点之一是如何控制材料的晶格和表面形貌，以提高器件的性能。
未来的发展趋势是对制造工艺进行进一步优化，采用新材料和新制造工艺，提高器件的光电转换效率、灵敏度和响应速度。
2. 对多模式光子探测器的研究多模式光子探测器是一种新兴的光电探测器，能同时探测多个光子的数量和时序信息。
它具有高精度、高响应速度等优点，在激光雷达、光子计算等领域具有广阔的应用前景。
3. 异质结构的研究异质结构是将两种不同的半导体材料通过层状堆叠制备而成的结构。
此类结构具有独特的电、光、力学与热学特性，被认为是制备高性能光电探测器的理想载体。
未来的发展趋势是对异质结构进行更为深入的研究，探索新的应用领域。
四、结论光电探测器技术在科学研究和工业生产中具有广泛的应用前景。
光电探测器原理与应用
光电探测器原理与应用光电探测器是一种将光信号转化为电信号的器件，是现代光电技术中的重要组成部分，广泛应用于通信、医学、物理学等领域。
本文将从光电探测器的原理、种类以及应用进行探讨。
一、光电探测器的原理光电探测器的原理基于光电效应，即光能被物质吸收后，其中的光子能激发物质内部的电子从价带跃迁到导带，形成电子空穴对，产生电流和电势差，将光信号转换为电信号并放大处理。
而光电探测器的基本结构，则由光敏材料、光电转换部件、电荷放大器等组成，具有宽频带、高响应速度等特点。
二、光电探测器的种类光电探测器主要分为以下几种：①硅光电二极管硅光电二极管是一种常见的光电探测器，其结构简单，大小小巧，响应速度快，但灵敏度较低。
硅光电二极管的光电转换部件为PN结，探测范围为红外线波段。
②掺铟镓光电二极管掺铟镓光电二极管响应范围为近红外至中红外波段，具有较高的灵敏度和响应速度，广泛应用于红外光谱分析、制导弹道等领域。
③掺铊锗光电二极管掺铊锗光电二极管响应范围为中红外波段，具有较高的探测率和灵敏度，广泛应用于红外光谱分析、空间测量等领域。
④光电倍增管光电倍增管响应范围涵盖紫外线至近红外波段，具有高灵敏度、高信噪比和低失真等特点，广泛应用于低光强度信号的检测和测量。
⑤光伏噪声探测器光伏噪声探测器是一种激光光源的光功率变化探测器，响应波长范围覆盖整个光谱，具有高信噪比、高稳定性等特点，广泛应用于光通信、激光测距、光谱分析等领域。
三、光电探测器的应用光电探测器具有广泛的应用领域，其中主要包括：①光通信光电探测器在光通信中起到重要作用，光电二极管和光电倍增管是常用的探测器。
光电探测器接收光信号并转换为电信号，再经过解调和放大处理后，完成光通信中数据的传输和接收。
②光谱分析光电探测器在光谱分析领域中广泛应用，通过对不同波长的光线进行探测和分析，完成对样品的化学成分、结构和性质的测量和研究。
掺铟镓光电二极管和光伏噪声探测器是常用的光谱探测器。
光电探测器概况课件
噪声干扰
灵敏度
光电探测器在工作中容易受到环境噪 声的干扰，如热噪声、散粒噪声等， 这些噪声会影响探测器的性能和精度 。
光电探测器的灵敏度也是一大挑战， 尤其是在低光强度或弱光信号的探测 中，需要提高探测器的灵敏度和信噪 比。
响应速度
光电探测器的响应速度是另一个挑战 ，尤其在高速或瞬态光信号的探测中 ，需要提高探测器的响应速度和带宽 。
光电探测器技术的起源
19世纪末
物理学家发现光电效应，为光电 探测器技术奠定理论基础。
20世纪初
科学家开始研究光电材料，探索 光电转换原理。
光电探测器技术的发展阶段
20世纪中叶
半导体材料的发展推动了光电探测器 技术的进步，硅基光电探测器逐渐成 为主流。
20世纪末至今
新型光电材料和器件不断涌现，光电 探测器技术应用领域不断拓展。
光电探测器可以检测空气中的污染物，如烟雾、灰尘等。
光电探测器在医疗领域的应用
医学影像
光电探测器用于医学影像设备，如CT、 MRI等，将X射线或磁共振信号转换为图像 。
激光治疗
在激光治疗中，光电探测器用于检测激光光 束的强度和位置，确保治疗的准确性和安全
性。
06
光电探测器的挑战与 展望
光电探测器面临的主要挑战
• 噪声等效功率：描述光电探测器在特定信噪比下所能探测到的 最小光功率。它反映了探测器在低光功率条件下的探测能力， 是衡量光电探测器性能的重要指标。
探测率与探测极限
探测率
描述光电探测器在单位时间、单位面积内探测到的光子数。它是衡量光电探测器探测能力的关键参数 。
探测极限
指光电探测器在特定噪声等效功率下的最小可探测光功率。它反映了探测器在高信噪比下的探测能力 。
硅基红外探测器件的光谱响应特性分析
硅基红外探测器件的光谱响应特性分析近年来，随着红外技术的广泛应用，硅基红外探测器件作为一种重要的红外探测技术，受到了越来越多的关注。
本文将对硅基红外探测器件的光谱响应特性进行分析。
1. 硅基红外探测器件的基本原理硅基红外探测器件利用硅材料的光电特性，通过探测物体发出的红外辐射来实现探测功能。
其基本原理是利用硅材料在受到红外辐射后，会产生电子和空穴对，通过外加电压或电场的作用，将电子和空穴分离，并形成电流信号，从而实现对红外辐射的探测。
2. 硅基红外探测器件的光谱范围硅基红外探测器件的光谱范围主要集中在长波红外（LWIR）和中波红外（MWIR）两个区域。
其中，LWIR波段通常涵盖了8-14微米的红外辐射，而MWIR波段通常涵盖了3-5微米的红外辐射。
3. 硅基红外探测器件的光谱响应特性硅基红外探测器件的光谱响应特性受到硅材料本身的能带结构和探测结构的影响。
在红外波段，由于硅材料的能带结构限制，其本身对红外辐射的吸收效果较弱。
因此，为了提高硅基红外探测器件的光谱响应特性，常常需要进行红外增强技术的应用。
4. 硅基红外探测器件的光谱增强技术为了增强硅基红外探测器件对红外辐射的吸收效果，研究人员采用了一系列的技术手段进行改进。
其中包括红外吸收材料的引入、探测结构的优化等。
通过这些技术手段，硅基红外探测器件的光谱响应特性得到了显著的提升。
5. 硅基红外探测器件的应用前景随着红外技术的不断发展和需求的增加，硅基红外探测器件在军事、安防、航天等领域有着广泛的应用前景。
其相比于其他红外探测技术，具有成本低、体积小、可靠性高等优势，因此备受关注。
综上所述，硅基红外探测器件具有良好的光谱响应特性，并且通过红外增强技术的应用，其光谱响应特性得到了进一步优化。
未来，随着技术的不断发展，硅基红外探测器件在红外领域的应用前景将更加广阔。
光电探测器列表
紫外探测器：碳化硅（SiC）材质，响应波段200-400nm。
应用：火焰探测和控制、紫外测量、控制杀菌灯光、医疗灯光的控制等。
————————————————————————————————————————————可见光探测器：硅（Si）材质，响应波段200-1100nm。
有室温、热电制冷两种形式，可以带内置前放，有多种封装形式可选。
主要用在测温、激光测量、激光检测、光通信等领域。
————————————————————————————————————————————红外探测器（1）：锗（Ge）材质，响应波段0.8-1.8um，有室温、热电制冷、液氮制冷三种形式，可以带内置前放，有多种封装形式可选。
主要应用在光学仪表、光纤测温、激光二极管、光学通信、温度传感器等————————————————————————————————————————————红外探测器（2）：铟钾砷（InGaAs）材质，响应波段0.8-2.6um，波段内可以进行优化。
有室温、热电制冷、液氮制冷三种形式，可以带内置前放，可以配光纤输出，多种封装形式可选。
主要应用在光通信、测温、气体分析、光谱分析、水分分析、激光检测、激光测量、红外制导等领域。
————————————————————————————————————————————红外探测器（3）：砷化铟（InAs）材质，响应波段1-3.8um，有室温和热电制冷两种，可以配内置前放，多种封装形式可选。
主要用于激光测量、光谱分析、红外检测、激光检测等领域。
红外探测器（4）：锑化铟（InSb）材质，响应波段2-6um，液氮制冷，可以带内置前放，多种封装形式可选。
主要应用在光谱测量、气体分析、激光检测、激光测量、红外制导等领域。
————————————————————————————————————————————红外探测器（5）：硫化铅（PbS）材质，响应波段为1-3.5um，有室温和热电制冷两种，可以带内置前放，多种封装形式可选。
近红外锗硅光电探测器的研究进展
雪 崩光 电探 测器 （ Ｐ 与硅 前 置 放 大 器 混合 集 Ａ Ｄ） 成 的光接 收器 ． 于 １ ０ ～１ ５ ｍ 波 段 光 纤 对 ． ６ ． ５肚
近 红外 锗 硅 光 电探 测 器 的研 究 进展
李 欢 ， 牛萍娟 ， 李俊一 ， 张 宇
（ 津 工 业 大 学信 息 与通 信 工程 学 院 ， 天 天津 ３ ０ ６ ） ０ １０
摘 要 ： 绍 了单 片 集 成 硅 基 光 接 收 器 相 对 于 混 合 集 成 光 接 收 器 在 光 纤 通 信 领 域 的应 用 优 势 ， 绍 了 与 硅 微 电 介 介
在光 纤通信 系统 中 ， 光接 收器 是必 不可 少 的
关键 器 件 之 一 ． 于 短波 长 ０ ８ ． ｍ 波 段 对 ． ～０ ９ 的短 距 离 、 密度 光 纤通 信 系统 、 据 传 输 系统 高 数
常采 用 Ｓ 单 晶衬 底或 Ｇ Ａ 基 ｐｎ光 电探测 器 、 ｉ ａｓ ｉ
Ｓ Ｇｅ ｐ ｏｔ ｉ ｈ ｏ—ｄ ｔ ｃｏ ｏ ａ ｉ ｌ ｔ ｉ ｃ ｎ ｔ ｃ ｎ ｌ ｇ ｏ ｅ ａ ｉ ｔ ＝ ０． ０１． ｅ ｅ ｔ ｒｃ ｍｐ ｔｂ ｅｗｉｈ ｓｌ ｏ ｅ ｈ ｏ ｏ ｙ． ｐ ｒ ｔｎｇ ａ ｉ ８ ６０７ ｍ ． ｅｃ ａ ａ ｔｒｓ Ｔｈ ｈ ｒ ｃ ｅ ｉ— ｔｃ ｆＳ Ｇｅ ｓ ｒ ｉ ａ ｅ ｓ ａ ｅ ｄ ｓ ｒｂ ｄ． ｅ ｌｔ ｓ ｒ ｃ ｓ ｅ ｒ— ｉ ｒ ｒ ｄ Ｓｉ ｏ ｏ— ｄ ｔ ｃ ｏ ｓｐ ｅ ｉｓＯ ｉ ｔａ ｎ ｌｙ ｒ ｒ ｅ ｃ ｉｅ Ｔｈ ａ ｅ ｔｐ ｏ ｅ ｓｏｎ ｎ ａ ｎｆａ ｅ Ｇｅ ｐｈ ｔ ｅ ｅ ｔ ｒｉ ｒ — ｓ ｎ ｅ ｎ ｒ ｓ ｅ ｔ ｒ ｆｅ ｅ ｅ ｔ ｄ ａ ｄ ｐ ｏ ｐ ｃ ｓａ ｅ ｏ ｆｒ ｄ． Ｋｅ ｒ ： Ｇｅ； ｔａ ｎ ｌ ｙ ｒ ； ｅ ｒ ｉ ｆａ ｅ ｐｈ ｔ — ｅ ｅ ｔ ｒ ｙ ｗｏ ｄｓ Ｓｉ ｓ ｒ ｉ ａ ｅ ｓ ｎ ａ —ｎ ｒ ｒ ｄ； ｏ ｏ ｄ ｔｃ ｏ
硅基光电探测器的特性研究
硅基光电探测器的特性研究硅基光电探测器的特性研究摘要：硅基光电探测器是一种重要的光电器件，具有高灵敏度、广泛的波长范围、低成本和易于集成等优势。
本文对硅基光电探测器的特性进行了综述，并提出了进一步的研究方向。
引言随着信息技术的迅速发展，对高性能光电器件的需求不断增加。
硅基光电探测器作为一种重要的光电器件，具有高灵敏度、高速响应、低功耗、广泛的波长范围、低成本和易于集成等优点，已经广泛应用于通信、传感、医疗、安防等领域。
硅基光电探测器的特性研究对于进一步提高其性能和拓展应用具有重要意义。
硅基光电探测器的特性1. 高灵敏度硅基光电探测器的灵敏度是指其对光信号的敏感程度。
硅基光电探测器的灵敏度主要取决于两个方面：光电导增益和量子效率。
光电导增益是指光信号被转换为电信号的增益程度，它与硅基光电探测器的结构和工艺参数有关。
量子效率是指光信号转换为电信号的效率，它受到光的波长和入射角、表面缺陷和杂质等因素的影响。
目前，研究人员通过优化硅基光电探测器的结构，如引入薄膜和纳米颗粒等结构调控方法，以提高其光电导增益和量子效率，从而实现高灵敏度。
2. 广泛的波长范围硅基光电探测器在可见光和近红外光波段有良好的响应特性，波长范围一般介于400 nm到1600 nm之间。
然而，由于硅本身的能带结构限制，硅基光电探测器对于长波长红外光的响应较弱。
为了扩展硅基光电探测器的波长范围，研究人员采用了多种方法，如掺杂、异质结构、纳米结构等技术。
这些方法的应用不仅拓宽了硅基光电探测器的波长范围，还提高了光电转换效率和响应速度。
3. 低成本和易于集成硅作为地球上最常见的材料之一，具有成本低、可扩展性强和易于集成等特点。
硅基光电探测器采用的是标准的CMOS工艺，可以与传统的集成电路在同一芯片上制造，从而实现成本的降低和集成度的提高。
此外，硅基光电探测器还能与其他硅基光电器件集成，如光放大器和光调制器等，形成完整的光通信系统。
因此，硅基光电探测器在大规模应用和工业化生产方面具有显著优势。
红外光电探测器的工作原理
红外光电探测器的工作原理红外光电探测器是一种能够感受和测量红外辐射的仪器，被广泛应用于人体检测、火灾报警、安防监控等领域。
本文将介绍红外光电探测器的工作原理及其常见类型。
工作原理红外光电探测器的工作原理基于与光电效应相关的物理现象。
光电效应是指当光子照射到金属表面时，会使得金属中的电子受到光子能量的激发而被激发出来。
这些激发的电子可以通过电路被收集和处理，从而实现对光电效应的测量。
红外光电探测器则是利用了众多的半导体材料可以感受不同频段的红外辐射的特性，以此实现对红外光辐射的探测。
当红外辐射照射到探测器的一个电极上时，会产生电子-空穴对，从而产生电流。
这个电流可以作为信号来记录红外光的强度及其他特征。
红外光电探测器的核心是一个叫做“红外探测器元件”的半导体结构。
这种半导体材料中加入了稀缺元素或杂质，使得其带活性能够感应到红外光辐射。
常见的红外光电探测器有单元探头式探测器、线性阵列探测器、面阵列探测器等多种类型。
面阵列探测器由多个探测器元件组成，可以识别红外图像，常用于红外成像和热成像的应用。
类型介绍热式红外探测器热式红外探测器是指通过温度变化来感应红外光。
这种探测器被广泛应用于温度测量和非接触式热成像测量中。
常见的热式红外探测器有热电偶、热敏电阻、铂电阻温度计等。
光电式红外探测器光电式红外探测器，也叫光敏红外探测器，是指通过光电效应来感应红外光。
光电式红外探测器被广泛应用于安防、人体检测、火灾报警等领域。
常见的光电式红外探测器有金属氧化物半导体（MOX）、钙钛矿等。
基于MEMS技术的红外探测器MEMS（Microelectromechanical Systems）技术是指微机电系统技术，其技术应用于探测器中，可实现非常小型化的红外探测模块，同时由于制造成本低廉，因此得到了广泛应用。
常见的基于MEMS技术的红外探测器有：铟锡氧化物探测器、毫米波阵列探测器、光子晶体探测器等。
总结红外光电探测器是一种利用众多半导体材料对红外辐射的感应和测量原理设计制造而成的高新技术探测器。
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外延生长的三种平衡生长模式
FVDM VW SK
◇生长模式的选择依赖于： 1、淀积原子之间和它们与衬底之间键的强弱 2、两种材料的晶格失配
利用UHV-CVD 生长的多层量 子阱结构
表征
X射线
厚度 应变 组分
拉曼散射
应变和应力的测定 合金中组分x的测定
反射式高能电子电子衍射
一. X射线衍射原理
2.红外探测器的分类
100多年来，从经典物理到20世纪开创的近物理，特 别是量子学、半导体物理等学科的创立，到现代的微观物 理、低维结构物理等，有许多而且越来越多利用探测的物 理现象和效应。红外辐射与物质（材料）相互作用产生各 种效应：
一、引起温度变化产生可度量的输出 热探测器
Hale Waihona Puke 二、红外辐射光子在半导体材料中激发非平衡载流子，引 起电学性能的变化 光电探测器
5V偏压下暗电流为12pA/um2,1.3um响应 度为6.5mA/W,16V偏压下，外量子效率 为3.5％
5V偏压下暗电流为0.192pA/um2, 1.344um响应度1.2mA/W
二.基本原理
Si Ge 的性质 SiGe应变材料的性质
1.Si Ge 的性质
本征硅材料的长波吸收极限 为1.1um，截止波长1.12um。 用硅来实现1.3um ~1.6um红 外光的探测器。方法：能带 改性（如键合技术），或者 在硅中引入其它半导体材料。
三.材料生长
ＵＨＶ－ＣＶＤ 表征
UHV-CVD主机（轴侧视图）
生长室 预处理室 进样室
手套箱操作室
Si 片外延基本步骤
1.Si片清洗：
Ⅲ号液 H2SO4+ H2O2 ，HF溶液漂洗(1:20)； Ⅰ号液 NH3OH+H2O2 ， HF溶液漂洗(1:20); Ⅱ号液 HCl+H2O2 ，吹干(普氮）。 2.样品传递： ⑴从手套箱进； ⑵直接从进样室进。 3.样品预处理室处理
2.1 热探测器
热胀冷缩效应：液态的水银温度计、气态的高莱池（Golay cell）
温差（Seeback）效应: 热电偶和热电堆
共振频率对温度的敏感性：石英共振器非致冷红外成像阵列。
材料的电阻或介电常数的热敏效应 热释电效应
缺点：灵敏度低，响应速度慢
2.2光电探测器
名称 物理效应或原理
1.光电导效应 内 光电 2.光生伏特效应 PN结和PIN结 效应 雪崩效应 肖特基势垒 3.光电磁电效应探测器 1.光阴极发射光电子 2.光电倍增效应
相应的探测器
光敏电阻
外 光电 效应
光电二极管 雪崩光电二极管 肖特基势垒光电二极管 光电磁探测器 光电管 光电倍增管
2.3探测器的性能参数
响应波长: 探测器可能引起本征吸收的入射光的最长波长。当入
UHVCVD Source
右图为UHV/CVD系统中 的RHEED所拍Si(001） 衬底上外延Ge时时监测 图。
在晶体表面非常平整，衍 射图样为明锐的条纹；由 于生长条件控制得不够理 想，表而出现成岛趋势， RHEED图象呈现网格状 结构。
RHEED
脱氧前
脱氧后
长完后
实时监控表面信息
三 反射式高能电子电子衍射 RHEED （Reflection High Energy Electron Diffraction）
RHEED是UHV/CVD系统中 最重要的原位分析仪器之一。 主要由电子枪和荧光屏组成。 在正常工作时，电子束的能 量在20keV左右。利用 RHEED衍射图样的形式和清 晰度可原位地监测样晶表而 的清洁度、外延生长表而的 质量及表面的原子再构。
1. 应变和应力的测定
双轴压应力导致光学声子的附加平移，即合金层的 拉曼峰位与同组分的体合金相对应峰的峰位的差值， 记为δω。其大小由下式给出：
a.对于共度生长在Si （001）衬底上的 Si1-xGex 合金，
1 w (D1 +2D2 ) 2w0 式中 w0 是无应变时的声子频率， 为相关的形变势， D1D2 为共度生长的张应变和压应变。
由分子振动、固体中的光学声子 等元激发与激发光相互作用产生 的非弹性散射称为喇曼散射，瑞 利线与喇曼线的波数差称为喇曼 位移。
拉曼光谱在SiGe/S i 材料表征中的应用
由于Si，Ge对可见光不透明，因而拉曼散
射谱通常采用背散射或近背散射装置。 对于非极性晶体Si，Ge，纵，横向光学声 子的能量在Г 点是简并的，在拉曼谱中分别 为520 cm-1 和301 cm-1 。 由于Ge的单声子峰和Si的双声子峰具有相 近的波数（300 cm-1 ），因此在分析拉曼 谱时必须加以注意。
b.组分x
在Si （001）衬底上共度生长的 Si1xGex 合金由于应变引起的拉曼峰的 附加频移公式如下： δ wsi-si 31.8x
wsi-si 31.8x
δ wsi-Ge =26.5x δ
wGe-Ge 16.9x
wsi-Ge =26.5x
实线表示完全应变下三个合 金峰的峰位，虚线表示应变完全 弛豫时（即无应变Si1-xGex合金） 的峰位，实线和虚线之间的区域 表示部分弛豫。
响应时间: 入射光照射到探测器上后，引起光电流产生所需要的 时间。 量子效率的带宽积：量子效率和带宽的乘积。
3.近红外硅基探测器的发展
－－键合技术
1995,InGaAs/InP键合在Si上,1.55um时外量 子效率80%, -5V时暗电流为0.29nA
Appl Phy Lett,1995,67(26)3936-3938
2.1体材料
Eg (x)= 1.1 55 - 0. 43 x + 0. 206 x2 (0< x <0.85) Eg (x) = 2. 01 - 1. 27 x (0.85< x <1)
应变材料
Eg(x)=1.12-096x+0.43x2-017x3
2.2应变对si的影响——导带
∆2 is lowered with respect to the energy level of the four in-plane valleys ∆ 4
Si Ge 晶体结构
Si 和Ge 都是间接带隙半导体材料,都是金刚石结构。具有相近的 晶格常数(分别为0. 543 1 nm 和0. 565 8 nm) 和电子亲和势(分别 为4. 00 eV 和4. 05 eV) 。
晶体结构示意图
导带等能面示意图
SiGe材料的性质
临界厚度
Si 和Ge 都是间接带隙半导体材料,
1.474um时,半高宽12.5nm,量子 效率44%
－－在硅上外延Ge体材料
P 600C Ge-1um 350C Ge Si sub
2006年,1.55um响应度0.2A/W
10V偏压下暗电流1.07uA，1.3um处响应 度为0.37A/W
1.54um响应度0.73A/W,
带宽6.7GHz
GeSi量子阱和纳米岛探测器
II型量子阱结构
Gex/SiⅡ型量子阱实现 了对电子和空穴较强的 限制，但引入的新问题 是电子和空穴的量子阱 不在空间同一位置 。 采用近邻限制的(NCS) 的II型量子阱结构 ，来 实现对电子、空穴的有 效的限制，由于在实空 间它们不在同一位置， 必须依靠隧穿效应实现 波函数的交叠而实现复 合跃迁。
C. 应力测定 δω与应变ε之间的关系为：
b
系数b一般是应变和组分x的函数，对于Si－Ge模是 一个与应变和组分无关的常数。 2 1 b=4.55 X 10 cm 由实验可得到 ， 因此可进一步得到 δω=4.55X102 ε d.对Si外延层中Si声子峰的峰位偏移δω与应力σ 之间 -1） 8 的关系为 （ cm σ=2.5X10 δω(Pa)
mt=0.19mo ml=0.98mo
应变对si的影响——价带
2.3 Si1-xGex/Si 异质结两种能带结构
Si1-xGex/Si 异质结 根据 生长条件的不同，可以得 到两种能带结构。分别为 I 型和Ⅱ型排列。对于 Ⅰ 型的发光研究，虽然取得 了一定的成绩，但突破不 大，其主要原因是量子阱 中导带差太小，量子阱对 电子的局域很弱，因而对 电子的收集效率不高。
射波长比响应波长短时，会发生强烈的吸收. 暗电流: 无光照时,电路上的电流.
量子效率: 单个入射光子在器件中所产生的对光电流有贡献
的电子－空穴对．即光生载流子与入射光子流的比值
Ip /e P oi / hv
R
Ip Po
e hv 1.24
响 应 度: 单位入射光功率产生的电流.
•基本原则：光程差为波长的整数倍
•理论依据：Bragg方程
q
q
A
d
d d
B
O
光程差为波长的整倍数：2dsinө= nλ（n＝1）
d 为晶面间距，n为整数，一般为1
1 测量SiGe单层厚度 原理：
t ＝λsin θB/△θ sin2θB
△θ：SiGe外延层干涉条纹间的角距离 λ： x射线波长（CuKα1，Ge（004）单色器，0.154nm） θB： Si（004）的Bragg衍射角（34.564°）
具有相近的晶格常数(分别为0. 543 1 nm 和0. 565 7 nm)晶格失配率 4.2％。应变Si1 - x Ge x 外延层中 的应力将随着层厚的增加而增大,
达到某一临界值时应力将驱动外延
层成岛或产生位错而获得弛豫
2.应变材料的性质
应变对带隙的影响 应变对si导带和价带的影响 Si1-xGex/Si 异质结两种能带结构
结果分析：
Si0.91Ge0.09： △θ ＝113″，t＝0.17um （169.5±2.0nm） Si0.86Ge0.14： △θ ＝167″，t＝0.11um （108.3±2.0nm）