第6章半导体二极管及其应用电路习题答案3
电工学第6章 半导体二极管及整流电路PPT课件
第6章 半导体二极管及整流电路
当u2上升到峰值后（图中b点）：
D1
u2
D4
uL
b
e
a
c d
fg
D3
D2 C
RL uC
uL
O
t
充电 放电
（a）电路图
（b）波形图
图 6.17 桥式整流滤波电路
u2开始按正弦规律下降，电容按指数规律放电，开始 趋势与u2基本相同，见图中曲线的bc段。
当u2下降到c点后: uC的下降速度就会小于u2 的下降速度， 使uC >u2 ，此时D1、D3变为反向偏置而截止，电容通过RL自 由放电，见图中曲线的cd段。
反向电压为u2 。
O
iD1, 3
2 3 t 2 3 t
u2负半周： D2、 D4导通，D1、 D3
截止； uL等于u2 ， D1、 D3承
受反向电压为u2 。
O
iD 2, 4
2 3 t
O
2 3 t
图 6.16 桥式整流电路波形 波形
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第6章 半导体二极管及整流电路
输出电压平均值：
a
Tr D4
D1
u2
D3
D2 b
RL uL
Tr u2
RL uL
（a） 电路原理图
（b）简化画法
图 6.15 单相桥式整流电路
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第6章 半导体二极管及整流电路
2、分半周：
O
D1、 D3导通，D2、 D4截
止；
uL
uL等于u2 ， D2、 D4承受
第6章 半导体二极管及整流电路
6.3 单向整流滤波电路
6.3.1 单相半波整流电路
第1章__半导体二极管及其应用习题解答
第1章半导体二极管及其基本电路自测题判断下列说法是否正确，用“√”和“?”表示判断结果填入空内1. 半导体中的空穴是带正电的离子。
（?）2. 温度升高后，本征半导体内自由电子和空穴数目都增多，且增量相等。
（√）3. 因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。
（?）4. 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（√）5. PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。
（√）选择填空1. N型半导体中多数载流子是 A ；P型半导体中多数载流子是B。
A．自由电子 B．空穴2. N型半导体C；P型半导体C。
A．带正电 B．带负电 C．呈电中性3. 在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于B，而少子的浓度则受 A 的影响很大。
A．温度 B．掺杂浓度 C．掺杂工艺 D．晶体缺陷4. PN结中扩散电流方向是A；漂移电流方向是B。
A．从P区到N区 B．从N区到P区5. 当PN结未加外部电压时，扩散电流C飘移电流。
A．大于 B．小于 C．等于6. 当PN结外加正向电压时，扩散电流A漂移电流，耗尽层E；当PN结外加反向电压时，扩散电流B漂移电流，耗尽层D。
A．大于 B．小于 C．等于D．变宽 E．变窄 F．不变7. 二极管的正向电阻B，反向电阻A。
A．大 B．小8. 当温度升高时，二极管的正向电压B，反向电流A。
A．增大 B．减小 C．基本不变9. 稳压管的稳压区是其工作在C状态。
A．正向导通 B．反向截止 C．反向击穿有A、B、C三个二极管，测得它们的反向电流分别是2?A、0.5?A、5?A；在外加相同的正向电压时，电流分别为10mA、 30mA、15mA。
比较而言，哪个管子的性能最好【解】：二极管在外加相同的正向电压下电流越大，其正向电阻越小；反向电流越小，其单向导电性越好。
所以B管的性能最好。
题习题1试求图所示各电路的输出电压值U O，设二极管的性能理想。
5VVD+-3k ΩU OVD7V5V +-3k ΩU O5V1VVD +-3k ΩU O（a ） （b ） （c ）10V5VVD3k Ω+._O U 2k Ω6V9VVD VD +-123k ΩU OVD VD 5V7V+-123k ΩU O（d ） （e ） （f ）图【解】：二极管电路，通过比较二极管两个电极的电位高低判断二极管工作在导通还是截止状态。
北京交通大学模拟电子技术习题及解答第二章 半导体二极管及其基本电路
第二章半导体二极管及其基本电路2-1．填空（1）N型半导体是在本征半导体中掺入；P型半导体是在本征半导体中掺入。
（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流会。
（3）PN结的结电容包括和。
（4）晶体管的三个工作区分别是、和。
在放大电路中，晶体管通常工作在区。
（5）结型场效应管工作在恒流区时，其栅-源间所加电压应该。
（正偏、反偏）答案：（1）五价元素；三价元素；（2）增大；（3）势垒电容和扩散电容；（4）放大区、截止区和饱和区；放大区；（5）反偏。
2-2．判断下列说法正确与否。
（1）本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。
（）（2）P型半导体带正电，N型半导体带负电。
（）（3）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。
（）（4）只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。
（）（5）晶体管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。
（）（6）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）（7）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）（8）若耗尽型N沟道MOS场效应管的U GS大于零，则其输入电阻会明显减小。
（）答案：（1）对；温度升高后，载流子浓度会增加，但是对于本征半导体来讲，电子和空穴的数量始终是相等的。
（2）错；对于P型半导体或N型半导体在没有形成PN结时，处于电中性的状态。
（3）对；结型场效应管在栅源之间没有绝缘层，所以外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。
（4）错；稳压管要进入稳压工作状态两端加反向电压必须达到稳压值。
（5）错；晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过，只有在截止状态时没有电流流过。
（6）对；N型半导体中掺入足够量的三价元素，不但可复合原先掺入的五价元素，而且可使空穴成为多数载流子，从而形成P型半导体。
（7）对；PN结在无光照、无外加电压时，处于动态平衡状态，扩散电流和漂移电流相等。
(完整版)半导体及其应用练习题及答案
(完整版)半导体及其应用练习题及答案题目一1. 半导体是什么？答案：半导体是介于导体和绝缘体之间的材料，在温度适当时具有导电性能。
2. 半导体的价带和导带分别是什么？答案：半导体中的价带是电子离子化合物的最高能级，而导带是能够被自由电子占据的能级。
3. 简要解释半导体中的P型和N型材料。
答案：P型半导体是通过向半导体中掺杂三价元素，如硼，来创建的，在P型材料中电子少，因此存在空穴。
N型半导体是通过向半导体中掺杂五价元素，如磷，来创建的，在N型材料中电子多，因此存在自由电子。
题目二1. 解释PN结是什么？答案：PN结是由一个P型半导体和一个N型半导体通过熔合而形成的结构，其中P型半导体中的空穴与N型半导体中的自由电子结合，形成一个边界处的耗尽区域。
2. 简要描述PN结的整流作用是什么？答案：PN结的整流作用是指在正向偏置电压下，电流可以流过PN结，而在反向偏置电压下，电流几乎不会流过PN结。
3. 什么是PN结的击穿电压？答案：PN结的击穿电压是指当反向偏置电压达到一定程度时，PN结中会发生电击穿现象，导致电流迅速增加。
题目三1. 解释场效应晶体管（MOSFET）是什么？答案：场效应晶体管是一种半导体器件，可以用于控制电流的流动，其结构包括源极、漏极和栅极。
2. 简要描述MOSFET的工作原理。
答案：MOSFET的工作原理是通过栅极电场的变化来控制其上的沟道区域导电性，从而控制漏极和源极之间的电流的流动。
3. MOSFET有哪些主要优点？答案：MOSFET的主要优点包括体积小、功耗低、响应速度快和可靠性高等。
电子电工类--二极管及其应用试题及答案
电子电工类--二极管及其应用试题及答案一、单选题1.稳压二极管电路如下图，两个稳压二极管的稳压值UZ=6.3V，正向导通压降0.7V，则Uo为A、6.3VB、0.7VC、7VD、14V【正确答案】：C2.滤波电路如下列各图所示，电路类型说法正确的是( ) ( ) ( ) ( )A、（1）为复式滤波B、（2）为电感滤波C、（3）为π滤波D、（4）为电容滤波【正确答案】：B3.电路如下图所示，已知两个稳压管的UZ1=5V，UZ2=7V，它们的正向压降均为0.7V，则输出电压Uo为A、5VB、7.7VC、12VD、5.7V【正确答案】：C4.滤波电路位于整流电路A、之前B、之后C、前后均可D、中间【正确答案】：B5.在下图中，若要将输出电压波形由图( )变换成图( )，则应在电路中增加( )元件。
A、整流二极管B、大功率负载电阻C、滤波电感D、降压变压器【正确答案】：C6.光电耦合器的输入侧等效的基本电子元件是A、发光二极管B、稳压二极管C、光电二极管D、变容二极管【正确答案】：A7.如下图电路，已知两个稳压管的稳定电压UZ1=7V，UZ1=9V，它们的正向压降均为0.7V，则输出电压Uo为A、7.7VB、9VC、9.7VD、16V【正确答案】：A8.在电容滤波电路中，电容器与负载成( )位置关系。
A、并联B、串联C、混联D、L型【正确答案】：A9.发光二极管是将( )转换成光能，它工作在( )状态。
A、电能、正向导通B、电能、反向击穿C、光能、正向导通D、光能、反向击穿【正确答案】：A10.下列常用二极管符号中，光电二极管符号是A、B、C、D、【正确答案】：D11.整流的目的是A、将交流变为直流B、将高频变为低频C、将正弦波变为方波D、将高电压降为低电压。
二极管习题(含答案)
习题６基础知识部分：6.1 选择题1．用万用表R×1K电阻档测某一个二极管时，发现其正、反电阻均近于1000ＫΩ，这说明该二极管（）A、短路B、完好C、开路D、无法判断答案：C2.AB0.7V，反偏时电阻为∞，则以下说法正确的是（）。
A、VD导通，U AO=5.3V；B、VD导通，U AO=—5.3V；C、VD导通，U AO=—6V；D、VD导通，U AO=6V；E、VD截止，U AO=—9V。
答案：C4.下列电路中变压器二次电压均相同，负载电阻及滤波电容均相等，二极管承受反向电压最低的是( )，负载电流最小的是（）。
A.半波整流电容滤波电路B.全波整流电容滤波电路C.桥式整流电容滤波电路答案：C A5.测得输出电压为10VA.滤波电容开路B.负载开路C.滤波电容击穿短路D.其中一个二极管损坏答案：B D A6. 稳压二极管电路如图，稳压二极管的稳压值U Z=6.3V，正向导通压降0.7V，则U O 为( )。
A.6.3VB.0.7VC.7VD.14V答案：C7.图示电路，若U I上升，则U O( )→U A（）→U CE1（）→U O（）。
A.增大B.不变C.减小答案：b9.某NPN硅管在放大电路中测得各极对地电压分别为U C=12V，U B=4V，U E=0V，由此可判别三极管（）。
A.处于放大状态B.处于饱和状态C.处于截止状态D.已损坏答案：D10.测得三极管的电流方向、大小如图所示，则可判断三个电极为（）。
A.①基极b，②发射极e，③集电极cB.①基极b，②集电极c，③发射极eC.①集电极cD.①发射极e答案：C6.2 填空题1.PN结具有性，偏置时导通，偏置时截止。
答案：单向导电正向反向2. 半导体二极管2AP7是半导体材料制成的，2CZ56是半导体材料制成的。
答案：N型锗N型硅3．图示电路中设二极管正向压降为0.7V，当U i=6V时，U o为答案：4.7V4.I R= mA；⑷流过稳压二极管的电流为mA。
经典模拟电子技术基础知识总结习题(选择,填空,解答题)
1)开关S合上时，电压表V、电流表A1和电流表A2的读数为
多少？
V：12V A1：12mA A2：6mA
2)开关S打开时，流过稳压管的电流为多少？ IZ：12mA
3)开关S合上，且输入电压由原来30 V上升到33 V时，
此时电压表V、电流表A1和电流表A2的读数为多少？
V：12V
A1：14mA A2：6mA
7.电路如图所示，试估算输出电压 U o 1 和 U o 2，
并标出输出电压对地极性。
-
-45V
+
+9V
8．电容滤波桥式整流电路及输出电压极性如图所示
u2102si n t( V )试求：
（1）画出图中4只二极管和滤波电容（标出极性）；
（2）正常工作时，Uo =？ 12V
（3）若电容脱焊，Uo=？ 9V
＿偏置。
正向
反向
7.当＿三＿极管工作＿在偏＿置截＿，止＿集＿电区极时＿，＿I＿C≈偏0置；。发射极＿
零或反向
反向
8.当＿三正＿极向＿管＿工偏作置在，＿集＿饱电＿和极＿＿区＿正时＿向，＿U偏CE置≈。0。发射极
9.当NPN硅管处在放大状态时，在三个电极电位中， 以＿＿＿＿集极电的电位最高，＿＿＿发＿射极电位最低， ＿＿＿＿极基和＿＿＿＿极发电射位差等于＿＿＿＿。
28V
（5）若其中一个二极管开路，Uo =？ 20V
10. 试分析图示电路的工作原理， 标出电容电压的极性和 数值，并标出电路能输出约多少大的输出电压和极性。
＋
＋
约
＋
＋
2 U 2 、 22 U 2 、 32 U 2 、 42 U 2
第二章 半导体三极管
一、填充题
1.三极管从结构上看可以分成＿＿N＿PN＿＿和＿＿PN＿P＿＿ 两种类型。
(完整word版)二极管练习题
页共3 页《二极管及其应用》章节测验一、选择1、本征半导体又叫（）A、普通半导体B、P型半导体C、掺杂半导体D、纯净半导体2、锗二极管的死区电压为( ）A、0。
3VB、0.5VC、1V D、0。
7V3、如下图所示的四只硅二极管处于导通的是( )-5.3V -6V —6V -5。
3V 5V -5V0V —0.7V4、变压器中心抽头式全波整流电路中,每只二极管承受的最高反向电压为（）A、U2B、2U2C、1.2 U2D、22 U25、在有电容滤波的单相半波整流电路中,若要使输出的直流电压平均值为60V，则变压器的次级低电压应为（）A、50VB、60V C、72V D、27V6、在下图所示电路中，正确的稳压电路为（ )7、电路如图7所示，三个二极管的正向压降均可忽略不计，三个白炽灯规格也一样，则最亮的白炽灯是（）A．A B．B C．C D．一样亮8、图8所示电路，二极管导通电压均为0.7V，当V1=10V，V 2=5V时,（1）判断二极管通断情况( ）A．VD1导通、VD2截止 B．VD1截止、VD2 导通C．VD1、VD2均导通 D．VD1、VD2均截（2）输出电压VO为（ )A．8.37V B．3。
87V C．4.3V D．9.3V9．分析图9所示电路，完成以下各题（1)变压器二次电压有效V1为ABCDR LR L图7图9（ )A．4.5V B．9V C．12V D．14V（2）若电容C脱焊，则V1为（ )A．4。
5V B．9V C．12V D．14V（3）若二极管VD1接反，则( )A．VD1、VD2或变压器烧坏 B．变为半波整流C．输出电压极性反转，C被反向击穿D．稳压二极管过流而损坏（4）若电阻R短路，则（ )A．VO将升高 B．变为半波整流C．电容C因过压而击穿 D．稳压二极管过流而损坏二、判断（）1、本征半导体中没有载流子。
( ）2、二极管的反向电流越大说明二极管的质量越好。
（ )4、RCπ型滤波器的特点是：滤波效果好，有直流损耗，带负载能力差。
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选择正确答案填入空内。 （1）在本征半导体中加入 A 元素可形成N型半导体，加入 C 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 （2）PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （3）设二极管的端电压为vD，则二极管的电流方程是 c 。
A. DvIeS B. TDVvIeS C. )1e(S－TDVvI （4）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 a 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 （5）稳压管的稳压区是其工作在 c 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （6）稳压二极管稳压时，其工作在(c )，发光二极管发光时，其工作在( a )。 A．正向导通区 B．反向截止区 C．反向击穿区 6.2将正确答案填入空内。 （1）图P6.2（a）所示电路中二极管为理想器件，则D1工作在 状态，D2工作在 状态，VA为 V。
解：截止，导通，2.7V。 （2）在图P6.2(b)所示电路中稳压管2CW5的参数为：稳定电压Vz12V，最大稳定电流IZmax20mA。图中电压表中流过的电流忽略不计。当开关S闭合时，电压表V和电流表A1、A2的读数分别为 、 、 ；当开关S断开时，其读数分别为 、 、 。 解：12V，12mA，6mA，12V，12mA，0mA。 6.3 电路如图P6.3所示，已知vi＝56sinωt(v)，试画出vi与vO的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。
6.4 电路如图P6.4所示，已知vi＝5sinωt (V)，二极管导通电压VD＝0.7V。试画出电路的传输特性及vi与vO的波形，并标出幅值。 图P6.4 的解：当vi 为 正半周时，D1截止，D2导通，vO=-2.3V。当vi 为负正半周，且小于-3时，D1截止，D2仍导通，vO大于-3V后，；vO=vi。
图P6.3
+ _ vi _ vo
图P6.4
+
_ vi _ vo R
R D D1 D2
3V 3V
+ + + _
_
图P6.2 (a) 图P6.2 (b) + _ AV
D1 D2 + +
_
_ 3V 6V
R 5kΩ
+ Vi=30V _ S R2 k 2CW5 1.5k R1 V A1 A
22
+ 6.5 电路如图P6.5（a）所示，其输入电压vi1和vi2的波形如图（b）所示，二极管导通电压VD＝0.7V。试画出输出电压vO的波形，并标出幅值。
解：uO的波形如解图P1.2所示。
解图P1.2 6.6电路如图P6.6所示，（1）利用硅二极管恒压降模型求电路的ID和 Vo的值；（2）在室温（300K）的情况下，利用二极管的小信号模型求vo的变化范围。
图P6.6 _ vo R＝1kΩ D1
+
D2 V
CC
（10±1V）
图P6.5 vi1 R D1
+VCC（5V）
D2 vi2
t 3
t 3 vi2/V
(a) (b) vo
0.3
0.3
vi1/V 解（1）求二极管的电流和电压 mAAVRvVIDCCD6.8106.8101)7.0210(233
VVVVDO4.17.022 （2）求vo的变化范围 图题2.4.1的小信号模型等效电路如图解2.4.l所示，温度 T＝300 K。
02.36.826mAmVIVrDT
d
当rd1=rd2=rd时，则 mVVrRrVvddCCO6)02.321000(02.32122
Ov的变化范围为)(~)(OOOOvVvV，即1.406V～1.394V。
6.7（有错） 电路如图P6.7所示，设二极管是理想的。（a）画出它的传输特性；（b）若输入电压vI =vi=20 sinωt V，试根据传输特性绘出一周期的输出电压 vo的波形。 解 （a）画传输特性
2. －10V＜vI＜0时，D2导通，D1截止， 32032=)10(×)12+6(12+×)12+6(12=--IIOvVΩkΩkvΩkΩkv
3. －10 V=vI＜12 V时，D1，D2均截止，vo＝vI； 4. 0＜vI＜12 V时，D2导通，D1截止
320-32)10-()126(12)126(12IIOvVkkvkkv
5. vI≥12 V时，D1 、D2均导通，
VVVVvVVkVkkvkkvVIIIO4.28211012124.14211010)46(121212)46(12)66(6
1. vI=0时， D2导通，D1截止， VΩkΩkVVO3.3=6×)12+6(
10=--
或VΩkΩkVVO3.3=12×)12+6(
10=--10V
图P6.7
+ _ vi _ vo
R1 D1 D2
12V 10V
+ + + _
_
6kΩ R2 R3
12k 12k
VI单独作用 + _ vi _ vo
R1 D1 D2
12V 10V
+
+ + _
_
6kΩ R2 R3
12k 12k
12V单独作+ _ vi _ vo
R1 D1 D2
12V 10V
+ + + _
_
6kΩ R2 R3
12k 12k
10V单独作+ _ vi _ vo
R1 D1 D2
12V 10V
+ + + _
_
6kΩ R2 R3
12k 12k 传输特性。 6.8二极管电路如图6.8所示，试判断各图中的二极管是导通还是截止，并求出AB两端电压VAB，设二极管是理想的。
解: 图a：将D断开，以B点为电位参考点，D的阳极电位为－6 V，阴极电位为－12 V，故 D处于正向偏置而导通，VAB=–6 V。 图b：对D1有阳极电位为 0V，阴极电位为－12 V，故D1导通，此后使D2的阴极电位为 0V，而其阳极为－15 V，故D2反偏截止，VAB=0 V。 图c：对D1有阳极电位为12 V，阴极电位为0 V，对D2有阳极电位为12 V，阴极电位为 －6V．故D2更易导通，此后使VA＝－6V；D1反偏而截止，故VAB＝－6V。 6.9 二极管电路如图P6.9所示，设输入电压vi（t）波形如图 b所示，在 0＜t＜5ms的时间间隔内，试绘出vo（t）的波形，设二极管是理想的。 解 vI（t）＜6V时，D截止，vo（t）＝6V；vI（t）≥6V时，D导通
VtvVVtvtvIIO3)(216200)200200(6)()( vo（t）的波形如图P6.9(c)所示
6.10写出图P6.10所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝0.7V。 图P6.9 +
_ vi(t) _ vo
R1 D
6V R2
200Ω 200
Ω
+
t/mS
vi(t)/V 10
5 0 (a) (b) (c)
t/mS
vo(t)/V 6
5 0 3
8
图P6.8 _ VAB D _ R 5kΩ
D2
6V 1212V D1 + + A A B B VAB 15V _
D2
12V
D1 + A
B VAB 6V
R 5kΩ R 5kΩ
(a) (b) (c)