电子陶瓷名词术语
电子陶瓷材料制备与应用
电子陶瓷材料制备与应用随着科技的飞速发展，电子行业已经成为现代社会不可或缺的组成部分。
电子技术的广泛应用也促进了电子材料的飞速发展。
电子陶瓷材料作为一种特殊的电子材料，具有独特的化学性质和物理性质，广泛应用于无线通信、电力设备、航天航空、军事工业等领域。
本文将介绍电子陶瓷材料制备和应用的相关知识。
一、电子陶瓷材料的分类电子陶瓷材料是一类由陶瓷材料和电子材料组成的复合材料。
根据化学成分和物理性质的不同，电子陶瓷材料可分为以下几大类：1. 晶体陶瓷材料：主要由金属氧化物、非金属氧化物和半导体材料等组成。
晶体陶瓷材料具有高介电常数、低介电损耗、低温系数、高机械强度等特点。
2. 多层陶瓷材料：由多层陶瓷和金属电极交替层压而成。
多层陶瓷材料具有高介电常数、低温系数、面积小、电容量大等特点。
3. 热敏陶瓷材料：主要由金属氧化物、氮化硼等组成。
热敏陶瓷材料具有温度敏感性、高热致电阻率、低温系数等特点。
4. 压敏陶瓷材料：主要由氧化锌、铅酸钡等材料组成。
压敏陶瓷材料可在一定的电压下改变电阻值，具有良好的压敏性。
二、电子陶瓷材料的制备电子陶瓷材料的制备过程主要包括材料制备、成型和烧结三个步骤。
1. 材料制备：电子陶瓷材料的制备通常采用化学法和物理法两种方法。
化学法包括溶胶-凝胶法、水热法、凝胶注射成型法等。
物理法包括真空蒸镀法、喷雾干燥法等。
不同的方法适用于不同种类的材料制备。
在制备过程中，还需要控制材料的晶体结构、晶粒大小、组成等因素。
2. 成型：材料制备完成后，需要把粉末成型成所需的形状。
成型方式常用的有压片、注射成型、挤压成型等。
成型后得到的成型体要进行干燥和烘烤，以使成型体的物理性质更加稳定。
3. 烧结：成型体烧结是电子陶瓷材料制备的最后一个环节。
烧结是将成型体在高温下进行烧结，使其化学成分发生反应，使粒子间互相紧密结合起来，形成致密的陶瓷材料。
烧结条件影响着材料的性能和品质，所以需要进行精确的控制。
三、电子陶瓷材料的应用电子陶瓷材料具有一系列良好的物理和化学性质，被广泛应用于无线通信、电力设备、航天航空、军事工业等领域。
电子陶瓷材料的制备与应用
电子陶瓷材料的制备与应用电子陶瓷材料是一种在现代电子科技中应用十分广泛的材料。
它主要是指以氧化物为主体，具有高温稳定性和特殊电性质的一种陶瓷材料。
电子陶瓷材料是一种非常重要的功能材料，在导电、绝缘、调节电阻和介质等方面都有着广泛的应用。
电子陶瓷材料制备的工艺十分繁琐，需要先将原料进行筛选、粉碎和干燥，然后进行配料、混合和成型。
在成型之后，需要进行烧结处理，以便使陶瓷材料具有较高的热稳定性和特殊的电性质。
在整个过程中，需要对材料的粉末分布、尺寸分布、结晶状态等进行严格控制，以保证电子陶瓷材料性能的稳定和可靠。
电子陶瓷材料的应用非常广泛。
它被广泛应用于电器、通信、电子计算机、汽车、医疗器械等领域。
在这些领域中，它通常被用作载波介质、滤波器、压电陶瓷、介电陶瓷、热敏电阻器、电容器、微波器件等。
电子陶瓷材料的载波介质应用是最广泛的。
在无线电等领域中，载波介质通常被用来制造衰减器、耦合器、分路器、合路器、变换器、功率分配器等。
电子陶瓷材料的载波介质具有介电性能稳定、色带宽、温度系数小、电容性能好等特点，因此在这些领域中应用非常广泛。
在汽车领域中，电子陶瓷材料应用于热敏电阻器。
热敏电阻器是指电阻值随温度变化的电阻器。
汽车中的热敏电阻器通常是用来检测车内温度、发动机温度等的电子元件。
这些电子元件需要具有稳定的电性能和较高的工作温度，而电子陶瓷材料正是一个非常好的材料选择。
它具有良好的温度系数、高温稳定性和稳定的电性能，因此在汽车领域中应用非常广泛。
在医疗器械领域中，电子陶瓷材料应用于压电陶瓷。
压电陶瓷是一种具有压电效应的陶瓷材料。
它能够在外加电压的作用下产生形变，或在外加力的作用下产生电荷。
压电陶瓷在医疗器械中的应用非常广泛，比如用于制造超声波探头、骨固定器、心脏调节器等。
总之，电子陶瓷材料是一种非常重要的功能材料，在现代电子科技中应用非常广泛。
在未来的发展中，它必将继续发挥重要的作用，推动着现代电子科技的发展。
功能陶瓷的特点及应用
功能陶瓷的特点及应用功能陶瓷是指具有特定功能的陶瓷材料，它们通常具有特殊的物理、化学、电学和磁学性能，以及高温稳定性和耐腐蚀性。
以下将以电子陶瓷、磁性陶瓷、结构陶瓷和生物陶瓷为例，介绍功能陶瓷的特点及应用。
1. 电子陶瓷：电子陶瓷是一种应用于电子器件中的陶瓷材料，具有优异的电学特性和高温稳定性。
其特点包括高介电常数、低介电损耗、低热膨胀系数和优异的绝缘性能。
电子陶瓷主要应用于电容器、石英晶体谐振器、微波滤波器等电子元件中，广泛应用于通信、计算机和消费电子等领域。
2. 磁性陶瓷：磁性陶瓷是一种具有磁性的陶瓷材料，主要包括铁氧体陶瓷和硬质磁性材料。
磁性陶瓷具有优异的磁性能，如高磁导率、高剩磁和高矫顽力。
铁氧体陶瓷主要应用于电感器、传感器、磁记录材料等领域；硬质磁性材料则广泛应用于电机、发电机、转轴、磁磨粉等领域。
3. 结构陶瓷：结构陶瓷是一种具有优异力学性能的陶瓷材料，主要包括氧化铝、氮化硅和碳化硅等。
结构陶瓷具有高硬度、高强度、耐磨性和耐腐蚀性等特点，广泛应用于机械、航空航天、汽车和能源等领域。
例如，氧化铝陶瓷可用于制造切割工具、机械密封件和电子陶瓷等；氮化硅和碳化硅陶瓷则常用于制造高温热工装备和轴承等。
4. 生物陶瓷：生物陶瓷是一类用于医疗和生物工程的陶瓷材料，主要包括氧化锆、羟基磷灰石和氧化铝等。
生物陶瓷具有良好的生物相容性、化学稳定性和力学性能，可用于制造人工骨骼、牙科修复材料、植入器件等。
例如，氧化锆陶瓷可用于制作人工关节和牙科修复材料，羟基磷灰石陶瓷则可用于骨修复和植骨。
总结起来，功能陶瓷具有特定的物理、化学和电学性能，以及高温稳定性和耐腐蚀性。
它们在电子、磁性、结构和生物领域都具有重要的应用价值，广泛用于电子器件、磁性材料、机械装备、医疗器械等各个领域。
随着科技的发展，功能陶瓷的研究和应用将进一步得到拓展，为各行各业的发展提供新的可能性。
(整理)第一章电子陶瓷制备工艺
(整理)第一章电子陶瓷制备工艺
电子陶瓷制备工艺是指通过特定的方法和工艺流程将陶瓷材料
转化为用于电子元器件的陶瓷产品。
本章将介绍电子陶瓷制备的基
本工艺和相关的方法。
一、陶瓷材料选择
电子陶瓷制备的第一步是选择合适的陶瓷材料。
根据不同的电
子元器件和应用要求，可以选择不同种类的陶瓷材料，如氧化铝陶瓷、氮化硅陶瓷等。
在选择陶瓷材料时，需要考虑材料的性能指标、加工难度及成本等因素。
二、陶瓷材料准备
在制备电子陶瓷前，需要对所选的陶瓷材料进行准备处理。
一
般包括原料的筛分、混合、分类等。
筛分是为了去除杂质，保证原
料的纯度；混合是为了获得均匀的成分分布；分类是根据不同的要
求将原料进行分级。
三、陶瓷成型
陶瓷材料准备好后，进入成型过程。
常用的陶瓷成型方法有压
制成型、注塑成型、注浆成型等。
通过不同的成型方法，可以制备
出各种形状的陶瓷产品，如片状、管状、块状等。
四、陶瓷烧结
成型后的陶瓷制品需要进行烧结过程。
烧结是指在一定温度下，使陶瓷材料颗粒间形成结合，并获得较高的机械强度和致密度的过程。
烧结温度和时间的选择根据具体的陶瓷材料和产品要求进行确定。
以上是电子陶瓷制备工艺的基本步骤。
除了这些基本工艺，还
有一些特殊工艺和方法，如表面处理、涂层制备等，可以根据具体
需要进行选择和应用。
参考资料：
[1] XXXXXX
[2] XXXXXX
[3] XXXXXX
...（参考文献列表）。
《电子陶瓷ch》幻灯片
§6-1 概述
半导体陶瓷按照利用的物性分类可分为： 1. 利用晶粒本身性质：NTC热敏电阻； 2. 利用晶粒间界及粒界析出相性质：PTC热敏电阻器，半
导体电容器〔晶界阻挡层型〕，ZnO非线性电阻器； 3. 利用外表性质：半导体电容器〔外表阻挡层型〕，湿敏
• ρV或ρS对热、光、电压、气氛、湿度敏感，故 可作各种热敏、光敏、压敏、气敏、湿敏材料。
• 3.非半导体瓷——体效应〔晶粒本身〕
•
半导体瓷——晶界效应及外表效应
§6-1 概述
种类：
1. BaTiO3半导体瓷 a. PTC热敏电阻瓷 →PTC热敏电阻 b. 半导体电容器瓷 →晶界层电容器、外表层电容器
线性区
外加电 压 Vmax 时的残 余电流
跃变区
• Vk～Vmax：跃变区， ρ跃变↑，I ↓ • Vmax以上：击穿区， V ↑ ，I↑， ρ ↓ ，热击 穿
额定电压 最大工作电压
过电流保护 过载保护
§6-3 PTC热敏电阻
• 电流－时间特性〔I－T特性〕
刚接通时处于常温 低阻态，一定时间 后进入高阻态。 电流从大（起始电 流）到小有延迟
§6-2 BaTiO3瓷的半导化机理
2. 强制还原法
在还原气氛中烧结或热处理，将生成氧空位而使部分 Ti4+→Ti3+，从而实现半导化。（102～106Ω•cm）
B 2 T 4 O 3 2 a i 真 还 惰 空 原 B 性 2 T 气 1 4 2 x T a 气 2 3 x i O 氛 3 2 x V i O • • 氛 2 x O x 2
传感器；
§6-2 BaTiO3瓷的半导化机理
电子陶瓷材料
电子陶瓷材料
电子陶瓷材料是一种具有优异电性、热性能和化学稳定性的陶瓷材料，广泛应用于电子器件、通信设备、航天航空等领域。
它具有高介电常数、低介电损耗、高绝缘电阻、良好的热稳定性和化学稳定性等特点，因此在现代电子技术中扮演着重要的角色。
首先，电子陶瓷材料具有优异的电性能。
它的高介电常数和低介电损耗使得它在微波器件、滤波器、天线等领域有着广泛的应用。
这些特性使得电子器件在工作时能够更加稳定和高效地传输信号，提高了设备的性能和可靠性。
其次，电子陶瓷材料还具有良好的热性能。
它能够在高温环境下保持稳定的性能，不易发生热膨胀和热震裂。
这使得它在航天航空、汽车电子、工业控制等领域有着重要的应用，能够在恶劣的环境下保持稳定的工作状态。
此外，电子陶瓷材料还具有优异的化学稳定性。
它能够抵抗酸、碱等化学物质的侵蚀，不易发生氧化和腐蚀，因此在化工、医疗器械等领域有着广泛的应用。
这些特性使得电子陶瓷材料成为一种理想的工程材料，能够满足各种复杂环境下的需求。
总的来说，电子陶瓷材料是一种具有优异电性、热性能和化学稳定性的材料，具有广泛的应用前景。
随着科技的不断进步，电子陶瓷材料将会在更多领域发挥重要作用，推动现代电子技术的发展。
相信在不久的将来，电子陶瓷材料将会成为各种电子设备中不可或缺的重要材料。
电子陶瓷材料1-绪论.
令： r0
ε0 为SI单位制中真空的介电常数，亦称电
常数，ε0=8.85×10-12 F/m； εr为相对介电常数，有时也简称为介电常数， 是一个无量纲的常数.
真空的相对介电常数为1, 其他材料的相对
介电常数均大于1。 C r 0 S
对平行平板电容器：
h
r
C
0
h S
式中，C为试样的电容量；d为试样厚度
直流四端电极法测试电阻率
对中、高电阻率材料，为消除电极非 欧姆接触对测量的影响，多采用直流四端 电极法测试电导率
V
截面积S
I
L
L I
SV
室温下常用 简单的四探 针法：
I V l1 l2 l3
2IV(l1 1l1 2l1 1l2l2 1l3)
如 l=l1=l2=l3 则
I 2 l V
该式是在试样尺寸远大于探针间距时才成立。
当电流I通过试样时，如果在垂直于电流的 方向加一磁场H，则在垂直于 I-H的平面的 方向产生一电场EH，称为霍耳电场，该现 象称为霍耳效应。
霍耳效应的产生是由于电子在磁场作用下， 产生横向位移的结果。电子电导的特征
由于离子质量比电子大得多，因此磁场的 作用力相对较小，离子在磁场作用下，不 呈现横向位移。
璃相、气相和相界交织而成。 • 结晶相：大小不同，形状不一，取向随机的晶粒。直
径几微米到几十微米。小晶粒内部原子或离子点阵规 则排列，是单晶。 • 主晶相决定了材料的性能：介电常数，电导率，损耗 和热膨胀系数。电子陶瓷大都选用氧化物为主晶相。
玻璃相
• 一种低温可以熔融的化合物。作用是填充晶粒之间的 空隙，将晶粒紧密联结成一个整体，降低坯体烧成温 度，阻止晶型转变，在一定条件下，可以抑制晶粒生 长，促使晶粒细微化。广义上和晶粒之间的过渡晶界 相一起统称为晶粒间界。——晶粒之间的固体物质， 原子不规则排列。
压电陶瓷基本术语介绍
压电陶瓷基本术语介绍1 极化 polarization在电场作用下，电介质中束缚着的电荷发生位移或者极性按电场方向转动的现象，称为电介质的极化。
2 自发极化 spontaneous polarization在没有外电场作用时，铁电晶体或铁电陶瓷中存在着由于电偶极子的有序排列而产生的极化，称为自发极化。
在垂直于极化轴的表面上，单位面积的自发极化电荷量称为自发极化强度。
它是一个矢量，用P表示，其单位为C/m2。
3 铁电性 ferroelectricity某些材料在一定温度范围内具有自发极化。
而且其自发极化可以因外电场的作用而转向，材料的这种特性称为铁电性。
4 铁电畴 ferroeletric domain铁电体内部分成若干个小区域，自发极化方向一致的区域称为铁电畴，简称电畴。
两个畴之间的界面称为畴壁。
5 电滞回线 ferroelectric hysteresis loop在较强的交变电场作用下，铁电体的极化强度P随外电场呈非线性变化，而且在一定的温度范围内，P表现为电场E的双值函数，呈现出滯后现象，如图1`所示。
这个P-E（或D-E）回线就称为电滯回线。
6 反铁电性 anti-ferroelectricty反铁电体是一种反极性晶体。
由顺电相向反铁电相转变时，高温相的两个相邻晶胞产生反平行的电偶极子而成为子晶格，两者构成一个新的晶胞。
因此，晶胞的体积增大一倍。
其自由能与该晶体的铁电态自由能很接近，因而在外加电场作用下，它可由反极性相转变到铁电相，故可观察到双电滯回线。
这种性质称为反铁电性。
7 钙钛结构矿 perovskite structure具有钙钛矿结构的铁电，压电陶瓷属于ABO3型氧八面体，其中A为一价或二价金属离子，而B为四价或五价金属。
半径较大的A正离子，半径较小的B正离子和氧离子分别位于晶胞格子的顶角，体心和面心。
如图所示。
这种结构也可看成是一组BO6八面体按简立方图样排列而成，各氧八面体由公有的氧离子联结，A正离子占据氧八面体之间的空隙，钙钛矿原胞是立方的，也可畸变成具有三角和四方对称性。
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中华人民共和国国家标准电子陶瓷名词术语Terms for electronic ceramics本标准规定了电子陶瓷名词术语的定义．包括基础理论、瓷料种类、性能与测试、设备和工艺及其它，共五部分。
1基础理论1.1 电子陶瓷electronic ceramics在电子技术中用于制造电子元件和器件的陶瓷材料，一般可分为结构陶瓷和功能陶瓷。
1.2 电子结构陶瓷electronic structural ceramics．用于制造电子元件、器件、部件和电路中的基体、外壳、固定件和绝缘零件等的陶瓷材料，又称装置瓷。
它大致可分为电真空瓷、电阻基体瓷和绝缘零件瓷等．1.3功能陶瓷functional ceramics用于制造电容器、电阻器、电感器、换能器、滤波器、振荡器、传感器等并在电路中起一种或多种作用的陶瓷材料。
它又可分为电容器瓷、铁电瓷、压电瓷、半导体瓷、导电陶瓷以及磁性瓷等。
1.4多相系统polyphase system在热力学中把所研究对象的物质总体称为系统。
系统中具有相同的物理、化学性质的部分称为相。
当系统达到热力学平衡时，按相的数目可分为单相系统和多相系统。
前者又称均匀系统，后者又称非均匀系统。
陶瓷材料一般是由晶相、玻璃相和气相组成的多相系统。
1.5晶相crystal phase在多相系统中由晶体构成的部分。
1.6 晶粒crystal grain在显微镜下观察到的有形的晶体的通称。
1.7玻璃相glass phase在多相系统中由玻璃态构成的部分．它是由主要组分、添加物和杂质等熔融后凝结而成的。
1.8气相gas phase在多相系统中，由气体构成的部分。
1.9气孔pore存在于陶瓷体中的小孔．与大气连通的称开口气孔，封闭的称闭口气孔，包在晶粒内部的称晶内气孔，处在晶粒之间的称晶间气孔。
1.10 显微结构microstructure在显微镜下观察到的瓷体内各相的种类、形状、大小、数量、分布、取向以及晶界、显微缺陷等，总称陶瓷材料的显微结构。
显微结构的研究范围通常在100 μm～0.2μm，从0.2μm～10A的范围称亚显微结构，10 A以下的物质结构称微观结构。
1.11 晶界crystal boundary, grain boundary不同取向的晶粒之间的界面。
1.12 相界phase boundary在多相系统中相与相之间的界面，如晶相和玻璃相之间，晶相与气相之间，玻璃相与气相之间，以及晶粒之间等。
1.13晶体缺陷crystal defect晶体内部质点排列偏离理想晶格构造规律的部分．可分为(1)点缺陷，如缺位、杂质离子；(2)线缺陷，如位错，(3)面缺陷。
如晶界等。
1.14缺位vacancy晶体中格点位置上的质点脱离格点位置到晶格间隙或晶体表面而形成的空格点。
1.15织构texture晶粒择优取向排列的结构。
1.16滑移slip晶体在应力作用下发生塑性形变时，其中一部分相对于另一部分产生的平移滑动。
1.17位错dislocation一部分晶面相对于另一部分晶面发生滑移形成的一种线状缺陷．1.18微裂纹micro-crack一般指深度为0.1～100μm的裂纹。
它是由应力、相变等原因造成的。
1.19品格热振动lattice oscillation由于热动能，晶格中的原子（或离子、分子）在其平衡位置上所作的微幅振动，其振幅约为0.1A。
个别能量大的原子也有可能偏离其平衡位置。
1. 20 热起伏thermal fluctuation在给定温度下处于热运动平衡状态的系统中，原子（或离子、分子）热运动的动能偏离该温度相应的动能平均值的现象．1.21声子phonon品格振动中声波的单元量子。
1.22热缺陷thermal defect由手热起伏的原因使正常原子（或离子）离开格点位置，产生的空位和填隙原子（或离子）。
包括弗仑克尔缺陷和肖特基缺陷。
1.23弗仑克尔缺陷Frenkel defect由于热起伏的原因使原子（或离子）脱离正常格点进入间隙位置，形成等浓度的空位和填隙原子。
1.24 肖特基缺陷Schetlky defect ~晶体内部的原子(或离子），由于热起伏的原因，脱离正常格点迁移到晶体表面，在晶体内部留下的空位所形成的缺陷。
1.25活化能activation energy在物理化学过程中,始态和终态之间存在着一个势垒，为使过程得以进行，必须供应一定的能量来克服这个势垒，所需能量称为活化能。
1.26扩散diffusion由于原子（或离子、分子）的热运动而引起的物质迁移过程。
1.21扩散通量diffusion flux单位时间内通过垂直于扩散方向的单位面积的扩散物质的量。
1.28扩散系数diffusion coefficient扩散通量J与浓度梯度的比例系数，用D表示： (1)式中：C——浓度，粒子个数／m3。
X——扩散方向上的坐标，m；J——扩散通量，粒子个数／s·㎡；D---扩散系数．㎡/s．1.29迁移率motility载流子在单位电场强度作用下，在电场方向的平均漂移速度，用μ表示：μ= V/E (2)式中：E——电场强度，V/m；V——平均漂移速度，m/s；μ——迁移率，m3／V·s。
1.30 电子电导electronic conduction自由电子形成的电导．1.31 离子电导ionic conduction弱束缚离子在电场作用下产生的电导。
1.32空间电荷space charge电介质体内聚集在晶界、相界附近的可移动的电荷．1.33 电介质极化dielectric polarization在外电场作用下，电介质中微观质点或小区域正负电荷中心分离的现象。
1.3．电子极化electronic polarization离子或原子的电子云相对原子核位移引起的极化．1.35 离子极化ionic polarization正负离子相对位移而引起的极化．1.36 热松弛极化thermal relaxation polarization电介质中弱束缚质点（离子或电子）的热运动，受热起伏的影响，从一个平衡位置迁移到另一个平衡位置，不具有方向性。
在外电场作用下，这种运动在某个方向的几率增大，介质呈现极化．1.37 界面变化interface polarization电介质中移积聚在晶界、相界及其他非均匀界面附近的电荷，在外电场作用下产生的极化，又称空间电荷极化。
1.38 自发极化spontaneous polarization某些晶体中因电偶极子的规则排列而产生的极化。
1.39 电偶极距electric dipole moment电介质中带有正或负电荷q的质点，相对移开距离，形成的系统，叫电偶极子，简称偶极子。
偶极子的大小用电偶极矩表示，即。
m=ql (3)式中：m——电偶极矩，简称电矩或偶极矩．1.40极化强度polarization intensity电介质单位体积中的电偶极矩数目．1.41铁电性ferroelectricity晶体的自发极化沿电场方向取向的特性。
1.42 铁电畴ferroeleetric domain铁电体内部自发极化方向相同的小区域。
1.43电畴壁electric domain wall两个电畴之间的过渡层。
1.44．电滞回线ferroelectric hysieresis loop铁电体极化强度滞后予外电场强度而变化的轨迹．1.45居里温度Curie temperature铁电体转变为顺电体的温度，称铁电体的居里温度，简称居里点．对有二级相变的铁电体其居里点即为相变温度。
一般用Tc表示．1.46 一级相变first order phase transition相变发生于特定的温度下，伴随有显著的结构变化，系统的内能、熵、比热容等性质变化不连续。
1.47 二级相变second order phase transition相变发生在一定的温度范围内，没有显著的结构变化，系统的内能和熵变化是连续的．1.48压电效应piezoelectric effect压电体在应力作用下，因形变产生的极化状态的改变所导致表面荷电的现象称正压电效应。
压电体在电场作用下产生应变的现象称逆压电效应。
两者总称压电效应．1.49 电致伸缩效应electro-striction在电场作用下，电介质的应变与电场强度的平方成正比的现象．1.50热释电效应pyroelectric effect电介质因温度变化在其表面产生电荷的现象。
1.51 光电效应photoelectric effect电介质受到光照射后，某些电性能发生变化的现象。
1.52电光效应electro-optic effect透光介质的光学参数随电场而改变的现象。
1.53光生伏特效应photovoltaic effect介质、半导体等把光能转变为电能的效应．1.54双电滞回线double hysteresis loop反铁电体和高于居里温度下的铁电体，在正、反电场方向分别呈现的电滞回线。
1.55铁弹效应ferroelastic effect在外力作用下，晶体应力与应变之间呈现类似电滞回线那样滞后曲线的现象。
1.56光弹效应photoelastic effect晶体的折射率随应变而变化的现象．1.57敏感效应sensitive effect材料参数随外界条件而显著变化的现象-有热敏、湿敏、压力敏、电压敏、磁敏、化学敏、光敏和离子敏等。
1.58半导体semiconductor电导率介于导体和绝缘体之间（室温时通常在10-9～1O-3S/cm范围内）的物质。
1.59 N型半导体N-type semiconductor载流子以电子为主的半导体．1.60 P型半导体P-type semiconductor载流子以空穴为主的半导体。
1.61 价控半导体valence-control semiconductor通过与基质原子价不同的元素掺入而形成的半导体．1.62 非化学计量nonstoichiometry原子组成偏离化学式量．1.63掺杂改性doping vario-property晶体因掺入少量杂质而改变晶体结构及物理化学性质的现象。
1.64 n型掺杂n-type doping高价杂质掺入到低价基质中提供附加施主能级的现象．1.65 p型掺杂p-type doping低价杂质掺入到高价基质中提供附加受主能级的现象。
1.66固溶体solid solution一种物质（溶质）的质点（原子、离子或分子）溶于另一种物质（溶剂）所形成的均匀固体。
一般分为置换固溶体、间隙固溶体和缺位固溶体：1.67 置换固溶体substitutional solid solution溶剂品格格点上的部分质点被溶质质点取代而成的固溶体．1.68间隙固溶体interstitial solid solution溶质质点进入溶剂品格格点同的间隙位置而成的固溶体．1.69 缺位固溶体vacancy solid solution是格格点上出现空位的一种固溶体。