硅集成电路原理-范围
集成电路的工作原理
集成电路的工作原理
集成电路是一种将许多电子元件如晶体管、电阻、电容等集成在一块硅片上的化学器件，它能够实现电子元件之间的相互连接和相互作用。
通过集成电路，许多功能模块可以被集成在一个小小的芯片上，从而实现各种复杂的电子系统。
集成电路的工作原理是基于半导体材料的特性，其中最常用的材料是硅。
半导体材料中的电子在低温下几乎处于静止状态，但是当材料被加热时，电子能量增加，它们就会跳到更高能级的位置上。
这个过程被称为激进。
在集成电路中，晶体管是最基本的元件。
晶体管由三个不同特性的材料层组成，分别是n型材料、p型材料和电解介质。
当
电流通过晶体管时，n型材料的电子会移动到p型材料中，从
而形成一个电子空穴对。
这个电子空穴对的形成导致了材料的导电性变化，使晶体管成为一个电子开关。
在集成电路中，晶体管通过连接起来，形成各种电路结构，例如放大器、逻辑门等。
这些电路结构能够根据输入信号的特性，调整晶体管的开关状态，从而实现不同的功能。
通过不同的电路结构和连接方式，集成电路能够实现各种复杂的电子功能，如计算、存储、通信等。
总之，集成电路的工作原理是基于半导体材料的特性和晶体管的工作原理。
通过将许多电子元件集成在一个芯片上，并通过不同的电路结构和连接方式，集成电路能够实现各种复杂的电子功能。
集成电路设计的原理和应用
集成电路设计的原理和应用一、集成电路的基本原理集成电路是指在一块小型硅片上集成几十到几千或者是更多的电子元件，并且这些元件不仅在功能上相互配合，而且在微观上依靠基底电子材料的性能相互联系，构成一种微型化的完整功能电路。
集成电路设计的实质是将一个大型电子电路缩小成小型芯片，将许多电子元件压缩在一个芯片中，实现数据处理的高效、快速和高质量等特点。
集成电路的原理是基于微纳尺寸的物理特性来实现的。
它的基本原理是利用硅等半导体作为载体，通过先进的微影技术对硅片进行各种加工，将电路元件制作出来，并在连接管道上连接不同的元件、电阻、电容等电子元件，完成电路的设计和布局，在此基础上可以实现复杂的运算和控制功能，从而实现芯片的高性能和高集成度。
二、集成电路的应用领域集成电路是现代电子技术的重要组成部分，应用非常广泛。
首先，大规模集成电路可以应用于计算机、通讯、电能传输等领域。
此外，应用领域也包括各种数字信号处理、嵌入系统、医疗设备、汽车电子、家用电器、安防设备等。
在生产过程中也常常需要集成电路帮助提高生产效率和产品质量。
三、集成电路设计的主要流程在集成电路设计中，主要有如下几个步骤：1、需求分析：从需求分析的角度出发，分析电路的功能和特点，确定电路设计的目标和瓶颈，并根据需求确定设计方案。
2、电路设计：根据前一步的需求分析，进行电路的具体设计，包括电路的框图设计、元件的选择和布局等等。
3、电路仿真：在电路设计的基础上，通过仿真软件对电路进行仿真分析，优化不足之处。
4、电路布局：直接对电路各元件的位置、连接等进行图纸布局，确定具体的电路结构和走线。
5、样片验证：通过制作样片来验证电路设计的可行性和有效性，并对样片进行测试和评价。
6、批量生产：验证通过后，进行大规模的批量生产，由此实现量产的目标。
四、集成电路设计的技术趋势随着科技的不断发展和进步，集成电路技术也不断的推陈出新。
现在，人们已经开始探索新型的三维集成电路，即将两个或多个芯片从三维的角度结合在一起，减小供电区域，实现更好的设计灵活性和更高的性能指标。
硅光子集成电路工作原理
硅光子集成电路工作原理硅光子集成电路是一种基于硅材料的光子集成电路技术，利用硅的优良物理和光学特性，实现了在同一芯片上集成光源、调制器、耦合器和探测器等多个光子器件，从而实现光与电的高效互转。
硅光子集成电路具有体积小、功耗低、速度快和集成度高等优点，广泛应用于光通信、光传感和计算等领域。
一、光的发射：二、光的传输：硅光子集成电路中的光传输主要依靠硅波导来实现。
硅波导是一种基于硅材料的光导结构，其原理是利用硅的高折射率和低损耗特性，通过在硅层上进行局域的折射，使光能在波导内部传输。
硅波导可分为彩色波导和灰色波导两种，彩色波导是指其截面尺寸小于光波长的波导，灰色波导是指其截面尺寸与光波长接近的波导。
硅波导通过设计适当的结构，可以实现对光的传输进行调控。
例如，通过改变波导的宽度、高度或层厚等参数，可以调节波导的折射率，从而控制光的传播速度和模式。
此外，还可以引入光栅、阵列波导等结构，进一步对光进行分光、分步和耦合等操作。
三、光的检测：光经过波导的传输到达探测器时，需要被探测器接收并转换成电信号。
常用的硅光探测器有PN结光二极管、内部光电效应器件等。
PN结光二极管是一种利用光电效应实现光电转换的器件，当光照射到PN结上时，光子能量被吸收并激发束缚电子跃迁至导带，产生电流。
这种光二极管具有高速响应、低噪声、高效率等特点，适合用于光通信和光传感应用。
内部光电效应器件是一种新型的光电转换器件，采用了与传统硅探测器不同的结构。
通过在PN结上引入F-P（菲涅耳-普朗克）共振腔或谐振器等结构，实现了对光的增强吸收，并提高了探测器的响应速度和灵敏度。
内部光电效应器件具有高效输出、紧凑结构和宽带特性等优点，适用于高性能光通信系统。
总之，硅光子集成电路的工作原理是在硅材料上通过光的发射、传输和检测等过程，实现光与电的相互转换。
硅波导作为光传输的核心部分，通过设计合理的结构和参数，实现对光的调控和控制。
探测器则将光转换为电信号，并进行相应的处理和分析。
集成电路介绍
集成电路介绍集成电路（Integrated Circuit，简称IC）是一种关键的电子元件，它能够将上千个电子元器件集成在一个芯片上。
集成电路可以说是现代电子行业的核心和支柱，它在计算机、通信、家电、医疗等各个领域发挥着重要作用。
本文将为大家介绍集成电路的原理、分类、制造工艺以及应用方向等内容。
首先，让我们来了解一下集成电路的原理。
集成电路的核心是芯片，而芯片由晶体管、电阻、电容等元件组成，它们通过微细的线路连接在一起，并在一个硅片上完成制作。
芯片中的晶体管是最关键的元件，它能实现电流的控制，从而实现逻辑电路的功能。
通过不同的电流组合，集成电路可以完成各种计算和控制任务，使得我们的设备具备智能、高效的性能。
根据功能的不同，集成电路可以分为数字集成电路和模拟集成电路两类。
数字集成电路主要用于逻辑运算、数字信号处理等领域，它们能够高效地处理大量的二进制数据。
而模拟集成电路则可以实现信号的放大、滤波、混频等功能，广泛应用于音频、视频等领域。
此外，还有混合信号集成电路，它结合了数字和模拟电路的特点，可以处理数字和模拟信号的混合输入输出，使得系统的性能更加出色。
集成电路的制造工艺也是非常重要的。
目前最常见的制造工艺是CMOS工艺（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）。
CMOS工艺利用硅片作为基底，通过一系列工序进行晶体管的制作。
该工艺因为功耗低、集成度高等优点，被广泛应用于各个领域。
除此之外，还有Bipolar、BICMOS等制造工艺，它们在特定的应用场景下具有独特的优势。
集成电路的应用范围非常广泛。
在计算机领域，集成电路是CPU、内存等重要组成部分，它们决定了计算机的运算速度和存储能力。
在通信领域，集成电路被广泛应用于无线通信、卫星通信等系统中，实现了快速、稳定的数据传输。
在家电领域，集成电路使得电视、洗衣机、空调等设备具备了智能控制和效能调节功能。
在医疗领域，集成电路的应用包括医疗器械、医学影像设备等，为医生提供了更加精准、高效的诊疗手段。
集成电路原理
集成电路原理集成电路（Integrated Circuit，简称IC）是一种将晶体管、电阻、电容等元器件，按照一定的电路功能要求，并采用硅片（或其他材料）作为基底集成在一起的微型电子器件。
它的问世彻底改变了电子器件的制造方式，大大提高了电子产品的性能和可靠性。
本文将介绍集成电路的原理及其在现代电子技术中的应用。
一、集成电路的原理1. 半导体材料的特性集成电路中常使用的材料是半导体材料，如硅。
半导体材料的特性是其电导能力介于导体和绝缘体之间。
通过控制半导体材料中杂质的类型和浓度，可以改变其导电性。
当半导体材料中的杂质浓度较高时，形成N型半导体；当杂质浓度较低时，形成P型半导体。
2. PN结的特性将N型半导体和P型半导体相接触形成PN结。
PN结具有整流作用，即在正向偏置电压下形成导通，而在反向偏置电压下形成截止。
这种特性使得PN结成为集成电路中的基本元件。
3. 晶体管的原理晶体管是集成电路中最基本的元件之一。
晶体管分为三种类型：NPN型，PNP型和场效应晶体管。
晶体管的工作原理是通过控制局部区域的电流来调节整个器件的电流。
当基极电流加大时，集控制电极的能量也增加，从而放大输出信号。
4. 逻辑门的设计逻辑门是集成电路中常见的逻辑运算单元，常用的逻辑门有与门、或门、非门等。
逻辑门的设计可以通过将多个晶体管按照一定的连接方式组合而成。
通过逻辑门的组合，可以实现多种复杂的逻辑运算。
二、集成电路在电子技术中的应用1. 数字电路集成电路广泛应用于数字电路领域，如计算机、移动通信等。
数字电路的特点是信号只具有两种状态：高电平和低电平。
集成电路通过逻辑门的设计和组合，可以实现数字信号的处理、存储和传输等功能，从而实现各种计算和通信任务。
2. 模拟电路除了数字电路，集成电路还应用于模拟电路领域。
模拟电路主要处理连续变化的信号。
通过集成电路中的放大器、滤波器等模块，可以实现模拟信号的放大、滤波、调制和解调等功能。
模拟电路广泛应用于音频设备、无线电通信等领域。
集成电路基本原理与分类解析
集成电路基本原理与分类解析集成电路（Integrated Circuit，IC）是指在小型硅片或其他片基上制作成的一个完整的电子电路系统。
它将电子元器件、电子器件和电路元件等封装在一个芯片上，从而实现电子与电路的高度集成。
本文将深入探讨集成电路的基本原理和分类。
一、集成电路的基本原理集成电路的基本原理是基于电子器件和电路元件的工作原理，在片上集成多个功能电路，实现电路的高度集成。
其基本原理主要包括以下几个方面：1.半导体材料的特性：集成电路的制作过程基于半导体材料的特性，例如硅、锗等。
半导体材料的特点在于其导电性介于导体与绝缘体之间，通过控制半导体材料的掺杂和结构，可以实现不同类型的半导体器件。
2.晶体管的应用：晶体管是集成电路中最常用的电子器件之一。
它具有放大、开关和稳定信号等功能，由于晶体管的微小尺寸和高性能，使得集成电路能够实现更高的集成度和更低的功耗。
3.电路设计与布局：集成电路的设计过程中需要考虑电路功能、布局、电性能和功耗等多个方面。
合理的电路设计和布局可以实现电路的稳定性、可靠性和性能优化。
4.工艺制造技术：集成电路的制造过程需要使用先进的工艺制造技术，包括光刻、薄膜沉积、离子注入和扩散、金属沉积、电镀、薄膜蒸镀等。
这些工艺技术能够实现高精度和高可靠性的集成电路制造。
二、集成电路的分类集成电路根据功能和结构的不同，可以分为多种类型。
下面将对常见的集成电路进行分类解析。
1.线性集成电路：线性集成电路主要由放大器和线性元件组成，可以实现信号的放大、滤波、调节和微处理等功能。
常见的线性集成电路有运算放大器、功率放大器和比较器等。
2.数字集成电路：数字集成电路通过逻辑门电路实现数字信号的处理和运算。
它可以将数字逻辑门电路集成在一个芯片上，实现逻辑操作和存储等功能。
其中，常见的数字集成电路有与门、或门、非门、触发器和计数器等。
3.模拟混合集成电路：模拟混合集成电路是将模拟电路和数字电路混合在一起的集成电路。
集成电路的工作原理
集成电路的工作原理导语：集成电路（Integrated Circuit，简称IC）是现代电子技术的重要基础，广泛应用于各个领域。
理解集成电路的工作原理对于深入了解和应用电子技术至关重要。
本文将从几个方面详细介绍集成电路的工作原理。
一、什么是集成电路- 集成电路是一种电子电路，它将多个电子元器件（如晶体管、电容等）集成在一个硅基片上，通过金属线连接这些元器件，形成一个功能完整的电路。
- 集成电路通常分为模拟集成电路和数字集成电路两类，分别用于信号处理和数字计算。
二、集成电路的结构- 集成电路的主要结构包括底座、晶圆、芯片和封装四个部分。
- 底座是固定晶圆的托盘，晶圆是制作芯片的基础，芯片是集成电路的核心，封装是保护芯片并提供引脚连接的外壳。
三、集成电路的制作过程- 集成电路的制作过程可分为晶圆加工和封装测试两个阶段。
- 晶圆加工包括晶圆清洗、扩散、光刻、腐蚀、金属沉积等工艺步骤，以在晶圆上形成所需的电子元器件和导线。
- 封装测试包括将芯片放入封装中，焊接引脚，并对集成电路进行性能和可靠性测试。
四、集成电路的工作原理- 晶体管是集成电路的基础元器件，它由三个控制电极（基极、发射极、集电极）组成。
- 晶体管的工作原理主要基于PN结和电场效应。
- 当基极电压正向偏置时，PN结的压降可以将发射极和集电极之间形成的电场吸引电子从发射极流向集电极，此时晶体管处于导通状态。
- 当基极电压反向偏置或断开时，PN结形成的电场会阻挡电子的流动，此时晶体管处于截止状态。
- 利用晶体管的导通和截止状态，可以实现信号的放大、开关等功能。
五、集成电路的分类- 按集成度可分为大规模集成电路（LSI）、中等规模集成电路（MSI）和小规模集成电路（SSI）三类。
- 按应用领域可分为通用集成电路、专用集成电路和混合集成电路三类。
- 按工艺可分为Bipolar工艺和CMOS工艺两类。
六、集成电路的应用领域- 集成电路广泛应用于计算机、通信、电子消费品、医疗器械、电力系统、汽车等领域。
含硅基换能器的其他多元件集成电路
主题：含硅基换能器的其他多元件集成电路1. 概述含硅基换能器的其他多元件集成电路是一种新型集成电路技术，它结合了硅基换能器和其他多种元件，能够在电子设备中实现更高效、更稳定的性能。
本文将深入探讨含硅基换能器的其他多元件集成电路的原理、应用和未来发展趋势。
2. 含硅基换能器的原理含硅基换能器是一种将电能转换为其他形式能量的器件，它通常由硅基材料制成，能够实现电能和光能、热能等形式之间的相互转换。
在含硅基换能器的其他多元件集成电路中，硅基换能器作为核心元件，与其他多种元件相结合，实现了多种能量的高效转换。
3. 应用领域含硅基换能器的其他多元件集成电路在电子设备中有着广泛的应用。
它可以应用于太阳能电池板、光电器件、热电器件等多种领域，为电子设备提供稳定、高效的能源转换功能。
含硅基换能器的其他多元件集成电路还可以应用于无线充电、能量回收等领域，为智能设备提供更加便捷、高效的能源支持。
4. 技术优势相比传统的集成电路技术，含硅基换能器的其他多元件集成电路具有更高的能量转换效率和稳定性。
由于其采用了硅基材料和先进的集成电路工艺，能够在不同环境条件下实现可靠的能量转换功能。
含硅基换能器的其他多元件集成电路还具有体积小、重量轻、成本低等优点，能够满足现代电子设备对轻便、高效能源支持的需求。
5. 发展趋势含硅基换能器的其他多元件集成电路作为一种新型集成电路技术，有着广阔的发展前景。
随着智能设备市场的不断扩大，对高效能源支持的需求日益增长，这种新型集成电路技术将会得到更多的应用。
在未来，含硅基换能器的其他多元件集成电路将会不断进化，实现更高的能量转换效率和更广泛的应用范围，为电子设备的发展提供强大的动力支持。
6. 结语含硅基换能器的其他多元件集成电路是一种具有巨大潜力的集成电路技术，它能够为电子设备提供稳定、高效的能源支持。
随着技术的不断进步和应用范围的拓展，相信这种新型集成电路技术将会在未来发挥更加重要的作用，推动电子设备的发展迈向更加智能化、高效化的方向。
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张帆扬帆☆逐月第一章(1)Si具有哪种晶格结构,常温下带隙值为多大<1>金刚石结构属于面心立方<2>常温下带隙值为1.1242eV(2)浅能级杂质的定义，哪个主族的元素掺入Si中能形成n型浅能级杂质？哪个主族的元素掺入Si中能形成p 型浅能级杂质？P16<1>硅晶中的III族元素和VI族元素杂质，它们作为受主和施主时，其电离能的大小并不一样，但有一个共同的特点，就是电离能与禁带宽度相比都非常小。
这些杂质所形成能级在禁带中很靠近价带顶和导带底，我们称这样的杂质能级为浅能级杂质。
<2>VI族元素<3>III族元素(3)深能级杂质的定义，说明深能级杂质和缺陷的作用有哪些？<1>一些掺杂半导体中的杂质或缺陷在带隙中引入的能级较深，被称为深能级杂质。
一般情况下深能级杂质大多为多重能级<2>1) 可以成为有效复合中心，大大降低载流子的寿命；2) 可以成为非辐射复合中心，影响半导体的发光效率；3) 可以作为补偿杂质，大大提高半导体材料的电阻率。
(4)能够计算Si\Ge的体原子密度和线密度.<1>原子密度＝晶胞中包含原子个数/晶胞体积硅晶体中的原子密度为：8/a3=5*1022/cm3锗晶体中的原子密度为：Ge=4.42*1022/cm3<2>线密度：(5)拉Si单晶的方法有哪些?<1>直拉法（Czochralski法) <2>区域熔融法（Floating Zone法）(6)点缺陷的种类有哪些?线缺陷有哪些?自间隙原子、空位、肖特基缺陷、<1>点缺陷弗伦克尔缺陷外来原子缺陷（替位或间隙式）<2>线缺陷：刃位错，螺位错第二章热氧化制备SiO2主要有哪三种,各种方法的制备速度和制备质量如何?☐网络形成者的概念P24<1>可以替代SiO2网络中硅的杂质，也就是能代替Si-O四面体中心的硅、并能与氧形成网络的杂质，称为网络形成者。
☐能够阐述热氧化的基本过程?<1>氧化剂扩散穿过附面层到达气体－SiO2表面（F1）<2>氧化剂扩散穿过SiO2层到达SiO2-Si表面（F2）<3>氧化剂在Si表面反应生成SiO2（F3）<4>反应的副产物离开界面第三章☐杂质在Si中的扩散方式可以分为哪两大类?,哪种更容易进行?<1>张帆扬帆☆逐月（1）间隙式杂质：存在于晶格间隙的杂质。
以间隙形式存在于硅中的杂质，主要是那些半径较小、不容易和硅原子键合的原子。
间隙式扩散：间隙式杂质从一个间隙位置到另一个间隙位置的运动称为间隙式扩散。
间隙式杂质在硅晶体中的扩散运动主要是间隙式扩散。
（2）替位式扩散：替位杂质从一个晶格位置扩散到另一个晶格位置。
替位杂质的运动比间隙杂质更为困难，首先要在近邻出现空位，同时还要依靠热涨落获得大于势垒高度W的能量才能实现替位运动。
s<2>间隙式第四章注入离子在靶内的能量损失分为哪两个彼此独立的过程 ?在低能区和中能区各是哪种能量损失过程起作用？张帆扬帆☆逐月<1>核碰撞（核阻止）和电子碰撞（电子阻止）<2>能量较低，质量较大的离子，主要是通过核阻止损失能量能量中等：核阻止本领和电子阻止本领同等重要，必须同时考虑能量较高，质量较小的离子，主要是通过电子阻止损失能量☐如何消除晶格损伤热退火方法☐简述注入离子与靶内原子碰撞会发生的3种情况。
对靶材料质量有何影响 ?<1><2>对靶材料质量有何影响：级联碰撞的结果会使大量的靶原子移位，产生大量的空位和间隙原子，形成损伤。
当级联碰撞密度不太大时，只产生孤立的、分开的点缺陷，为简单晶格损伤。
如果级联碰撞的密度很高时，缺陷区就会互相重叠，加重损伤程度，甚至使注入区域的晶体结构完全受到破坏，变为非晶区。
☐热退火的定义,热退火的目的,<1>将注入离子的硅片在一定温度和氛围下，进行适当时间的热处理的过程。
<2>减少或消除硅片中的晶格损伤，恢复其少子寿命和迁移率；使掺入的杂质进入晶格位置，实现一定比例的电激活。
☐沟道效应的定义对晶体靶进行离子注入时，当离子注入的方向与靶晶体的某个晶向平行时，将很少受到核碰撞，离子将沿沟道运动，注入深度很深。
为了避免沟道效应，可使晶体的主轴方向偏离注入方向，使之呈现无定形状态，会发生大量碰撞张帆扬帆☆逐月第五章☐物理气相淀积最基本的技术是哪两种?哪种台阶覆盖能力好?<1>真空蒸发法（Evaporation）和溅射（sputtering）<1>溅射（sputtering）☐物理气相淀积的概念PVD:利用某种物理过程实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜☐具有能量的离子打到材料表面，具有哪四种情况 ?<1>很低能量的离子简单反弹；<2>能量小于10eV的离子会吸附于表面，并以声子（热）释放能量；<3>能量介于10eV到10keV时，能量传递，发生溅射过程，逸出的原子一般具有10－50eV的能量，远大于蒸发原子；<4>能量大于10keV时，离子注入过程；☐真空蒸发需要经过哪3个基本过程？P116<1>加热蒸发过程<2>气相输运过程<3>表面淀积过程☐为什么溅射法制备的薄膜的台阶覆盖性能比真空蒸发法制备的要好？（李老师课件）<1>入射过程中入射离子与靶材之间有很大的能量传递，因而溅射出的原子具有较大的动能（10-50eV），而真空蒸发过程中原子所获得的动能一般只有0.1-0.2eV左右，因此溅射法的台阶覆盖能力和附着力都比真空蒸发要好，同时辐射缺陷远小于电子束蒸发，制作复合材料和合金膜时性能更好，是大多数硅基工艺PVD的最佳选择。
张帆扬帆☆逐月第六章☐化学气相淀积的定义把含有构成薄膜元素的气态反应剂或者液态反应剂的蒸气，以合理的流速引入反应室，并以某种方式激活后在衬底表面发生化学反应并在淀积成膜的一种方法。
☐能用于CVD的化学反应必须满足的条件?<1>淀积温度下，反应剂必须具备足够高的蒸气压；<2>除淀积物外，反应的其他产物必须是挥发性的；<3>淀积物本身必须具有足够低的蒸气压；<4>化学反应速率必须足够快以缩短淀积时间；<5>淀积温度必须足够低以避免对先前工艺产生影响；<6>化学反应应该发生在被加热的衬底表面，如果在气相发生化学反应，将导致过早核化，降低薄膜的着性和密度，增加缺陷。
☐能够阐述CVD的基本过程<1>反应剂在主气流中的输送；<2>反应剂从主气流中扩散通过边界层到达衬底表面；<3>反应剂在表面被吸附；<4>吸附的反应剂在表面发生反应，淀积成膜；<5>反应的副产物和未反应剂离开衬底表面，排除。
☐气缺现象的定义气缺现象是指当气体反应剂被消耗而出现的反应剂浓度改变的现象。
☐常用的CVD系统有哪几种?<1>APCVD系统（Atmospheric Pressure CVD）<2>LPCVD系统（Low Pressure CVD）<3>PECVD系统（Plasma Enhanced CVD）☐在化学气相积过程中，液态源的输送方式有哪三种?<1>冒泡法（温度）<2>加热液态源<3>液态源直接注入法☐能够进行掺杂的方式有哪3种?扩散、离子注入、原位掺杂：杂质原子在薄膜淀积的同时被掺杂到薄膜中。
在大多数应用中，是通过扩散或离子注入实现掺杂。
张帆扬帆☆逐月第七章☐外延的定义P182前2行在集成工艺电路中，外延是指在单晶衬底（如硅片）上、按衬底晶向生长单晶薄膜的工艺过程。
☐根据衬底和外延层材料的差异,外延可以分为哪两类？P182同质外延、异质外延☐根据向衬底输送原子的方式，外延生长分为哪三种类型?P182气相外延(VPE)、液相外延(LPE)、固相外延(SPE)☐在外延过程中进行原位掺杂，哪些效应能够影响到外延层中杂质的分布?扩散效应和自掺杂效应扩散效应：衬底中的杂质与外延层中的杂质，在外延生长时互相扩散，引起衬底与外延层界面附近的杂质浓度缓慢变化。
☐自掺杂效应的定义P192在外延生长过程中，衬底和外延层中的杂质因热蒸发、或者因化学反应的副产物对衬底或外延层的腐蚀，都会使衬底和（或）外延层中的杂质进入到边界层中，改变了边界层中的参杂成分和浓度，从而导致了外延层中杂质的实际分布偏离理想情况，这种现象称为自参杂效应。
自掺杂效应是汽相外延的本质特征，不可能完全避免。
☐简要解释SOI，说明SOI技术的主要特点（优势）<1>SOI是指在绝缘衬底上进行硅的异质外延。
优点P199☐选择性外延的概念，哪些原因导致外延过程中具有选择性<1>选择性外延是指利用外延生长的基本原理，以及硅在绝缘体上很难核化成膜的特性，在硅表面的特点区域生长外延层而其他区域不生长的技术。
<2>P197☐能够阐述外延Si过程中,外延生长速率与温度的关系,低温区和高温区各是哪种机制在起控制作用?<1>P187----P188<2>高温区：质量运输或者扩散控制过程。
低温区：表面化学反应速率或者反应化学动力学控制实际外延温度是选在高温区：在高温区外延，表面Si原子有足够的能量和迁移能力，运动到扭转的位置，易生成单晶。
☐先进的CMOS电路和双极型电路大都制作在外延层上（李老师课件能找到）P182优点第八章☐光刻的七个工艺步骤是哪七个?涂胶→前烘→曝光→显影→后烘→刻蚀→去胶☐涂胶的目的?涂胶过程中,光刻胶膜厚的决定因素是哪两个?<1>目的：形成厚度均匀、附着力强、没有缺陷的光刻胶薄膜<2>光刻胶本身的黏性甩胶时间、速度☐前烘的目的?<1>使胶膜内溶剂充分挥发，干燥，降低灰尘污染<2>增加胶膜与下层膜的黏附性及耐磨性<3>区分曝光区和未曝光区的溶解速度☐分辨率的定义?定义：分辨率R表示每mm内能刻蚀出可分辨的最多线条数，即每mm内包含有多少可分辨的线对数☐ 光刻胶的组成成分?<1>聚合物材料（树脂）：保证光刻胶的附着性和抗腐蚀性及其他特性，同时也决定了光刻胶薄膜的其他物理特性；<2>感光材料（PAC ）：受光辐照后会发生化学反应，控制或调整光化学反应，决定着曝光时间和剂量；<3>溶剂：将树脂溶解为液体，使之易于涂覆；<4>添加剂：染色剂（增加光吸收能力）等。