半导体专业术语英语..

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半导体行业常用英语

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半导体工艺中的英语词汇

AAbrupt jun ction 突变结Accelerated test ing 加速实验Acceptor 受主Acceptor atom 受主原子Accumulatio n 积累、堆积Accumulat ing con tact 积累接触Accumulation region 积累区Accumulation layer 积累层Active region 有源区Active component 有源元Active device 有源器件Activati on 激活Activation energy 激活能Active region 有源（放大）区Admittanee 导纳Allowed band 允带Alloy-junction device 合金结器件Aluminum （Aluminium ）铝Aluminum - oxide 铝氧化物Aluminum passivation 铝钝化Ambipolar 双极的Ambient temperature 环境温度Amorphous无定形的，非晶体的Amplifier功放扩音器放大器Analogue （Analog）comparator 模拟比较器Angstrom 埃Anneal退火Anisotropic 各向异性的An ode 阳极Arse nic （AS）砷Auger俄歇Auger process 俄歇过程Avalanche 雪崩Avalanche breakdown 雪崩击穿Avala nche excitati on 雪崩激发BBackgro und carrier 本底载流子Backgro und dop ing 本底掺杂Backward 反向Backward bias 反向偏置Ballasti ng resistor 整流电阻Ball bo nd 球形键合Band能带Ba nd gap 能带间隙Barrier 势垒Barrier layer 势垒层Barrier width 势垒宽度Base基极Base con tact 基区接触Base stretchi ng 基区扩展效应Base tran sit time 基区渡越时间Base tran sport efficie ncy 基区输运系数Base-width modulation 基区宽度调制Basis vector 基矢Bias 偏置Bilateral switch 双向开关Binary code 二进制代码Binary compo und semic on ductor 二元化合物半导体Bipolar 双极性的Bipolar Junction Transistor （BJT）双极晶体管Bloch布洛赫Blocki ng ba nd 阻挡能带Blocki ng con tact 阻挡接触Body - cen tered 体心立方Body-ce ntred cubic structure 体立心结构Boltzma nn 波尔兹曼Bond 键、键合Bonding electron 价电子Bonding pad 键合点Bootstrap circuit 自举电路Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器Boron 硼Borosilicate glass 硼硅玻璃Bou ndary con diti on 边界条件Bou nd electro n 束缚电子Breadboard 模拟板、实验板Break down 击穿Break over 转折Brillouin 布里渊Brillouin zone 布里渊区Built- in 内建的Build-in electric field 内建电场Bulk 体/体内Bulk absorption 体吸收Bulk gen erati on 体产生Bulk recomb in ati on 体复合Burn - in 老化Burn out 烧毁Buried channel 埋沟Buried diffusion region 隐埋扩散区CCan 外壳Capacitanee 电容Capture cross sectio n 俘获截面Capture carrier 俘获载流子Carrier载流子、载波Carry bit进位位Carry-in bit 进位输入Carry-out bit 进位输出Cascade级联Case管壳Cathode 阴极Center 中心Ceramic 陶瓷（的）Channel 沟道Channel breakdow n 沟道击穿Channel curre nt 沟道电流Channel dop ing 沟道掺杂Channel shorte ning 沟道缩短Channel width 沟道宽度Characteristic impeda nee 特征阻抗Charge 电荷、充电Charge-compensation effects 电荷补偿效应Charge conservation 电荷守恒Charge neutrality condition 电中性条件Charge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/ 交换/ 共享/转移/存储Chemmical etchi ng 化学腐蚀法Chemically-Polish 化学抛光Chemmically-Mechanically Polish （CMP）化学机械抛光Chip 芯片Chip yield芯片成品率Clamped箝位Clampi ng diode 箝位二极管Cleavage pla ne 解理面Clock rate 时钟频率Clock gen erator 时钟发生器Clock flip-flop 时钟触发器Close-packed structure 密堆积结构Close-loop gain 闭环增益Collector 集电极Collision 碰撞Compensated OP-AMP 补偿运放Commo n-base/collector/emitter conn ection 共基极/ 集电极/ 发射极连接Common-gate/dra in/source connection 共栅/ 漏/ 源连接Common-m ode gain 共模增益Common-m ode in put 共模输入Com mon-mode rejectio n ratio （CMRR）共模抑制比Compatibility 兼容性Compensation 补偿Compe nsated impurities 补偿杂质Compe nsated semic on ductor 补偿半导体Compleme ntary Darlington circuit 互补达林顿电路Compleme ntary Metal-Oxide-Semico nductor Field-Effect-Tra nsistor （CMOS）互补金属氧化物半导体场效应晶体管Compleme ntary error fun ctio n 余误差函数Computer-aided design （CAD）/test （CAT）/manufacture （CAM）计算机辅助设计/测试/制造Compo und Semic on ductor 化合物半导体Con ducta nee 电导Con ducti on band （edge）导带（底）Con ducti on level/state 导带态Con ductor 导体Con ductivity 电导率Configuration 组态Conlomb 库仑Con pled Co nfiguration Devices 结构组态Co nsta nts 物理常数Constant energy surface 等能面Constant-source diffusion 恒定源扩散Con tact 接触Co ntami natio n 治污Contin uity equatio n 连续性方程Con tact hole 接触孔Con tact pote ntial 接触电势Con ti nuity con ditio n 连续性条件Co ntra dopi ng 反掺杂Con trolled 受控的Converter转换器Conveyer 传输器Copper interconnection system 铜互连系统Couping 耦合Covale nt 共阶的Crossover 跨交Critical 临界的Crossunder 穿交Crucible 坩埚Crystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/ 晶面/ 晶向/ 晶格Curre nt den sity 电流密度Curvature 曲率Cut off 截止Current drift/dirve/sharing 电流漂移/驱动/共享Current Sense 电流取样Curvature 弯曲Custom integrated circuit 定制集成电路Cylindrical 柱面的Czochralshicrystal 直立单晶Czochralski technique 切克劳斯基技术（Cz法直拉晶体J）DDangling bonds 悬挂键Dark current 暗电流Dead time 空载时间Debye len gth 德拜长度De.broglie 德布洛意Decderate 减速Decibel （dB）分贝Decode 译码Deep acceptor level 深受主能级Deep donor level 深施主能级Deep impurity level 深度杂质能级Deep trap 深陷阱Defeat缺陷Dege nerate semic on ductor 简并半导体Dege neracy 简并度Degradation 退化Degree Celsius （centigrade）/Kelvin 摄氏/开氏温度Delay延迟Density 密度Density of states 态密度Depletion 耗尽Depleti on approximati on 耗尽近似Depleti on contact 耗尽接触Depletio n depth 耗尽深度Depletio n effect 耗尽效应Depletion layer 耗尽层Depletion MOS 耗尽MOSDepletion region 耗尽区Deposited film 淀积薄膜Depositi on process 淀积工艺Desig n rules 设计规贝UDie芯片（复数dice）Diode二极管Dielectric 介电的Dielectric isolation 介质隔离Difference-mode in put 差模输入Differe ntial amplifier 差分放大器Differe ntial capacita nee 微分电容Diffused jun ction 扩散结Diffusion 扩散Diffusion coefficient 扩散系数Diffusi on con sta nt 扩散常数Diffusivity 扩散率Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/ 电流/ 炉Digital circuit 数字电路Dipole domai n 偶极畴Dipole layer 偶极层Direct-coupling 直接耦合Direct-gap semic on ductor 直接带隙半导体Direct tran siti on 直接跃迁Discharge 放电Discrete component 分立元件Dissipation 耗散Distribution 分布Distributed capacita nee 分布电容Distributed model 分布模型Displacement 位移Dislocation 位错Domain 畴Donor 施主Don or exhaustion 施主耗尽Dopa nt掺杂剂Doped semic on ductor 掺杂半导体Doping concen trati on 掺杂浓度Double-diffusive MOS （DMOS）双扩散MOS.Drift漂移Drift field 漂移电场Drift mobility 迁移率Dry etching 干法腐蚀Dry/wet oxidation 干/湿法氧化Dose剂量Duty cycle 工作周期Dual-in-line package （DIP）双列直插式圭寸装Dynamics 动态Dynamic characteristics 动态属性Dyn amic impeda nee 动态阻抗EEarly effect 厄利效应Early failure 早期失效Effective mass 有效质量Einstein relation （ship）爱因斯坦关系Electric Erase Programmable Read Only Memory （E2PROM）一次性电可擦除只读存储器Electrode 电极Electrominggratim 电迁移Electr on affinity 电子亲和势Electro nic -grade 电子能Electro n-beam photo-resist exposure 光致抗蚀剂的电子束曝光Electron gas 电子气Electron-grade water 电子级纯水Electro n trappi ng cen ter 电子俘获中心Electro n Volt （eV）电子伏Electrostatic 静电的Element元素/元件/配件Eleme ntal semic on ductor 元素半导体Ellipse 椭圆Ellipsoid 椭球Emitter 发射极Emitter-coupled logic 发射极耦合逻辑Emitter-coupled pair 发射极耦合对Emitter follower 射随器Empty ba nd 空带Emitter crowdi ng effect 发射极集边（拥挤）效应En dura nee test =life test 寿命测试Energy state 能态Energy momentum diagram 能量-动量（E-K）图Enhancement mode 增强型模Enhancement MOS 增强性MOS Entefic （低）共溶的Environmental test 环境测试Epitaxial 外延的Epitaxial layer 夕卜延层Epitaxial slice 夕卜延片Expitaxy 夕卜延Equivale nt curcuit 等效电路Equilibrium majority /minority carriers 平衡多数/ 少数载流子Erasable Programmable ROM (EPROM)可搽取(编程)存储器Error fun cti on compleme nt (erfc) 余误差函数Etch刻蚀Etchant刻蚀剂Etching mask 抗蚀剂掩模Excess carrier 过剩载流子Excitation en ergy 激发能Excited state 激发态Exciton 激子Extrapolation 夕卜推法Extri nsic 非本征的Extri nsic semic on ductor 杂质半导体FFace - centered 面心立方Fall time 下降时间Fan-in 扇入Fan-out 扇出Fast recovery 快恢复Fast surface states 快界面态Feedback反馈Fermi level 费米能级Fermi-Dirac Distribution 费米-狄拉克分布Femi potential 费米势Fick equation 菲克方程(扩散) Field effect tran sistor 场效应晶体管Field oxide 场氧化层Filled band 满带Film 薄膜Flash memory 闪烁存储器Flat band 平带Flat pack 扁平封装Flicker noise 闪烁(变)噪声Flip-flop toggle 触发器翻转Floating gate 浮栅Fluoride etch 氟化氢刻蚀Forbidden band 禁带Forward bias 正向偏置Forward blocking/conducting 正向阻断/导通Freque ncy deviatio n no ise 频率漂移噪声Freque ncy response 频率响应Function 函数GGain 增益Gallium-Arsenide (GaAs)砷化钾Gamy ray r射线Gate门、栅、控制极Gate oxide 栅氧化层Gauss (ian ) 高斯Gaussia n distributi on profile 高斯掺杂分布Gen erati on-recomb in ati on 产生-复合Geometries 几何尺寸Germanium (Ge) 锗Graded 缓变的Graded (gradual ) channel 缓变沟道Graded junction 缓变结Grain 晶粒Gradient 梯度Grown junction 生长结Guard ring 保护环Gummel-Poom model 葛谋-潘模型Gu nn - effect 狄氏效应HHarde ned device 辐射加固器件Heat of formation 形成热Heat sink 散热器、热沉Heavy/light hole band 重/轻空穴带Heavy saturation 重掺杂Hell - effect 霍尔效应Heterojunction 异质结Heterojunction structure 异质结结构Heterojunction Bipolar Transistor （HBT）异质结双极型晶体High field property 高场特性High-performanee MOS. （H-MOS）高性能MOS. Hormalized 归一化Horiz on tal epitaxial reactor 卧式外延反应器Hot carrior 热载流子Hybrid in tegration 混合集成IImage - force 镜象力Impact ioni zati on 碰撞电离Impedanee 阻抗Imperfect structure 不完整结构Impla ntati on dose 注入剂量Impla nted ion 注入离子Impurity 杂质Impurity scattering 杂质散射In creme ntal resista nee 电阻增量（微分电阻）In-co ntact mask 接触式掩模Indium tin oxide （ITO）铟锡氧化物Induced channel 感应沟道Infrared 红外的Injecti on 注入In put offset voltage 输入失调电压In sulator 绝缘体Insulated Gate FET （IGFET）绝缘栅FET Integrated injection logic 集成注入逻辑In tegrati on 集成、积分In terc onnection 互连In terc onnection time delay 互连延时In terdigitated structure 交互式结构In terface 界面In terfere nee 干涉Intern ati onal system of unions 国际单位制Intern ally scatteri ng 谷间散射In terpolati on 内插法In tri nsic 本征的Intrin sic semic on ductor 本征半导体in verse operati on 反向工作Inversion 反型Inverter 倒相器Ion 离子Ion beam 离子束Ion etchi ng 离子刻蚀Ion impla ntatio n 离子注入Ionization 电离Ionization energy 电离能Irradiation 辐照Isolation land 隔离岛Isotropic各向同性JJunction FET （JFET）结型场效应管Junction isolation 结隔离Junction spaci ng 结间距Junction side-wall 结侧壁LLatch up 闭锁Lateral横向的Lattice 晶格Layout 版图Lattice bin di ng/cell/co nsta nt/defect/distortio n 晶格结合力/ 晶胞/ 晶格/ 晶格常熟/晶格缺陷/晶格畸变Leakage curre nt （泄）漏电流Level shifti ng 电平移动Life time 寿命linearity 线性度Li nked bo nd 共价键Liquid Nitroge n 液氮Liquid —phase epitaxial growth tech nique 液相外延生长技术Lithography 光刻Light Emitting Diode （LED）发光二极管Load line or Variable 负载线Locating and Wiring 布局布线Lon gitudi nal 纵向的Logic swi ng 逻辑摆幅Lorentz洛沦兹Lumped model 集总模型MMajority carrier 多数载流子Mask掩膜板，光刻板Mask level掩模序号Mask set掩模组Mass - action law 质量守恒定律Master-slave D flip-flop 主从D 触发器Matchi ng 匹配Maxwell麦克斯韦Mea n free path 平均自由程Mea ndered emitter jun ction 梳状发射极结Mean time before failure （MTBF）平均工作时间Megeto - resista nee 磁阻Mesa 台面MESFET-Metal Semiconductor 金属半导体FETMetallization 金属化Microelectronic technique 微电子技术Microelectro nics 微电子学Mille n in dices 密勒指数Minority carrier 少数载流子Misfit失配Mismatchi ng 失配Mobile ions 可动离子Mobility 迁移率Module 模块Modulate 调制Molecular crystal 分子晶体Monolithic IC 单片IC MOSFET金属氧化物半导体场效应晶体管Mos. Transistor （MOST ）MOS.晶体管Multiplication 倍增Modulator 调制Multi-chip IC 多芯片ICMulti-chip module （MCM）多芯片模块Multiplication coefficient 倍增因子NNaked chip未圭寸装的芯片（裸片）Negative feedback 负反馈Negative resista nee 负阻Nesti ng 套刻Negative-temperature-coefficie nt 负温度系数Noise margin 噪声容限Non equilibrium 非平衡No nrolatile 非挥发（易失）性Normally off/on 常闭/开Numerical analysis 数值分析OOccupied band 满带Officienay 功率Offset偏移、失调On standby 待命状态Ohmic con tact 欧姆接触Ope n circuit 开路Operating point 工作点Operating bias 工作偏置Operational amplifier （OPAMP）运算放大器Optical phot on =phot on 光子Optical que nching 光猝灭Optical transition 光跃迁Optical-coupled isolator 光耦合隔离器Organic semic on ductor 有机半导体Orien tati on 晶向、定向Outline 外形Out-of-contact mask 非接触式掩模Output characteristic 输出特性Output voltage swi ng 输出电压摆幅Overcompensation 过补偿Over-current protection 过流保护Over shoot 过冲Over-voltage protection 过压保护Overlap 交迭Overload 过载Oscillator振荡器Oxide氧化物Oxidation 氧化Oxide passivation氧化层钝化PPackage圭寸装Pad压焊点Parameter 参数Parasitic effect 寄生效应Parasitic oscillati on 寄生振荡Pass in ati on 钝化Passive comp onent 无源元件Passive device 无源器件Passive surface 钝化界面Parasitic transistor 寄生晶体管Peak-point voltage 峰点电压Peak voltage 峰值电压Permanent-storage circuit 永久存储电路Period 周期Periodic table 周期表Permeable - base 可渗透基区Phase-lock loop 锁相环Phase drift 相移Phonon spectra 声子谱Photo con duction 光电导Photo diode 光电二极管Photoelectric cell 光电池Photoelectric effect 光电效应Photoe nic devices 光子器件Photolithographic process 光刻工艺（photo）resist （光敏）抗腐蚀剂Pin管脚Pinch off夹断Pinning of Fermi level 费米能级的钉扎（效应）Planar process 平面工艺Pla nar tran sistor 平面晶体管Plasma 等离子体Plezoelectric effect 压电效应Poisson equati on 泊松方程Poi nt con tact 点接触Polarity 极性Polycrystal 多晶Polymer semico nductor 聚合物半导体Poly-silic on 多晶硅Pote ntial （电）势Pote ntial barrier 势垒Potential well 势阱Power dissipation 功耗Power tran sistor 功率晶体管Preamplifier 前置放大器Primary flat 主平面Principal axes 主轴Prin t-circuit board （PCB）印制电路板Probability 几率Probe探针Process工艺Propagati on delay 传输延时Pseudopote ntial method 膺势发Punch through 穿通Pulse triggering/modulating 脉冲触发/调制Pulse Widen Modulator （PWM）脉冲宽度调制punchthrough 穿通Push-pull stage 推挽级QQuality factor 品质因子Qua ntizatio n 量子化Quantum 量子Quantum efficiency 量子效应Quantum mechanics 量子力学Quasi - Fermi —level 准费米能级Quartz 石英RRadiation con ductivity 辐射电导率Radiatio n damage 辐射损伤Radiation flux den sity 辐射通量密度Radiatio n harde ning 辐射加固Radiati on protect ion 辐射保护Radiative - recomb in ati on 辐照复合Radioactive 放射性Reach through 穿通Reactive sputtering source 反应溅射源Read diode 里德二极管Recomb in atio n 复合Recovery diode 恢复二极管Reciprocal lattice 倒核子Recovery time 恢复时间Rectifier 整流器（管）Rectifyi ng con tact 整流接触Referenee 基准点基准参考点Refractive index 折射率Register 寄存器Registration 对准Regulate 控制调整Relaxation lifetime 驰豫时间Reliability 可* 性Resonance 谐振Resista nee 电阻Resistor 电阻器Resistivity 电阻率Regulator 稳压管（器）Relaxation 驰豫Resonant frequency 共射频率Response time 响应时间Reverse 反向的Reverse bias 反向偏置SSampling circuit 取样电路Sapphire 蓝宝石（AI2O3）Satellite valley 卫星谷Saturated current range 电流饱和区Saturatio n regi on 饱和区Saturatio n 饱和的Scaled dow n 按比例缩小Scatteri ng 散射Schockley diode 肖克莱二极管Schottky肖特基Schottky barrier 肖特基势垒Schottky con tact 肖特基接触Schrodingen 薛定厄Scribing grid 划片格Secon dary flat 次平面Seed crystal 籽晶Segregation 分凝Selectivity 选择性Self aligned 自对准的Self diffusion 自扩散Semiconductor 半导体Semic on ductor-c on trolled rectifier 可控硅Sen dsitivity 灵敏度Serial串行/串联Series inductanee 串联电感Settle time 建立时间Sheet resista nee 薄层电阻Shield 屏蔽Short circuit 短路Shot noise散粒噪声Shu nt分流Sidewall capacitanee 边墙电容Signal 信号Silica glass 石英玻璃Silicon 硅Silicon carbide 碳化硅Silicon dioxide （SiO2）二氧化硅Silicon Nitride （Si3N4）氮化硅Silicon On Insulator 绝缘硅Siliver whiskers 银须Simple cubic 简立方Single crystal 单晶Sink 沉Skin effect 趋肤效应Snap time 急变时间Sneak path 潜行通路Sulethreshold 亚阈的Solar battery/cell 太阳能电池Solid circuit 固体电路Solid Solubility 固溶度Sonband 子带Source 源极Source follower 源随器Space charge 空间电荷Specific heat （PT）热Speed-power product 速度功耗乘积Spherical球面的Spin自旋Split分裂Spontan eous emissi on 自发发身寸Spread ing resista nee 扩展电阻Sputter 溅射Stacking fault 层错Static characteristic 静态特性Stimulated emissio n 受激发射Stimulated recomb in ati on 受激复合Storage time 存储时间Stress 应力Straggle 偏差Sublimation 升华Substrate 衬底Substitutio nal 替位式的Superlattice 超晶格Supply 电源Surface 表面Surge capacity 浪涌能力Subscript 下标Switching time 开关时间Switch 开关TTailing 扩展Terminal 终端Tensor 张量Tensorial 张量的Thermal activation 热激发Thermal conductivity 热导率Thermal equilibrium 热平衡Thermal Oxidation 热氧化Thermal resista nee 热阻Thermal sink 热沉Thermal velocity 热运动Thermoelectricpovoer 温差电动势率Thick-film tech ni que 厚膜技术Th in-film hybrid IC 薄膜混合集成电路Thi n-Film Tran sistor （TFT）薄膜晶体Threshlod 阈值Thyistor 晶闸管Transconductanee 跨导Transfer characteristic 转移特性Transfer electr on 转移电子Tran sfer fun ction 传输函数Tran sie nt 瞬态的Tran sistor agi ng （stress）晶体管老化Tran sit time 渡越时间Transition 跃迁Transition-metal silica 过度金属硅化物Tran siti on probability 跃迁几率Tran siti on region 过渡区Tran sport 输运Tran sverse 横向的Trap陷阱Trapping俘获Trapped charge 陷阱电荷Trian gle gen erator 三角波发生器Triboelectricity 摩擦电Trigger 触发Trim 调配调整Triple diffusion 三重扩散Truth table 真值表Tolerahce 容差Tunnel （ing）隧道（穿）Tunnel current 隧道电流Turn over 转折Turn - off time 关断时间UUltraviolet 紫外的Unijun ction 单结的Unipolar单极的Unit cell原（元）胞Un ity-ga in freque ncy 单位增益频率Un ilateral-switch 单向开关VVacancy 空位Vacuum 真空Vale nee （value）band 价带Value band edge 价带顶Vale nee bond 价键Vapour phase 汽相Varactor变容管Varistor变阻器Vibration 振动Voltage 电压WWafer晶片Wave equation 波动方程Wave guide 波导Wave number 波数Wave-particle duality 波粒二相性Wear-out 烧毁Wire routing 布线Work function 功函数Worst-case device 最坏情况器件Yield成品率Zener breakdow n 齐纟纳击穿。

半导体工艺中的英语词汇

AAbrupt junction 突变结Accelerated testing 加速实验Acceptor 受主Acceptor atom 受主原子Accumulation 积累、堆积Accumulating contact 积累接触Accumulation region 积累区Accumulation layer 积累层Active region 有源区Active component 有源元Active device 有源器件Activation 激活Activation energy 激活能Active region 有源（放大）区Admittance 导纳Allowed band 允带Alloy-junction device合金结器件Aluminum（Aluminium）铝Aluminum - oxide 铝氧化物Aluminum passivation 铝钝化Ambipolar 双极的Ambient temperature 环境温度Amorphous 无定形的，非晶体的Amplifier 功放扩音器放大器Analogue（Analog）comparator 模拟比较器Angstrom 埃Anneal 退火Anisotropic 各向异性的Anode 阳极Arsenic （AS）砷Auger 俄歇Auger process 俄歇过程Avalanche 雪崩Avalanche breakdown 雪崩击穿Avalanche excitation雪崩激发BBackground carrier 本底载流子Background doping 本底掺杂Backward 反向Backward bias 反向偏置Ballasting resistor 整流电阻Ball bond 球形键合Band 能带Band gap 能带间隙Barrier 势垒Barrier layer 势垒层Barrier width 势垒宽度Base 基极Base contact 基区接触Base stretching 基区扩展效应Base transit time 基区渡越时间Base transport efficiency基区输运系数Base-width modulation基区宽度调制Basis vector 基矢Bias 偏置Bilateral switch 双向开关Binary code 二进制代码Binary compound semiconductor 二元化合物半导体Bipolar 双极性的Bipolar Junction Transistor （BJT）双极晶体管Bloch 布洛赫Blocking band 阻挡能带Blocking contact 阻挡接触Body - centered 体心立方Body-centred cubic structure 体立心结构Boltzmann 波尔兹曼Bond 键、键合Bonding electron 价电子Bonding pad 键合点Bootstrap circuit 自举电路Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器Boron 硼Borosilicate glass 硼硅玻璃Boundary condition 边界条件Bound electron 束缚电子Breadboard 模拟板、实验板Break down 击穿Break over 转折Brillouin 布里渊Brillouin zone 布里渊区Built-in 内建的Build-in electric field 内建电场Bulk 体/体内Bulk absorption 体吸收Bulk generation 体产生Bulk recombination 体复合Burn - in 老化Burn out 烧毁Buried channel 埋沟Buried diffusion region 隐埋扩散区CCan 外壳Capacitance 电容Capture cross section 俘获截面Capture carrier 俘获载流子Carrier 载流子、载波Carry bit 进位位Carry-in bit 进位输入Carry-out bit 进位输出Cascade 级联Case 管壳Cathode 阴极Center 中心Ceramic 陶瓷（的）Channel 沟道Channel breakdown 沟道击穿Channel current 沟道电流Channel doping 沟道掺杂Channel shortening 沟道缩短Channel width 沟道宽度Characteristic impedance 特征阻抗Charge 电荷、充电Charge-compensation effects 电荷补偿效应Charge conservation 电荷守恒Charge neutrality condition 电中性条件Charge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储Chemmical etching 化学腐蚀法Chemically-Polish 化学抛光Chemmically-Mechanically Polish （CMP）化学机械抛光Chip 芯片Chip yield 芯片成品率Clamped 箝位Clamping diode 箝位二极管Cleavage plane 解理面Clock rate 时钟频率Clock generator 时钟发生器Clock flip-flop 时钟触发器Close-packed structure 密堆积结构Close-loop gain 闭环增益Collector 集电极Collision 碰撞Compensated OP-AMP 补偿运放Common-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接Common-gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接Common-mode gain 共模增益Common-mode input 共模输入Common-mode rejection ratio （CMRR）共模抑制比Compatibility 兼容性Compensation 补偿Compensated impurities 补偿杂质Compensated semiconductor 补偿半导体Complementary Darlington circuit 互补达林顿电路Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor（CMOS）互补金属氧化物半导体场效应晶体管Complementary error function 余误差函数Computer-aided design （CAD）/test（CAT）/manufacture（CAM）计算机辅助设计/ 测试/制造Compound Semiconductor 化合物半导体Conductance 电导Conduction band （edge）导带（底）Conduction level/state 导带态Conductor 导体Conductivity 电导率Configuration 组态Conlomb 库仑Conpled Configuration Devices 结构组态Constants 物理常数Constant energy surface 等能面Constant-source diffusion恒定源扩散Contact 接触Contamination 治污Continuity equation 连续性方程Contact hole 接触孔Contact potential 接触电势Continuity condition 连续性条件Contra doping 反掺杂Controlled 受控的Converter 转换器Conveyer 传输器Copper interconnection system 铜互连系统Couping 耦合Covalent 共阶的Crossover 跨交Critical 临界的Crossunder 穿交Crucible坩埚Crystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/晶面/晶向/晶格Current density 电流密度Curvature 曲率Cut off 截止Current drift/dirve/sharing 电流漂移/驱动/共享Current Sense 电流取样Curvature 弯曲Custom integrated circuit 定制集成电路Cylindrical 柱面的Czochralshicrystal 直立单晶Czochralski technique 切克劳斯基技术（Cz法直拉晶体J）DDangling bonds 悬挂键Dark current 暗电流Dead time 空载时间Debye length 德拜长度De.broglie 德布洛意Decderate 减速Decibel （dB）分贝Decode 译码Deep acceptor level 深受主能级Deep donor level 深施主能级Deep impurity level 深度杂质能级Deep trap 深陷阱Defeat 缺陷Degenerate semiconductor 简并半导体Degeneracy 简并度Degradation 退化Degree Celsius（centigrade）/Kelvin 摄氏/开氏温度Delay 延迟Density 密度Density of states 态密度Depletion 耗尽Depletion approximation 耗尽近似Depletion contact 耗尽接触Depletion depth 耗尽深度Depletion effect 耗尽效应Depletion layer 耗尽层Depletion MOS 耗尽MOSDepletion region 耗尽区Deposited film 淀积薄膜Deposition process 淀积工艺Design rules 设计规则Die 芯片（复数dice）Diode 二极管Dielectric 介电的Dielectric isolation 介质隔离Difference-mode input 差模输入Differential amplifier 差分放大器Differential capacitance 微分电容Diffused junction 扩散结Diffusion 扩散Diffusion coefficient 扩散系数Diffusion constant 扩散常数Diffusivity 扩散率Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/电流/炉Digital circuit 数字电路Dipole domain 偶极畴Dipole layer 偶极层Direct-coupling 直接耦合Direct-gap semiconductor 直接带隙半导体Direct transition 直接跃迁Discharge 放电Discrete component 分立元件Dissipation 耗散Distribution 分布Distributed capacitance 分布电容Distributed model 分布模型Displacement 位移Dislocation 位错Domain 畴Donor 施主Donor exhaustion 施主耗尽Dopant 掺杂剂Doped semiconductor 掺杂半导体Doping concentration 掺杂浓度Double-diffusive MOS（DMOS）双扩散MOS.Drift 漂移Drift field 漂移电场Drift mobility 迁移率Dry etching 干法腐蚀Dry/wet oxidation 干/湿法氧化Dose 剂量Duty cycle 工作周期Dual-in-line package （DIP）双列直插式封装Dynamics 动态Dynamic characteristics 动态属性Dynamic impedance 动态阻抗EEarly effect 厄利效应Early failure 早期失效Effective mass 有效质量Einstein relation（ship）爱因斯坦关系Electric Erase Programmable Read Only Memory（E2PROM）一次性电可擦除只读存储器Electrode 电极Electrominggratim 电迁移Electron affinity 电子亲和势Electronic -grade 电子能Electron-beam photo-resist exposure 光致抗蚀剂的电子束曝光Electron gas 电子气Electron-grade water 电子级纯水Electron trapping center 电子俘获中心Electron Volt （eV）电子伏Electrostatic 静电的Element 元素/元件/配件Elemental semiconductor 元素半导体Ellipse 椭圆Ellipsoid 椭球Emitter 发射极Emitter-coupled logic 发射极耦合逻辑Emitter-coupled pair 发射极耦合对Emitter follower 射随器Empty band 空带Emitter crowding effect 发射极集边（拥挤）效应Endurance test =life test 寿命测试Energy state 能态Energy momentum diagram 能量-动量（E-K）图Enhancement mode 增强型模式Enhancement MOS 增强性MOS Entefic （低）共溶的Environmental test 环境测试Epitaxial 外延的Epitaxial layer 外延层Epitaxial slice 外延片Expitaxy 外延Equivalent curcuit 等效电路Equilibrium majority /minority carriers 平衡多数/少数载流子Erasable Programmable ROM （EPROM）可搽取（编程）存储器Error function complement （erfc）余误差函数Etch 刻蚀Etchant 刻蚀剂Etching mask 抗蚀剂掩模Excess carrier 过剩载流子Excitation energy 激发能Excited state 激发态Exciton 激子Extrapolation 外推法Extrinsic 非本征的Extrinsic semiconductor 杂质半导体FFace - centered 面心立方Fall time 下降时间Fan-in 扇入Fan-out 扇出Fast recovery 快恢复Fast surface states 快界面态Feedback 反馈Fermi level 费米能级Fermi-Dirac Distribution 费米-狄拉克分布Femi potential 费米势Fick equation 菲克方程（扩散）Field effect transistor 场效应晶体管Field oxide 场氧化层Filled band 满带Film 薄膜Flash memory 闪烁存储器Flat band 平带Flat pack 扁平封装Flicker noise 闪烁（变）噪声Flip-flop toggle 触发器翻转Floating gate 浮栅Fluoride etch 氟化氢刻蚀Forbidden band 禁带Forward bias 正向偏置Forward blocking /conducting正向阻断/导通Frequency deviation noise频率漂移噪声Frequency response 频率响应Function 函数GGain 增益Gallium-Arsenide（GaAs）砷化钾Gamy ray r 射线Gate 门、栅、控制极Gate oxide 栅氧化层Gauss（ian）高斯Gaussian distribution profile 高斯掺杂分布Generation-recombination 产生-复合Geometries 几何尺寸Germanium（Ge）锗Graded 缓变的Graded （gradual）channel 缓变沟道Graded junction 缓变结Grain 晶粒Gradient 梯度Grown junction 生长结Guard ring 保护环Gummel-Poom model 葛谋-潘模型Gunn - effect 狄氏效应HHardened device 辐射加固器件Heat of formation 形成热Heat sink 散热器、热沉Heavy/light hole band 重/轻空穴带Heavy saturation 重掺杂Hell - effect 霍尔效应Heterojunction 异质结Heterojunction structure 异质结结构Heterojunction Bipolar Transistor（HBT）异质结双极型晶体High field property 高场特性High-performance MOS.（H-MOS）高性能MOS. Hormalized 归一化Horizontal epitaxial reactor 卧式外延反应器Hot carrior 热载流子Hybrid integration 混合集成IImage - force 镜象力Impact ionization 碰撞电离Impedance 阻抗Imperfect structure 不完整结构Implantation dose 注入剂量Implanted ion 注入离子Impurity 杂质Impurity scattering 杂质散射Incremental resistance 电阻增量（微分电阻）In-contact mask 接触式掩模Indium tin oxide （ITO）铟锡氧化物Induced channel 感应沟道Infrared 红外的Injection 注入Input offset voltage 输入失调电压Insulator 绝缘体Insulated Gate FET（IGFET）绝缘栅FET Integrated injection logic集成注入逻辑Integration 集成、积分Interconnection 互连Interconnection time delay 互连延时Interdigitated structure 交互式结构Interface 界面Interference 干涉International system of unions国际单位制Internally scattering 谷间散射Interpolation 内插法Intrinsic 本征的Intrinsic semiconductor 本征半导体Inverse operation 反向工作Inversion 反型Inverter 倒相器Ion 离子Ion beam 离子束Ion etching 离子刻蚀Ion implantation 离子注入Ionization 电离Ionization energy 电离能Irradiation 辐照Isolation land 隔离岛Isotropic 各向同性JJunction FET（JFET）结型场效应管Junction isolation 结隔离Junction spacing 结间距Junction side-wall 结侧壁LLatch up 闭锁Lateral 横向的Lattice 晶格Layout 版图Lattice binding/cell/constant/defect/distortion 晶格结合力/晶胞/晶格/晶格常熟/晶格缺陷/晶格畸变Leakage current （泄）漏电流Level shifting 电平移动Life time 寿命linearity 线性度Linked bond 共价键Liquid Nitrogen 液氮Liquid－phase epitaxial growth technique 液相外延生长技术Lithography 光刻Light Emitting Diode（LED）发光二极管Load line or Variable 负载线Locating and Wiring 布局布线Longitudinal 纵向的Logic swing 逻辑摆幅Lorentz 洛沦兹Lumped model 集总模型MMajority carrier 多数载流子Mask 掩膜板，光刻板Mask level 掩模序号Mask set 掩模组Mass - action law质量守恒定律Master-slave D flip-flop主从D触发器Matching 匹配Maxwell 麦克斯韦Mean free path 平均自由程Meandered emitter junction梳状发射极结Mean time before failure （MTBF）平均工作时间Megeto - resistance 磁阻Mesa 台面MESFET-Metal Semiconductor金属半导体FETMetallization 金属化Microelectronic technique 微电子技术Microelectronics 微电子学Millen indices 密勒指数Minority carrier 少数载流子Misfit 失配Mismatching 失配Mobile ions 可动离子Mobility 迁移率Module 模块Modulate 调制Molecular crystal分子晶体Monolithic IC 单片IC MOSFET金属氧化物半导体场效应晶体管Mos. Transistor（MOST ）MOS. 晶体管Multiplication 倍增Modulator 调制Multi-chip IC 多芯片ICMulti-chip module（MCM）多芯片模块Multiplication coefficient倍增因子NNaked chip 未封装的芯片（裸片）Negative feedback 负反馈Negative resistance 负阻Nesting 套刻Negative-temperature-coefficient 负温度系数Noise margin 噪声容限Nonequilibrium 非平衡Nonrolatile 非挥发（易失）性Normally off/on 常闭/开Numerical analysis 数值分析OOccupied band 满带Officienay 功率Offset 偏移、失调On standby 待命状态Ohmic contact 欧姆接触Open circuit 开路Operating point 工作点Operating bias 工作偏置Operational amplifier （OPAMP）运算放大器Optical photon =photon 光子Optical quenching光猝灭Optical transition 光跃迁Optical-coupled isolator光耦合隔离器Organic semiconductor有机半导体Orientation 晶向、定向Outline 外形Out-of-contact mask非接触式掩模Output characteristic 输出特性Output voltage swing 输出电压摆幅Overcompensation 过补偿Over-current protection 过流保护Over shoot 过冲Over-voltage protection 过压保护Overlap 交迭Overload 过载Oscillator 振荡器Oxide 氧化物Oxidation 氧化Oxide passivation 氧化层钝化PPackage 封装Pad 压焊点Parameter 参数Parasitic effect 寄生效应Parasitic oscillation 寄生振荡Passination 钝化Passive component 无源元件Passive device 无源器件Passive surface 钝化界面Parasitic transistor 寄生晶体管Peak-point voltage 峰点电压Peak voltage 峰值电压Permanent-storage circuit 永久存储电路Period 周期Periodic table 周期表Permeable - base 可渗透基区Phase-lock loop 锁相环Phase drift 相移Phonon spectra 声子谱Photo conduction 光电导Photo diode 光电二极管Photoelectric cell 光电池Photoelectric effect 光电效应Photoenic devices 光子器件Photolithographic process 光刻工艺（photo）resist （光敏）抗腐蚀剂Pin 管脚Pinch off 夹断Pinning of Fermi level 费米能级的钉扎（效应）Planar process 平面工艺Planar transistor 平面晶体管Plasma 等离子体Plezoelectric effect 压电效应Poisson equation 泊松方程Point contact 点接触Polarity 极性Polycrystal 多晶Polymer semiconductor聚合物半导体Poly-silicon 多晶硅Potential （电）势Potential barrier 势垒Potential well 势阱Power dissipation 功耗Power transistor 功率晶体管Preamplifier 前置放大器Primary flat 主平面Principal axes 主轴Print-circuit board（PCB）印制电路板Probability 几率Probe 探针Process 工艺Propagation delay 传输延时Pseudopotential method 膺势发Punch through 穿通Pulse triggering/modulating 脉冲触发/调制Pulse Widen Modulator（PWM）脉冲宽度调制punchthrough 穿通Push-pull stage 推挽级QQuality factor 品质因子Quantization 量子化Quantum 量子Quantum efficiency量子效应Quantum mechanics 量子力学Quasi - Fermi－level准费米能级Quartz 石英RRadiation conductivity 辐射电导率Radiation damage 辐射损伤Radiation flux density 辐射通量密度Radiation hardening 辐射加固Radiation protection 辐射保护Radiative - recombination辐照复合Radioactive 放射性Reach through 穿通Reactive sputtering source 反应溅射源Read diode 里德二极管Recombination 复合Recovery diode 恢复二极管Reciprocal lattice 倒核子Recovery time 恢复时间Rectifier 整流器（管）Rectifying contact 整流接触Reference 基准点基准参考点Refractive index 折射率Register 寄存器Registration 对准Regulate 控制调整Relaxation lifetime 驰豫时间Reliability 可*性Resonance 谐振Resistance 电阻Resistor 电阻器Resistivity 电阻率Regulator 稳压管（器）Relaxation 驰豫Resonant frequency共射频率Response time 响应时间Reverse 反向的Reverse bias 反向偏置SSampling circuit 取样电路Sapphire 蓝宝石（Al2O3）Satellite valley 卫星谷Saturated current range电流饱和区Saturation region 饱和区Saturation 饱和的Scaled down 按比例缩小Scattering 散射Schockley diode 肖克莱二极管Schottky 肖特基Schottky barrier 肖特基势垒Schottky contact 肖特基接触Schrodingen 薛定厄Scribing grid 划片格Secondary flat 次平面Seed crystal 籽晶Segregation 分凝Selectivity 选择性Self aligned 自对准的Self diffusion 自扩散Semiconductor 半导体Semiconductor-controlled rectifier 可控硅Sendsitivity 灵敏度Serial 串行/串联Series inductance 串联电感Settle time 建立时间Sheet resistance 薄层电阻Shield 屏蔽Short circuit 短路Shot noise 散粒噪声Shunt 分流Sidewall capacitance 边墙电容Signal 信号Silica glass 石英玻璃Silicon 硅Silicon carbide 碳化硅Silicon dioxide （SiO2）二氧化硅Silicon Nitride（Si3N4）氮化硅Silicon On Insulator 绝缘硅Siliver whiskers 银须Simple cubic 简立方Single crystal 单晶Sink 沉Skin effect 趋肤效应Snap time 急变时间Sneak path 潜行通路Sulethreshold 亚阈的Solar battery/cell 太阳能电池Solid circuit 固体电路Solid Solubility 固溶度Sonband 子带Source 源极Source follower 源随器Space charge 空间电荷Specific heat（PT）热Speed-power product 速度功耗乘积Spherical 球面的Spin 自旋Split 分裂Spontaneous emission 自发发射Spreading resistance扩展电阻Sputter 溅射Stacking fault 层错Static characteristic 静态特性Stimulated emission 受激发射Stimulated recombination 受激复合Storage time 存储时间Stress 应力Straggle 偏差Sublimation 升华Substrate 衬底Substitutional 替位式的Superlattice 超晶格Supply 电源Surface 表面Surge capacity 浪涌能力Subscript 下标Switching time 开关时间Switch 开关TTailing 扩展Terminal 终端Tensor 张量Tensorial 张量的Thermal activation 热激发Thermal conductivity 热导率Thermal equilibrium 热平衡Thermal Oxidation 热氧化Thermal resistance 热阻Thermal sink 热沉Thermal velocity 热运动Thermoelectricpovoer 温差电动势率Thick-film technique 厚膜技术Thin-film hybrid IC薄膜混合集成电路Thin-Film Transistor（TFT）薄膜晶体Threshlod 阈值Thyistor 晶闸管Transconductance 跨导Transfer characteristic 转移特性Transfer electron 转移电子Transfer function 传输函数Transient 瞬态的Transistor aging（stress）晶体管老化Transit time 渡越时间Transition 跃迁Transition-metal silica 过度金属硅化物Transition probability 跃迁几率Transition region 过渡区Transport 输运Transverse 横向的Trap 陷阱Trapping 俘获Trapped charge 陷阱电荷Triangle generator 三角波发生器Triboelectricity 摩擦电Trigger 触发Trim 调配调整Triple diffusion 三重扩散Truth table 真值表Tolerahce 容差Tunnel（ing）隧道（穿）Tunnel current 隧道电流Turn over 转折Turn - off time 关断时间UUltraviolet 紫外的Unijunction 单结的Unipolar 单极的Unit cell 原（元）胞Unity-gain frequency 单位增益频率Unilateral-switch单向开关VVacancy 空位Vacuum 真空Valence（value）band 价带Value band edge 价带顶Valence bond 价键Vapour phase 汽相Varactor 变容管Varistor 变阻器Vibration 振动Voltage 电压WWafer 晶片Wave equation 波动方程Wave guide 波导Wave number 波数Wave-particle duality 波粒二相性Wear-out 烧毁Wire routing 布线Work function 功函数Worst-case device 最坏情况器件Yield 成品率Zener breakdown 齐纳击穿。

半导体、微电子专业英语单词（2）

半导体、微电子专业英语单词（2）半导体、微电子专业英语单词汇总79. flatband capacitanse：平带电容80. flatband voltage：平带电压81. flow coefficicent：流动系数82. flow velocity：流速计83. flow volume：流量计84. flux：单位时间内流过给定面积的颗粒数85. forbidden energy gap：禁带86. four-point probe：四点探针台87. functional area：功能区88. gate oxide：栅氧89. glass transition temperature：玻璃态转换温度90. gowning：净化服91. gray area：灰区92. grazing incidence interferometer：切线入射干涉仪93. hard bake：后烘94. heteroepitaxy：单晶长在不同材料的衬底上的外延方法95. high-current implanter：束电流大于3ma的注入方式，用于批量生产96. hign-efficiency particulate air(HEPA) filter：高效率空气颗粒过滤器，去掉99.97%的大于0.3um的颗粒97. host：主机98. hot carriers：热载流子99. hydrophilic：亲水性100. hydrophobic：疏水性101. impurity：杂质102. inductive coupled plasma(ICP)：感应等离子体103. inert gas：惰性气体104. initial oxide：一氧105. insulator：绝缘106. isolated line：隔离线107. implant : 注入108. impurity n : 掺杂109. junction : 结110. junction spiking n :铝穿刺111. kerf :划片槽112. landing pad n AD113. lithography n 制版114. maintainability, equipment : 设备产能115. maintenance n :保养116. majority carrier n :多数载流子117. masks, device series of n : 一成套光刻版118. material n :原料119. matrix n 1 :矩阵120. mean n : 平均值121. measured leak rate n :测得漏率122. median n :中间值123. memory n : 记忆体124. metal n :金属125. nanometer (nm) n ：纳米126. nanosecond (ns) n ：纳秒127. nitride etch n ：氮化物刻蚀128. nitrogen (N2 ) n：氮气，一种双原子气体129. n-type adj ：n型130. ohms per square n：欧姆每平方: 方块电阻131. orientation n：晶向，一组晶列所指的方向132. overlap n ：交迭区133. oxidation n ：氧化，高温下氧气或水蒸气与硅进行的化学反应134. phosphorus (P) n ：磷，一种有毒的非金属元素135. photomask n ：光刻版，用于光刻的版136. photomask, negative n：反刻137. images：去掉图形区域的版138. photomask, positive n：正刻139. pilot n ：先行批，用以验证该工艺是否符合规格的片子140. plasma n ：等离子体，用于去胶、刻蚀或淀积的电离气体141. plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) n：等离子体化学气相淀积，低温条件下的等离子淀积工艺142. plasma-enhanced TEOS oxide deposition n：TEOS淀积，淀积TEOS的一种工艺143. pn junction n：pn结144. pocked bead n：麻点，在20X下观察到的吸附在低压表面的水珠145. polarization n：偏振，描述电磁波下电场矢量方向的术语146. polycide n：多晶硅 /金属硅化物，解决高阻的复合栅结构147. polycrystalline silicon (poly) n：多晶硅，高浓度掺杂(> 5E19)的硅，能导电。

半导体常用英语词汇

MFG 常用英文单字Semiconductor半导体导体、绝缘体和半导体主要依据导电系数的大小，决定了电子的移动速度。

导体：金、银、铜、铁、人、水……导电系数大，传导绝缘体：塑料、木头、皮革、纸……导电系数小、传导不半导体：硅中加锗、砷、镓、磷……平时不导电加特定电压后导电Wafer 芯片或晶圆：原意为法国的松饼，饼干上有格子状的饰纹，与FAB内生产的芯片图形类Lot 批；一批芯片中最多可以有25片，最少可以只有一片。

ID Identification的缩写。

用以辨识各个独立的个体，就像公司内每一个人有自己的识别证。

Wafer ID 每一片芯片有自己的芯片刻号，叫Wafer ID。

Lot ID 每一批芯片有自己的批号，叫Lot ID。

Part ID 各个独立的批号可以共享一个型号，叫Part ID。

WIP Work In Process，在制品。

从芯片投入到芯片产品，FAB内各站积存了相当数量的芯片，统称为FAB内的WIP 。

一整个制程又可细分为数百个Stage和Step，每一个Stage所堆积的芯片，称为Stage WIP。

Lot Priority 每一批产品在加工的过程中在WIP中被选择进机台的优先级。

Super Hot Run的优先级为1，视为等级最高，必要时，当Lo上一站加工时，本站便要空着机台等待Super Hot RuHot Run的优先级为2，紧急程度比Super Hot Run次一级。

Normal的优先级为3，视为正常的等级，按正常的派货原则视常班向生产指令而Cycle time 生产周期，FAB Cycle Time 定义为：从芯片投入到芯片产生的这一段时间。

Stage Cycle Time：Lot从进站等候开始到当站加工后出货时间点截Spec. 规格Specification的缩写。

产品在机台加工过程中，每一站均设定规格。

机台加工后，产品或控片经由量测机台量测，该产品加工后，是否在规格内。

微电子专业英语词汇

Chapter One 第一章Semiconductor fundamental 半导体基础1.1 Semiconductor Materials 半导体材料1 Solid stare 固态2 insulator 绝缘体3 electrical conductivity电导率4 conductor 导体5 semicoductor 半导体6 Fused quartz熔融石英7 order 有序8 impurity 杂质9 element semiconductor元素半导体10 illumination 阐明11 silicon 硅12 Periodic table周期表13 germanium 锗14 gallium 嫁15two-terminal 两端16 Arsenic 砷17 silica 石英18bipolar transistor 双极晶体管19 rectifier 整流器20 optical 光21photodiodes 光电二极管22silicates 硅酸盐23dimension 维度24 Gallium arsenide 砷化镓25 microwave 微波26compound semicondutor 化合物半导体1.2 Crystal Structure 晶体结构1 Crystal 晶体2 amorphous 非晶的3 formlessness 无定形的4 solar cell 太阳能电池5 polycrystalline 多晶的6 silicon dioxide 二氧化硅7 gate 门栅8 lattice 晶格9 single crystal 单晶10 Fashion 方式11 vibration 振动12 unit cell 原胞13 cubic-crystal 立方晶体14 fcc 面心立方15 lattice constant 晶格常数16 Polonium 钋17 bcc 体心立方18 Miller indices 密勒指数19 sodium 钠20 tungsten 钨21 gallium phosphide 磷化镓22 Aluminum 铝23 copper 铜24 diamondlattice 金刚石点阵25 platinum 铂26 Sublattice 子格27 interpenetrate 互相贯通28 diagonal 对角式29 terahedron 四面体30 zincblende lattice 闪锌矿晶格31 zincsulfide 硫化锌32 anisotropic 各向异性33 crystal orientation 晶向34 interceot 截距35 reciprocal 倒数36 perpendicular垂直37 integer 完整38 Cartesian coordinate 笛卡尔坐标系1.3 Bohrˊs Atom Model 波尔原子模型1 nucleus 原子核2 discrete 分立3 engery level 能级4 electronvolt 电子伏5 wavelength 波长6 binding engery 结合能7 shell 壳8 force 力9 angular momentum 角动量10 photon 光子11 joule 焦耳12 excited state 激发态13 potential 电势14 MKS system米千克秒制15 kinetic energy 动能16 ground state 基态17 valence electron 价电子18 principal quantum number 主量子数1.4 V alence Bonds Model of Solid 固体材料价键模型1 current 电流2 resistivity 电阻率3 electric field 电场4 covalent bond 共价键5 nuclei 核6 metallic conductor 金属导体7 electrostatic 静电的8 deficiency 缺陷9 ionic bond 离子键10 hole 空穴11 vacancy 空位1.5 Energy Bonds Model of Solid 固体材料的能带模型1 gaseous 气态2 mass 质量3 plank constant 普朗克常量4 permittivity 介电常数5 bandgap频带间隙6 energy band 能带7 valence band 价带8 conduction band 导带9 band diagram 能带图10 at rest 静态11 discrete energy level 不连续能级离散能级12 quantum mechanics 量子力学13 doubly degenerate energy lever1.6 Free-Carrier Density in Semicondutor 半导体中的自由载流子的密度1 standing-wave 驻波2 wavelength 波长3 momentum 动量4 sphere 球面5 volume 体积6 electron spin 电子自旋7 agitation 振荡8 intrinsic 本征的9 allowed state 允态10 product 乘积11 integrate 集成12 Fermi level 费米能级13 function 函数14 concentration 浓度15 forbidden-gap 禁带16 unity 单元17 exponential 指数函数18 infinity 无穷大19 excitation 激发20 recombination 复合21 deviation 误差22 extrinsic 非本征的23 term 项24 mass-action law 质量守恒定律1.7Donors and Acceptors1 donor 施主2 accepter 受主3 dope 掺杂4 negative 负的5 positive 正的6 boron 硼7 ionization 电离第二章mobility [məu'biliti]迁移率drift [drift] 漂移diffusion [di'fju:ʒən] 扩散gradient ['greidiənt] 梯度generation [,dʒenə'reiʃən]Injection [in'dʒekʃən] 注入None-equilibrium 非平衡Excess carrier 过剩载流子Recombination 符合Lifetime 寿命Thermal equilibrium 热平衡particle ['pɑ:tikl] 粒子质点motion 运动Equipartition 均分Degree of freedom 自由度Three-dimensional ['θri:di'menʃənəl] 三维的kinetic energy 动能collision [kə'liʒən] 碰撞deflect [di'flekt] 偏转挠曲phonon ['fəunɔn] 声子mechanism ['mekənizəm] 机制，机理，操作机构coulomb force 库仑力displacement 位移，迁移mean free path 平均自由行程component [kəm'pəunənt] 子件，组件vacuum ['vækjuəm] 真空，负压proportionality [prəu,pɔ:ʃə'næliti] 比例性factor因素、因数subscript ['sʌbskript] 下标valley 谷最小值cross-sectional area 截面积conductivity [,kɔndʌk'tiviti] 电导率linearity [lini'ærəti] 线性度convection [kən'vekʃən] 对流stationary ['steiʃənəri] 固定的molecule ['mɔlikju:l] 分子spatial ['speiʃəl] 空间的half-width 半角Fick's first law：菲克（扩散）第一定理；菲克第一定律carrier injection 载子注入forward bias 正向偏压；前向偏移optical excitation 光激励electron hole pair 电子空穴对majority carrier 多数载流子injection level 注入水平order of magnitude 数量级low level injection 低水平注入low level injection 高水平注入dissipate 使消散,驱散；驱散；浪费；耗散radiative ['reidieitiv] 辐射的band to band带间direct-bandgap 直接带隙transient trænʃənt] 瞬态response 响应decay 衰减photoconductivity fəutəu,kɔndʌk'tiviti] 光电导性setup 装置pulse 脉冲propagation 传播传导generation 产生世代carrier scattering 载流子散射Chapter Three3.1Device 器件diode 二极管wafer 晶片Alloying 合金epitaxy 外延implantation 注入Substrate 沉底vacuum chamber 真空室furnace 熔炉Eutectic 共晶体dopant 掺杂剂VPE气象外延LPE 液相外延MBE 分子束外延slice 切片Solubility 溶解度range 范围incident ion 入射离子Anneal 退火oven 恒温炉metallurgical 冶金Clectrostatic 静电的dashed line 虚线homojunction 同质结Huterojunction 异质结3.2Electron affinity 电子亲和势work function 功函数reference 基准点Built-in 内建depletion region 耗尽区polarity 极性Quasi-neutral 准中性reverse bias 反偏tunneling current 漏电流3.3Numenclature 命名，命名法sterdy-state 稳态counterintuitive 违反直觉地Avalanche 雪崩interband 带间extrapolate 外推Quality factot 品质因子zener tunneling 齐纳隧道multiplication factor 倍增因子Impedance 阻抗differential 差分dimension 量纲维数Trap 陷阱rectangle 长方的，矩形Chapter FourBJT---双极结式晶体管Collector---集电极Saturation mode---饱和状态Cut off mode---截止状态Minority carrier---少数载流子Qualitatively---质量上Diode---二极管Injection efficiency---注入系数Tunneling---隧道（穿）Ionized acceptor---离子化受主Approximation---近似Barrier---势垒Simulation---仿真Lateral---横向Sheet resistance---表面电阻MOS---金属氧化半导体Gate---栅极Buried layer---势垒层Forward biased---正向偏压Nondegenerate---非简并Injection---注入Milliampere---毫安培Lifetime---寿命Terminal---终端Capacitance---电容Width---宽度Substitute---代替Uniform doping---均匀掺杂Horizontal axis---水平轴Intrinsic---本征的Slope---斜面，坡度，跨导Terminal---电极Transistor---晶体管Active mode---有源状态Reverse biased---反向偏压Assumption---假想，假设Recombination---复合Leakage current---漏电电流Diffusion length---扩散长度Quantitatively---数量上Breakdown---击穿Flux---通量Simplify---简化Doping profile---掺杂分布Normalization---正规化，标准化Extrinsic---非本征的Avalanche---电子雪崩Emitter---发射极Junction---结Common base configuration---共基极组态Common emitter configuration-共射极组态Degenerate---简并的Extract---提取Base contact---基极接点Micrometer---千分尺Principle---原理Steady-state---平衡状态Concentration---集中，浓度Denominator---分母Semilog---半对数的Extrapolation---外推法Lumped resistance---集中电阻Interdigitated structure---交互式结构Base---基极Well---井Boundary condition---边界条件Generation---产生，代Order of magnitude---数量级Current gain---电流增益Collection efficiency---收集效率Neutrality---中性Hyperbolic function---双曲函数Multiplication---乘Gradient---坡度，斜率Depletion layer---耗尽层Polarity---极性，偏极Chapt 5frequency 频率analog模拟digital数字transient瞬态的/过渡的uppercase大写字母lowercase小写字母load resistance负载电容supply voltage供给电压load line 负载电路equivalent circuit 等效电路differential 微分measure 测量reciprocal 交互的/倒数Transconductance跨导series resistance串联电阻Infinite无穷的shaded area 阴影区operating speed工作速度Response反应figure of merit品质因数Delay延时Parasitic寄生的Oscillation振动self-aligned自动对准ion implantation离子注入heat treatment热处理Polysilicon多晶硅Discontinuity中断Switch开关Pulse脉冲Waveform 波形charging time充电时间Parallel并联State状态Chapt 6dielectric constant电介质常数channel 沟道Macroscopic宏观的work function自由能Equilibrium平衡Substrate衬底Interface接触面Permittivity介电常数Thickness 厚度Electrode电极Accumulation积聚Dc直流电Ac交流电space charge空间电荷inversion layer反型层Source源Length长度Conductance 电导率Drain漏Subthreshold次于最低限度的Perpendiculat垂直的Threshold阈值Bulk体积surfacepotential表面势flat-band voltage平能带电压Symbol符号Longitudinal 纵向的Transverse横向的Expression表达式NFET n沟道场效应晶体管Derivation推论/起源Mobility迁移率Constant 常数Bias偏压enhancement-type增强型parallel plate并联板ground 地V ariable变量Modulation调制Scattering散射Collision碰撞kinetic energy动能mean free path 平均自由能mean free time 平均自由时间Parameter参数Integral积分Minimum最小的Maximum 最大的Evaluate赋值dangling bond悬空键electrostatic potential静电势。

半导体行业专业英语名词解释

过滤
70
（FITFAILURE IN TIME）
71
FOUNDRY
客户委托加工
72
FOUR POINT PROBE
四点侦测
73
FINESONIC CLEAN（F/S）
超音波清洗
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FTIR
傅氏转换红外线光谱分析仪
75
FTY（FINAL TEST YIELD）
76
FUKE DEFECT
77
GATE OXIDE
缺陷分析软件
157
SEM ELECTRON（SCANNING
MICROSCOPE）
电子显微镜
158
SELECTIVITY
选择性．
159
SILICIDE
硅化物
160
SILICIDE
金属硅化物
161
SILICON
硅
162
SILICON NITRIDE
氯化硅
163
SMS (SEMICODUCTOR MANUFACTURING
生产周期时间
41
DEFECT DENSITY
缺点密度
42
DEHYDRATION BAKE
去水烘烤．
43
DENSIFY
密化
44
DESCUM
电浆预处理
45
DESIGN RULE
设计规范
46
EDSIGN RULE
设计准则
47
DIE BY DIE ALIGNMENT
每FIELD均对准
48
DIFFUSION
扩散
光罩护膜
130
PELLICLE
光罩保护膜
131
PH3

半导体行业常用英语

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半导体专业术语英语
半导体是当今最重要的技术领域之一。

随着半导体技术的不断发展，半导体专业术语英语越来越重要。

在本文中，我们将介绍一些常见的半导体专业术语英语，帮助读者更好地理解和掌握半导体技术。

基本概念
1.Semiconductor：半导体
2.Doping：掺杂
3.Carrier：载流子
4.Hole：空穴
5.Electron：电子
6.Bandgap：能隙
7.Mobility：迁移率
8.Resistivity：电阻率
9.Conductivity：电导率
10.PN Junction：PN结
11.Schottky Junction：肖特基结
半导体晶体结构
1.Crystal：晶体
ttice：晶格
3.Unit Cell：单元胞
4.Wafer：晶片
5.Silicon Wafer：硅晶片
6.Epitaxy：外延
7.Deposition：沉积
8.Etch：蚀刻
9.Annealing：退火
典型器件
1.Transistor：晶体管
2.Diode：二极管
3.Capacitor：电容器
4.Resistor：电阻器
5.Inductor：电感器
6.MOSFET：MOS场效应晶体管
7.BJT：双极性晶体管
8.LED：发光二极管
9.IGBT：绝缘栅双极晶体管
10.SCR：可控硅
制程工艺
1.Lithography：光刻
2.Ion Implantation：离子注入
3.Chemical Vapor Deposition (CVD)：化学气相沉积
4.Physical Vapor Deposition (PVD)：物理气相沉积
5.Wet Etch：湿法蚀刻
6.Dry Etch：干法蚀刻
7.Annealing：退火
8.Configurations：构型
9.Metrology：计量学
10.Yield：良率
11.Process Integration：制程集成
半导体技术对现代社会的影响越来越大，而英语是半导体专业中的重要工具之一。

学习和掌握半导体专业术语英语，有助于提高在半导体行业的各种交流和合作能力。

本文只是介绍一些常见的半导体专业术语英语，读者应该根据实际需要对其进行扩展和深入学习。