英飞凌推出第二代SiC肖特基二极管
1200V Z-Rec碳化硅肖特基二极管
1200V Z-Rec碳化硅肖特基二极管
佚名
【期刊名称】《今日电子》
【年(卷),期】2011(000)011
【摘要】1200V Z—Rec碳化硅肖特基二极管产品均采用行业标准的TO-252 D—Pak表面贴装封装，提供额定电流分别为2A，5A，8A和10A的表面贴装器件。
【总页数】1页(P65-65)
【正文语种】中文
【中图分类】TN311.7
【相关文献】
1.科锐新型1,200V Z-Rec碳化硅肖特基二极管系列以更低的成本为功率转换应用带来更高的性能 [J],
2.三菱电机全新发布1200V碳化硅肖特基二极管 [J], ;
3.三菱电机全新发布1200V碳化硅肖特基二极管 [J], ;
4.重离子辐照1200V碳化硅二极管漏电退化的缺陷分析 [J], 曹爽; 于庆奎; 郑雪峰; 常雪婷; 王贺; 孙毅; 梅博; 张洪伟; 唐民
5.1200V 40A碳化硅肖特基二极管设计 [J], 汪玲;黄润华;刘奥;陈刚;柏松
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英飞凌最新碳化硅二极管 在高性能开关电源及太阳能逆变器中的应用
2014-07-28
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太阳能三电平逆变器 –I字型
主要特点:
1). 谐波含量低 2).每个开关周期只有两个开关管在回路中，所以导通损耗低 3). Q1- Q4只需要 600V耐压器件
600V 碳化硅二极管
第二代(2005) 特点 好处 电气参数 目标应用 Merged pn-junction 抗冲击电流能力强 Vf 小 第三代 (2009) 扩散法焊接工艺 抗冲击电流能力强 热阻Rth,JC小 Qc小
高开关频率 低开关频率 关注大负载效率的应用场合 关注轻载效率的应用场合
扩散法焊接工艺 (已申请专利)
With respect to diode, migration to 5 Gen would permit: From G3 ÆG5:
¬ Performance gain in high load.
97 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
Output Power [% Nominal]
DUT
连续控制模式, 230Vac输入 Pmax=1800 W, fSW=65 kHz Theat Sink=60°C MOSFET: 600V CP CoolMOS 75mOhm IPW60R075CP (Rg=5 Ohm).
Gen G5 G2 G3
Device (TO-220) IDH08G65C5 IDH08S60C IDH08SG60C
Chip Diffusion soldering
40 35 30
SiC diode forward characteristics
肖特基产品芯片制造基础知识
肖特基产品芯⽚制造基础知识肖特基⼆极管芯⽚制造主要内容肖特基产品简介肖特基芯⽚⽣产流程简介肖特基⼆极管简介⼆极管介绍肖特基⼆极管类型肖特基⼆极管特点肖特基⼆极管应⽤肖特基⼆极管主要参数⼆极管⼆极管，是⼀种具有两个电极，只允许电流由单⼀⽅向流过的电⼦元器件。
⼆极管所具备的单向导电的功能，通常称之为“整流”功能。
在⼆极管两端加上正向电压时，电流可以通过⼆极管（导通）。
反之，在⼆极管两端加上反向电压时，电流⽆法通过⼆极管（阻断）。
因此，⼆极管可以想成电⼦版的逆⽌阀。
⼆极管类型按照所⽤的半导体材料分类：锗⼆极管和硅⼆极管，近些年⼜有新的砷化镓、氮化镓和碳化硅⼆极管。
按照⽤途分类：检波⼆极管、整流⼆极管、稳压⼆极管、开关⼆极管、隔离⼆极管、肖特基⼆极管、发光⼆极管、硅功率开关⼆极管、旋转⼆极管等。
按照管芯结构分类：点接触型⼆极管、⾯接触型⼆极管、平⾯型⼆极管、沟槽型⼆极管。
肖特基⼆极管肖特基⼆极管是利⽤⾦属与半导体接触形成的⾦属－半导体结原理制作的⼆极管，以其发明⼈肖特基博⼠（Schottky）命名的。
SBD是肖特基势垒⼆极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。
肖特基⼆极管类型肖特基芯⽚，根据不同的应⽤领域，通过封装加⼯成不同形式的成品器件，以满⾜各种终端客户的应⽤需要。
主要的封装形式有贴⽚式和引线式。
肖特基⼆极管类型肖特基与普通整流⼆极管区别肖特基⼆极管特点正向压降低：由于肖特基势垒⾼度低于PN结势垒⾼度，故其正向导通和正向压降都⽐PN结⼆极管低⾼频特性好：SBD是⼀种多数载流⼦导电器件，不存在少数载流⼦寿命和反向恢复问题。
由于SBD的反向恢复电荷⾮常少，故开关速度⾮常快，开关损耗也特别⼩，尤其适合于⾼频应⽤。
反向电压低：由于受材料限制，⼀般电压200V以下，普通整流⼆极管可做到1000V，但⽬前新型的碳化硅肖特基已做到1200V。
反向漏电流⼤：肖特基⼆极管漏电⼀般是uA级别，⽐普通整流⼆极管⼤⼏⼗甚⾄⼏百倍以上。
S1_03_英飞凌单管IGBT_,_Si二极管_,_SiC二极管1200V以及相关应用
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英飞凌单管IGBT：总览
1200V 1200/1350V
IFX T2
IFX H3 / RC-H5
600/650V 600V
Non SC rated IFX L5
IFX TRENCHSTOP DPAK IFX RC-D/DF
Vcemax [V] 600 Single IGBT 650 IDC @ 100°C [A] 40 60 90 7 10 15 20 30 40 50 60 90 160 15 40 50 60 90 160 TO-262 TO-251 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . D-PAK . . . IRGR4607D IRGR4610D . . . . . . . . . . . . . . D2PAK . . . IRGS4607D IRGS4610D IRGS4615D IRGS4620D IRGS4630D IRGS4640D . . . . IRGS4715D . . . . . TO-220 . . . IRGB4607D IRGB4610D IRGB4615D IRGB4620D IRGB4630D IRGB4640D . . . . IRGB4715D . . . . . TO-220 FullPak . . . IRGIB4607D IRGIB4610D IRGIB4615D IRGIB4620D IRGIB4630D IRGIB4640D . . . . . . . . . . TO-247-3 IRGP4640 IRGP4760 IRGP4790 . . . IRGP4620D IRGP4630D IRGP4640D IRGP4650D IRGP4660D IRGP4690D . . IRGP4740D IRGP4750D IRGP4760D IRGP4790D . TO-247 TO-247-PLUS (Long Lead) (Super247) IRGP4640-E IRGP4760-E IRGP4790-E . . .
英飞凌推出采用超小型SOT23封装的高精度高能效TLE496x霍尔传感器
稳压器也非常适合在汽车环境 中工作 ，能承受电池 传感器。 全新 Ｔ Ｌ Ｅ ４ ９ ６ ｘ 传感器提供全球最小的霍尔 反接情况 、 ＋ ４ ３ Ｖ负载突降瞬变和双 电池跳 接起动 传感器封装 （ Ｓ Ｏ Ｔ ２ ３ ） 。 该产品以英飞凌开发的全新 （ ｊ ｕ ｍ ｐ ｓ ｔ ａ ｒ ｔ ） 。 这种鲁棒性有助于在恶劣环境中实现
集成的、 不会 过 时的解 决方 案 。 （ 来 自欧胜微 电子 ）
ＭＣ Ｐ ２ ０ ５ ０ Ｌ Ｉ Ｎ系 统基 础 芯 片
Ｐ Ｉ Ｃ １ ６ Ｆ １ ８ ２ ９ Ｌ Ｉ Ｎ系统 级封 装 （ Ｓ ｉ Ｐ） ，扩 大 了其 Ｌ Ｉ Ｎ
产品组合。这些器件包括稳压器 、窗式看门狗定时
器、 电池监视器输 出和 Ｍ Ｃ Ｕ等高集成选项。此外 ，
调。其 同步 ｓ ｕＭ ｂ ｕ ｓ ＠和 Ｉ ２ Ｓ接 口功能为原始设备
制造商 （ Ｏ Ｅ Ｍ） 提 供 了平 台架 构 灵 活 性 ， 可 支Ｓ Ｐ ） ， 并确保 了同一音 频解决方案可以在任何平台上重复使用而无需考虑 音频接 口； 这节省了开发成本和时间， 并提供了易于
Ｔ Ｌ Ｅ ４ ９ ６ ｘ家族 的典 型应 用为 位置 感 测 、无刷 电 ８位 和 ｌ ６位 Ｐ Ｉ Ｃ ￣ 单 片机 。增 强 型 Ｕ Ｓ Ａ Ｒ Ｔ外 设 能
机换相和指数计算。Ｔ Ｌ Ｅ ４ ９ ６ ｘ 单／ 双极开关或锁存 够方便地连接到 Ｌ Ｉ Ｎ物理层收发器和 Ｓ Ｂ Ｃ 。无论是 器可用于 电动车窗 、 天窗 、 后备箱锁 、 雨刷器 、 安全 Ｓ ｉ Ｐ还是独立解决方案 ， Ｍ ｉ ｃ ｒ ｏ ｃ ｈ ｉ ｐ 的Ｘ Ｌ Ｐ ＭＣ Ｕ低至
０ ． ３ ５ ｍ工艺技术为基础 。 凭借这种全新技术 ， 英飞 可靠通信 ，高集成度在节省空间的同时也降低了成 凌现在可使霍尔传感器在超小封装内具备不同的磁 本 和复 杂性 。 开关阈值。这不仅可实现极低的 电流消耗 （ 不到
肖特基二极管晶圆
肖特基二极管晶圆是一种特殊的半导体材料，主要用于制造肖特基二极管。
肖特基二极管是一种单向电子元件，通常用于整流、信号放大和开关等应用。
由于其具有高速、低功耗、大电流等优点，因此在许多电子设备中得到广泛应用。
肖特基二极管晶圆的选择对于制造出的二极管性能具有至关重要的影响。
高质量的晶圆具有高度的均匀性和纯净度，能够确保制造出的二极管具有稳定的性能和可靠性。
此外，晶圆的尺寸和形状也会影响二极管的性能和制造过程。
在制造肖特基二极管时，通常需要将晶圆切割成较小的芯片，并进行一系列的加工和封装过程。
这些过程包括金属化、焊接、封装等，都需要精确控制以确保最终产品的性能和质量。
总之，肖特基二极管晶圆是制造高性能肖特基二极管的关键材料之一，其质量和加工过程都会直接影响最终产品的性能和应用。
因此，在选择和使用肖特基二极管晶圆时，需要特别注意其质量和可靠性。
“黑马”泰科天润
“黑马”泰科天润作者：刘超来源：《新材料产业》 2014年第3期本刊记者/ 刘超2014年1月20日，泰科天润半导体科技(北京)有限公司（以下简称“泰科天润”）碳化硅（SiC）肖特基二极管产品鉴定会暨新产品信息发布会在北京举行。
这是国内第一次实现碳化硅大功率器件的批量生产，在以欧、美、日为主导的半导体领域中打开了关键突破口，标志着中国首款商业化第3代半导体肖特基二极管成功推向市场。
与此同时，泰科天润这家成立近3年的公司也“横空出世”，成为资本、市场、媒体追逐的一匹“黑马”。
改变世界的新材料几十年来，基于硅材料的功率半导体器件得到长足发展。
不过，硅材料本身物理特性的局限性开始越来越明显地限制电力电子器件性能的提高，其局限性的物理机理是：基于给定的芯片面积，单极性器件的导通电阻大约与击穿电压的2.5次方成正比，限制了其在光电子和高频高功率器件上的应用。
因此，产业界对能够替代硅材料，适应拥有更好的光电性能、功率性能等的新一代半导体材料的需求越来越强烈，从基础研究领域逐步传递到了产业层面，相关器件、甚至模块的研究在产业内迅速开展。
其中，以SiC为主要代表的第3代半导体材料及器件开始受到大力的追捧。
所谓第3代半导体材料，主要包括SiC、氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）、氧化锌（ZnO）和金刚石。
与第1代和第2代半导体材料相比，第3代半导体材料具有更宽的禁带宽度，更高的临界击穿场强、更高的热导率和电子饱和漂移速率，因而适合制作高温、高频、抗辐射和大功率器件，又被称为“宽禁带半导体”材料。
目前，第3代半导体材料的应用开展得最早，最为成熟的是半导体照明领域，但电子电力器件在近几年受到了广泛关注。
有学者乐观地预计，基于第3代半导体材料的电子电力器件真正实现大规模应用，将改变整个电子信息的产业格局。
从目前对第3代半导体材料和器件的研究现状看，较为成熟的是SiC和GaN，其中对SiC的技术研究更为成熟，其上下游技术也随之同步发展。
如何利用ICE1PCS0102设计低成本的PFC（图）
如何利⽤ICE1PCS0102设计低成本的PFC（图）如何利⽤ICE1PCS01/02设计低成本的PFC(图)ICE1PCS01/02是⼯作在连续导通模式（CCM）下的PFC控制器，是根据⼀个新的控制⽅法⽽开发出的。
与传统的PFC解决⽅案相⽐，ICE1PCS01/02不需要直接采样输⼊交流正弦信号作参考。
此外，它还采⽤了平均电流控制技术来得到⾼功率因数。
图1为ICE1PCS01和ICE1PCS02的管脚布局图。
图1 ICE1PCS01和ICE1PCS02的管脚布局图从图中可以看出，除管脚4外，ICE1PCS02的管脚与ICE1PCS01完全相同。
在ICE1PCS01中，管脚4被⽤来设置开关频率。
但在ICE1PCS02中，开关频率被内部振荡器固定在65kHz，因此管脚4能够被⽤来进⾏交流⽋压信号的探测。
图2和图3分别为典型的ICE1PCS01和ICE1PCS02应⽤电路。
图2 典型的ICE1PCS01应⽤电路图3 典型的ICE1PCS02应⽤电路带有ICE1PCS01/02的升压型PFC的设计●规格⽬标表1列出了本设计需要的系统相关参数值。
在整个输⼊电压范围内，额定输出功率Pout的效率为90%以上。
●功率MOSFET和栅驱动电路由于电路⼯作在开关模式下，因此仅当MOSFET导通时产⽣损耗。
当交流输⼊的电压（RMS）最⼩时，⼯作在CCM模式下的BOOST电路中的晶体管的占空⽐为：（1）由于在⼀个系统中，RMS值与DC值产⽣相同的效果，因此能够为RMS值计算出⼀个典型的占空⽐。
这样，当结温为125℃时，⼯作在CCM模式下的MOSFET的导通损耗为：（2）MOSFET的开关损耗可以⽤下式来估算：（3）其中，E on和E off为导通和关断时的能量损耗，其具体的数值能在MOSFET的数据⼿册中查到，f SW是开关频率。
对于300W的设计，如果使⽤SPP20N60C3，导通损耗为：P cond＝3.922×0.782×0.42＝5.05W （4）假设开关电流⼤约为6A，并且栅驱动电阻Rg=3.6W，则开关损耗：Psw＝（0.007mWs＋0.015mWs）×65kHz＝1.43W总损耗为：（5）则MOSFET散热器热阻必须为：（6）栅驱动电阻被⽤来尽可能快地驱动MOSFET，并且还要保证将dv/dt控制在EMI的规范要求之内。