VMOS场效应管基础知识及检测方法
VMOS场效应管的参数型号检测及制作小功放电路
VMOS场效应管的参数型号检测及制作小功放电路VMOS场效应管的参数型号检测及制作小功放VMOS场效应管既有电子管的优点又有晶体管的优点，用它制作的功率放大器声音醇厚、甜美，动态范围大、频率响应好，因此近年来在音响设备中得到了广泛应用。
大功率的场效应管功率放大器，电．路比较复杂，制作和调试难度也较大，并且．成本也很高，所以不太适合初学者制作。
下面介绍的这款VMOS场效应管小功放，电路非常简单，制作调试也很容易，十分适合初学的爱好者。
只要所用元器件良好，电路·焊接正确，就可一举成功，并且音质也相当不错。
本机的缺点是输出功率略显小了一点（约3W~4W），但用作MP4/ target=_blank class=infotextkey>MP3、手机等数码音乐的播放还是非常适用的。
电路圈只画出一个声道，另一声道完全相同，电源部分共用。
一．电路简介电路见附图，输出级采用典型的单端甲类放大电路，由于在输人信号的全部范围内，甲类放大器都处于线性区，同时单端放大器不存在对称问题，所以非线性失真极小。
因为场效应管是电压控制器件，输出级所需要的推动功率较小，所以推动级也很简单，由一只结型场效应管担任。
功率输出端通过输出变压器耦台输出，音乐韵味和电子管功放相似。
二、场效应管的检测在业余条件下，爱好者可以用指针式万能表的电阻挡对管子作简单的测试，粗略判断管子的好坏。
BG1结型场效应管采用3DJ6、3DJ7等，测试时用RxlK或R×100Ω挡测量栅极与源极、栅极与漏极的正反向电阻，正向阻值都应在SkΩ—lOkΩ左右，反向阻值应无穷大。
测量源极与漏极电阻，正反向阻值应对称，当人手靠近栅极时，有感应现象，表针摆动；感应越大，说明跨导越大。
源极和漏极可以互换使用。
BG2VMOS场效应管采用V40AT、VN66AF、IRF132、2SK134等，当测量栅极与源极或者栅极与漏极之间的正反向电阻时，阻值均应无穷大，依此可先找到栅极。
检测MOS管五种方法
检测MOS管五种⽅法MOS管是⾦属—氧化物-半导体场效应晶体管，或者称是⾦属—绝缘体—半导体。
MOS管因导通压降下，导通电阻⼩，栅极驱动不需要电流，损耗⼩，价格便宜等优点在电⼦⾏业深受⼈们的喜爱与追捧。
但是⼀些⼚商的技术不成熟导致MOS管市场良莠不齐。
那么如何对MOS 管进⾏检测呢？华碧实验室为⼤家分享检测MOS管的5种⽅法。
⼀、⽤测电阻法判别MOS管的电极根据MOS管的PN结正、反向电阻值不⼀样的现象，可以判别出MOS管的三个电极。
具体⽅法：将万⽤表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。
当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为⼏千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。
因为对MOS管⽽⾔，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。
也可以将万⽤表的⿊表笔(红表笔也⾏)任意接触⼀个电极，另⼀只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。
当出现两次测得的电阻值近似相等时，则⿊表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。
若两次测出的电阻值均很⼤，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且⿊表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很⼩，说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管，⿊表笔接的也是栅极。
若不出现上述情况，可以调换⿊、红表笔按上述⽅法进⾏测试，直到判别出栅极为⽌。
⼆、⽤测电阻法判别MOS管的好坏测电阻法检测MOS管是⽤万⽤表测量MOS管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同MOS管⼿册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
具体⽅法：⾸先将万⽤表置于R×10或R×100档，测量源极S与漏极D之间的电阻，通常在⼏⼗欧到⼏千欧范围(在⼿册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的)，如果测得阻值⼤于正常值，可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是⽆穷⼤，可能是内部断极。
然后把万⽤表置于R×10k档，再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为⽆穷⼤，则说明管是正常的;若测得上述各阻值太⼩或为通路，则说明管是坏的。
VMOS场效应管
VMOS场效应管VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V 型槽MOS场效应管。
它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。
它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108Ω）、驱动电流小（0.1μA 左右），还具有耐压高（最高可耐压1200V）、工作电流大（1.5A～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。
正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。
众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大致处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。
VMOS管则不同，其两大结构特点：第一，金属栅极采用V型槽结构；第二，具有垂直导电性。
由于漏极是从芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N+区（源极S）出发，经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区，最后垂直向下到达漏极D。
因为流通截面积增大，所以能通过大电流。
由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。
VMOS场效应管的检测方法（1）判定栅极G将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。
若发现某脚与其它两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G 极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。
（2）判定源极S、漏极D在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。
用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑笔的是S极，红笔接D极。
（3）测量漏-源通态电阻RDS（on）将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。
由于测试条件不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。
例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS （on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。
用万用表测量场效应管
用万用表测量场效应管用万用表测量（试）vmos功率场效应管1、判断引脚极性（电极）万用表复置r×1k档，分别测试三个电极间的阻值，如果其中—脚与另两脚间的电阻为无穷大，且互换表笔测试仍—样．表明这—脚为栅极g。
由图1(b)可以窥见，源、漏极之间相等于一个pn结，测量其正、逆向电阻，以阻值较小(约几千欧)的那次为依据，白表笔接的是源极(p型)s，白表笔直奔的就是漏极(n型)d，对n导线vmos管推论恰好相反。
通常vmos管曲面极d与外壳(或散热片)就是连在一起的，这就是更容易区分凿、源两电极了。
图1vmos功率场效应管外形及内部结构示意图①万Weinreb复置r×1k档，先短路一下栅－源极，泄压下栅极上感应器的电荷，然后用黑表笔接s，白表笔接d，例如测到的阻值在几千欧，再短接—之下g、s后互换表笔测得阻值为无穷大，表明管子凿、源极间pn结是不好的。
②用导线将g、s短路起来，万用表置r×1档，黑表笔接s，红表笔接d，如测得的阻值在几欧姆，说明管子是好的，并且阻值越小，还说明管子的放大能力越强。
其判断理由是：将g、s极短路并用黑表笔接源极s时，就相当于给栅极加上了正偏压，这个正电压产生的电场会把源极n+型和p沟道区内的电子吸附到氧化膜的表面，从而分离出大量的空穴参予导电，使电流剧增，电阻减小。
③万用表复置r×10档，分别测量g－s、g－d极间的两极向电阻，如果都为无穷大，表明管于是不好的，否则表明栅极与漏、源极间存有漏电或者打穿损毁。
对于n导线管互换表笔测试即可。
3、放大能力（跨导）的测量vmos管及的压缩能力(跨导)的测量可以参照《绝缘栅场效应管的测量》一文中关于mos管压缩能力的测试方法。
如何测试判断场效应管好坏？
如何测试判断场效应管好坏？1、场效应管的检测方法：把数字万用表打到二极管档，用两表笔任意触碰场效应管的三只引脚，好的场效应管在量测的时候只应有一次有读数，而且数值在300--800左右，2、如果在最终测量结果中测的只有一次有读数，并且为0时须万用表短接场效应管的引脚，3、重新测量一次，若又测得一组为300--800左右读数时此管也为好管。
4、将万用表开到二极管档，用万用表的两个表笔量测D、S极和G、S极，看看两极之间的读数是不是很小，如果这个值在50以下，则可以判断为这个效应管已经被击穿场效应管（Field Effect Transistor）又称场效应晶体管，是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。
由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管，[1]它属于电压控制型半导体器件。
主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属- 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。
场效应管具有输入电阻高（10 7～10 15Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。
（1）场效应管是电压控制器件，它通过V GS(栅源电压)来控制I D（漏极电流）；（2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（10 7～10 12Ω）很大。
（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；（5）场效应管的抗辐射能力强；（6）由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。
更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。
场效应管实用知识及检测
3、直流输入电阻
直流输入电阻RGS是指在栅源间所加的电压UGS与栅极电流的比值。结型场效应管RGS 可达到几千兆欧姆的阻值，而绝缘场效应管的直流输入电阻 RGS可超过几千万兆欧姆的 阻值。
4、饱和漏电流
饱和漏电流是指在耗尽型场效应管中，当栅源间电压 UGS为0，漏源电压UDS足够大， 漏极电流的饱和值称为饱和漏电流。
场效应管的代换方法
场效应管凭借其功耗低、性能稳定、抗辐射能力强和制造工艺相对简单等优势， 在大规模和超大规模集成电路中被广泛应用。 选用场效应管之前要先了解场效应管和电路设计的相关参数，才能进行匹配。电 路中选用的场效应管不能超过场效应管的最大耗散功率、漏源击穿电压、栅源击穿电 压和最大漏源电流等参数的极限值。其他相关参数也应该符合相关要求，才可以选用。 代换场效应管时，要求选用相同类别，参数相同或相近的场效应管进行代换。 N沟 道场效应管要选用N沟道场效应管进行代换，P 沟道场效应管要选用P沟道场效应管进 行代换，两者不可以混淆，而且不仅要类型相同，在相关参数、引脚极性和外形等方 面也要做到相同或者相近，才可以进行代换。
8、最大漏源电流
最大漏源电流是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流，因此这也是一个 极限参数，如果漏源间电流过大，场效应管会烧毁。
9、最大耗散功率
也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场 效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。 最大耗散功率是指场效应管在性能不衰减时所允许的最大漏源耗散功率，它是一个极限参数。其 UDS为600V，IG为6A，PDS为100W。
场效应管的主要性能参数
5、漏源击穿电压
漏源击穿电压是指栅源电压一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压，这个电 压就称为漏源击穿电压。这是一项极限参数。
场效应管基础知识——很全
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。
一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。
它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108W～109W）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
一、场效应管的分类场效应管分结型、绝缘栅型两大类。
结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。
目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS 场效应管、VMOS功率模块等。
按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。
若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。
结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。
而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
见下图。
二、场效应晶体管的型号命名方法现行场效应管有两种命名方法。
第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。
第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。
例如,3DJ6D 是结型N沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。
第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。
例如CS14A、CS45G等。
三、场效应管的参数1、IDSS —饱和漏源电流。
VMOS场效应管
VMOS场效应管 3、特性曲线及主要参数 注意其纵轴漏极电流iD的单位是安培，横轴漏-源极电压uDS也 较高，达100伏，因此有较大的功率。
除了耗散功率大以外， VMOS管的另一个特点是， 当漏极电流大于某个值（例 如 500mA ） 以 后 ， iD 与 uDS 基本呈线性关系。N沟道 MOS管的特性曲线，其漏极 电流iD与漏-源极电压uDS的 关系是平方关系。
VMOS场效应管
2、工原理
与N沟道增强型MOS管的情况类似，在栅极-源极之间加正电 压，当这一电压UGS大于某一电压（称为开启电压UGS(th)）时， 栅极带正电荷，排斥P区的空穴，并吸引电子，在P区靠近V 型槽氧化层表面的地方会形成反型层为VMOS管的导电沟道。 栅极电压通过导电沟道的调节控制漏极电流，于是就实现了栅 极电压对于漏极电流的控制。
VMOS管的主要参数有开启电压、漏源击穿电压、最大漏 极耗散功率等，其定义和前面介绍的MOS管一样。
模拟电子技术
模拟电子技术
VMOS场效应管 VMOS场效应管是垂直导电型功率场效应管的简称。VMOS 管既具有MOS结构的优点，又有很高的输出功率，其输出电 流可以达到几千安培，是当前应用十分广泛的功率场效应管 1之、一V。MOS管的结构
它以高掺杂的N+型硅衬底为漏极D。P型区和N+型区都是环 状的，所引出的电极为源极S。用酸腐蚀掉图中虚线划出的部 分，形成V型槽，在V型槽上生长一层绝缘层（SiO2层），再 覆盖一层金属，引出电极作为栅极G。
VMOS场效应管
VMOS管与N沟道增强型MOS管比较
VMOS管从原理上看，也是利用栅极的正电压形成电子组成 的反型层作为导电沟道，栅极电压通过导电沟道的调节控制漏 极电流，这和N沟道增强型MOS管相同 不同的是N沟道增强型MOS管的导电沟道沿着衬底的表面， 是很薄的一层，因此通过的电流比较小；VMOS管的导电沟 道沿垂直方向，能流过很大的电流，而且漏极从N+型衬底引 出，散热面积大，便于安装散热器，其耗散功率最大可以达到 几千瓦。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
VMOS场效应管基础知识及检测方法
VMOS（Vertical Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，垂直金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种特殊的场效
应晶体管。
与传统的MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）相比，VMOS的结构更加紧凑，具有更高的功率密度和更低的开通电阻。
本文将
介绍VMOS场效应管的基础知识和检测方法。
一、VMOS场效应管的基础知识
1.结构与工作原理
2.优点与应用
3.特征参数
二、VMOS场效应管的检测方法
1.静态参数测量
静态参数是指在没有交流信号作用下，对场效应管进行直流参数测量
的过程。
-零门源电流（IDSS）：将栅极与源极短接，通过漏极施加一定的电压，可以测量到的漏极电流即为零门源电流。
其值越大，场效应管的增益
越高。
-零栅源电压漏极电流（IGSS）：在零栅源电压下，测量出的漏极电
流即为零栅源电压漏极电流。
其值越小，场效应管的绝缘性能越好。
-耗散功率（PD）：在一定的漏源电压下，测量出的场效应管的耗散
功率。
其值应小于最大耗散功率，以保证场效应管的安全工作。
-开通电阻和关断电阻：通过测量开通电压和电流，关断电压和电流，可以计算出场效应管的开通电阻和关断电阻。
开通电阻应尽可能小，关断
电阻应尽可能大。
2.动态参数测量
动态参数是指在有交流信号作用下，对场效应管进行参数测量的过程。
动态参数测量通常需要示波器等测试仪器，以下是几个常用的动态参数测
量方法：
-开通和关断时间：通过示波器观察开通时间和关断时间，可以评估
场效应管的开关速度。
-频率响应：通过给场效应管施加一定频率的信号，测量输出的电压
和电流，可以评估场效应管的频率响应能力。
-功率增益：通过测量输入和输出的电压和电流，可以计算功率增益，评估场效应管的放大能力和功率损耗。
总结起来，VMOS场效应管的检测方法包括静态参数测量和动态参数
测量。
静态参数测量主要包括零门源电流、零栅源电压漏极电流、耗散功
率以及开通电阻和关断电阻的测量。
而动态参数测量主要包括开通和关断
时间、频率响应以及功率增益的测量。
这些测量方法可以帮助工程师评估
场效应管的性能和特点，从而选取合适的器件进行应用。