第17讲光电成像系统

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光电成像物理基础 光电成像课件

光电成像物理基础 光电成像课件
光电成像原理 12
复合模型
0 .5
M T F e y ef M K 1T 2 s 1 P I 1 F 0 f2 1 2 X 1 e 2 N fe 2 M o p tf
其中, Ff11expf2 f0 2
Mopt f exp 22e2 f 2 e 02 Csphd3 2
光电成像原理 13
图像探测理论与图像探测方程
图像信号与图像噪声
— 图像是以辐射量子数分布再现的景物。辐射量 子数差异表示图像的亮暗,构成图像信号。
设光电成像系统接收到来自景物两个相邻像元的辐射
量子数分别为 n 1 和 n 2
图像信号
S n1 n2
Байду номын сангаас图像噪声
N n1 n2
光电成像原理 14
图像信噪比
光电成像物理基础
人眼视觉及图像探测 光学系统成像模型 光电探测物理效应
光电成像原理 1
光电成像原理
光电成像原理
人眼的视觉特性
— 视觉适应、灵敏度、分辨力与调制传递函数等
一、人眼的视觉适应与光谱响应
➢ 人眼观察的视场亮度范围
1 0 5 c d/m 2~ 1 0 4 c d/m 2
➢ 当视场亮度发生突变时,人眼要稳定到突变后的正常视 觉状态需要经历一定时间,这种特性称为适应。分为明 暗适应和色彩适应。
➢ 方程取“=”时,代表图像探测的临界情况,表明了理 想光电成像系统的极限探测灵敏阈。
图像探测灵敏阈
——选定光电成像系统的接收孔径、量子效率、 有效积分时间,用可探测图像细节的最小张角(分 辨力)与最低辐射亮度关系曲线,表示光电成像系 统的图像探测特性。
光电成像原理 18
光电成像原理 19
➢ 图中斜线上标注的数字是图像对比度 ➢ 斜线表示了理想的光电成像系统的图像探测极限,斜线

光电成像系统课件

光电成像系统课件
方面展现出巨大的潜力,为光电成像系统的发展提供了新的方向。
光电成像系统的小型化与集成化
总结词
光电成像系统的小型化与集成化是当前 的重要趋势,它们能够提高系统的便携 性和集成度,满足各种应用需求。
VS
详细描述
随着微电子技术和微纳加工工艺的不断发 展,光电成像系统的小型化与集成化已经 成为现实。通过将多个光电探测器、信号 处理电路和存储器等集成在一个芯片上, 可以实现小型化和集成化的光电成像系统 。这种系统具有更高的便携性和集成度, 可以广泛应用于医疗、安防、通信等领域 。
CHAPTER
05
光电成像系统的发展趋势与挑 战
新型光电材料与器件的研发
总结词
新型光电材料与器件的研发是光电成像系统发展的关键,它们能够提高系统的性能和效 率,为未来的光电成像系统提供更多可能性。
详细描述
随着科技的不断发展,新型光电材料与器件的研发已经成为光电成像系统的重要发展趋 势。这些新型材料和器件能够提高光电成像系统的响应速度、灵敏度和稳定性,从而提 升成像质量。例如,近年来发展迅速的钙钛矿材料和二维材料,在光电转换和光电器件
CHAPTER
06
光电成像系统的实际应用案例
医疗诊断中的光电成像系统
总结词
光电成像系统在医疗诊断中发挥着重要作 用,能够提供高分辨率、高对比度的图像
,帮助医生准确诊断病情。
内窥镜系统
通过将内窥镜与光电成像系统相结合,医 生可以在不开刀的情况下观察患者体内情
况,提高诊断的准确性和安全性。
光学显微镜
科研领域中的光电成像系统
总结词
光电成像系统在科研领域中 具有广泛的应用,能够提供 高精度、高灵敏度的图像, 促进科学研究的深入发展。

光电成像原理课件

光电成像原理课件
1. 测辐射热计
材料具有高电阻温度系数,受热辐射后,温度变 化引起电阻值变化,固定电压下电流随之变化。
热敏电阻
2. 气动探测器 充气容器受热辐射后,温度升高,气体体积膨胀, 测量其容器壁的变化,可确定红外辐射的强度。
特点:使用寿命短,动态范围小,结构复杂, 价格昂贵,使用范围日益缩小。
3. 测辐射热电偶和热电堆(温差电偶和温差电堆) 温差电效应:两种不同导体两头相接时,如果两个 接头处于不同的温度,电路内就产生一个电动势, 连接外电路就有电信号输出。 特点:常用来测量温度,应用很广泛。 4. 热释电探测器 利用热释电效应探测辐射能量。 特点:探测率高,灵敏度高,使用方便。 热探测器中性能最好,应用最广,目前开发研究较多。
(2)硒化铅(PbSe)
性能参数 长波限
峰值探测率 D p
4.5 m
室温
干冰温度(195K)
5.2 m
响应时间
2 1010 3 s
5 1010 30 s
制冷到200K左右,是 3 ~ 5 m 波段的重要器件;
2. 锑化铟(InSb) 性能参数 长波限 峰值探测率 D p 响应时间 特点: (1)随温度降低,长波限向短波方向移动; (2)可常温工作,但性能稍低;常工作在77K; (3)灵敏度高,响应速度快,是 3 ~ 5 m 最成熟、应用最广的探测器。
SWIR: 0.76 ~ 3 m MWIR: 3 ~ 5 m LWIR: 8 ~ 14 m
5. 红外成像 可见光成像:显示目标表面可见光分布的情况 可见光 照相机 光图像 红外图像
红外成像:显示目标红外辐射分布情况 红外辐射 红外光学系统
红外热成像的对象:物体与背景的红外辐射分布图。 红外热像仪:拍摄物体的热图,昼夜都能看清景物, 可作夜视仪。 红外辐射分布图 红外图像 可见光图像

光电成像技术

光电成像技术
由于排列方式不同,面阵CCD常有帧转移 方式、隔列转移方式、线转移方式和全转移方 式
二、光电成像系统的原理
转移型面阵CCD虽然有效光面积大, 转移速度快,转移效率高等特点,但电 路比较复杂,因此它的应用范围受到限 制。
二、光电成像系统的原理
面阵CMOS成像器,它可以做成彩色也可 以做成黑白,特点是:像素尺寸小,填充因子 大,光谱响应范围宽,量子效率高等等
总结
面阵CCD:有效光敏面积大,光度灵敏度高, 转移速度快,转移效率高等特点,但电路比较复杂
CMOS:与CCD相比在光度灵敏度上较差,但 在功能、功耗、尺寸和价格等方面要优于CCD
面阵CCD、CMOS图像传感器:用光敏单元进描方式:基于电子束摄像管的电子束按从左到右、从上 到下的扫描方式进行扫描
行扫描
场 扫 描
二、光电成像系统的原理
显像部分的原理
扫描:将被分割后的电气图像转换成一维时序信号
不同的图像传感器有各自的扫描方式,例如: 真空摄像管:采用电子束扫描方式输出一维时序信号
二、光电成像系统的原理
然后光首过把电先光视成,电频像光成信系电像号统器部传分件分给为把处显两景理像个物后部部所,分分反成,,射为经光或视过电发频处成射信理像的号后部光输就分信出把和号景显收物像集图部,像分经再现
二、光电成像系统的原理
光学成像部分的原理
二、光电成像系统的原理
上面展示的图片都有一个共同点
像素阵列是整个输出放大电路的核心部分
二、光电成像系统的原理
X当、光Y信向号移到位达寄像存敏器方是阵存时储,方方阵阵中会的产每生一电个信像号敏,单这元个在电X、信Y号方经向过 上放各大自器的,地输址送值 到。调整电路
二、光电成像系统的原理

光电成像原理

光电成像原理
卡 塞 格 伦 系 统
格里高利系统是有抛物面主镜和位于抛物面焦点之外 的凹椭球面次镜组成,椭球面的一个焦点与抛物面镜 的焦点重合,则椭球面的另一个焦点辨识整个系统的 焦点了。与卡式系统相比,格式系统的缺点长度较长。
格 利 高 利 系 统
• 折反射组合式光学系统
由反射镜和透镜组合的折射反射式光学系统可以 结合反射式和透射式系统的优点,采用球面镜取代非 球面镜,同时用补偿透镜来校正球面反射镜的像差, 从而获得较好的像质。缺点:系统体积大,加工困难, 成本也比较高。
稳定的光学性能
红外光学系统的设计原则
• 选用的光学材料应对工作波段有良好的透过性能, 即保证有较高的光学透过率 • 光学元件在加工工艺允许的范围内,应保证接收口 径和相对孔径尽可能大,以保证红外系统能接收更多的 能量有较高的灵敏度。 • 要求光学系统具有控制噪声和滤去大面积背景干扰 的性能。 • 为了增大红外系统的视场,往往在光学系统中,引 入物方扫描器和像方扫描器,以达到增大整个红外系统 的物方视场,增加探测能力。
§2 光电成像原理
光电成像技术就是利用光电变换和信号处理 技术获取目标图像。
• 一、光电成像系统的基本结构
• 光机扫描方式 • 电子束扫描方式 • 固体自扫描方式
• 光机扫描方式
在热成像系统中,红外探测器所对应的瞬时视场往 往是很小的,一般只有零点几毫弧度或几毫弧度,为了 得到总视场中出现的景物的热图像,必须对景物扫描。 这种扫描通常是由机械传动的光学扫描部件来完成的, 所以称为光机扫描。
球差
球差可以定义为焦距随孔径的偏移。在透镜中远轴光线要比近 轴光线折射得更厉害。
彗差
当透镜对一个轴外物点成像时,若在近轴像面上得到的不是一个 像点,而是彗星形的光斑,则称该透镜对给定物点成像有彗差。

光电成像系统

光电成像系统

光电成像系统[ 教学目的]1、掌握CCD勺结构和工作原理、光电成像原理、光电成像光学系统;2、了解微光像增强器件和纤维光学成像原理。

[ 教学重点与难点]重点:CCD勺结构和工作原理、光电成像原理、光电成像光学系统勺组成。

难点:CCD勺结构和工作原理、调制传递函数的分析。

成像转换过程有四个方面勺问题需要研究:能量方面——物体、光学系统和接收器勺光度学、辐射度学性质,解决能否探测到目标勺问题成像特性——能分辨勺光信号在空间和时间方面勺细致程度,对多光谱成像还包括它勺光谱分辨率噪声方面——决定接收到勺信号不稳定勺程度或可靠性信息传递速率方面(成像特性、噪声——信息传递问题,决定能被传递勺信息量大小)声声景 噪 声景 噪 声光电成像器件是光电成像系统的核心。

§ 1固体摄像器件固体摄像器件的功能:把入射到传感器光敏面上按空间分布的光 强信息(可见光、红外辐射等),转换为按时序串行输出的电信号一 —视频信号,而视频信号能再现入射的光辐射图像。

固体摄像器件主要有三大类:电荷耦合器件(Charge Coupled Device ,即 CCD 互补金属氧化物半导体图像传感器(即CMO E 电荷注入器件(Charge Injenction Device ,即 CID )一、电荷耦合摄像器件电荷耦合器件(CCD 特点) ------- 以电荷作为信号 CCD 勺基本功能一一电荷存储和电荷转移CCDT 作过程一一信号电荷的产生、存储、传输和检测的过程 1.电荷耦合器件的基本原理 (1)电荷存储构成CCD勺基本单元是MOS金属-氧化物-半导体)电容器电荷耦合器件必须工作在瞬态和深度耗尽状态(2)电荷转移以三相表面沟道CCD为例表面沟道器件,即SCCD( Surface Channel CCD)——转移沟道在界面的CCD器件体内沟道(或埋沟道CCD即BCCD( Bulk or Buried Cha nn el CCD )——用离子注入方法改变转移沟道的结构,从而使势能极小值脱离界面而进入衬底内部,形成体内的转移沟道,避免了表面态的影响,使得该种器件的转移效率高达%以上,工作频率可高达100MHz且能做成大规模器件(3)电荷检测浮置扩散输出CCD输出信号的特点是:信号电压是在浮置电平基础上的负电压;每个电荷包的输出占有一定的时间长度T。

《光电成像》PPT课件

37
❖ 电子束的偏转:电子束能够扫描到靶上任何 一处,充分阅读每一个像素信息。
❖ 电子束垂直上靶:当电子束上靶与靶面上积 累的正电荷中和后才能使其转变成视频信号 输出, 那么电子束能否上靶,不仅与电子 的速度大小有关,而且与其速度的方向有关。 由靶网和调制电极附近的校正线圈来完成。
❖ 利用扫描电子束,解决了多像元的连线和顺 序接通问题。扫描电子束的焦斑即是像元的 大小15~25 m。
30
2. 从原理角度对摄像管的基本要求: ① 要能将图像按空间位置顺序划分成像素, 并作光电转换;
② 像素元素要多,尺寸要小( m);
③ 信息的转换和传输速度要快; ④ 要有高灵敏度和宽的动态范围; ⑤ 可靠、方便。
31
❖ 摄像管的基本功能:
光电变换 光电信息存储(以电荷的形式存储而呈现电位差) 信号阅读部分——扫描输出
❖ 成像器件讲究像质。 ❖ 光阴极面积一般较大,是一种宽电子束聚焦的电
子光学系统,所以象散和场曲比较严重,特别在 光阴极是平面的情况,通常要求光电阴极是球面。 ❖ 光阴极是球面,而一般输入的光学图像是平面。
14
光电阴极 A
P D
荧光屏
E
F 象散
Q 清晰 B C 象散
场曲
❖ 利用光学纤维面板可以使像散和场曲减到最小。
16
❖ 将光电阴极及荧光屏连同光纤面板一起制成 球面型,使聚焦面与荧光屏重合,从而改善 了像质。荧光屏上的像借助于平凹形的光纤 平板展开成平面像。
聚焦 极
光纤面 光电阴 阳 荧光

极 极屏
光纤面 板
17
❖ 3、紫外变像管 ❖ 紫外变像管的窗口材料为石英玻璃,光电发
射材料为Sb-Cs阴极。它可以使波长大于 200nm的紫外光变成光电子。紫外变象管与 光学显微镜结合起来,可用于医学和生物学 等方面的研究。

光电成像系统下优秀PPT

1. 帧转移 (Frame-Transfer) 面阵CCD
由成像区(像敏区)、 暂存区和水平读出寄 存器等三部分构成。
1
2
33
场正程期间: 场逆程期间:
场正程期间,成像区收集电荷,当 光积分时间到后,进入场逆程,信 号转到暂存区。暂存区与水平区按 行周期工作,一行一行的向下平移, 直至输出整场图像信号。
驱动频率的下限
在信号电荷的转移过程中,注入电荷从一个电极转移到另一
个电极所用时间须小于光生载流子的平均寿命τi,对于三相来讲,
周期为T
t1
T 3
1 3f
i
f 1
3 i
载流子的平均寿命τi与器
件的工作温度有关, 工作温
度越高,平均寿命越短,驱
动频率的下限越高。
驱动频率的上限
驱动频率升高时,信号电荷转移跟不上驱动脉冲的变化,
(1)电极是金属,容易蔽光,即使是换成多晶硅, 由于多层结构电极系统对入射光吸收、反射和干涉 比较严重,因此光强损失大,量子效率低。 (2)电荷包转移期间,光积分在继续进行,使输出 信号产生拖影。
2
8
1.电荷存储
N型CCD
耗尽
区的
深度 与UG 成正 比。
在栅极G施加电压UG 之前p型半导体中空穴 的分布是均匀的。
2
22
表面态效应:在半导体的表面,由于存在自身缺陷、吸附物质、 氧化物或与电解液中的物质发生作用等原因,表面电子之量子状 态会形成分立的能级或很窄的能带,称为表面态。它可以俘获或
释 初放始载电流荷子Q,(或0形)成取复大合中值心称,“使胖半零导体电带荷有”表,面显电荷然,“影胖响零其” 电 (性fa能t z。er当o电)荷工包作转模移式时,下空,的电表荷面转态从移沟效道率中高获。得电胖子零,电如荷它 能 属很于快暗的电将流电,子发且射不出能来通,过跟随降原低电器荷件包的转移温,度就来不减会小影响的转。移

光电成像系统复习

光电成像系统基础理论第一章:1. 人眼视觉性能的局限性;(1)灵敏度的限制:光线很差时人的视觉能力很差;(2)分辨力的限制:没有足够的视角和对比度就难以辨识;(3)时间上的限制:变化过去的影像无法存留在视觉上;(4)空间上的限制:离开的空间人眼将无法观察;(5)光谱上的限制:人眼局限于电磁波的可见光区;因此,眼睛的直观视觉只能有条件地提供图像信息,为了突破人眼的限制催生了光电成像技术这门学科。

扩展视见光谱范围、视见灵敏度和时空限制。

2.光电成像系统的分类以及各自的工作方式;(1)直视型光电成像系统工作方式:①通过外光电效应将入射的辐射图像转换为电子图像;②由电场或电磁场的聚焦加速作用进行能量增强以及通过二次发射作用进行电子倍增;③经过增强的电子图像轰击荧光屏,激发荧光屏产生可见光图像。

(2)电视型光电成像系统工作方式:①接收二维的光学图像或热图像,②利用光敏面的光电效应或热电效应将其转换为二维电荷图像并进行适当时间的存储,③然后通过电子束扫描或电荷耦合转移等方式, 输出一维时间的视频信号。

3.变像管与像增强器的异同。

变像管:接受非可见辐射图像的直视型光电成像器件:红外变像管、紫外变像管和X 射线变像管等。

共同特点:入射图像的光谱和出射图像的光谱完全不同,输出图像的光谱是可见光。

像增强器:接受微弱可见光图像的直视型光电成像器件:级联式像增强器、带微通道板的像增强器、负电子亲和势光阴极的像增强器等。

共同特点:输入的光学图像极其微弱,经器件内电子图像的能量增强和数量倍增后通过荧光屏输出可见光学图像。

第二章:1. 绝对视觉阈、阈值对比度、光谱灵敏度;人眼的绝对视觉阈所谓人眼的绝对视觉阈,是在充分暗适应的状态下,全黑视场中,人眼感觉到的最小光刺激值(用照度表示,单位lx),在10-9数量级。

人眼的阈值对比度阈值对比度是指在一定背景下把目标鉴别出来所必须的目标在背景中的衬度(对比度C)。

C的倒数成为反衬灵敏度。

光电成像系统讲解


同电子束摄像管相比,优点:
① 全固体化、体积小、重量轻、工作电压和功耗都 很低,耐冲击性好、可靠性高、寿命长; ②基本不保留残像(电子束摄像管有15%-20%的残 像),无像元烧伤、扭曲,不受电磁干扰; ③红外敏感性。 SSPD 光谱响应范围: 0.25-1.1um; CCD可做成红外敏感型;CID:2-5um; ④像元的几何尺寸精度高(优于1um),因而可用于 非接触式精密尺寸测量系统; ⑤视频信号与微机接口容易。
使彩色摄像机的发展产生了一个飞跃。 1976年,灵敏度更高,成本更低的硒像管和硅靶管。 1970 年,美国贝尔实验室发表电荷耦合器件( CCD ) 原理,从此光电成像器件的发展进入了一个新的阶 段——CCD固体摄像器件的发展阶段。
2、光电成像系统要研究的问题
光电成像涉及到一系列复杂的信号传递过程。有四个方面 的问题需要研究:
0、光电成像概述
1、光电成像Байду номын сангаас件的发展
近年来,利用光电成像器件构成图像传感器进
行光学图像处理与图像测量已成为现代光学仪器、
现代测控技术的重要发展方向。它广泛应用于遥感、
遥测技术、图形图像测量技术和监控工程等,成为 现代科学技术的重要组成部分。
什么叫成像?图像是由空间变化的光强信息所组成, 图像传感器或探测器必须能感受空间不同位置的光强 变化,这个过程叫成像。
一、固体摄像器件
固体摄像器件,又称固体像探测器。 (solid state imaging sensor,SSIS) 主要功能:把入射到传感器光敏面上按空间分布的光 强信息(可见光、红外辐射等),转换为按时序串行 输出的电信号——视频信号。其视频信号能再现入射 的光辐射图像。 主要分类: • 电荷耦合器件,CCD,噪声低; • 自扫描光电二极管阵列,SSPD ,灵敏度和响应度好; • 电荷耦合光电二极管阵列, CCPD,兼具二者优点; • 电荷注入器件(Charge Injection Device,CID)
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QFD VA C
1.7
QFD:信号电荷包的大小 C : 是与FD区有关的总电容 , 包括输出管T的输入电容 和分布电容, C很小。
浮臵栅CCD放大输出信号的特点:
• • • 信号电压是在浮臵电平基础上的负电压; 每个电荷包的输出占有一定的时间长度T0; 在输出信号中叠加有复位期间的高电平脉冲。
光度学参数的定义和推算
光电成像系统
光电成像系统的基本组成框图
其中光电成(摄)像器件是光电成像系统的核心
0、光电成像概述
1、光电成像器件的发展
近年来,利用光电成像器件构成图像传感器进
行光学图像处理与图像测量已成为现代光学仪器、
现代测控技术的重要发展方向。它广泛应用于遥感、
遥测技术、图形图像测量技术和监控工程等,成为 现代科学技术的重要组成部分。
1965年,氧化铅管成功代替正析摄像管,广泛应用。
使彩色摄像机的发展产生了一个飞跃。 1976年,灵敏度更高,成本更低的硒像管和硅靶管。 1970年,美国贝尔实验室发表电荷耦合器件(CCD) 原理,从此光电成像器件的发展进入了一个新的阶 段——CCD固体摄像器件的发展阶段。
2、光电成像系统要研究的问题
VOG为一定值正电压,在OG栅极下形成耗尽层,使Φ3与FD之间建 立导电沟道; Φ3高电位期间,电荷存储在Φ3电极下; 复位栅R加正复位脉冲ΦR ,使FD 区与RD区导通。因V RD为正十几 伏的直流偏臵电压,则FD区的电荷被RD区抽走; 复位正脉冲过去后, FD 区与RD区呈夹断状态, FD 区具有一定的 浮臵电位。 之后Φ3转变为低电位, Φ3电极下面的电荷包通过OG下的沟道转移 到FD 区。FD区的电位变化量(下降)ΔVA:
6、传统光电成像器件的缺陷
1.不能永久保存图像 真空管只能直播图像,不能进行视视剪辑,如公交监视系统。 2.不具备对图像的二次处理能力 只能在采集图像时对图像进行初步处理,无法利用计算机 的强大计算功能进行软件算法处理; 3、器件/设备体积庞大,功耗大,寿命有限; 不利于产品轻型化、个性化,难以降低成本。
¶ 对CCD的输出信号进行处理时,较多地采用了取 样技术,以去除浮臵电平、复位高脉冲及抑制噪声。
2、电荷耦合摄像器件的工作原理
电荷耦合摄像器件的分类 按结构可分为线阵列CCD和面阵列CCD 按光谱可分为可见光CCD、红外CCD、X光CCD 和紫外CCD 可见光CCD又可分为黑白CCD、彩色CCD和微光 CCD
体内沟道器件(或埋沟道CCD):
BCCD(Bulk or Buried Channel CCD)——用离子注入 技术掺入杂质的方法,在Si表面形成反型薄层,从而改变转 移沟道的结构,从而使势能极小值脱离界面而进入衬底内部, 形成体内的转移沟道,避免了表面态的影响,使得该种器件 的转移效率高达99.999%以上, 工作频率可高达100MHz,且能做成大 规模器件。
(4)电荷检测(输出) 电荷输出结构有多种形式,如电流输出结构、浮臵 栅输出结构、浮臵扩散输出结构等。
OG:输出栅; FD:浮臵扩散区 ; R:复位栅 ; RD:复位漏; T:输出场效应管。
浮臵栅是指在P型硅衬底表面用V族杂质扩散形成小块的 n+区域,当扩散区不被偏臵,其处于浮臵状态。
电荷包的输出过程:
一、固体摄像器件
固体摄像器件,又称固体像探测器。 (solid state imaging sensor,SSIS) 主要功能:把入射到传感器光敏面上按空间分布的光 强信息(可见光、红外辐射等),转换为按时序串行 输出的电信号——视频信号。其视频信号能再现入射 的光辐射图像。 主要分类: • 电荷耦合器件,CCD,噪声低; • 自扫描光电二极管阵列,SSPD ,灵敏度和响应度好; • 电荷耦合光电二极管阵列, CCPD,兼具二者优点; • 电荷注入器件(Charge Injection Device,CID)
3、光电成像器件分类
4、像管
1)像管的工作原理 直视型光电成像器件称为像管
1 物镜:将自然界图像成像到光阴极; 2 光阴极:利用外光电效应将光学图像转为电子图像; 3 电子透镜:对电子图像进行聚焦成像; 4 荧光屏:将电子图像转换为光学图像; 5 目镜:便 于眼睛观察。
2)变像管
工作于非可见辐射: 近红外、紫外、χ射线、γ射线
•因此电荷耦合器件必须工 作在深度耗尽状态才能存储 电荷。
(3)电荷转移
CCD的转移电极相数有二相、三相、四相等。对于单层金属 化电极结构,为了保证电荷的定向转移,至少需要三相。这里 以三相表面沟道CCD(即Surface Channel CCD,转移沟道在界 面的CCD器件)为例。
电荷包
时钟脉冲,有严格的相位要求。
CCD由多个光敏像元组成,每一个光敏像元就是 一个MOS电容器。但工作原理与MOS晶体管不同。
电荷耦合器件(CCD)特点——以电荷作为信号。 CCD的基本功能——电荷存储和电荷转移。 CCD工作过程——信号电荷的产生、存储、传输和 检测的过程。 电荷的产生------依靠半导体的光电特性用光注入办 法产生。 CCD具有集成度高、功耗小等优点,故在固体 图像传感,信息存储和处理等方面有广泛应用。
同电子束摄像管相比,优点:
① 全固体化、体积小、重量轻、工作电压和功耗 都很低,耐冲击性好、可靠性高、寿命长; ②基本不保留残像(电子束摄像管有15%-20%的残 像),无像元烧伤、扭曲,不受电磁干扰; ③红外敏感性。SSPD光谱响应范围:0.25-1.1um; CCD可做成红外敏感型;CID:2-5um; ④像元的几何尺寸精度高(优于1um),因而可用于 非接触式精密尺寸测量系统; ⑤视频信号与微机接口容易。
如有信号电荷(自由电子),将逐渐填充势阱,聚集 在栅极下表面,实现电荷的存储。此时耗尽层变薄, 势阱变浅。
•势阱的深浅,即表面势大小决定 存储电荷能力的大小,表面势依 栅电压大小而定。 •若无信号电荷,耗尽层区域一 定温度下产生的电子将逐渐填充 势阱,当界面势φs=2φF时,达到 热平衡状态,这种热激发载流子 电流称为暗电流,有别于光照产 生的载流子。
5、真空型摄像管
真空摄像管可将输入光学图像转变为便于传输 的电子图像信号—视频信号,利用无线电或有线电 子学的方法将电子信号进行远距离传送和图像重现, 显像管等设备可将处理后的视频信号转换为输出光 学图像。进行大屏幕显示,而且其亮度和对比度还 可以调节。
真空型摄像管的成像原理
摄像过程是将两维空间分布的光学图像转换为一维时 间变化的视频电信号。完成这一过程的器件就是摄像 管。具体的摄像过程:
1.1、电荷耦合器件,Charge Coupled Device
电荷耦合器件简称CCD,生于20世纪70年代,贝尔实验室, 是在MOS集成电路技术基础发展起来的新型半导体器件,1983 年美国RGA公司推出了3板式CCD彩色摄像机,90年代初专业 级CCD彩色摄像机开始进入我国电视领域。。

W. S. Boyle, G. E. Smith. Charge coupled semiconductor devices. Bell Syst. Tech. Jour., 1970, 49: 587-593.
1、电荷耦合器件的基本原理
(1) CCD的基本结构包括:转移电极结构、转移沟 道结构、信号输入结构、信号输出结构、信号检测 结构。构成CCD的基本单元是MOS电容。
在P型或N型单晶硅的衬底上用氧 化的办法生成一层厚度约为100~ 150nm的SiO2绝缘层,再在SiO2表 面按一定层次蒸镀一金属电极或 多晶硅电极,在衬底和电极间加 上一个偏臵电压(栅极电压), 即形成了一个MOS电容器(如图 所示)
什么叫成像?图像是由空间变化的光强信息所组成, 图像传感器或探测器必须能感受空间不同位臵的光强 变化,这个过程叫成像。
1、光电成像器件的发展
1934年研制出光电像管,应用于广播电视摄像。灵敏
度相当低,需要不低于10000lx的照度。 1947年超正析摄像管面世,使最低照度降至2000 lx。 1954年灵敏度较高的摄像管投入市场。成本低,体积 小,灵敏度和分辨率较高和扩散工艺,做成三相“电阻海硅 栅”CCD结构:结构简单,成品率高,性能稳定,但单元尺 寸大; 2、多晶硅交叠栅结构:单元尺寸小,沟道封闭,但高温工序 多,需防层间短路; 3、减小时钟脉冲相数,采用二相电极结构,同时改变电极结 构形式:
利用斜角蒸发方式实现的城墙状氧 化物结构的二相CCD结构
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蒸发方向
采用离子注入技术,在电极下面不对称位臵注入势垒区,可 达到定向转移电荷,防止电荷倒流的目的。 • 与三相结构相比,优点是简化电路,同时钟频率下,信号 电荷转移一次所需时间较短。 • 不足之处是单元所容纳电荷量较小,有效势阱深度较小。
表面沟道器件的特点:
工艺简单,动态范围大,但信号电荷的转移受表面态的影响, 转移速度和转移效率低,工作频率一般在10MHz以下。解决 方法,采用“胖零(fat zero)”工作模式(背景电荷填充表 面态)。
光电阴极材料: Ag-O-Cs
3)像管的特性与技术参数 光谱响应特性:实际上是光阴极的光谱响应特性,它决定
了像管应用的光谱范围。 增益:像管输出的图像亮度即与入射图像的照度有关,又取 决于像管本身对辐射能量的变换与增强的能力。常用增益特 性有亮度增益。 放大率:定义为像物尺寸比。取决于光学成像系统放大率和 电子成像系统放大率。 畸变:类似于几何光学的概念,只不过电子光学系统的边缘 放大率比近轴放大率高,所以一般只产生枕形畸变。 分辨率:输出图像中肉眼可分辨的最高分辨率,以线对(空 间频率)表示。目前常用MTF来评定成像器件的象质。
光电成像涉及到一系列复杂的信号传递过程。有四个方面 的问题需要研究:
能量方面——物体、光学系统和接收器的光度学、 辐射度学性质,解决能否探测到目标的问题 成像特性——能分辨的光信号在空间和时间方面的 细致程度,对多光谱成像还包括它的光谱分辨率 噪声方面——决定接收到的信号不稳定的程度或可 靠性 信息传递速率方面—— 成像特性、噪声信息传递问 题,决定能被传递的信息量大小
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