全聚焦分光晶体的制造工艺
多焦点人工晶体分光
多焦点人工晶体分光
多焦点人工晶体分光是指一种人工晶体技术，通过改变晶体的形状和曲率，使光线在晶体内发生折射，从而实现不同焦点的聚焦。
这种技术可以用于眼镜、相机镜头、望远镜等光学设备中，提供多个焦点，以满足不同距离和视野需求。
多焦点人工晶体分光的实现通常有两种方法：
1.多层光学结构：晶体表面有多层不同曲率的跳跃式折射面，每个折射面对应一个焦点，通过调整光线入射角度和折射界面的形状，可以选择不同的焦点。
2.连续曲率光学结构：晶体表面呈现出连续变化的曲率，通过计算机控制晶体表面的几何形状，可以实现多个焦点。
多焦点人工晶体分光技术的优点是能够在一个设备中提供多个焦点，增加了设备的功能性和适用性。
例如，眼镜的多焦点人工晶体可以同时满足近视和远视的矫正需求，摄影机镜头的多焦点人工晶体可以提供不同的焦距和视野。
然而，由于多焦点人工晶体的制造和设计较为复杂，目前在实际应用中还存在一些技术和成本上的挑战。
分光晶体聚焦作用的教学研究
分光晶体聚焦作用的教学研究分光晶体是一种变形非球面光学元件，具有特殊的聚焦效果。
它可以将平均分布的光束准确地折射后集中到一个点上，即可实现聚焦作用。
由于分光晶体的聚焦作用系统比较复杂，因此在进行教学的时候，研究者需要借助于科学的实验方法，从而全面了解这一现象。
本文将从光学理论及实验室研究的角度，来探讨分光晶体的聚焦作用的教学研究。
二、分光晶体的光学理论1、分光晶体的折射原理分光晶体折射原理是分光晶体聚焦作用的基础理论。
其原理是：运用变形非球面光学元件，将均匀分布的光束折射后，所形成的光线可以将其集中到一个点上，从而实现聚焦作用。
2、分光晶体的聚焦作用光线在分光晶体内部进行折射时，被分成多条光线，每条光线经过不同的路径后，最终集中到一个点上，从而形成聚焦作用。
三、实验室实验在教学研究中，对分光晶体的聚焦作用进行实验研究是非常重要的。
首先，使用一个实验装置，将一个光源用一个分光晶体来取代，以模拟多色的光源。
然后，在射线的途中加入一个聚焦子，如镜子等，使光线折射后能够集中到一个点上，从而观察分光晶体的聚焦作用。
四、研究结论经过以上研究，可以得出以下结论：1、分光晶体的聚焦作用实际上是利用变形非球面光学元件，将光束准确地折射后，集中到一点上的现象；2、实验室实验可以使用实验装置将一个光源模仿多色光源，再在射线的途中加入聚焦子，从而观察分光晶体的聚焦作用；3、进行分光晶体聚焦研究时，必须结合光学原理及实验室实验，以便更加深入地观察分光晶体聚焦作用的变化规律。
五、结论分光晶体是一种特殊的变形非球面光学元件，它具有聚焦作用，可以将光束准确地折射后，集中到一点上。
由于分光晶体的聚焦作用系统比较复杂，研究者在进行教学的时候，需要借助于科学的实验方法，以便更加深入地观察分光晶体的聚焦作用及其变化规律。
本文通过对光学理论及实验室实验的研究，对分光晶体聚焦作用的教学有了一定的指导意义，为深入研究分光晶体聚焦作用提供了依据。
led晶片生产工艺
led晶片生产工艺LED（Light Emitting Diode），即发光二极管，是一种能够将电能转化为光能的半导体器件。
在LED的制造过程中，晶片生产工艺是至关重要的环节，它决定了LED器件最终的性能和质量。
下面我们来介绍LED晶片的生产工艺。
1. 基片生长：LED的基片是由单晶或多晶蓝宝石材料制成，一般直径为2英寸、4英寸或6英寸。
基片生长分为液相外延法和金属有机化学气相沉积法（MOCVD）两种主要方法。
液相外延法通过将原料溶解在熔融的硼酸盐溶液中，然后逐渐降温，将蓝宝石晶体逐渐生长。
MOCVD方法则是通过化学气相沉积，在高温下将有机金属分子和气体反应生成LED晶片。
2. 背面粗糙化：为了增加光的提取效率，LED晶片的背面会进行粗糙化处理。
常见的方法包括化学腐蚀、机械刮擦和干法刻蚀等。
粗糙化处理可以增加晶片与外界环境的接触面积，从而提高光的反射和漫射效果。
3. 硅胶封装：LED晶片通过硅胶进行封装，可以保护晶片不受外界环境的损害，并提供良好的光线散射效果。
硅胶封装一般包括涂胶、压胶和固化等步骤。
通过合适的工艺参数，使得硅胶封装完全覆盖LED晶片，并能够固定晶片在基板上。
4. 金属电极制作：LED晶片上需要制作金属电极，以供电信号输入和光信号输出。
电极制作一般分为光刻、金属蒸镀和脱胶等步骤。
光刻是利用光硬化胶进行图案转移，使得金属沉积后只留下需要的电极图案。
金属蒸镀是通过高温蒸镀的方法，在晶片表面沉积金属材料，形成电极。
脱胶则是利用化学或物理方法将光刻胶脱除，形成裸露的电极结构。
5. 检测和分选：LED晶片生产完成后需要进行检测和分选，以保证管芯发光性能的一致性和质量。
检测常用的参数包括光通量、色温、色坐标、漏电流等。
分选则是根据检测结果，将相似的晶片分到一起，形成批次。
LED晶片生产工艺是一个复杂的过程，需要精良的设备和专业的技术人员进行控制和操作。
只有严格控制每个环节的工艺参数和质量要求，才能生产出性能优良、质量稳定的LED器件。
激光晶体工艺流程
激光晶体工艺流程
《激光晶体工艺流程》
激光晶体是一种应用广泛的材料，可用于制作激光器、光通信组件以及光学传感器等。
激光晶体工艺流程是指将晶体原料经过一系列加工步骤，最终得到符合特定要求的激光晶体产品的整个过程。
首先，选择合适的原料对于激光晶体的制备至关重要。
通常来说，常用的激光晶体原料有YAG晶体、Nd:YVO4晶体、
Nd:YAG晶体等。
这些原料需要经过严格的筛选和分析，确保
其化学成分和晶体结构符合要求。
接下来，将经过筛选的原料进行混合和粉碎，形成均匀的晶体原料颗粒。
这一步对于后续的晶体生长工艺非常关键，因为均匀的晶体原料颗粒可以保证最终的晶体产品具有稳定的性能和品质。
然后，利用激光晶体生长工艺将混合粉末进行烧结和晶体生长，形成初步的晶体产品。
这个过程需要精密控制温度、压力等参数，以确保最终的晶体产品具有均匀的晶格和优良的光学性能。
最后，经过精密的切割、抛光和光学涂层等加工步骤，得到最终的激光晶体产品。
这些加工步骤需要借助先进的加工设备和工艺，以确保最终的产品符合客户的要求。
总的来说，激光晶体工艺流程是一个复杂而严谨的过程，需要
对原料、加工设备、工艺参数等方面进行精密的控制。
只有在严格遵循工艺流程的情况下，才能生产出高品质的激光晶体产品，满足市场的需求。
EPMA显微分析
EPMA生产厂家
扫描型EPMA是1960年问世。我国从六十 年代中开始陆续引进， 国内现有可用的各 种电子探针约100台，日本超过1500台。 现在世界上生产EPMA的厂家有三家：日 本电子公司、日本岛津公司和法国的 CAMECA公司。 1977 我 国 曾 试 制 过 2 台 EPMA ； 现 在 只 生 产SEM。
一个鼠标，一个键盘－JEOL的EDS。
38
Outline
JXA-8200 view
Scanning display
2
EWS display
Operating panel， Joystick
1 mouse，1keyboard
Flat top & compact display by digital control
30
Ti合金复合材料：Ti、TiB、TiC、Y2O3相
C
Y
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Ti
定量分析
在稳定的电子束照射下，由谱仪得到的X射线谱在扣除了 背景计数率之后，各元素的同类特征谱线（一般采用Kα） 的强度值与它们的浓度相对应。即经过背景校正后的强 度测量值I与其浓度C成正比。
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EPMA、SEM区别
EPMA：用于成分分析、形貌观察，以成分分析 为主。主要用WDS进行元素成分分析、检出角 大、附有光学显微镜（OM），可以准确定位工 作距离(物镜极靴下表面与试样表面之间的距离 )、 束流大、稳定（10－3/h)，所以定量结果准确度 高,检测极限低。 缺点：真空腔体大，成分分析束流大，所以电子 光 路 、 光 阑 等 易 污 染 ， 图 像 质 量 不 如 SEM ， EPMA 二 次 电 子 像 分 辨 率 为 3nm( 场 发 射 ） 、 5nm(LaB6)、6nm（W灯丝）。
LED工艺概述
LED工艺概述LED（Light Emitting Diode）是一种能够发光的半导体器件，可以将电能转化为光能。
自20世纪60年代，LED技术以其高效、节能、环保等特点广泛应用于照明、显示屏幕、车辆等领域。
LED的制造过程中涉及多种工艺，本文将对LED工艺进行概述。
一、晶体生长工艺LED的核心是其芯片，而芯片的主要材料是大面积、高质量的单晶或多晶材料。
晶体生长工艺是制备高质量晶体的关键步骤。
目前，常用的晶体生长工艺有金属有机化学气相沉积（MOCVD）、金属有机化学气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）等。
1. MOCVD金属有机化学气相沉积是一种常用的热化学气相沉积技术，适用于生长LED自发光材料和外延层。
通过控制金属有机化合物、气体和底片的反应，使金属元素沉积在底片表面，逐渐形成晶体结构。
2. MBE分子束外延是一种高真空技术，通过束流中的分子和基片表面发生化学反应，使晶体结构生长。
MBE可以制备高质量的LED外延层，具有较低的杂质含量和较小的晶格失配。
二、晶片制备工艺晶片制备是将外延片切割成具有一定尺寸和电特性的晶片，用于LED器件的组装和封装。
主要包括晶片分离、切割、倒装、金属化等工艺步骤。
1. 晶片分离晶片分离是将外延片分离成单独的晶片。
常用的分离方法有手工切割、机械切割、激光切割等。
2. 切割晶片分离后，需要经过切割工艺，使其具有一定的厚度和尺寸。
切割工艺使用切割盘或刀片将晶片从外延片上切割出来。
3. 倒装倒装是将切割好的晶片倒置并粘附在导电基片上，形成LED器件的结构。
倒装工艺需要精确控制温度、压力和粘合剂的应用，确保倒装的质量和可靠性。
4. 金属化金属化工艺是在晶片的正面和背面涂覆金属材料，形成电极和引线。
金属化工艺需要考虑金属材料的附着性、导电性以及与其他材料的兼容性。
三、封装工艺LED芯片经过晶片制备后，需要进行封装工艺，将芯片保护在透明材料中，并提供电气和机械连接。
封装工艺包括荧光粉涂覆、注胶、焊盘印刷等步骤。
光子晶体技术的原理与应用
光子晶体技术的原理与应用近些年来，光子晶体技术在光学、光电子学、信息科学等领域中得到广泛的研究和应用，特别是在光学器件、光电器件、光传输、光刻等方面展现出前所未有的优越性。
那么，什么是光子晶体技术呢？本文将从原理与应用两方面进行深入探讨。
一、光子晶体技术的原理光子晶体技术是一种具有周期性介电常数分布的立体结构，可以引导和控制光波的传输和调制。
这种结构通常是由原子或者分子的排列而成的，其周期性可以与光波波长同步。
晶体中的原子或分子按照一定的规律排列，使得介电常数的分布出现周期性的变化，形成了“布拉格反射”的效应。
因此，能够形成这样周期性介电常数分布的材料就叫做光子晶体。
光子晶体的折射率具有Bloch 波函数的本质，而Bloch 波函数是周期性的。
因此，光子晶体可以表现出一些传统材料所不具备的特性。
例如，光子晶体可以根据不同方向的周期性结构来选择和传输光，其光学性质可以被控制和调整，可以制备出结构与物性相匹配的多功能光学材料。
此外，光子晶体具有高品质因子，可以将光的半波长级别的能量完全聚焦在微型尺度中。
因此，光子晶体具有较高的应用价值。
二、光子晶体技术的应用1. 光子晶体光波导器件光子晶体光波导器件是一种利用光子晶体技术制备的微型光学器件，在光通信和光电子器件方面具有广泛应用。
该器件具有高品质因子，能够将光线引导入微型管道，从而可以将光能耗尽地传输，实现低损耗的信息传递。
此外，光子晶体光波导器件还可以用于制备高灵敏度、高准确度、小体积的物理传感器，例如微型压力传感器、光纤加速度计等。
2. 光子晶体微透镜微透镜是光电器件中的重要组成部分，可以把光分散或者聚焦在微小区域，从而提高光学设备的分辨率和功效。
利用光子晶体技术可以制备出光子晶体微透镜，这种微型透镜可以将光线聚焦在读写光盘上，或者用于生物医学等领域的光谱学分析，具有精度高、体积小的特点。
3. 光子晶体分光器光子晶体分光器是一种利用光子晶体技术实现光学分离的器件，可以将不同频率的光线分离出来，从而实现光的光谱学分析。
LSBO晶体工艺技术
LSBO晶体工艺技术LSBO（Laser Single Beam Oxide）晶体工艺技术是一种通过激光单光束辐照来制备氧化物晶体的先进技术。
它采用激光束对氧化物原料进行预处理和加热，然后在特定温度下进行晶体生长，从而实现高纯度和完整性的晶体制备。
LSBO晶体工艺技术具有很多优势。
首先，由于使用激光单光束进行加热，能够实现高度均匀的温度分布，从而减少晶体内部应力生成和晶体缺陷的产生。
其次，由于激光束的直接辐照可以提供更高的温度梯度，使得晶体生长速度更快，从而减少晶体生长时间。
此外，由于激光束辐照的局部性，可以选择性地控制晶体形状和尺寸，实现更高的晶体生长效率和产品质量。
LSBO晶体工艺技术的制备过程包括氧化物原料的选择和预处理、激光辐照加热、晶体生长和晶体后处理等步骤。
首先，根据晶体要求选择合适的氧化物原料，进行粉末混合和烧结处理，以减小晶体中的杂质含量。
然后，使用激光束对氧化物原料进行加热，使其达到晶体生长所需的合适温度。
在加热过程中，激光束的辐照功率和辐照时间要根据不同的氧化物材料和晶体要求进行调整。
在适当的温度下，晶体生长会在熔体中开始，通过慢慢降低温度，晶体会逐渐生长，并最终得到完整的晶体。
最后，对晶体进行后处理，包括切割、抛光和检验等步骤，以获得满足应用需求的高质量晶体产品。
LSBO晶体工艺技术在材料科学、光学、电子学等领域具有广泛的应用前景。
例如，在激光器材料中，LSBO晶体可以用于制备高功率激光器的非线性光学元件，如频率倍增器和光学克尔效应器件等。
此外，LSBO晶体还可以应用于光电子器件、光通信、光控技术以及光学传感等领域。
LSBO晶体工艺技术的出现，为制备高性能氧化物晶体提供了一种全新的方法和途径。
它的优势在于高度均匀的温度分布、快速的晶体生长速度以及可控的晶体形状和尺寸。
未来随着技术的不断发展，LSBO晶体工艺技术将进一步推动氧化物晶体材料的发展和应用，为科学研究和工业领域带来更多的创新和发展机遇。
荧光光谱分析仪工作原理
X 荧光光谱分析仪工作原理用x 射线照射试样时,试样可以被激发出各种波长得荧光x 射线，需要把混合得x 射线 按波长（或能量）分开，分别测量不同波长（或能虽:）得X 射线得强度，以进行左性与定疑 分析，为此使用得仪器叫X 射线荧光光谱仪。
由于X 光具有一泄波长，同时又有一立能量, 因此，X 射线荧光光谱仪有两种基本类型:波长色散型与能量色散型。
下图就是这两类仪器 得原理图.用X 射线照射试样时，试样可以被激发出各种波长得荧光X 射线，需要把混合得X 射 线按波长（或能疑）分开，分别测量不同波长（或能量）得X 射线得强度，以进行定性与左疑 分析，为此使用得仪器叫X 射线荧光光谱仪。
由于X 光具有一左波长，同时又有一左能量， 因此，X 射线荧光光谱仪有两种基本类型：波长色散型与能量色散型。
下图就是这两类仪器 得原理图。
（a ）波长色散谱仪（b ）能虽色散谱仪波长色散型和能量色散型谱仪原理图现将两种类型X 射线光谱仪得主要部件及工作原理叙述如下:X 射线管酥高分析器分光晶体 计算机再陋电源丝电源灯丝电了悚X则线BeiV輪窗型X射线管结构示意图两种类型得X射线荧光光谱仪都需要用X射线管作为激发光源•上图就是X射线管得结构示意图。
灯丝与靶极密封在抽成貞•空得金属罩内，灯丝与靶极之间加高压（一般为4OKV）, 灯丝发射得电子经高压电场加速撞击在靶极上，产生X射线。
X射线管产生得一次X射线, 作为激发X射线荧光得辐射源.只有当一次X射线得波长稍短于受激元素吸收限Imi n时，才能有效得激发出X射线荧光•笥？SPAN Ian g =EN-U S >lmin得一次X射线其能量不足以使受激元素激发。
X射线管得靶材与管工作电压决立了能有效激发受激元素得那部分一次X射线得强度。
管工作电压升高，短波长一次X射线比例增加，故产生得荧光X射线得强度也增强。
但并不就是说管工作电压越髙越好，因为入射X射线得荧光激发效率与苴波长有关，越靠近被测元素吸收限波长，激发效率越髙。
sic聚焦环工艺流程
sic聚焦环工艺流程SIC（结晶硅）聚焦环工艺流程是一种用于生产高纯度硅片的关键制造工艺。
SIC聚焦环是一个用于在硅片上加热和冷却的工具，在硅片制造的各个阶段都起着关键性的作用。
本文将详细介绍SIC聚焦环工艺流程。
首先，硅材料准备。
在开始制造高纯度硅片之前，需要准备合适的硅材料。
这包括选择适当纯度的硅块，对其进行表面清洁和去除杂质的处理。
通常使用的方法是将硅块浸泡在酸液中，以去除表面上的杂质。
接下来，制备硅片前驱体。
硅片的制备过程中，需要使用硅片前驱体。
硅片前驱体是一种特殊的溶液，包含硅材料以及其他用于控制硅片性能的添加剂。
通过控制前驱体中的成分和浓度，可以调节硅片的导电性、光学性能等。
然后，进行涂覆和干燥。
将硅块放入涂覆设备中，使用喷涂或浸渍等方法将硅片前驱体均匀地涂覆在硅块表面。
随后，将涂覆的硅块放入干燥室中，以去除多余的溶剂和水分。
接下来是热处理。
将干燥后的硅块放入热处理设备中，按照一定的温度和时间曲线进行热处理。
在这个过程中，硅片前驱体中的硅材料会逐渐热解，形成高纯度的硅膜。
热处理的温度和时间取决于硅片的要求。
然后，进行结晶。
热处理后的硅块需要进行结晶。
结晶是一个关键的步骤，可以将硅膜形成结晶硅层。
结晶可以通过快速加热和冷却的方法完成。
这一步的目的是增加硅片的晶体品质和导电性。
接下来是切割和磨光。
做好结晶的硅片需要经过切割和磨光处理。
切割是将硅块切割成所需尺寸的硅片。
磨光是为了去除切割时产生的划痕和不规则表面，使硅片表面变得光滑。
最后是清洗和检验。
在完成硅片的制备后，需要将其进行清洗，以去除表面上的尘埃和杂质。
清洗是一个非常重要的步骤，可以保证硅片的纯净度和品质。
清洗后，还需要进行各项性能测试和检验，以确保硅片符合要求。
总的来说，SIC聚焦环工艺流程是一个复杂而严格的制造过程。
每个步骤都需要精确控制和监控，以保证硅片的质量和性能。
随着科技的不断发展，SIC聚焦环工艺流程也在不断进化，以满足不断提高的硅片制造要求。
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全聚焦分光晶体的制造工艺
摘要本文介绍了各种分光晶体的工作原理，并结合实际工作经验阐述了全聚焦分光晶体的制造工艺。
关键词分光晶体；半聚焦；全聚焦；热处理；晶体
分光晶体被誉为X射线光谱仪的心脏。
分光晶体是电子探针仪和X射线荧光光谱仪的重要组成部分。
分光晶体的种类和质量对使用它的仪器分析的强度、灵敏度和分辨率有直接的影响，它的作用能把不同波长的元素特征X射线分开，进而依次测量各种元素所产生的X射线波长和强度，已达到元素定性和定量分析的目的。
1分光晶体的应用
目前X射线光谱仪常用的晶体有：平面反射晶体、柱面弯曲反射晶体、柱面弯曲透射晶体等。
其中以平面反射和柱面弯曲反射晶体的应用最为普遍。
由于平面反射晶体分光计是非聚焦的，衍射的X射线不能为探测器全部接收，因此X 射线损失较大。
柱面弯曲反射晶体，就其聚焦方式而言，有半聚焦和全聚焦之分。
所谓半聚焦即将平面晶体弯成半径
全聚焦弯曲分光晶体原理如图2所示，X射线的光源位于点S并与图面垂直，晶体AB制成长方形板状，其中一组反射面与表面平行，将该晶体弹性地弯成圆弧，使其通过C点的曲率半径为2R=CM，因此可使所有的面法线皆通过位于半径为R，并与光源S共圆的点M。
倘若再切于晶体中位于虚线至半径R之间的一部分表面时，则有光源S发散地射出的所有光线，并以相同的布拉格角与点阵面相遇；因为SDM、SCM和SEM均为对圆弧SM的圆周角，因而互相相等，其值为（-θ）
所以，由S发散地射出所有的X射线，便会一齐收敛到与S共圆，并与点C等距离的焦点F上。
X射线衍射对分光晶体的结构和性能的要求
良好的分光晶体应具有以下几条基本要求：
1）在大气和真空中稳定性好；
2）所有晶体应能覆盖所测元素，有一定的晶面间距，因为要满足衍射关系2d=即2d≥λ（n=1，θ为0～90°），所以一般元素的分析，2d在2～10之间；
3）晶体的衍射面有较强的衍射能力，应具备有较理想的嵌镶块；
4）晶体的完整性好；
5）对入射X射线的吸收尽可能小，晶体应尽可能由一些原子序数较低的元素组成；
6）经得起操作温度的变化；
7）有良好的机械性能并便于加工。
晶体本征参数W.P.R，这些参数与晶体的完整性和组分有关，大多数晶体均有大小为几百埃，趋向略有偏差的小嵌镶块组成。
因此，单色辐射的晶体衍射不只发生在单一的布拉格角度位置，而发生在一个角度范围内。
W：半高宽有嵌镶块大小决定；
P：峰值衍射系数，谱线峰值位置入射量子数与衍射量子数之比，一定程度上决定晶体组分；
R：积分反射系数，等于强度分布曲线所包围的面积；
在样品定性定量分析过程中，使用晶体时，如要求提高衍射强度，则使R 提高，如着重提高分辨率，则设法减少半高宽W。
2全聚焦弯晶的磨制
2.1有两种方式，可以磨制全聚焦弯曲晶体
2.1.1先弯后磨
将挑选合格的平面晶体，弯成半径2R的弯晶，在晶体凹面处研磨成半径为R的表面，晶体晶格曲率为，晶面曲率为。
此时弯晶为平晶直接弯曲，所以适于大半径，晶体尺寸小，薄的晶体。
2.1.2先磨后弯
平晶的选择：
（1）以LiF（氟化锂）晶体为例，要求外观上透明度好，用肉眼看，不允许有杂乱无章的小反射面，解理面平正光亮；
（2）用红外线干涉仪照相，观察晶体完整性，选好的平晶淘汰晶体生长不完整的原料；
（3）X射线定向仪精确定向，研磨与测试交错进行，直到晶体表面平行于晶格表面为止。
2.2弯晶研磨
1）LiF晶体为了使磨好的弯晶片（曲率为），弯曲时不致破碎，弯曲前应进行退火，消除内应力，退火温度750℃，保温4～5小时，5℃/小时退火冷至室温，退火后的弯晶片放在压弯模内，电阻丝均匀加热，当测得晶片所在空间温度450℃时，缓慢压弯，彻底压牢，冷至室温，成形后，晶体表面曲率为，晶格点阵面曲率为；
2）ADP为塑性晶体，150℃左右塑性最大，把弯晶片（曲率）放在凹模内加热至空间温度110℃左右，即可压弯，自然冷却至室温，ADP晶体机械强度弱，很脆，热振性强，温度稍高，晶体熔化，温度稍低，晶体破裂，ADP晶体温度的控制是很重要的；
3）KAP、石英（SiO2）为弹性晶体，常温下即可弯曲，在晶体架上涂一层502胶，把晶片放上，用凸模慢慢压弯成形。
3表面处理
KAP、ADP为测量长波长元素所用晶体，为了减少晶体表面对X射线的吸收，晶体弯曲后，应进行抛光处理。
KAP、ADP晶体为水溶剂生长晶体，容易潮解。
为保证晶体长期使用，表面应涂一层对X射线吸收少的防潮碳氢化合物。
对短波应用晶体，表面光滑程度的要求并不像长波晶体要求那样严格，尤其是全聚焦弯曲晶体，整个表面可以得到适当的嵌镶结构，增加衍射强度，为了提高分辨率，分析原子序数为45号左右的元素，还采用了LiF（220）晶体，聚焦圆半径为R150mm。
总之，由于采用了全聚焦分光晶体，谱仪设计简单，由于晶体弯曲，晶体产生大量嵌块组织，提高积分反射系数R，又因为全聚焦，衍射线条变细，提高谱仪分辨率。
参考文献
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