双向触发二极管 db3
双向可控硅检测
双向可控硅检测用万用表即可判断双向可控硅的好坏，但具体参数测不出来。
用万用表测量的方法如下。
T2极的确定:用万用表R*1档或R*100档，分别测量各管脚的反向电阻，其中若测得两管脚的正反向电阻都很小(约100欧姆左右)，即为T1和G极，而剩下的一脚为T2极。
T1和G极的区分:将这两极其中任意一极假设为T1极而另一极假设为G极，万用表设置为R*1档，用两表笔(不分正负极)分别接触已确定的T2极和假设的T1极，并将接触T1的表笔同时接触假设的G极，在保证不断开假设的T1极的情况下，断开假设的G极，万用表仍显示导通状态。
将表笔对换，用同样的方法进行测量，如果万用表仍然显示同样的结果，那么所假设的T1极和G极是正确的。
如果在保证不断开假设的T1极的情况下，断开假设的G极，万用表显示断开状态，说明假设的T1和G极相反了，从新假设再进行测量，结果一定正确。
如果测量不出上述结果，说明该双向可控硅是坏的。
这种方法虽然不能测出具体参数，但判断是否可用还是可行的。
双向触发二极管是与双向晶闸管同时问世的，常用来触发双向晶闸管。
双向触发二极管的结构、符号、等效电路及伏安特性如图1所示。
它是三层、对称性质的二端半导体器件，等效于基极开路、发射极与集电极对称的NPN晶体管。
其正、反向伏安特性完全对称。
当器件两端的电压小于正向转折电Ubo时，呈高阻态;当 U>Ubo 时进入负阻区。
同样，当|U|超过反向转折电压|Ubr| 时，管子也能进入负阻区。
转折电压的对称性用?Ub表示Ub=Ubo-|Ubr|一般要求 ?Ub<2U。
双向触发二极管的耐压值 Ubo 大致分三个等级:20——60V，100——150 V，200——250 V 。
在实际应用中，除根据电路的要求选取适当的转折电压 Ubo 外，还应选择转折电流 Ibo 小、转折电压偏差?Ub小的双向触发二极管。
双向触发二极管除用来触发双向晶闸管外，还常用在过压保护、定时、移相等电路，图2就是由双向触发二极管和双向晶闸管组成的过压保护电路。
电子镇流器
电子镇流器荧光灯是一种低气压放电灯，荧光灯工作时，灯管两端的工作电压与灯管所通过的交流电流呈负伏安特性。
荧光灯使用时必须配用起限流作用的镇流器。
点灯时，不仅灯管要消耗电能，镇流器本身也要消耗一定的电能。
所以，荧光灯的节能是两个方面的，包括灯管的节能和镇流器的节能。
可以说，凡具有正伏安特性的元器件，均可用于荧光灯的镇流器。
电阻器可用作最简单的镇流器，但由于电阻器是一种有功元件，电流在通过电阻时要有相当部分的电能变成热能白白损失掉。
并且电阻用于镇流时，稳定性差,灯管启辉困难以及灯光闪烁现象较严重，在交流电路里很少采用；电容器是用作镇流器的另一种元件，电容器是一种无功元件，它除具有基本不耗电能外，还有体积小、重量轻的优点。
但是电容器镇流时，灯管电流中的谐波成份增多，使灯管电流的波形严重畸变，易形成尖顶脉冲波，对延长灯管的寿命极为不利，灯光也有较大的闪烁现象。
电感线圈是一种较为理想的镇流器，由于其具有能量损失较小、效率较高的优点，因此长期以来被广泛应用于荧光灯的电路中。
用电感镇流器的荧光灯，灯管的电压和电流滞后于电源电压，使电感镇流器在交流电路中具有平滑滤波作用，使灯管的闪烁现象相对于电阻、电容器镇流而减小，故电感镇流器稳定性好。
但电感镇流器也有其不足之处，如体积笨重，铜、铁损耗大，无功损耗大，电感镇流器与荧光灯管串联使用时，其功率因数只有0.6左右，质量较次的铁芯甚至不到0.4。
由于以上电感镇流器的种种缺点，使荧光灯的推广应用受到一定的影响。
人们在研究探索过程中，发现利用高频交流电点燃荧光灯具有许多优点。
80年代初，荷兰飞利浦公司首先在世界上推出了电子节能镇流器。
电子镇流器在电气性能各方面的优越性，使其产生了强大的生命力，很快在世界各国兴起了用高频荧光灯取代普通电感镇流器式荧光灯的热潮。
我国也加快了推行紧凑型电子节能荧光灯的步伐。
近年来，各式各样的电子节能镇流器及紧凑型节能荧光灯应运而生。
其中，晶体管串谐振荡式电子镇流器就是获得普遍应用的一种。
单相全控桥式晶闸管整流电路(纯电阻负载)
在电源电压负半周，仍在触发延迟角α处触发T2和T3，T2和T3导通，电流从电源流入T2最后由T3流出，流回电源。当电源电压过零时，电流又降为0，T2和T3关断。此后又是T1和T4导通，如此循环工作下去。
由于在交流电源的正负半周都有整流输出电流流过负载，故该电路称为全波整流。
3.参数计算
流过晶闸管的电流有效值为：
电力电子综合课程设计报告
班级：自动化A班
********
学号：**********
第一部分
1.Matlab仿真电路图及参数设置
1.1仿真电路图
1.2系统参数设置
电源及晶闸管参数设置
触发信号参数设置
2.原理分析
单相桥式全控整流电路是单相整流电路中应用较多的。在单相桥式全控整流电路中，晶闸管T1和T4组成一对桥臂，T2和T3组成另外一对桥臂。在电源电压正半周，若4个晶闸管均没有被触发，则负载电流为0，负载电压也为0，T1和T4各承受一半电源电压。若在触发角α处给T1和T4加触发脉冲，T1和T4导通，电流从电源流入T1最后由T4流出，流回电源。当电源电压过零时，流经晶闸管的电流也降到0，T1和T4关断。
输出直流电流有效值 为：
由于本次仿真设计要求电源电压为100V/50Hz，最大输出功率为500W。又当触发延迟角为0度时，晶闸管导通时间最长，流过负载电流有效值最大，所以应使导通延迟角为0度时输出功率为500W。令上式α为00，Us为100V， 为 /25rad/s可得RL等于20 。
DB3双向触发二极管doc
DB3双向触发二极管.doc DB3双向触发二极管是一种特殊的二极管，它具有双向触发特性，可以在交流电路中实现双向导通。
这种二极管常用于交流开关电路、保护电路、马达控制等场合。
一、DB3双向触发二极管的结构DB3双向触发二极管的结构与普通二极管类似，它由一个PN结组成。
不同之处在于，DB3双向触发二极管的PN结上有一个环形电极，该电极可以控制PN结的导通与截止。
二、DB3双向触发二极管的特性1.双向触发特性DB3双向触发二极管具有双向触发特性，即它可以在交流电路中实现双向导通。
当电压作用于DB3时，环形电极通过控制PN结的导通与截止，使得电流可以正向或反向流动。
这种特性使得DB3在交流电路中应用广泛。
2.快速响应DB3双向触发二极管具有快速响应的特性，它的响应时间一般在几十纳秒级别。
这种特性使得DB3在高频电路中具有很好的应用效果。
3.较高的开关频率由于DB3双向触发二极管的快速响应特性，它可以实现较高的开关频率。
在高速马达控制等应用中，这种特性使得DB3成为一种理想的控制元件。
三、DB3双向触发二极管的参数1.最大正向电流：指在规定条件下，DB3能承受的最大正向电流值。
在实际应用中，应根据电路的最大正向电流值来选择合适的DB3型号。
2.最大反向电流：指在规定条件下，DB3能承受的最大反向电流值。
在实际应用中，应根据电路的最大反向电流值来选择合适的DB3型号。
3.最大反向电压：指在规定条件下，DB3能承受的最大反向电压值。
在实际应用中，应根据电路的最大反向电压值来选择合适的DB3型号。
4.触发电压：指使DB3从截止状态进入导通状态所需要的最小电压值。
在实际应用中，应根据电路的触发电压值来选择合适的DB3型号。
5.触发电流：指使DB3从截止状态进入导通状态所需要的最小电流值。
在实际应用中，应根据电路的触发电流值来选择合适的DB3型号。
6.最大浪涌电流：指在规定条件下，DB3能承受的最大浪涌电流值。
双向触发二极管db（ＰＤＦ）
DB3/DB4/DC34®April 1995TRIGGER DIODESDO 35(Glass)V BO :32V /34V /40V VERSIONS LOW BREAKOVER CURRENTFEATURESSymbol ParameterValue Unit R th (j-a)Junction to ambient 400°C/W R th (j-l)Junction-leads150°C/WHigh reliability glass passivation insuring parameter stability and protection against junction contamination.DESCRIPTIONSymbol ParameterValue Unit P Power dissipation on printed circuit (L =10mm)Ta =65°C 150mW I TRM Repetitive peak on-state currenttp =20µs F=100Hz2A Tstg TjStorage and operating junction temperature range-40to +125-40to +125°C °CABSOLUTE RATINGS (limiting values)THERMAL RESISTANCES 1/4SymbolParameterTest ConditionsValue UnitDB3DC34DB4V BOBreakover voltage *C =22nF **see diagram 1MIN 283035V TYP 323440MAX363845[I+V BO I-I-V BO I]Breakover voltage symmetryC =22nF **see diagram 1MAX ±3V I ∆V ±I Dynamic breakover voltage *∆I =[I BO to I F =10mA]see diagram 1MIN 5V V O Output voltage *see diagram 2MIN 5V I BO Breakover current *C =22nF **MAX 10050100µA tr Rise time *see diagram 3TYP 1.5µs I BLeakage current *V B =0.5V BO max see diagram 1MAX10µA *Electrical characteristic applicable in both forward and reverse directions.**Connected in parallel with the devices.ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj =25°C)DIAGRAM 1:Current-voltage characteristics DIAGRAM 2:Test circuit for output voltageDIAGRAM 3:Test circuit see diagram 2.Adjust R for lp=0.5A10mAI BO I B-V+V+I F-I F0,5V BOV BOV10k500k220V 50Hz0.1FD.U.TV OR =2090%l p10%t rDB3/DB4/DC342/4204060801001201401600102030405060708090100110120130Tamb (C)oP (mW)Fig.1:Power dissipation versus ambient tempera-ture (maximum values)255075100125Tj(C)o1.081.061.041.021.00VBO[Tj]VBO[Tj=25C]oFig.2:Relative variation of V BO versus junction temperature (typical values)0.010.1110100100010000tp (s)2F =100HzTj initial =25CoI (A)TRM Fig.3:Peak pulse current versus pulse duration (maximum values)DB3/DB4/DC343/4Information furnished is believed to be accurate and reliable.However,SGS-THOMSON Microelectronics assumes no responsability for the consequences of use of such information nor for any infringement of patents or other rights of third parties which may result from its use.No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of SGS-THOMSON Microelectronics.Specifications mentioned in this publication are subject to change without notice.This publication supersedes and replaces all information previously supplied.SGS-THOMSON Microelectronics products are notauthorized for use as critical components in life support devices or systems without express written approval of SGS-THOMSON Microelectronics.©1995SGS-THOMSON Microelectronics -All rights reserved.Purchase of I 2C Components by SGS-THOMSON Microelectronics,conveys a license unde r the Philips I 2C Patent.Rights to use these components in an I 2C system,is granted provided that the system conforms tothe I 2C Standard Specifications as defined by Philips.SGS-THOMSON Microelectronics GROUP OF COMPANIESAustralia -Brazil -France -Germany -Hong Kong -Italy -Japan -Korea -Malaysia -Malta -Morocco -The Netherlands -Singapore -Spain -Sweden -Switzerland -Taiwan -Thailand -United Kingdom -U.S.A.Cooling method by convection and conduction Marking :type number Weight :0.15gPACKAGE MECHANICAL DATA (in millimeters)DO 35GlassPolarity :N A Stud torque :N Anote 2B A BC note 1note 1D DO/O/O /EE REF.DIMENSIONS NOTESMillimeters Inches Min.Max.Min.Max.A 3.050 4.5000.1200.1171-The lead diameter ∅D is not controlled over zone E 2-The minimum axial lengh within which the device may beplaced with its leads bent at right angles is 0.59”(15mm)B 12.70.500∅C 1.530 2.0000.0600.079∅D 0.4580.5580.0180.022E1.270.050DB3/DB4/DC344/4。
DB3双向触发二极管
DB3双向触发二极管,DB3双向触发二极管原理是什么FEATURESVBO：32V and 40VLOW BREAKOVER CURRENTDESCRIPTIONFunctioning as a trigger diode with a fixed voltage reference, the DB3/DB4 series can be used in co njunction with triacs for simplified gate control circuits or as a starting element in fluorenscent lamp ballasts.A new surface mount version is now available in SOT-23 package, providing reduced space and compatibility with automatic pick and place equipment.此型号器件提供多种品牌的品种双向触发二极管DB3工作原理：二极管、晶体二极管为一个P型和N型半导体半导体PN结的形成及其形成两边的界面空间电荷层，并建自建电场。
当外加电压不存在，是由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电流所造成的，同时漂移，并在平衡状态。
当外面的世界有着积极的偏压，外电场与电场的相互自我抑制的作用，在消除承运人增加，从目前的扩散正向电流。
当外面世界的反向偏压，外电场和电场，以进一步加强自身建设，在某种形式的反向电压和反向偏置电压值无关的反向饱和电流i0 。
当反向电压应用到一定程度，PN结的空间电荷层的临界电场强度值承运人乘法过程中，大量的电子空穴对，有相当部分的数值反向击穿电流，击穿现象被称为二极管。
该类型的二极管有许多类型的二极管，根据半导体材料的使用，可分为锗二极管（葛管）和硅二极管（硅管）。
根据其不同用途，可分为探测器二极管，整流二极管，二极管调节器，开关二极管，隔离二极管，肖特基二极管，发光二极管等。
双向触发二极管
双向触发二极管双向触发二极管是一种可以在外部触发条件下改变输出状态的5-6脚型号的二极管，也称作触发器或触发单元。
这种器件有两个输入端口，能够识别输出端口执行特定操作，例如低电平或高电平响应，从而改变输出状态。
双向触发二极管也可以用于控制电器，如加热器、温度控制器和照明系统等。
它们可以通过处理不同的输入信号来控制外部设备，同时还可以帮助控制电路的开关状态。
它们通常与变压器或其他电子元件一起使用，用于在不同的动作阶段之间进行转换。
双向触发二极管还具有特殊的电气特性，能够实现延时、在低电平状态下脉冲复位、以及持续输出高电平。
此外，它还可以提供脉冲至高电平的转换功能，这能够帮助控制电路在脉冲模式下工作。
双向触发二极管的安装尺寸要求较小，允许更小的电子电路尺寸，同时可以提供更高的处理能力。
该类器件具有耐高温和低功耗特性，能够在恶劣环境条件下进行工作，而且价格也比较低廉，这些特性使其在很多工业应用中受到青睐。
双向触发二极管的结构是由两个基本部分组成：具有五个引脚的NPN号以及具有六个引脚的 PNP号。
它们的主要组件包括：放大器电路、触发信号处理电路、可调电容电路、控制电容电路及电流源电路等。
在触发过程中，在放大器电路和触发信号处理电路的结合处可以输出相应的脉冲信号，从而控制外部电路的状态。
双向触发二极管可以应用于汽车电子系统、通讯电路、家用电器和控制系统等多个领域。
它们可以用于调制、检测和稳定不同类型的信号，并能够有效地改善电子系统的运行性能。
总之，双向触发二极管是一种由双极型号组成的可以在外部触发条件下改变输出状态的智能型器件，它具有低成本、高可靠性、耐高温和低功耗等优点，可以被广泛的应用于各种电子系统中。
DB3双向触发二极管
双向触发二极管参数DB3,DC34,DB4,DB6双向触发二极管用于驱动双向可控硅的调光灯，普遍电机转速控制，热控制电路。
封装：DO-35极限参数：符号Parameters 参数Value 数值Units单位DB3 D C34 D B4 D B6Pc Power Dissipation onPrintedCircuit(L=10mm)印刷线路板（长=10毫米）=10mm) 功耗TA=50150mWITRM Repetitive Peakin-state Current 反向重复峰值电流tp=10usF=100Hz2.0 2.0 2.0 1.6 ATSTG/TJ Storage and Operating JunctionTemperature存储和工作结温-40 to +125/-40 to 110 ℃电气特性数据：Symbols符号Parameters 参数Test Conditions 测试条件Value数值Units单位DB3 D C34 D B4 D B6VBO Breakover Voltage(Note2) 转折点电压c=22nF Seediagram1 见表最小28303556v典型323440 60最大36384570|+VBO|- |-VBO| Breakover VoltageSymmetry 转折点电压对称性c=22nF最大最小± 3 ± 4V5 10|±△V| Dynamic BreakoverVoltage(Note 1) 动态转折点电压I=(IBO toIF=10mA) Seediagram1Vo Output Voltage(Note 1)输出电压See diagram2最小5VIBO Breakover Current(Note1) 转折点电流c=22nF最大100 μAtr Rise Time(Note 1) 上升时间See Diagram 3 典型 1.5 μSIBLeakage Current(Note 1) 泄漏电流VB=0.5 VBO max最大10μA瓦图1 电压-电流特性图2 测试电路图图3：测试电路特性Ip=0.5A图4 耗散功率与环境温度曲线（最高值）图5 相对变化的VBO与juntion 温度（典型值）图6 峰值脉冲电流与脉冲持续时间图形（最大值）。
双向触发二极管主要参数和工作原理
双向触发二极管主要参数和工作原理工作原理：双向触发二极管可以实现电流在正向和反向之间的切换。
在正向触发模式下，当正向电压大于触发电压时，二极管处于导通状态，电流可以沿着正向方向流动；而在反向触发模式下，当反向电压大于触发电压时，二极管会变得导通，电流可以沿着反向方向流动。
主要参数：1.最大可反向电压(VRM):双向触发二极管可以承受的最大反向电压。
若超出此值，就会导致二极管击穿，无法正常工作。
2.触发电压(VT):双向触发二极管从正向触发到反向触发的电压门限。
当超过此电压，二极管就会切换到反向触发模式。
3.触发电流(IT):触发二极管的电流门限。
当电流大于此值时，二极管也会切换到反向触发模式。
4.正向导通电流(IF):在正向触发模式下，正向电流可以通过二极管。
5.反向导通电流(IR):在反向触发模式下，反向电流可以通过二极管。
双向触发二极管的工作原理基于PN结的电压和电流特性。
PN结是由一种n型半导体材料和一种p型半导体材料组成的，当正向电压施加在PN结上时，会使得n型材料变为电子富集区，p型材料变为空穴富集区，形成导电通道，电流可以流动；而当反向电压施加在PN结上时，会使得n型材料变为空穴富集区，p型材料变为电子富集区，导电通道被阻断，几乎不会有电流通过。
双向触发二极管的设计原理是针对特定的应用场景，例如开关电源、电动车辆和电能表等。
在这些应用中，通过对导通区开关的控制，可以实现对电流的双向调节和反向电流的回馈。
在电动车辆中，双向触发二极管可以用于实现电池充电和放电模式之间的切换。
总结起来，双向触发二极管是一种能够在正向和反向两种触发模式下工作的二极管。
它的工作原理是基于PN结的电压和电流特性，通过控制正向和反向电压或电流的变化，实现电流在正向和反向之间的切换。
其主要参数包括最大可反向电压、触发电压、触发电流、正向和反向导通电流等。
双向触发二极管在一些特定的应用领域中具有重要的作用，帮助实现电流的双向调节和反向电流的回馈。
双向触发二极管的结构原理介绍
双向触发二极管的结构原理介绍双向触发二极管（TRIAC）是一种电子元件，属于晶体管（thyristor）家族，常用于交流电路的控制中。
它可以用来控制交流电中的电流，而普通二极管只能用来控制直流电。
本文将介绍双向触发二极管的结构原理，以及它在交流电路中的应用。
双向触发二极管的结构原理双向触发二极管有两个PN结，结构如下图所示。
_|MT2 ---|---+---|--- MT1| | || |___|_|其中，MT1和MT2分别是主触峰，而G是门触峰。
当G端施加正向电压时（相对于MT1），TRIAC将导通，并允许在MT1和MT2之间的电流流动。
当G 端施加负向电压时，TRIAC将不导通。
在正向电压下，当MT2渗透电场大于MT1时，TRIAC将出现导通。
与其它晶体管一样，TRIAC导通后将保持导通状态，直到电路中的电流减至接近于零的水平。
在这个时候，TRIAC将不可逆地截止，并且需要再次施加门触峰电压，才能重新导通。
需要注意的是，TRIAC可以在两个方向上导通，因此双向触发二极管的名称中包含“双向”。
双向触发二极管在交流电路中的应用TRIAC是一个非常有用的电子元件，它被广泛应用于交流电路中。
交流相位控制TRIAC可以被用来控制交流电路中的电流。
这通常是通过交流相位控制来实现的。
交流电路的电压是一个正弦波，因此，可以使用TRIAC来控制电路中的电流的一部分，以实现更加精确的电流调节。
将G端连接到一个可调电压源，在适当时机施加门触峰电压，将会在交流电压的正半周中导通TRIAC，从而让电流通过MT1和MT2，实现电路中的电流控制。
开关控制TRIAC也可以被用来作为开关来控制交流电流的流动。
这种方式与交流相位控制相比，更加简单，常用于一些相对简单的电路当中。
将G端连接到一个可调电压源，当需要关闭电路时，将门扫描至负压值即可实现截止。
省电应用TRIAC还可用于一些需要省电的应用中，例如，可以用TRIAC来实现减小照明灯具的功耗。
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DB3/DB4/DC34
®
April 1995
TRIGGER DIODES
DO 35(Glass)
V BO :32V /34V /40V VERSIONS LOW BREAKOVER CURRENT
FEATURES
Symbol Parameter
Value Unit R th (j-a)Junction to ambient 400°C/W R th (j-l)
Junction-leads
150
°C/W
High reliability glass passivation insuring parameter stability and protection against junction contamination.
DESCRIPTION
Symbol Parameter
Value Unit P Power dissipation on printed circuit (L =10mm)
Ta =65°C 150mW I TRM Repetitive peak on-state current
tp =20µs F=100Hz
2A Tstg Tj
Storage and operating junction temperature range
-40to +125-40to +125
°C °C
ABSOLUTE RATINGS (limiting values)THERMAL RESISTANCES 1/4
Symbol
Parameter
Test Conditions
Value Unit
DB3
DC34DB4V BO
Breakover voltage *
C =22nF **see diagram 1
MIN 283035V TYP 323440MAX
36
3845
[I+V BO I-I-V BO I]
Breakover voltage symmetry
C =22nF **see diagram 1MAX ±3V I ∆V ±I Dynamic breakover voltage *∆I =[I BO to I F =10mA]see diagram 1MIN 5V V O Output voltage *see diagram 2MIN 5V I BO Breakover current *C =22nF **MAX 10050100µA tr Rise time *see diagram 3TYP 1.5µs I B
Leakage current *
V B =0.5V BO max see diagram 1
MAX
10
µA *Electrical characteristic applicable in both forward and reverse directions.**Connected in parallel with the devices.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj =25°C)
DIAGRAM 1:Current-voltage characteristics DIAGRAM 2:Test circuit for output voltage
DIAGRAM 3:Test circuit see diagram 2.
Adjust R for lp=0.5A
10mA
I BO I B
-V
+V
+I F
-I F
0,5V BO
V BO
V
10k
500k
220V 50Hz
0.1F
D.U.T
V O
R =20
90%
l p
10%
t r
DB3/DB4/DC34
2/4
204060801001201401600
102030405060708090100110120130
Tamb (C)
o
P (mW)
Fig.1:Power dissipation versus ambient tempera-ture (maximum values)
25
50
75
100
125
Tj(C)
o
1.08
1.06
1.041.021.00
VBO[Tj]
VBO[Tj=25C]
o
Fig.2:Relative variation of V BO versus junction temperature (typical values)
0.01
0.1
1
10
100100010000
tp (s)
2F =100Hz
Tj initial =25C
o
I (A)
TRM Fig.3:Peak pulse current versus pulse duration (maximum values)
DB3/DB4/DC34
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Australia -Brazil -France -Germany -Hong Kong -Italy -Japan -Korea -Malaysia -Malta -Morocco -The Netherlands -Singapore -Spain -Sweden -Switzerland -Taiwan -Thailand -United Kingdom -U.S.A.
Cooling method by convection and conduction Marking :type number Weight :0.15g
PACKAGE MECHANICAL DATA (in millimeters)DO 35Glass
Polarity :N A Stud torque :N A
note 2
B A B
C note 1
note 1D D
O
/O
/O /E
E REF.DIMENSIONS NOTES
Millimeters Inches Min.
Max.
Min.
Max.
A 3.050 4.500
0.1200.117
1-The lead diameter ∅D is not controlled over zone E 2-The minimum axial lengh within which the device may be
placed with its leads bent at right angles is 0.59”(15mm)
B 12.70.500
∅C 1.530 2.0000.0600.079∅D 0.458
0.5580.018
0.022E
1.27
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