酞菁铜(CuPc)分子有序纳米结构的自组织生长

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铜氧化层上钒氧酞菁分子的吸附构型及组装结构

铜氧化层上钒氧酞菁分子的吸附构型及组装结构

铜氧化层上钒氧酞菁分子的吸附构型及组装结构彭兰沁;李小雨;幸运;赵涵;邓炎滔;于迎辉【期刊名称】《物理学报》【年(卷),期】2024(73)12【摘要】近年来,有机功能分子的调控因其在提高纳米光电器件内部载流子迁移率方面的突出贡献,已逐渐成为材料科学的热门领域之一.本文利用低温扫描隧道显微镜系统地研究了钒氧酞菁(VOPc)分子在干净Cu(110)和铜氧化层表面的吸附构型和组装结构.在Cu(110)表面,初始时VOPc分子孤立吸附且氧原子向上和向下的构型共存.而在CuO-(2×1)表面,VOPc分子在初始时形成扩展的分子链,随后组装为有序的分子膜,在分子膜中两种吸附构型仍然共存且随机排布.在Cu_(5)O_(6)-c(6×2)表面,初始时VOPc分子的两种构型共存且形成无序结构.在覆盖度接近一个单层时,结构有序的组装分子膜逐渐形成,此时主要采用氧原子向上的分子构型,因偶极相互作用,随后的分子层生长遵循两种分子构型交替堆垛.研究还发现当Cu(110)表面上两种氧化结构共存时,第2层分子更倾向于吸附在Cu_(5)O_(6)-c(6×2)表面担载的分子膜上,主要是由分子层间的偶极相互作用导致的.本研究表明金属表面的氧化层在改变分子吸附构型和组装结构方面的重要性,可能将影响电子器件制造中分子膜中的电荷输运过程.【总页数】8页(P118-125)【作者】彭兰沁;李小雨;幸运;赵涵;邓炎滔;于迎辉【作者单位】湖北大学物理学院【正文语种】中文【中图分类】O64【相关文献】1.钒氧酞菁分子沉积自组膜电极的组装及其对肼的电催化研究2.酞菁氧钒分子及纳米簇在高定向石墨表面的自组装3.基于不同自组装单层的酞菁氧钒薄膜晶体管4.酞菁铜衍生物在酞菁铜-氧化铁纳米粒子交替LB膜中的分子取向因版权原因,仅展示原文概要,查看原文内容请购买。

真空热蒸发酞菁铜(CuPc)薄膜的结构及光学、电学性能研究

真空热蒸发酞菁铜(CuPc)薄膜的结构及光学、电学性能研究

真空热蒸发酞菁铜(CuPc)薄膜的结构及光学、电学性能研究真空科学与技术学报278JOURNALOFV ACUUMSCIENCEANDTECHNOLOGY(CHINA)第25卷第4期2005年7,8月真空热蒸发酞菁铜(CuPc)薄膜的结构及光学,电学性能研究何智兵.韩高荣昊卫东.唐永建.(1.中国工程物理研究院激光聚变研究中心四川绵阳621900;2.浙江大学材化学院无机研究所杭州310027) MicrostructuresandOpticalPropertiesofCopper—PhthalocyanineFilmGrownbyV acuumSublimationHeZhibing,HanGaorong2,WuWeidong.andTangY ongjian./serFusionResearchGear,ChinaAcademeof蜀呱andPhysics,Sichuan,Mianyang621900,Ch/na;,,2.InstituteofInorganicMaterials,CollegeofMater/a/sSc/enceandChen~tryEng/neer/ng, Zhej/angUn/verst~y,Ho.,~hou310027,China/AbCopper-phthaloeyanine(CmOc)filmsweregrownOilITOcoatedgtas~substratesbyvac tl1.1~nsublimationatdifferentsubstratetem—perattrres.31aefilmswerecharacterizedwithX-raydiffraction(XRD),Ramanspectroscopy ,scanningelectronmicroscopy(sEM)andultravioletvisiblespectrometry.TheresultsshowthatsubstratetemperaturestronglyaffectstheCuPcgri nsizeanddalgrowthorientation.Asthesul~tratet~nperatureincreases,CuPcfilmcrystallizationimproves,therelativeo0l1cel1t帅of—CuPcincreaseswhel-o~asthatof口一CuPcde—crease,ao∞rdingIy.Interestingfindingisthatasthesubslratetemperaturerisesup,thephotosensitivityof theCuPcfilmsfirstincreasestoamaxi—nⅡⅡnandthendecreases.Possiblemechanismsresponsibleforthedependenceofitspropertieson microstructureswealsotentativelydiscussed.KeywordsCuPc,Fihn,Structure,Property,V acuumsublimation摘要为研究衬底温度对酞菁铜(CuPc)薄膜的结构,光学及光电导性能的影响,文中采用真空热蒸发方法制备厂不同衬底温度的CuPc薄膜.x射线衍射和Raman光谱分析显示CuPc薄膜呈现很好的定向生长特性,随衬底温度的升高,CuPc薄膜的结晶性变好,其中a.CuPc的相对含量逐渐增加,而口.CuPc相应减少;场发射扫描电镜观察了不同衬底温度下薄膜的表面形貌和晶粒分布情况;用紫外可见光谱表征了CuPc薄膜的光学性能;CuPc薄膜的光敏性随衬底温度的升高表现出先增大后减小的变化规律.关键词酞菁铜(CuPc)薄膜结构性能真空蒸发中图分类号:TN304.5;0484文献标识码:A文章编号:1672—7126(2005)04-0278.05 酞菁铜(CuPc)是一种典型的有机光电半导体材料,在可见光区不仅吸收范围宽,吸收系数大,而且具有极好的化学,热及光稳定性….CuPc薄膜在太阳能电池J,静电复印感光鼓L3]及彩色显示光敏层L4J等方面具有广泛的应用前景,从而引起了人们极大的关注.在国内外很多研究者从事与CuPc薄膜相关的研究工作,对CuPc薄膜的光敏性,气敏性和非线性等作了较多的研究L5』.CuPc具有很好的热稳定性和化学稳定性,很适合采用真空蒸发方法制备成膜,真空热蒸发法具有方法简单,制备成本收穗日期:2004-11-28基金项目:中国教育部跨世纪人才基金*联系人:博士后,E-mail:he一拙@126.toni低等特点,易得到均匀,结晶性能好的薄膜.对真空热蒸发制备的CuPc薄膜,衬底温度极大地影响着薄膜的结构与性能.本文主要研究了衬底温度对CuPc薄膜的结构,光学和光电导性能的影响,探讨了CuPc薄膜的结晶情况和晶型结构与衬底温度的对应关系,研究了不同衬底温度下CuPc薄膜的光敏性,讨论了其结构与性能的关系.1实验本文研究的CuPc薄膜是采用北京仪器厂生产第4期何智兵等:真窄热蒸发酞菁铜(cuPc)薄膜的结构及光学,电学性能研究279 的DMD-450光学镀膜机制备的.衬底温度从室温到250℃,衬底采用显微镜用载波片和rio膜玻璃片.CuPc原料采用CuPc染料粗品经过多次升华l8j提纯得到的高纯度CuPc粉末,纯度达到99.9%以上.在镀膜过程中工作室真空度保持在(2~3)×10.Pa.蒸发舟用自制的宽1cm的钽片蒸发舟,蒸发电流控制在,=50A.CuPc薄膜的蒸发速率为5nln/s左右.通过光学膜厚测控系统控制膜厚为100m,为了保持所制备样品膜厚的均匀性,在镀膜过程.样品架以5r/min的速度旋转.CuPc薄膜膜厚用日本产的DEKTAK3表面台阶测试仪(SurfaceProfileMeasuringSystem)测试.样品的晶体结构用D/maxrA型x射线衍射仪进行表征.所用靶材为CuKa,滤波片为Nj,测试时的管压与管流分别为4okV,20mA,扫描速度为2~/rain,扫描角度为5.~30~.薄膜的组成结构利用英国Renishaw公司的Renishaw2000激光Raman谱仪分析,激光强度为1mW,光斑直径2tan,激光波长514.5nm.采用FEI公司SIRION型场发射扫描电镜观察薄膜的表面形貌和晶粒分布情况.薄膜的吸收光谱用紫外.可见光分光光度计(PERKINELMERUV.VisSpec.tn~rneterLambda20b)分析.CuPc薄膜的光暗电导采用KE1THI,Ey公司的6517A微电流高电阻测试仪测试.实验中对CuPc薄膜作了截面方向的光暗电导测试,测试示意图见图1.样品上的欧姆接触电极为真空蒸发电极,测试时电极两端所加电压为1V.光源采用的是500W卤钨灯,通过水滤后到达样品被照射区域的光强为11.0mW/cm2./I,LlelectrodeClcfilmIToglassslide图1薄膜样品的截面光电导测试示意图Fig.1Theschematicdiagramofthen.aJ1sV eI'se photoconducfivityⅡl璐ureH,entsofCuPcfilms2结果与讨论2.1不同衬底温度下CuPc薄膜的结构衬底温度,沉积速率和真空度是影响薄膜微结构的主要因素.CuPc薄膜沉积时的衬底温度对沉积速率有着重要影响[9l,下面主要研究了衬底温度对薄膜结构的影响.图2为不同衬底温度下CuPc薄膜的XRD谱图.从图中看出不同衬底温度下CuPc薄膜只有单一的衍射峰20=6.8.,说明CuPc呈现很好的定向生长.B.A.Kolesov等得到类似的结果l10..CuPc在沉积过程中,CuPc分子呈现较好的有序排列,S.Do.等认为该薄膜为CuPc分子的a轴垂直于衬底表面,而b轴平行于衬底表面的方向堆积形成的.随着衬底温度的升高,CuPc薄膜的衍射单峰逐渐增强,显示出CuPc薄膜的结晶性能随衬底温度的升高逐渐变好.从图2中还看出,CuPc的衍射峰随衬底温度的升高,峰位向小2值方向变化,其2值介于n.CuPc和.CuPc之间.为了更进一步分析CuPc薄膜的结构随衬底温度的变化,对CuPc薄膜的衍射峰用Microcalo,i~n6.0千乍了分峰处理,其结果如表1所示.从表1可以看出,随衬底温度的升高,CuPc薄膜内OL.CuPc含量在逐渐增加,相应口CuPc在逐渐减少.室温下,CuPc薄膜中以CuPc成分为主,当衬底温度达到250oC时,OL.CuPc的含量已经是CuPc的2.48倍,远远超出了.CuPc的含量,成为CuPc薄膜内的主要成分.晶g童2o/(.)图2不同衬底温度下CuPc薄膜的XRD谱图Fig.2TheXRDpatternsoftheCuPcfilmsgrown atvarioussubstratetempe~T表1不同衬底温度下CIIPjc薄膜结构组成数据Tab.1ThecrystallinecomponentsoftheCuPcfilmsgrownatvarioussubstratetemperaturesrs真空科学与技术学报第25卷为了进一步掌握CuPc薄膜的组成结构随衬底温度升高的变化趋势,实验中对不同衬底温度下CuPc薄膜作了激光Raman光谱测试.图3为不同衬底温度下CuPc薄膜的Raman光谱.从图中可以看出各个峰强都随衬底温度的升高而增强,其对应吸收带的CuPc晶粒增多.图中684.1cm为酞菁环呼吸振动带,1146.2cm为苯环呼吸振动带, 1344.7cm~,1454.9cm~,1528.4cm分别是C—C键,C—N键及C=C键的伸缩振动带.表2列出了真空蒸发薄膜的a—CuPc和一CuPc各带对应的波数值【12].对于1146.2cm苯环呼吸振动带为a—CuPc 的特征吸收带.该吸收带随衬底温度的升高逐渐变强.说明CuPc薄膜中含有a—CuPc成分,且随衬底温度的升高其含量逐渐增加.这一结果与XtR)分析相一致.'晶a若图3不同衬底温度下CuPc薄膜的Raman光谱Fig.3TheRamanspectraoftheCuPcfilmsgrown atvarioussubstmtetemperatures表2CuPc薄膜Raman光谱数据(各带对应的波数) Tab.1DataoftheCuPcfilmsforRaillanspectra为了直观分析衬底温度对CuPc薄膜的结构和形貌的影响.实验中对不同衬底温度下CuPc薄膜进行了场发射扫描电镜观察.图4为不同衬底温度下CuPc薄膜的扫描电镜照片.从照片中可以清晰地观察到:室温衬底的CuPc薄膜颗粒大小不均匀,颗粒结合疏松;在衬底温度为100oC时,薄膜的颗粒变大,分布均匀,结构紧密;当衬底温度增至250oC时,薄膜出现了小晶粒的团聚,形成了较多的大颗粒,结构又变得疏松,缺陷增加,在衬底温度较低时,由于吸附原子从衬底获得的活化能较低,不易产生解吸,沉积速率较大,此时薄膜粒子简单堆积成膜,结构疏松,在100oC下,由于吸附分子中的一部分可以通过衬底获得足够高的能量,从而克服范德华力发生迁移,碰撞,跃迁,使薄膜发生结构调整而使缺陷变少,结构致密.当衬底温度过高后,CuPc分子的能量很高足以使它们发生完全非弹性碰撞,而使其产生团聚,薄膜中出现大的颗粒,薄膜均匀性变差,缺陷增加.图4CuPc薄膜的场发射扫描电镜照片Fig.4TheFESEMim=esoftheCuPcfilmsgrown atvarioussubstratetemperatures.2.2CiiPc薄膜光学性能CuPc在紫外可见光区存在四个吸收带];(1)最低能量跃迁为较强的Q带,其对应于吸收光谱中600nln~800nln之间的吸收峰;(2)次低能量跃迁为第4期何智兵等:真夺热蒸发酞菁铜(CuPc)薄膜的结构及光学,电学性能研究281 较弱的近紫外B带或Soret带;(3)B带以下为很强的N带和L带.Q,B,N,L带均为丌一丌跃迁.图5为不同衬底温度下CuPc薄膜的紫外可见吸收光谱.从图中可以发现,CuPc薄膜在可见光区域有较高的吸收率,具有两个明显的吸收峰,为CuPc的Q带电子转移过程.Q带电子转移是由丌到丌均态的电子迁移过程,其对分子环境很敏感,对薄膜中临近分子的聚集数量和排布方式的改变都很敏感Ll.其中=620nH1附近的吸收峰是CuPc二聚体的吸收峰,=695nnl附近的为CuPc单体的吸收峰.不同衬底温度下CuPc薄膜的吸收光谱有所差异,但没有明显规律性.薄膜的吸收峰与分子的环境,排布方式及聚合状态有很大关系,这将在以后的工作中进一步研究.图5不同衬底温度CuPc薄膜紫外一叮见吸收光谱Fig.5TheUV/VisiblespectraoftheCuPcfilms grownatvarioussubstratetemperature2.3CuPc薄膜的光电导性能不同衬底温度下CuPc薄膜结构的同,必然影响其光电导性能.表3是不同衬底温度下CuPc薄膜的光电性能数据,其中光敏性为光电流与暗电流的比值.从表3可以看出,不同衬底温度下CuPc薄膜的光敏性都不是很好,光暗电导比值都较小.虽然CuPc薄膜在可见光区域有较高的吸收率.但是由于CuPc薄膜的载流子迁移率很低,导致了大量的光生载流子复合,从而使得薄膜的光敏性较差.从图6中也看到,100℃下CuPc薄膜的光敏性最好, 光暗电导比达到3.27.衬底温度较低时,薄膜的结晶性差,从前面的扫描电镜照片可以看出,薄膜的结构疏松,颗粒大小分布不均,从而使得薄膜的整体迁移率更低,载流子复合中心较多,所以薄膜的光敏性很差.随着衬底温度升高,特别到100℃时,薄膜的结晶性变好,成膜质量很好,薄膜的颗粒大小分布均匀,结构紧密,使得薄膜的载流子迁移率变大,薄膜表现出更好的光敏性能.当衬底温度继续升高,一方面从XRD和Raman谱分析可以看出,CuPc薄膜中口.CuPc的相对含量逐渐增加,而.CuPc相应减少.a—CuPc为稳定型,不具有光敏型,一般能量光照不能产生光生电子一空穴对;J9.CuPc为激活型,它的激活能很低,对红外光特别敏感,在较低能量光照下就能使CuPc分子电离,产生光生电子一空穴对_l.所以薄膜的光敏性随衬底温度升高而降低.另一方面,衬底温度过高后,CuPc薄膜的团聚现象严重,薄膜内的缺陷增多,导致了薄膜中载流子复合中心增多,薄膜的光敏性变差,到250℃时,光暗电导比到达最低值为1.10.表3不同衬底温度下CuPc薄膜的光电导数据Tab.3Thedarkcurrent,photocurrentandphotosensitivity oftheCuPcfilmsatvarioussubstratetemperatur~';'do苦』substratetemperature/℃图6不同衬底温度下CuPc薄膜的光敏性Fig.6ThephotosensitivitiesoftheCuPcfilms thesubstratetemperature3结论从真空热蒸发CuPc薄膜的结构,光学性能和光电导性能等方面出发,研究了衬底温度对CuPc薄膜的结构和性能的影响,得到以下结论:282真空科学与技术学报第25卷(1)CuPc薄膜呈现很好的定向生长特性,随衬底温度的升高,CuPc薄膜的结晶性变好,其中CuPc的相对含量逐渐增加,而.CuPc相应减少.口一(2)在室温衬底下,CuPc薄膜颗粒大小不均匀,颗粒结合疏松;在衬底温度为100℃时,薄膜的颗粒变大,分布均匀,结构紧密;当衬底温度继续增加至250℃时,薄膜出现了小晶粒的团聚,形成了较多的大颗粒,结构又变得疏松,缺陷增加.(3)CuPc薄膜在可见光区域内有较高的吸收率.由于低的载流子迁移率,使得CuPc薄膜的光敏性较差.CuPc薄膜的光敏性在衬底温度从室温到250℃的范围内,表现出先增大后减小的变化规律,在衬底温度100℃时,得到最大光敏性,其光暗电导比为3.27.123参考文献HanaekM,I丑ngM.AdvMater,1994,11:819Inig0AntoRegis,XavierFrancisP,GoldsmithGeorgeJ.Ma~fi—alsResearchBulletin,1997,5:539~546KitamtwaT,InlanluraS,KawamataM.JImagingTechnol,1988, 14(5):136~1404KiillY,LeeJG,I{anKeta1.nSolidFilms,1999,363(1~2):263~2675KomolovAS,MoilerPJ.SyntheticMetals,2001,123:359~363 6Rudiono,FujioKaneko,ManabuTakeuchi.ApphedSurfaceSci—ence,1999,142:598~6o27MaGuohong,Guohjun,MiJunela/.SohdStateCommtmica—tions,20o1,l18:633~6388KhnmuraT,Lna/nuraS,KawamataM,JImagingTeeh,1988,14 (5):134~1409黄永刚,张溪文,史国华等.真空科学与技术,20OO,20 (1):69~7410KolesovBA,BasovaTV,IgumenovIK.nSohdlm,1997.3O4:166~l69l1DogoS,GennainJP,MaleyssonCela/.nSolidFilm,199l2.219:251~25612IshiiK,MitsumuraS,HibinoY eta1.AppliedSul'faceScience, 1988,33/34:1324~133113封继康,李君,孙家钟.化学学报,1994,52:539~54414hlciaEA,V erdemmeFD.JChemPhys,1968,48(6):2674~268115韩桂林.感光材料,1997,2:21~23(上接第277页)光敏性在5O0—700,激活能在0.5eV左右,沉积速率大于0.8nm/s,晶化率在5o%一70%的微晶硅材料.材料的稳定性实验表明30w条件下,制备的材料最不致密.对于本文研究的范围内,功率在25w左右制备的材料应用到电池中,可能会获得高的转换效率.参考文献1GoetzbergerAdolf,HeblingChristopher.Photovoltaicmaterials. past,present,future.SolarEnergyMaterials&SolarCells. 1995,6(3):291~2982GreenMA.Recentdevelopmentsinphotovoltaics.SolarEnergy,2OO4,76(1—3),3~83MeierJ,HluckigerR,pletemicrocrys—tallinep-i—nsolarcell-crystallineoramorphouscellbehavior.1JjApplPhysLett,1994,65:8604KeppnerH,MeierJ,TortesPela/.Microcrystalfinesiliconandmi—cmIllDrphtandemsolarcells.[J]Appl升lys,1999,A69:169~177 5FeitknechtL,KluthO,ZiegIerYeta1.Microcrystallinen-i—Pso—larcellsdepositedat1nm/sbyVHF-PECVD.[J]SolarEnergy Mate&SolarCells,2001,66:397~4036KondoM,Ma~udaA.1owtemperaturegrowthofmicrocrystalline siliconanditsapphcafiontosolarceHs.[J]ThinSolidFilms, 2001,383:17MaiY,KleinS.Microcrystallinesiliconsolarcellsdepositedat highratesbycombinationofVHF-PECVDandhighworking pressure.[C]19EUPVSEC,Paris,20O4—06,Paris:19thEU PVSECOrganizingCommittee,20O4,1591~15948张晓丹,赵颖,高艳涛等.甚高频等离子体增强化学气相沉积制备微晶硅太阳电池的研究.物理学报,2005,54 (4):1899~19039ShahA V,MeierJ.Materialandsolarcellresearchinmicrocrys—tallinesilicon.SolarEnergyMaterials&SolarCells,2003,78: 469~49110V etterlO,Gm8A.Changesinelectricandopticalpropertiesof intrinsicmicrocrystallinesiliconuponvariationofthestructural composition.JNon—CrystSoilds,2O02,299—302:772~777 11ShahA,MeierJ,V allat—SauvainEeta1.Microcrystallinesili—conandmicromorphtandemsolarceHs[J]ThinSolidFilms,2O02,403—4O4:179~18712张晓丹,赵颖,朱锋等.气压对VHF-PECVD制备的ptc—Si:H薄膜特性影响的研究人.I,晶体学报,2OO4,33 (3):414~418。

卟啉酞菁类化合物的设计合成与自组装纳米结构及有机半导体特性研究

卟啉酞菁类化合物的设计合成与自组装纳米结构及有机半导体特性研究

卟啉酞菁类化合物的设计合成与自组装纳米结构及有机半导体特性研究作者:韩长进来源:《科技创新导报》 2014年第20期韩长进(菏泽家政职业学院山东菏泽 274300)摘要:几年来广大的科研工作者逐渐把目光聚集在有机的半导体材料上,这种材料具有很大的应用价值,具有低能耗、面积大、柔性好、成本低等诸多优点,卟啉酞菁类化合物因为具有非常独特的磁学、光学、电学特性,在众多的有机半导体材料中具有非常好的应用价值,该文主要的阐述内容为卟啉酞菁类化合物的设计合成、自组装纳米结构以及有机的半导体特性的简单研究。

关键词:卟啉酞菁类化合物自组装纳米结构有机半导体特性中图分类号:TB383.1 文献标识码:A 文章编号:1674-098X(2014)07(b)-0095-02自组装是一种较为复杂的分子之间的协同作用,该技术的主要内容为,在非共价键的相互之间的作用之下,分子会自发的形成一种结构,该种结构具有一定的有序性,分子在进行自组装的过程中,影响最终的组装效果既有分子自身性质等内在因素,也存在一定的外在因素的影响,如分子所处的环境中化学因素及物理因素的影响,不同结构的纳米结构能够应用于不同的领域。

卟啉酞菁是一种共轭的大环体系,其结构非常的稳定,其稳定性远远高出了其他的有机半导体材料,这种半导体材料的应用前景越来越广泛,越来越多的研究人员开始投入到卟啉酞菁化合物的设计合成的研究中来,该文就将针对卟啉酞菁化合物的设计合成、自组装纳米结构及有机半导体特性进行简单的分析研究。

1 卟啉酞菁类化合物的自组装纳米结构的研究现状在化学的研究中有一个重要的分支为超分子化学,其主要的研究内容是分子之间的化学键的研究及分子组装的研究,其最重要的几个特性表现为:自复制、自组织、自组装,当颗粒的尺寸处于一千纳米之内时,超分子的性质会发生非常显著的改变,这种性质在磁学性能、电学性能、光学性能、力学性能等领域具有非常鲜明的体现,由此而诞生了纳米化学,纳米技术是目前的研究中非常流行、应用广泛的技术,但是在纳米级尺寸的器件的制备过程中,其合成方法是较大的难题,分子的自组装技术逐渐引起人们的关注。

酞菁铜旋涂薄膜的形貌与光谱学性质研究

酞菁铜旋涂薄膜的形貌与光谱学性质研究

酞菁铜旋涂薄膜的形貌与光谱学性质研究
李强;霍丽华;高山;赵经贵
【期刊名称】《光散射学报》
【年(卷),期】2003(015)003
【摘要】采用旋涂法制备了2,9,16,23-四-异丙氧基酞菁铜(CuPc(OC3H7-i)4)薄膜,利用AFM、UV-Vis和FT-IR对薄膜的表面形貌和光谱学性质进行了表征.薄膜表面结构是由约为216nm×55nm×4nm的清晰纳米畴组成,旋涂膜中酞菁铜分子是处于一种无序的状态,其Soret带吸收与氯仿溶液相比位置不变,而Q带的聚集体和单体的吸收峰红移约20nm.
【总页数】3页(P200-202)
【作者】李强;霍丽华;高山;赵经贵
【作者单位】黑龙江大学,化学化工学院,哈尔滨,150080;黑龙江大学,化学化工学院,哈尔滨,150080;黑龙江大学,化学化工学院,哈尔滨,150080;黑龙江大学,化学化工学院,哈尔滨,150080
【正文语种】中文
【中图分类】O3643
【相关文献】
1.两步旋涂沉积条件对钙钛矿薄膜形貌和电池性能的影响研究 [J], 李欣杭;周国庆;潘国兴;李田;张发培
2.四烷氧基酞菁铜(Ⅱ)旋涂膜的气敏特性 [J], 左霞;王彬;吴谊群;陈志敏;李赞;韦永

3.酞菁铜旋涂薄膜的制备与气敏性能研究 [J], 李强;霍丽华;高山;赵辉
4.四—4—(2,4—二特戊基苯氧基)酞菁铜L—B薄膜的成膜质量及表面形貌 [J], 吕安德;庞小敏
5.真空蒸镀酞菁铜薄膜表面形貌的研究 [J], 李文佳;任舰;苏丽娜
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酞菁铜有机半导体调研报告

酞菁铜有机半导体调研报告

实习(调研)报告一、课题的来源及意义1907 年Braun和Tchemiac两人在一次实验中偶然得到了一种蓝色物质,当时他们两人正在研究邻氰基苯甲酰胺的化学性质,当他们将这种无色的物质加热后得到了微量的蓝色物质,这就是现在被人们称为酞菁的化合物。

1923 年Diesbach等人发现可以用邻二苄溴与氰化亚铜反应制得邻二苄腈,于是他们想用邻二溴苯与氯化亚铜反应来制备邻苯二腈。

可实验结果出乎他们的意料,他们并未得到所期望的邻苯二腈,而是得到一种深蓝色的物质,并且产率达到 23%。

这种蓝色物质就是现在被称为酞菁铜的化合物。

至此,酞菁和金属酞菁化合物被发现。

二、国内外发展状况及酞菁类物质性质1929年,在英国的ICI公司的资助下,伦敦大学的Linstead教授和他的合作者开始进行这类新物质的结构测定工作。

1933 年他们用综合分析法测定了该类化合物的结构后,便用phthalocyanine一词来描述这类新化合物。

1935 年Linstead教授和他的合作者采用 500℃以上的高温和低气压,用CO2作载气制得了酞菁化合物的单晶,Robertson教授用X射线衍射分析法对酞菁及金属酞菁化合物的单晶进行结构分析,至此,酞菁自正式被发现到首个单晶生成共经历了12 年。

根据他的报道,酞菁及金属酞菁分子组成的晶体属单斜晶系,空间群为P2/a。

每个晶胞中有两个分子,每个分子都呈现出高度平面的结构。

所得分子结构的结果与Linstead教授的结果完全一致,从而酞菁的化学结构得到了进一步的证实。

酞菁分子的这种结构使得它具有非常稳定的特性,耐酸、耐碱、耐水浸、耐热、耐光以及耐各种有机溶剂。

一般酞菁化合物的热分解温度在 500℃以上,在有机溶剂中的溶解度极小,并且几乎不溶于水。

相对而言,铜酞菁在冷的浓硫酸中较稳定,它可以溶解在其中,并且当硫酸浓度降低时又可从中析出来。

铜酞菁的这种特性常常被用来提高它的纯度。

由于上述代表性的工作,酞菁及金属酞菁化合物的化学结构才为世人所知,从此,酞菁及金属酞菁化合物的研究及应用也进入了一个崭新的阶段。

酞菁铜纳米线的模板合成与表征

酞菁铜纳米线的模板合成与表征

o .反复操作数次 ,最后将引入 C P c) u C的氧化铝模板于 7 — 0C 0 8  ̄充分干燥.将干燥好 的含有 c P u c的氧 化 铝模板 放人少 量蒸馏 水 中用超 声 波进 行 清洗 2mn ,在 2O 下 干燥 2h i后 8 ;将 干燥后 的含 有 C P u C的氧 化铝模板放人 1 o ・ 盐酸溶液中进行部分氧化铝模板去除, lL m 时间为 2 i, n 清洗后继续进行长时间干燥. m
根据 文献[】 4合成 C P .取适 量 的 C P uC u C溶解 在丙 酮溶 液 中 ,形成 过饱 和溶 液 ,把氧 化铝模 板浸入 溶液 中 ,采用减 压法 , 酞菁 铜 溶液 充分 引入 到氧 化铝模 板 的孔洞 中 , 模 板取 出十燥 3 n( 将 将 0mi 温度 为 7 8 0 0
高 师 理 科 学 刊
第 3 卷 0
2 结果 与讨论
21 氧化铝 模板 的表征 .
多孔氧化 铝具有 耐高 温 、绝 缘性好 *- 径 、孑 深大小 可控等 特点 ,在一 维纳米 结构 的组装方 面得到 了 lL l f L 广泛 的应用 .所制备 的氧化 铝模 板 的表 面 和剖面 的S M照片见 图1 图 1 E .从 中可 知 ,氧化 铝模板 具有高度 有 序 的六 角排 列的纳米 孔 阵列 ,孑 径 约为9 m,孔心 间距 约为 20 m,孔 分 布的密 度为 1 0’ m ;氧 L 0n 2 n .X1“ 1 /c
( u C) C P 纳米 线 ,并运 用F -R,S M,XR 对 纳米线 进行 表征 分析 . TI E D
1 实验部分
11 试 剂与 仪器 .
高纯铝( 999) 它试 剂 均为 分 析纯 . 9. , 9 其 红外 光谱 仪(pcrm O e美 国 PE公 司 )扫描 电镜( - 30 Set — n , u .. ; S4 0 , 日本 日立公 司 ) 一 ;X 射线 衍 射仪 ( RD 60 X 一0 0型 , E本 岛津公 司 ) t .

十六氟代酞菁铜能级

十六氟代酞菁铜能级

十六氟代酞菁铜能级
十六氟代酞菁铜(CuPcF16)是一种具有特殊能级的化合物,它属于酞菁类化合物,具有深蓝黑色结晶粉末形态。

这种化合物的分子结构中,铜原子与两个氮原子和四个氟原子相连,形成了一个五元环结构。

由于这种特殊的分子结构,使得CuPcF16在能级上具有一些独特的性质。

在电子结构方面,CuPcF16的分子中存在一个自由电子,这个电子在分子内部不受任何原子轨道的限制,可以在整个分子范围内自由运动。

这种自由电子的存在使得CuPcF16在导电性能上具有良好的表现。

在光学性能方面,CuPcF16具有宽阔的带隙,使得它对可见光的吸收能力很弱,因此它具有良好的透明性。

此外,由于CuPcF16的分子结构中存在氟原子,这些氟原子具有很强的电负性,因此CuPcF16还具有较低的介电常数和较高的折射率。

在化学稳定性方面,由于CuPcF16的分子结构中存在大量的氟原子,这些氟原子具有很强的电负性,可以有效地保护周围的化学键免受攻击。

因此,CuPcF16具有很好的化学稳定性,可以在高温、高压、强酸、强碱等恶劣环境下保持稳定。

总的来说,十六氟代酞菁铜(CuPcF16)在能级上具有独特的性质,具有良好的导电性、光学性能、化学稳定性和热稳定性等特点。

因此,它在电子、光学、化学和材料科学等领域中具有重要的应用价值。

酞菁铜相对原子质量

酞菁铜相对原子质量

酞菁铜相对原子质量引言酞菁铜(CuPc)是一种有机金属配合物,它具有广泛的应用领域,包括化学传感器、有机光电器件和催化剂等。

相对原子质量是描述元素质量的重要指标之一,对于研究酞菁铜的性质和应用具有重要意义。

本文将探讨酞菁铜的相对原子质量及其相关内容。

酞菁铜的化学式和结构酞菁铜的化学式为CuPc,它是由铜原子与四个酞菁分子形成的二维平面结构。

酞菁分子是由四个吡咯烷基团环形排列而成,中间的铜原子与这四个酞菁分子的氮原子形成配位键。

相对原子质量的定义相对原子质量是指一个元素原子质量与碳-12同位素相对质量之比。

根据国际纯粹与应用化学联合会(IUPAC)的规定,相对原子质量是以碳-12同位素为标准的。

碳-12被定义为原子质量单位的基准,其相对原子质量被定义为12。

其他元素的相对原子质量则是相对于碳-12的比值。

酞菁铜的相对原子质量计算要计算酞菁铜的相对原子质量,首先需要知道其中铜和碳、氢、氮等元素的相对原子质量。

根据国际纯粹与应用化学联合会的数据,铜的相对原子质量为63.55,碳的相对原子质量为12.01,氢的相对原子质量为1.008,氮的相对原子质量为14.01。

计算酞菁铜的相对原子质量时,需要考虑其中每个元素的原子数目。

根据酞菁铜的化学式CuPc,其中包含一个铜原子和16个碳原子、4个氮原子、8个氢原子。

根据相对原子质量的定义,酞菁铜的相对原子质量可通过如下公式计算:相对原子质量 = (铜的相对原子质量× 铜的原子数目 + 碳的相对原子质量×碳的原子数目 + 氮的相对原子质量× 氮的原子数目 + 氢的相对原子质量× 氢的原子数目) / 总原子数目代入相关数值可得:相对原子质量= (63.55 × 1 + 12.01 × 16 +14.01 × 4 + 1.008 × 8) / 29 = 430.628因此,酞菁铜的相对原子质量约为430.628。

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Journal of Advances in Physical Chemistry 物理化学进展, 2015, 4, 66-76Published Online May 2015 in Hans. /journal/japc/10.12677/japc.2015.42009Self-Assembled Growth of Ordered CuPcNanostructuresLi Song, Xuan Wang, Lu Chen, Huanhuan Song, Yongping Zhang*Faculty of Materials and Energy, Southwest University, ChongqingEmail: *zhangyyping@Received: May 8th, 2015; accepted: May 23rd, 2015; published: May 29th, 2015Copyright © 2015 by authors and Hans Publishers Inc.This work is licensed under the Creative Commons Attribution International License (CC BY)./licenses/by/4.0/AbstractCopper Phthalocyanine (CuPc) has been found extensive application in gas sensors, photoelectric transistors and solar cells due to its unique molecular structure and excellent photoelectrical properties. The molecular alignment and orientation in the organic layers affect the performance of devices to a great extent. This paper reviews the self-assembly growth of CuPc layers on metal and graphite surfaces and its molecular structures by scanning tunneling microscopy (STM). The ordered CuPc monolayer is readily obtained and well characterized in ultra-high vacuum; while the self-assembled growth of ordered molecular layer in ambient environment remains a chal-lenge. Finally, we highlight the ways to achieve stable CuPc layers at ambient environment.KeywordsCuPc, STM, Self-Assembly, Molecular Devices酞菁铜(CuPc)分子有序纳米结构的自组织生长宋礼,王轩,陈露,宋欢欢,张永平*西南大学材料与能源学部,重庆Email: *zhangyyping@收稿日期:2015年5月8日;录用日期:2015年5月23日;发布日期:2015年5月29日*通讯作者。

酞菁铜(CuPc)分子有序纳米结构的自组织生长摘要酞菁铜(CuPc)因其特殊的分子结构和独特的光电性质而广泛地应用于气体传感器、光电晶体管和太阳能电池等方面。

有机薄膜中分子的排列和取向会显著影响分子器件的使用性能。

本文评述CuPc分子及其衍生物在金属和石墨表面的自组织生长,和使用扫描隧道显微镜(STM)研究其分子结构和性质。

CuPc在超高真空环境下容易形成有序单分子层,而在大气环境下生长分子膜较为困难。

但是,通过增加烷烃链,或者与稳定性好的分子混合都能在大气下得到稳定的自组织形貌。

关键词酞菁铜,扫描隧道显微镜,自组织生长,分子器件1. 引言酞菁铜(CuPc)属于芳香族分子,是由酞菁(H2Pc)分子和铜(Cu)离子形成酞菁配合物,结构如图1所示,其分子由Cu、C、N、H原子组成,中心为二价铜原子,分子4h对称,有195个价电子。

CuPc为电子活性分子,结构与叶绿素相似[1]。

CuPc的稳定性、光敏性和光电导性等[2] [3]性质被广泛应用于气体传感器[4]、光电晶体管[5]、有机太阳能电池[6] [7]等薄膜器件;此外,CuPc还可以用于信息的存贮以及电极催化剂[8]。

同时,在分子器件中,CuPc由于具有独特的电子结构和特殊的光电性质而占有一席之地[9] [10]。

2. 分子排列对器件性能的影响提高酞菁的成膜技术,以得到有序的薄膜形态和结构。

这将为CuPc在气体传感器中的应用开拓新的前景[11],CuPc光电晶体管有机层表面的有序排列能提高其性能。

分子层的垂直结构能够降低器件的驱动电压,从而优化性能,所以CuPc分子膜的有序程度显得极其重要。

具有与CuPc结构相似的PbPc在太阳能电池方面的研究表明薄膜中分子结晶度和取向对太阳能电池外部量子效率的影响[12](如图2所示)。

文中指出,在薄膜层数高于20的时候,分子与分子间的作用大于分子与基底间的作用,在相同层的PbPc薄膜的研究中表明,与基底夹角较小的薄膜层的光吸收率要高于与基底夹角大的薄膜层,这说明自组装薄膜取向对于太阳能电池的影响是非常大的。

所以薄膜厚度、薄膜中分子的排列和取向对分子器件的性能有重要影响,利用自组织技术生长单层分子和多层膜是提高有机半导体器件性能的关键[13] [14]。

3. 扫描隧道显微镜的原理及应用1982年G. Binnig和H. Rohrer共同研制了世界第一台新型的表面分析仪器——扫描隧道显微镜(Scanning Tunneling Microscopy,简称STM) [15] [16]。

STM的发明使得对表面研究有了新突破,研究者可以通过自己的意愿完成对单个原子的操控。

对表面物理、表面化学、生命科学、材料科学和微电子技术的研究有着重大的意义和广阔的应用前景,被科学界公认为分析技术的又一次飞跃[17]-[19]。

STM根据探针和样品之间产生的隧道电流进行成像[20] (图3)。

针尖顶部只有一个原子,在针尖与样品间加上一个偏压,由于隧道效应,针尖与样品会产生隧道电流。

这个电流与针尖同样品的距离成指数关系,电脑将这个信号吸收并形成图形。

根据这个原理,扫描便有两种模式:1) 恒高模式:保持针尖与样品的高度不变,通过记录隧道电流的值来反应形貌的高低;2) 恒流模式:保持针尖与样品间隧道电流不变,通过改变Z轴的高度进行扫描。

记录Z轴高度起伏酞菁铜(CuPc)分子有序纳米结构的自组织生长Figure 1. The molecular structure of CuPc图1. 酞菁铜分子结构示意图Figure 2. The external quantum efficiency of solar cells affectedby the Molecular alignment and crystalline in PbPc thin film图2. PbPc 薄膜中分子结晶度和取向对太阳能电池外部量子效率的影响Figure 3. Schematic illustration of the STM principles图3.STM 原理示意图变化值在电脑中形成图像。

STM 拥有极高的分辨率(Z 向0.01 nm, X/Y 向0.1 nm),可得到表面原子层的局域结构图像。

对样品几乎为零损伤,对样品制备技术没有特殊的要求,除此之外,STM 具有表面修饰功能,利用针尖原子对表面原子的作用力能做到对表面原子(分子)进行单个的操控[21]。

STM 可以适用多种环境:大气环境,真空环境,低温环境[22],固液界面[23],溶液环境,电–磁场环境等等。

TemplatingFunctionality Structure20 nm PbPc E Q E (%)3020100400 600 800 1000Wavelength (nm)Cul substrate FDTS substrate酞菁铜(CuPc)分子有序纳米结构的自组织生长4. 酞菁铜分子真空环境的自组织20世纪末提出的分子自组织技术,是研究纳米粒子的一种新方式,分子通过非共价键的作用(氢键、毛细力、表面张力、π-π堆积作用、阳离子吸附、疏水作用力、范德华力) [24]自发的结合成为结构确定、热力学稳定、性能特殊的聚集体的一个过程就是分子自组织的过程。

在真空利用热蒸发可以得到有序CuPc的自组织形貌[25]。

在真空环境下扫描出的CuPc分子像[26] (图4),通过图4,可以看出CuPc的形貌比F16CuPc的要亮很多,说明F16CuPc与石墨的结合比CuPc与石墨要稳定。

CuPc分子在HOPG上的自组织结构是平铺而非站立,通过能量越低越稳定的原理很容易解释,酞菁分子平铺时分子与基底的接触就越大,分子间通过范德华力相互吸引,使得结构非常的稳定。

每一列都是整齐排列,分子间排列的也很紧密,每一列上分子非常紧密,因为CuPc分子与CuPc分子之间的范德华吸引力比静电吸引力要大,所以CuPc分子所受的横向阻力要小,分子排列紧密。

CuPc分子在HOPG 表面的单层生长优于多层生长,也就是说在HOPG表面CuPc分子总是倾向于一层分子的排列。

原因是,在CuPc分子之间的相互作用比石墨引力弱很多,所以在石墨表面容易形成单层分子。

CuPc分子中心为铜原子,每个CuPc分子都是很亮的,但是在每个亮点中心都有一个较为暗的小孔,小孔为铜原子所在的位置[27]-[37]。

Shi Chen等人[38]报道在SiC基底上的CuPc形貌图(图5),CuPc分子的尺寸为1.4 × 1.4 nm2,对角线长度为1.68 nm。

但是在SiC基底上临近两个CuPc分子Cu原子的距离为1.95 nm,可以得知在SiC基底上CuPc分子相互之间的作用力可以忽略,在SiC基底上自组织的CuPc有序程度和分子间紧密程度都比在石墨上的差一些。

选择基底材料对于自组织成膜也是有较大影响的,良好的基底材料可以使自组织体呈有序结构,或者是根据材料性能的要求在某个方向呈优势取向。

在高定向热解石墨上生长PTCDA分子,再在PTCDA分子上生长CuPc有序结构层。

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