晶体管脉冲数字电路上册2版思维导图
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第9章-二极管和晶体管 10
1. NPN 型三极管
集电极C
集电区
C
B E
符号
基极B
N
集电结
P
基区
（很薄）
N+ 发射极E
发射结
发射区 （掺杂浓
度高）
32
2. PNP型三极管
集电极C
C
PN
基极B
B
NN
P+
E
发射极E
集电区
集电结 基区 （很薄） 发射结
发射区 （掺杂浓
度高）
33
晶体管-半导体三极管
半导体三极管是具有 电流放大功能的元件 频率：高频管、低频管 功率：小、中、大功率管 材料： 硅管、锗管 类型： NPN型、PNP型
12 UCE(V)
在以后的计算中，一般作近似处理： = 。
49
2.集-基极反向截止电流ICBO ICBO A
ICBO是集 电结反偏 由少子的 漂移形成 的反向电 流，受温 度变化的 影响大。
+4
+4
+4
空
自由电子
穴
成对出现
+4
+4
本征激发
10
9.1.2 N半导体和P型半导体
1 .N型半导体 +4
在硅或锗的晶体中
掺入少量五价元素
N 型半导体中的载流子:
1、自由电子
+4
多数载流子
2、空穴
少数载流子
+4
+4
正磷原离子子
++54
+4
多余价电子
+4
+4
+4
11
N 型半导体结构示意图
电子工程师自学速成：入门篇(第2版)
9.1结型场效应管 （JFET）
9.3绝缘栅双极型 晶体管（IGBT）
10.2固态继电器
10.1电磁继电器
10.3干簧管与干簧 继电器
11.1过流保 护器件
11.2过压保 护器件
12.1发光二极管 （LED）
12.2光敏二极管
12.3光敏三极管 12.4光电耦合器
声器
13.2耳机
13.3蜂鸣器
0 3
22.3测频 与计数功能 的使用
0 4
22.4信号 扫描功能的 使用
0 6
22.6系统 功能与设置
0 5
22.5信号 调制功能的 使用
作者介绍
这是《电子工程师自学速成：入门篇（第2版）》的读书笔记模板，暂无该书作者的介绍。
精彩摘录
这是《电子工程师自学速成：入门篇（第2版）》的读书笔记模板，可以替换为自己的精彩内容摘录。
20.5电子产 品的检修方
法
20.6收音机 的检修
21.1示波器的种类 与特点
21.2面板、接口与 测试线
21.3一个信号的测 量
21.4两个信号的测 量
21.6其他功能的使 用
21.5信号幅度、频 率和相位的测量
21.7万用表功能的 使用
0 1
22.1面板 及附件说明
0 2
22.2单、 双通道信号 的产生
5.2变压器
6.2整流二极管和 开关二极管
6.1半导体与二极 管
6.3稳压二极管
6.4变容二极
1
管
6.5双向触发
2
二极管
3 6.6双基极二
极管（单结晶 体管）
4 6.7肖特基二
极管
5 6.8快恢复二
极管
数字电路ppt课件
主要的工具是逻辑代数，电路的功能用真值表、
逻辑表达式及波形图表示。
3
模拟电路研究的问题
基本电路元件: 基本模拟电路:
•晶体三极管 •场效应管 •集成运算放大器
• 信号放大及运算 (信号放大、功率放大） • 信号处理（采样保持、电压比较、有源滤波） • 信号发生（正弦波发生器、三角波发生器、…）
4
数字电路研究的问题
长中含反， 去掉反。
A B(A A) A B
例如：A ABC DE A BC DE
被吸收
32
3.混合变量的吸收： AB AC BC AB AC
证明： AB AC BC
1
AB AC (A A)BC
正负相对， 余全完。
AB AC ABC ABC AB AC
BA BD BC
38
吸收
例如： AB AC BCD AB AC BC BCD AB AC BC AB AC
33
五、摩根定理
AB AB AB AB
还有更多变量
可以用列真值表的方法证明：
A
B A•B A • B A
B AB
00 01
1
11
01 01
1
01
10 01
0
11
11 10
0
00
34
反演定理：将函数式 F 中所有的
C
开关断为逻辑“0”
E
F
灯亮为逻辑“1”
灯灭为逻辑“0”
20
E
真值表 AB 00 00 01 01 10 10 11 11
A B C
CF 00 11 01 11 01 11 01 11
真值表特点： 任1 则1, 全0则0。
电路章节复习思维导图--教师版
电路章节复习思维导图--教师版(总2页)2《电路》电流1．定义：电荷的定向移动形成电流。
符号为Ｉ。
2．方向：规定正电荷定向移动方向为电流方向。
3．形成持续电流的条件：a ．保持导体两端有电压；b ．电路是通路。
4.电流强度：表示电流强度的物理量，规定电流等于1s 内通过导体横截面的电荷量。
5.定义式tQI =，变形公式It Q =, I Q t /=.6.单位是安培，简称安（A ）,常用单位还有毫安（mA ）和微安（μA ）. 换算关系如下：1安 = 1000毫安 1毫安 = 1000微安． 的含义：1s 内通过导体横截面的电量是1C 。
8.常见电流：电子手表2微安、小型手电筒和白炽灯安、节能灯为安、 小型收音机安、电视机安、电吹风安、电饭煲3安、 电热水壶6安；空调10安、冰箱和洗衣机1安 9.测量工具：电流表使用规则:A.串联在电路中。
B.使电流从“+”接线柱流入，从“—”接线柱流出。
C.不能超过电流表量程。
D.不允许不经用电器把电流表直接接在电源两极，1.自然界中存在两种电荷，用丝绸摩擦过的玻璃棒所带的电荷叫正电荷，用毛皮摩擦过的橡胶棒所带的电荷叫负电荷。
2.电荷间的作用规律：同种电荷相互排斥，异种电荷相互吸引。
3.电荷量（1）定义：电荷的多少叫电荷量。
用Q 表示。
（2）单位是库仑，符号是C.（3）×1018个电子所带的电量是1库仑，所以每个电子所带的电荷量为为⨯19-库，称为元电荷。
电荷 电荷量电阻电压滑动变阻第 7 章1.电路的基本组成部分。
（1）电源——提供电能／电压 （2）用电器 ——消耗电能（3）电键—— 控制电路的通断 （4）导线 —— 输送电流2.电路图：利用规定的符号代替实物，把电路表示出来的图形就是电路图。
3.电路的连接：串联、并联电路（1）串联电路始终是一路不分支；并联电路有分支。
（2）串联一个开关就可以控制整个电路；并联电路干路开关可控制整个电路，支路开关可控制各支路。
数字电子电路第二版电子课件第一章数字电路基础
3
§１—１ 数字信号与数字电路
4
第一章 数字电路基础
当人们在超市购物结账付款时，收银员只要把条形码扫描器对准货物上 的条形码一扫，计算机屏幕上立刻就会显示该物品的价格。这是因为条形 码经扫描器扫描后，会产生相应的“数字信号”，经计算机处理后就可以 显示为货物的名称及价格等信息，进而可刷卡付款，打印付款收据。超市 自动收款设备如图所示。
非逻辑开关电路
44
第一章 数字电路基础
图所示为非门逻辑符号。非门真值表见表。 非门的逻辑功能可概括为“有0出1，有1出0”。非门的逻辑表达式为：
该表达式读作Y等于A非。
非门真值表
非门逻辑符号
45
28
第一章 数字电路基础
几种常见的BCD码
29
第一章 数字电路基础
（1）8421BCD码 最常用的BCD码是8421BCD码。 （2）5421BCD码 5421BCD码也是一种有权码，从高位到低位分别是5、4、2、1。 （3）2421BCD码 2421BCD码也是一种有权码，从高位到低位的权分别是2、4、2、1。 （4）余3码 这是一种无权码，它是在相应的8421BCD码上加0011（3）得到的。
15
第一章 数字电路基础
用数字电路测量电动机转速的原理框图
16
第一章 数字电路基础
2. 四人抢答器 四人抢答器原理框图如图所示。
四人抢答器原理框图
17
第一章 数字电路基础
从以上两个电路的工作过程可以看出，数字电路大致包含数字信号的产 生与整形、编码、寄存、译码、显示等典型单元数字电路。
此外，为了将传感器转换而来的模拟信号转换成控制系统所需要的数字 信号，必须采用模数转换器（A/D Converter）。数字信号被处理后，通常 还要经过数模转换器（D/A Converter）恢复成模拟信号，去驱动执行元件， 如图所示。
§１—１ 数字信号与数字电路
4
第一章 数字电路基础
当人们在超市购物结账付款时，收银员只要把条形码扫描器对准货物上 的条形码一扫，计算机屏幕上立刻就会显示该物品的价格。这是因为条形 码经扫描器扫描后，会产生相应的“数字信号”，经计算机处理后就可以 显示为货物的名称及价格等信息，进而可刷卡付款，打印付款收据。超市 自动收款设备如图所示。
非逻辑开关电路
44
第一章 数字电路基础
图所示为非门逻辑符号。非门真值表见表。 非门的逻辑功能可概括为“有0出1，有1出0”。非门的逻辑表达式为：
该表达式读作Y等于A非。
非门真值表
非门逻辑符号
45
28
第一章 数字电路基础
几种常见的BCD码
29
第一章 数字电路基础
（1）8421BCD码 最常用的BCD码是8421BCD码。 （2）5421BCD码 5421BCD码也是一种有权码，从高位到低位分别是5、4、2、1。 （3）2421BCD码 2421BCD码也是一种有权码，从高位到低位的权分别是2、4、2、1。 （4）余3码 这是一种无权码，它是在相应的8421BCD码上加0011（3）得到的。
15
第一章 数字电路基础
用数字电路测量电动机转速的原理框图
16
第一章 数字电路基础
2. 四人抢答器 四人抢答器原理框图如图所示。
四人抢答器原理框图
17
第一章 数字电路基础
从以上两个电路的工作过程可以看出，数字电路大致包含数字信号的产 生与整形、编码、寄存、译码、显示等典型单元数字电路。
此外，为了将传感器转换而来的模拟信号转换成控制系统所需要的数字 信号，必须采用模数转换器（A/D Converter）。数字信号被处理后，通常 还要经过数模转换器（D/A Converter）恢复成模拟信号，去驱动执行元件， 如图所示。
晶体三极管开关特性-2022年学习资料
晶体管丽开关特性小 圃体二管开关岿性 2 二极管限幅幂及钳位罴 3 晶体管开关特性 4 晶体三极管反相界
晶体管开关在脉冲与数字电路中_ 晶体管经常被当作开关 (电子 开关)来使用 那么晶体管工作于开关状态其开关 性是 什么 ? 1 {俸掇管开类;憷: 开关元件的作用是能把电路接通和断开。 接通就是要元 件呈现很小的电 最好接近于短路; 断开就是要元件呈现 很大的电阻 最好接近于开路。 1秣掰: 开关断开时 工 = 0, 关两端电阻为。 开关闭合时 R = 0,开关两端电压为0。 开关动作瞬时完成。 以上三点不受温度等环境因素 响。
三 -极限1胤前面对二极管限幅器的分析没有考虑二极管的开关惰性和 寄生电容的影响, 其结果只适应于低速工作 合 在高速工作 时 二极管的开关惰性和寄生电容的影响是不能忽略的。 二极管限幅器作高速应用时: 首先选用高 开关二极管; 其反向恢复时间远小于工作周 期。所以其开关惰性和结电容可以忽略不计。 其次要注意输出端寄生电 对输出波形有较大的影响, 限 幅电阻越大。对波形影响也就越大。 下面主要讨论寄生电容对二极管限幅器的影响。 寄生电容: 接线电容。下-级输入电容之和。
晶体-极管开关特性: IA 锗二极管的伏安特性如图所示: 正向特性 锗二极管导通, 正向伏安特性娈 600-20 0.5 VolV 化缓慢。正向压降随正向电流的增加 01 而增加。可用等效电阻R表示。 0.3 向特性 锗二极管截止, 反向电流较大,K V VD 般在0.01~0.3mA 通常用恒流 V < OV Vo > 0V) 源表示反向反向偏置锗二极管。恒 流源的大小等于锗二极管的反向电 流值。 I0 RD 通 情况下 可以将硅 锗二极管看作是理想开关 ,截 止认为开路 导通视为短路。
P雎区塑区晶体三极管开关特性
晶体管开关在脉冲与数字电路中_ 晶体管经常被当作开关 (电子 开关)来使用 那么晶体管工作于开关状态其开关 性是 什么 ? 1 {俸掇管开类;憷: 开关元件的作用是能把电路接通和断开。 接通就是要元 件呈现很小的电 最好接近于短路; 断开就是要元件呈现 很大的电阻 最好接近于开路。 1秣掰: 开关断开时 工 = 0, 关两端电阻为。 开关闭合时 R = 0,开关两端电压为0。 开关动作瞬时完成。 以上三点不受温度等环境因素 响。
三 -极限1胤前面对二极管限幅器的分析没有考虑二极管的开关惰性和 寄生电容的影响, 其结果只适应于低速工作 合 在高速工作 时 二极管的开关惰性和寄生电容的影响是不能忽略的。 二极管限幅器作高速应用时: 首先选用高 开关二极管; 其反向恢复时间远小于工作周 期。所以其开关惰性和结电容可以忽略不计。 其次要注意输出端寄生电 对输出波形有较大的影响, 限 幅电阻越大。对波形影响也就越大。 下面主要讨论寄生电容对二极管限幅器的影响。 寄生电容: 接线电容。下-级输入电容之和。
晶体-极管开关特性: IA 锗二极管的伏安特性如图所示: 正向特性 锗二极管导通, 正向伏安特性娈 600-20 0.5 VolV 化缓慢。正向压降随正向电流的增加 01 而增加。可用等效电阻R表示。 0.3 向特性 锗二极管截止, 反向电流较大,K V VD 般在0.01~0.3mA 通常用恒流 V < OV Vo > 0V) 源表示反向反向偏置锗二极管。恒 流源的大小等于锗二极管的反向电 流值。 I0 RD 通 情况下 可以将硅 锗二极管看作是理想开关 ,截 止认为开路 导通视为短路。
P雎区塑区晶体三极管开关特性
电工与电子学课件--第十四章 二极管和晶体管-PPT资料42页
自由电子 统称为载流子
空穴
22.09.2019
电工与电子学
回主页 总目录 章目录 上一页 下一页 退出
14.1 半导体的导电特性
本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现， 同时又不断复合。
在一定的温度下，载流子的产生和复合达到动态 平衡，于是半导体中的载流子便维持一定的数目。
注意
①温度愈高，载流子数目愈多，半导体的导电性 能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。
发射结 N 发射区
集电结 基极 B
发射结
P 集电区 N 基区 P 发射区
发射极 E
发射极 E
C
IB IC
B
T
IE E
NPN型晶体管
C
IB IC
B
T
IE E
PNP型晶体管
22.09.2019
晶体管的结构示意图和表示符号 电工与电子学 回主页 总目录 章目录 上一页 下一页 退出
14.5 晶体管
14.5.2 电流分配和放大原理
PN结的单向导电性，半导体三极管电流分配和 放大作用。
22.09.2019
电工与电子学
回主页 总目录 章目录 上一页 下一页 退出
半导体三极管电流分配和放大作用，工作原理 和主要特性曲线。
讲课4学时，习题1学时。
22.09.2019
电工与电子学
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14.1 半导体的导电特性
P
N
交界面就形成一个特殊的薄层，
称为PN结。
22.09.2019
电工与电子学
PN结
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14.2 PN结及其单向导电性
空穴
22.09.2019
电工与电子学
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14.1 半导体的导电特性
本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现， 同时又不断复合。
在一定的温度下，载流子的产生和复合达到动态 平衡，于是半导体中的载流子便维持一定的数目。
注意
①温度愈高，载流子数目愈多，半导体的导电性 能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。
发射结 N 发射区
集电结 基极 B
发射结
P 集电区 N 基区 P 发射区
发射极 E
发射极 E
C
IB IC
B
T
IE E
NPN型晶体管
C
IB IC
B
T
IE E
PNP型晶体管
22.09.2019
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14.5 晶体管
14.5.2 电流分配和放大原理
PN结的单向导电性，半导体三极管电流分配和 放大作用。
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半导体三极管电流分配和放大作用，工作原理 和主要特性曲线。
讲课4学时，习题1学时。
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14.1 半导体的导电特性
P
N
交界面就形成一个特殊的薄层，
称为PN结。
22.09.2019
电工与电子学
PN结
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14.2 PN结及其单向导电性
脉冲与数字电路第三章门电路
8>其他：
工作温度：军品（54系列） –55 ~ +125摄氏度
民品（74系列） 0 ~ +70摄氏度
工作电压：推荐值 5V
极限值+-0.5
功耗：PH=ICCHVCC
PL=ICCLVCC
平均功耗P=(PL+ PH)/2
5、晶体管-晶体管逻辑门(TTL)
标准TTL门: 低电平<0.8V,高电平〉2V
结论：1.TTL电路的输入不能为负； 2.TTL门电路的输入端在输入低电平时
电流高于输入为高电平的电流。
6、TTL逻辑门外部特性和参数 转 移 特 性 曲 线
1>域值电平：1.0V(LS),1.4V（标准） 2>关门电平：VOFF=VILMAX=0.8V
3>开门电平: VON=VIHMIN=2.0V
驱动同类门数目少；传输延迟大，已淘汰。
2、二极管-晶体管逻辑门(DTL)
电路符号
特点：输出高电平时，驱动的同类门输入二极管截止，
不影响负载能力。传输延迟也较大，已淘汰。
3、晶体管-晶体管逻辑门(TTL) 1>标准TTL门
低电平<0.8V
高电平〉2V
特点：可以提供较大的输出拉电流和灌电流。 传输延迟大，功耗大。
4、 TTL逻辑门外部特性和参数
1>域值电平： 1.0V(LS),1.3V(S),1.5V(F),1.4V（标准） 2>关门电平：VOFF=VILMAX=0.8V 3>开门电平: VON=VIHMIN=2.0V 4>高电平噪声容限：VNH= VOHMIN - VIHMIN 5>低电平噪声容限: VNL= VILMAX – VOLMAX 6>输入输出特性和参数(p88) VILMAX, VIHMIN,VOLMAX, VOHMIN IILMAX,IIHMAX,IOLMAX,IOHMAX
工作温度：军品（54系列） –55 ~ +125摄氏度
民品（74系列） 0 ~ +70摄氏度
工作电压：推荐值 5V
极限值+-0.5
功耗：PH=ICCHVCC
PL=ICCLVCC
平均功耗P=(PL+ PH)/2
5、晶体管-晶体管逻辑门(TTL)
标准TTL门: 低电平<0.8V,高电平〉2V
结论：1.TTL电路的输入不能为负； 2.TTL门电路的输入端在输入低电平时
电流高于输入为高电平的电流。
6、TTL逻辑门外部特性和参数 转 移 特 性 曲 线
1>域值电平：1.0V(LS),1.4V（标准） 2>关门电平：VOFF=VILMAX=0.8V
3>开门电平: VON=VIHMIN=2.0V
驱动同类门数目少；传输延迟大，已淘汰。
2、二极管-晶体管逻辑门(DTL)
电路符号
特点：输出高电平时，驱动的同类门输入二极管截止，
不影响负载能力。传输延迟也较大，已淘汰。
3、晶体管-晶体管逻辑门(TTL) 1>标准TTL门
低电平<0.8V
高电平〉2V
特点：可以提供较大的输出拉电流和灌电流。 传输延迟大，功耗大。
4、 TTL逻辑门外部特性和参数
1>域值电平： 1.0V(LS),1.3V(S),1.5V(F),1.4V（标准） 2>关门电平：VOFF=VILMAX=0.8V 3>开门电平: VON=VIHMIN=2.0V 4>高电平噪声容限：VNH= VOHMIN - VIHMIN 5>低电平噪声容限: VNL= VILMAX – VOLMAX 6>输入输出特性和参数(p88) VILMAX, VIHMIN,VOLMAX, VOHMIN IILMAX,IIHMAX,IOLMAX,IOHMAX
第10章-脉冲波形
低电平。
(3) CO为控制电压输入端。 当CO悬空时，UR1＝2/3VCC，UR2＝1/3VCC。 当CO＝UCO时，UR1＝UCO，UR2＝1/2UCO
阈值电压UT+和负向阈值电压UT－）。 ⑶状态翻转时有正反馈过程，从而输出边沿陡峭旳
矩形脉冲。
10.2.1 用门电路构成旳施密特触发器
一、电路构造
两个CMOS反相器， 两个分压电阻。
主要用途： 把变化缓慢 旳信号波形 变换为边沿 陡峭旳矩形 波。
用集成门电路构成旳施密特触发器 （a） 电路 （b）逻辑符号
负载电流
双极型产品
CMOS产品
555
7555
556
7556
驱动能力较大 低功耗、高输入阻抗
5~16V
3~18V
可达200mA
可达4mA
10.5.1 555定时器
1. 电路构成 电阻分压器 电压比较器 基本RS触发器
缓冲器 放电管T
555定时器 (a) 原理图 (b)外引线排列图
4.5～16V
555 定时器
（2）外加触发信号，电路翻转到暂稳态。 当uI产生正跳变时，uO1产生负跳变，经过电容C耦合， 使uI2产生负跳变，G2输出uO产生正跳变；uO旳正跳变反 馈到G1输入端，从而造成如下正反馈过程：
使电路迅速变为G1导通、G2截止旳状态，此 时，电路处于uO1=UOL、uO=uO2=UOH旳状态。然 而这一状态是不能长久保持旳，故称为暂稳态。
态，但能够自动返回稳态； 暂稳态维持旳时间取决于电路本身旳参数，
一般是放电参数RC。
10.3.1 微分型单稳态触发器
1. 电路构成及工作原理 暂稳态是靠RC电路旳充放电过程来维持旳。 因为图示电路旳RC电路接成微分电路形式，故该电
(3) CO为控制电压输入端。 当CO悬空时，UR1＝2/3VCC，UR2＝1/3VCC。 当CO＝UCO时，UR1＝UCO，UR2＝1/2UCO
阈值电压UT+和负向阈值电压UT－）。 ⑶状态翻转时有正反馈过程，从而输出边沿陡峭旳
矩形脉冲。
10.2.1 用门电路构成旳施密特触发器
一、电路构造
两个CMOS反相器， 两个分压电阻。
主要用途： 把变化缓慢 旳信号波形 变换为边沿 陡峭旳矩形 波。
用集成门电路构成旳施密特触发器 （a） 电路 （b）逻辑符号
负载电流
双极型产品
CMOS产品
555
7555
556
7556
驱动能力较大 低功耗、高输入阻抗
5~16V
3~18V
可达200mA
可达4mA
10.5.1 555定时器
1. 电路构成 电阻分压器 电压比较器 基本RS触发器
缓冲器 放电管T
555定时器 (a) 原理图 (b)外引线排列图
4.5～16V
555 定时器
（2）外加触发信号，电路翻转到暂稳态。 当uI产生正跳变时，uO1产生负跳变，经过电容C耦合， 使uI2产生负跳变，G2输出uO产生正跳变；uO旳正跳变反 馈到G1输入端，从而造成如下正反馈过程：
使电路迅速变为G1导通、G2截止旳状态，此 时，电路处于uO1=UOL、uO=uO2=UOH旳状态。然 而这一状态是不能长久保持旳，故称为暂稳态。
态，但能够自动返回稳态； 暂稳态维持旳时间取决于电路本身旳参数，
一般是放电参数RC。
10.3.1 微分型单稳态触发器
1. 电路构成及工作原理 暂稳态是靠RC电路旳充放电过程来维持旳。 因为图示电路旳RC电路接成微分电路形式，故该电