铁基超导体
室温超导的解决方案(3篇)
第1篇一、引言超导材料在电力、交通运输、医疗等领域具有广泛的应用前景，其优异的性能吸引了全球科学家的广泛关注。
然而，目前商业化的超导材料均为低温超导材料，需要低温环境才能发挥其超导性能。
室温超导材料的研发，将极大推动超导技术的发展和应用。
本文将从理论、实验和材料制备等方面，探讨室温超导的解决方案。
二、室温超导理论1. 电子配对机制室温超导材料的实现，首先需要解决电子配对机制问题。
目前，已知的低温超导材料主要基于电子配对机制，如BCS理论。
在室温条件下，需要寻找新的电子配对机制，以实现室温超导。
2. 电子-声子相互作用在低温超导材料中，电子-声子相互作用是超导现象的关键因素。
然而，在室温条件下，声子能量较高，电子-声子相互作用相对较弱。
因此，在室温超导材料中，需要寻找新的相互作用机制，如电子-电子相互作用、电子-磁相互作用等。
3. 电子能带结构室温超导材料的电子能带结构对超导性能有重要影响。
在室温条件下，需要寻找具有合适能带结构的材料，以满足超导条件。
三、室温超导实验1. 室温铁基超导材料近年来，铁基超导材料的研究取得了显著进展。
这类材料在室温下具有超导性能，但其超导机理尚不明确。
目前，研究人员正在探索铁基超导材料的电子配对机制、电子-声子相互作用等因素，以期揭示室温铁基超导材料的奥秘。
2. 室温钙钛矿超导材料钙钛矿超导材料在室温下具有超导性能，但其超导机理尚不明确。
研究人员通过调整钙钛矿材料的化学组成、结构等，试图实现室温超导。
3. 室温有机超导材料有机超导材料在室温下具有超导性能，但其超导机理尚不明确。
研究人员通过研究有机超导材料的电子结构、分子结构等因素，试图揭示其室温超导机理。
四、室温超导材料制备1. 量子点超导材料量子点超导材料具有独特的电子结构，有望实现室温超导。
制备量子点超导材料，需要采用纳米技术，通过控制量子点的尺寸、形状等，实现室温超导。
2. 纳米线超导材料纳米线超导材料具有优异的性能，有望实现室温超导。
超导材料有哪些
超导材料有哪些
超导材料是一种在低温下能够表现出完全零电阻和完全抗磁性的材料。
自从超
导现象首次被发现以来，科学家们一直在努力寻找新的超导材料，并不断探索其在能源、电子学和医学领域的应用。
那么，超导材料究竟有哪些呢？本文将对目前已知的超导材料进行介绍。
首先，最经典的超导材料莫过于铅和汞。
这两种金属在低温下能够表现出完全
的超导性，是最早被人们发现的超导材料。
然而，由于其需要极低的工作温度，因此在实际应用中受到了一定的限制。
随着科学技术的不断进步，人们发现了一系列复合超导体，其中最著名的要数YBCO和BSCCO。
这两种复合超导体在液氮温度下即可表现出超导性，因此在实
际应用中具有更大的潜力。
YBCO和BSCCO的发现，为超导材料的应用带来了新
的希望。
除了金属和复合超导体，还有一类新型的超导材料被人们所关注，那就是铁基
超导体。
铁基超导体因其晶格结构与高温超导性的关系而备受关注，其超导转变温度较高，因此在实际应用中具有很大的潜力。
此外，还有一些其他的超导材料，如镁二硼化镁、铜氧化物等，这些材料因其
特殊的晶格结构和电子态而表现出超导性。
虽然这些材料在实际应用中面临一些挑战，但它们的发现为超导材料的研究开辟了新的方向。
总的来说，超导材料种类繁多，包括金属、复合超导体、铁基超导体等。
每一
种超导材料都有其独特的性质和潜在的应用价值，因此对超导材料的研究仍然具有重要意义。
未来，随着科学技术的不断进步，相信会有更多新型的超导材料被发现，为人类社会带来更多的惊喜和改变。
超导临界温度的最高纪录
超导临界温度的最高纪录超导材料是一类具有极低电阻和强电磁场排斥特性的材料，它们在低温条件下表现出超导现象。
超导临界温度是一个重要的指标，它反映了超导材料在何种温度下可以表现出超导性质。
本文将介绍超导临界温度的最高纪录，并探讨其背后的科学原理和应用前景。
铜基和铁基超导体是已知具有最高超导临界温度的两类材料。
1993年，铜基超导体La2-xSrxCuO4创造了当时的最高纪录，其超导临界温度达到了约40K。
而在2008年，铁基超导体LaFeAsO1-xFx的发现打破了这一纪录，将超导临界温度提升到了约55K。
这一突破引起了全球科学界的广泛关注。
随后的研究工作又相继发现了一系列具有更高超导临界温度的铁基超导体，其中最高的记录是2015年发现的H3S，其超导临界温度高达203K。
超导材料之所以能够具备这样高的超导临界温度，是因为它们具有特殊的电子结构和晶格结构。
在超导材料中，电子之间通过库仑相互作用形成了一对对偶的电子态，称为库珀对。
这些库珀对在超导材料中可以自由运动而不受到散射的影响，从而产生了超导现象。
而超导临界温度则取决于材料中的电子结构和晶格结构，以及外界对材料的影响。
铜基超导体的超导临界温度之所以较高，是因为它们的电子结构中存在着铜氧层。
这种铜氧层中的电子具有特殊的能带结构，使得它们能够形成稳定的库珀对。
而铁基超导体的超导临界温度之所以更高，是因为它们的晶格结构中存在着铁砷层。
这种铁砷层中的电子同样具有特殊的能带结构，从而促使库珀对的形成。
不过，目前对于铁基超导体的超导机制仍存在争议，科学家们正在继续研究中寻找答案。
超导临界温度的提升对于超导技术的发展具有重要意义。
超导材料在电力输送、电子器件和磁共振成像等领域具有广泛的应用前景。
超导电缆可以实现高效率的电力输送，超导电子器件可以实现低功耗的电子设备，而超导磁共振成像可以提供更高分辨率的医学影像。
因此，提高超导临界温度可以进一步推动超导技术的发展，促进其在实际应用中的推广和应用。
常温超导体
常温超导体引言超导体是一种特殊的材料，其在低温下可以表现出完全无电阻的特性。
然而，过去的几十年里，研究人员一直致力于寻找一种在常温下表现出超导特性的材料。
如果能够找到这种常温超导体，将会对能源传输、电子设备等领域产生重大影响。
本文将介绍常温超导体的概念、研究进展以及未来的发展方向。
常温超导体的概念超导体的关键特性是它们在超导转变温度下，电阻突然变为零。
按照传统的理解，超导体只能在非常低的温度下才能表现出这种特性（通常在几个开尔文以下）。
但随着对材料科学的研究不断深入，人们意识到可能存在一些材料，在常温下也能表现出超导特性。
研究进展近年来，研究人员在寻找常温超导体方面取得了一些重要进展。
其中最引人注目的是铜基和铁基超导体的发现。
在1986年，铜基超导体的发现引起了学术界的广泛关注。
这些材料在低温下表现出非常高的超导转变温度，在77开尔文左右。
尽管这个温度仍然很低，但相比于之前的超导体材料而言，已经是一大突破。
随着对铜基超导体的研究深入，科学家们发现了铁基超导体。
这些超导体具有更高的超导转变温度，在100开尔文以上。
铁基超导体的出现给人们带来了希望，因为它们的超导转变温度接近室温。
然而，铁基超导体的研究仍处于起步阶段，目前仍然存在很多未解之谜。
未来的发展方向尽管在常温超导体的研究中取得了一些重要进展，但目前还没有找到真正的常温超导体。
因此，未来的研究方向主要集中在以下几个方面：1. 寻找新的材料：科学家们正在积极寻找能够在常温下表现出超导特性的新材料。
他们通过结构优化、掺杂和压力调控等手段来改变材料的电子结构，以寻找可能的常温超导体候选物质。
2. 解决材料失超问题：目前，铁基超导体在高温下会发生失超现象，这限制了其应用。
研究人员正致力于解决这个问题，通过调制材料的晶格结构和控制电荷传输来提高超导性能和稳定性。
3. 理解超导机制：虽然对于铜基和铁基超导体的研究取得了一些重要成果，但我们对超导机制的理解仍然有限。
低温超导工艺流程
低温超导工艺流程低温超导是一种在极低温下材料表现出无电阻和完全磁场排斥的现象。
这一特性使得低温超导在能源传输、磁共振成像、磁力传感器等领域具有广泛的应用前景。
下面将介绍低温超导的工艺流程。
1. 材料选择：低温超导材料主要包括铜氧化物和铁基超导体。
铜氧化物超导体具有较高的临界温度，但制备过程复杂；铁基超导体制备相对简单，但临界温度较低。
根据具体应用需求，选择合适的超导材料。
2. 高纯度材料制备：超导材料的制备需要高纯度的原料。
通常采用化学合成、固相反应或溶胶-凝胶法等方法制备超导材料的前体粉末。
然后通过高温烧结、等离子喷涂等工艺，得到高纯度、致密的超导材料。
3. 样品制备：将超导材料粉末与适量的绑定剂混合，经过球磨、成型等工艺制备成具有一定形状的样品。
制备过程中需要注意避免杂质的引入，保证样品的纯度。
4. 热处理：将样品进行热处理，目的是消除内部应力，提高材料的超导性能。
热处理过程中需要控制温度和时间，以确保样品的质量。
5. 低温冷却：将样品放置于低温环境中，通常使用液氮或液氦进行冷却。
低温冷却是实现超导态的关键步骤，必须保持低温稳定。
6. 电性能测试：对制备好的样品进行电性能测试，包括电阻测量、临界温度测量等。
通过测试结果评估样品的超导性能。
7. 封装与保护：将超导样品进行封装和保护，以防止氧化和机械损伤。
封装材料通常选择具有良好绝缘性能的材料。
8. 应用系统集成：将超导样品集成到具体的应用系统中。
根据不同的应用需求，设计和制造相应的电路和设备。
9. 系统调试与优化：对整个超导系统进行调试和优化，确保系统的稳定性和性能。
低温超导工艺流程的实施需要严格的操作规范和高水平的技术支持。
随着超导材料和工艺的不断发展，低温超导技术将在能源、医疗、通信等领域发挥更大的作用。
为什么超导体需要极低温度
为什么超导体需要极低温度？
超导体需要极低温度的原因是因为超导电性只在低温下才能被观察到。
这与超导体内部的电子行为以及材料的特性有关。
超导电性的机制是通过电子-电子相互作用而形成的。
在常规金属中，电子受到晶格振动的干扰，导致电阻产生。
然而，在足够低的温度下，当超导体的电子凝结成电子对时，由于库伯对的对称性和相互作用的强度，电子对可以通过晶格中的正电荷形成一个相干的状态，从而导致电阻为零。
电子对的形成取决于电子之间的相互作用和能级分布。
在较高的温度下，热能足以破坏电子对的稳定性，使之解离成单个电子，从而导致电阻产生。
为了使电子对保持稳定，降低温度是必要的。
特定超导体的临界温度（临界温度是超导性消失的温度）是由其特定的电子-电子相互作用和能带结构决定的。
一些高温超导体（例如铜基和铁基超导体）能在相对较高的温度下实现超导性，临界温度可达到液氮温度（77开尔文或-196摄氏度）。
而传统的低温超导体（如铅、铝、铌等）则需要更低的温度，通常在液氦温度（4开尔文或-269摄氏度）以下。
因此，为了观察和利用超导性，超导体需要被冷却到极低温度条件下，以使电子对能够稳定存在并导致电阻为零。
超导材料的制备方法及步骤详解
超导材料的制备方法及步骤详解引言超导材料是一种在低温下具有零电阻和完全磁通排斥的材料。
它们在能源传输、磁共振成像、电子器件等领域具有广泛的应用前景。
本文将详细介绍超导材料的制备方法及步骤，以帮助读者深入了解超导材料的制备过程。
一、超导材料的基本概念超导材料是指在低温下电阻为零的材料。
它们具有特殊的电子结构和能带特性，使得电子在晶格中的传输不受散射的影响，从而产生零电阻的效应。
超导材料的制备过程主要包括材料选择、样品制备和性能测试三个步骤。
二、超导材料的选择超导材料的选择是超导材料制备的第一步。
目前常见的超导材料主要有铜氧化物、铁基超导体和镁二硼等。
选择合适的超导材料需要考虑其超导转变温度、结构稳定性、制备难度等因素。
铜氧化物超导体具有较高的转变温度，但制备过程复杂；铁基超导体具有较高的转变温度和较好的结构稳定性，但制备难度较大；镁二硼超导体具有较低的转变温度，但制备相对简单。
因此，在实际应用中需要根据具体需求选择合适的超导材料。
三、超导材料的样品制备超导材料的样品制备是超导材料制备的核心步骤。
样品制备的方法主要包括固相法、溶胶-凝胶法、物理气相沉积法等。
下面将详细介绍这些方法的步骤及特点。
1. 固相法固相法是超导材料制备中最常用的方法之一。
其步骤主要包括材料混合、球磨、压制和烧结等。
首先，将所需的超导材料粉末按一定比例混合，并进行球磨，以提高材料的均匀性和活性。
然后，将混合粉末压制成块状，并进行烧结，使粉末颗粒结合成致密的样品。
固相法的优点是制备过程相对简单，适用于大规模生产；缺点是制备出的样品晶粒尺寸较大，导致超导性能下降。
2. 溶胶-凝胶法溶胶-凝胶法是一种通过溶胶和凝胶的形成过程制备超导材料的方法。
其步骤主要包括溶胶制备、凝胶形成、干燥和烧结等。
首先，将超导材料的前体溶解在适当的溶剂中，形成溶胶。
然后，通过控制溶胶的温度和浓度，使其形成凝胶。
接下来，将凝胶进行干燥，以去除溶剂。
最后，进行烧结，使凝胶转变为致密的样品。
超导材料的特性与选择指南
超导材料的特性与选择指南引言超导材料是一类具有特殊电性质的材料，其在低温下能够展现出零电阻和完全磁场排斥的特性。
这使得超导材料在能源传输、磁共振成像、粒子加速器等领域具有广泛的应用前景。
然而，不同类型的超导材料具有不同的特性和适用范围，因此在选择超导材料时需要考虑多个因素。
本文将介绍超导材料的基本特性，并提供一个选择指南，帮助读者了解不同超导材料的优缺点，以便更好地选择适合自己需求的超导材料。
一、超导材料的基本特性1. 零电阻：超导材料在超导态下具有零电阻特性，电流可以无阻力地通过材料中传输，这使得超导材料在能源传输和电路应用中具有重要意义。
2. 完全磁场排斥：超导材料在超导态下对磁场表现出完全排斥的特性，即磁场无法穿透超导材料，这使得超导材料在磁共振成像和磁悬浮等领域具有广泛应用。
3. 临界温度：超导材料的超导态只在低温下才能实现，其临界温度是指超导态开始出现的温度。
不同超导材料的临界温度范围不同，对于实际应用来说，需要选择适合工作温度的超导材料。
4. 临界电流密度：超导材料在超导态下能够承受的最大电流密度称为临界电流密度，该参数决定了超导材料在实际应用中的承载能力。
5. 磁化率：超导材料的磁化率是指在超导态下，材料对外加磁场的响应程度。
磁化率的大小决定了超导材料对外磁场的敏感程度。
二、超导材料的分类与特性根据超导机制的不同，超导材料可以分为传统超导材料和高温超导材料两类。
1. 传统超导材料传统超导材料是指临界温度较低的超导材料，其超导机制主要由电子与晶格振动相互作用引起。
常见的传统超导材料包括铅、锡、铟等。
铅是一种常见的传统超导材料，其临界温度约为7.2K。
铅具有良好的超导特性，但其临界电流密度较低，限制了其在高电流应用中的使用。
锡是另一种常见的传统超导材料，其临界温度约为3.7K。
锡的超导特性较铅略差，但其临界电流密度较高，适合一些需要承载较大电流的应用。
铟是一种具有较高临界温度的传统超导材料，其临界温度约为3.4K。
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LaO1−xFxFeAs的电子结构进行了计算,他们的研究进一步证明LaO1−xFxFeAs是一种不同于铜氧化物超导体的新型高温超导体[17].闻海虎小组将其在该领域的第一篇文章于3月5日贴到arXivO0.9F0.1−δFeAs样品,并对其特性进行了测量[18].随后,美国能源部橡树岭国家实验室Mandrus领导的研究小组(以下简称“Mandrus小组”)也报道了他们对LaO0.89F0.11FeAs的晶体结构、磁化率、霍尔系数、Seebeck系数等的研究结果[19]. 3月中旬,闻海虎小组报道在LaOFeAs中用Sr2+
2008年1月初,细野秀雄小组发现LaO1−xFxFeAs的临界温度可以达到26 K. LaOFeAs由绝缘的氧化镧
图1 REFeAsO晶体结构示意图
层和导电的砷化铁层交错层叠而成.纯粹的LaOFeAs即便被冷却至极低温度时也不会出现超导现象,但是当将该物质中3%以上的氧离子替换为氟离子后,超导现象随即出现.当替换比率为3%左右时,该物质的超导临界温度接近绝对零度,进一步提高替换比率时,临界温度随之上升.当替代比率上升至11%左右时,临界温度达到顶峰,约为26 K,超导起始转变温度(Tconset)则超过30 K(在实际测量中,通常引入超导起始转变温度(Tconset)、零电阻温度(Tczero)和中点转变温度(Tcmid)来描述超导体的特性.通常所说的临界温度Tc指的是Tcmid,即电阻等于Tconset电阻的1/2时对应的温度)[5].不久,该小组发现在加压(4 GPa)后, LaO0.89F0.11FeAs的Tconset最高可以达到43 K[16]. LaOFeAs的特殊之处还在于其中含有铁元素,铁是典型的磁体,而磁性则对常规超导电子配对起着破坏作用.因此,这一突破性进展开启了科学界新一轮的高温超导研究热潮.
eAsO1−δ (RE = Sm, Nd, Pr, Ce, La)系列无氟缺氧型铁砷超导体.他们发现,该系列新型超导体的Tconset随着稀土元素RE原子半径的减小依次递升, SmFeAsO0.85的Tconset最高,达到55 K, Tczero为52.8 K,而NdFeAsO0.85, PrFeAsO085, CeFeAsO0.85和LaFeAsO0.的最高Tconset则分别为53.5 K, 51.3 K, 46.5 K和31.2 K[12].随后,日本产业技术综合研究所的Iyo等人也宣布利用高压法制备出NdFeAsO1−y多晶样品.他们发现,当0.3≤y≤0.8时, NdFeAsO1−y呈现急剧超导转变,且y值变化对临界温度没有明显影响.当y=0.4时,其Tconset, cmid, Tczero分别为54.2 K, 53.7 K和52.0 K[27].2008年4月23日,赵忠贤小组报道合成了GdFeAsO1−δ和GdFeAsO1−xFx样品.他们发现,与SmFeAsO0.85相比, GdFeAsO0.85的晶格常数虽然更小,但其Tconset却降低到53.5 K, Tczero降低到52.3 K.此外,他们发现,当x=0.2时, GdFeAsO1−xFx的Tconset和Tczero达到最高值,分别为51.2 K和45.5 K[28]. 9月下旬,赵忠贤小组又报道利用高压合成法,借助特种快淬工艺合成了REFeAsO1−δ系列的重稀土元素成员, RE=Ho, Y, Dy, Tb,它们的Tconset分别为50.3 K, 46.5 K, 52.2 K和48.5 K[29].浙江大学物理系凝聚
1“1111”体系研究进展
“1111”体系是研究人员发现的第一个铁基超导材料体系,也是研究最广最深的一个体系.该体系拥有ZrCuSiAs四方晶系结构(常温下,空间群为P4/nmm).
2006年5月(考虑到各期刊稿件处理速度的不同,本文采用相关研究论文的最早提交时间或研究成果的最早公布时间,如首次发布在arXiv上面的时间),细野秀雄小组宣布发现一种铁基层积氧磷族元素化合物——LaOFeP. LaOFeP由氧化镧(La3+O2−)层和磷化铁(Fe2+P3−)层交错层叠而成(图1),通过测量磁阻和电阻,他们确认该物质的临界温度大约为4 K(−269℃).经过F掺杂后, La(O0.94F0.06)FeP的临界温度可以提高到7 K[3]. 2007年6月,细野秀雄小组利用固相反应法制备出LaNiPO,其临界温度大约为3 K[4].不过,由于上述两种物质的临界温度皆在10 K以下,它们的发现并没有引起特别的关注及兴趣.
−xFxFeAs, Tconset可达52 K,零电阻温度(Tczero)和Meissner转变温度分别为44 K和50 K[10],这是第一种超导转变温度超过50 K的非铜氧化物超导体.3月31日,赵忠贤小组又宣布用高压法合成了第二种超导转变温度超过50 K的非铜氧化物超导体——NdO1−xFxFeAs,其Tconset为51.9 K(如前所述,王楠林小组在同一天公布的为50 K[23]), Meissner转变温度为51 K,而其Tczero则提高到48.8 K[25].4月13日,赵忠贤小组宣布利用高
了SmO1−xFxFeAs样品,发现该物质在不施加压力的条件下也具有体超导电性(bulk superconductiv-ity).电阻率和磁化率测量表明,其Tconset达到43 K, Tcmid达到41.7 K[8].此前大约一个月,细野秀雄小组发现在加压(4 GPa)后, LaO0.89F0.11FeAs的Tconset最高可达到43 K[16].而此前所有已报道的具有体超导电性的非铜氧化物超导体中,临界温度最高的是MgB2, Tconset=39 K[22].因此, SmO1−xFxFeAs成为常压下第一种临界温度超过40 K的非铜氧化物超导体.3月26日,王楠林小组用Ce替代La合成
关键词
铁基超导
氧磷族元素化合物
临界温度
上临界磁场
固相反应法
自熔法
20世纪最后10年中,具有ZrCuSiAs结构的稀土过渡金属氧磷族元素化合物陆续被发现,但研究人员并未发现其中的超导现象[1,2]. 2006年和2007年,日本东京工业大学前沿合作科学研究中心的细野秀雄教授带领的研究小组(以下简称“细野秀雄小组”)先后发现LaOFeP[3]和LaNiPO[4]在低温下展现出超导电性,但是由于临界温度皆在10 K以下,并没有引起特别的关注及兴趣. 2008年1月初,细野秀雄小组发现在铁基氧磷族元素化合物LaOFeAs中,将部分氧以掺杂的方式用氟取代,可使LaO1−xFxFeAs的临界温度达到26 K[5],这一突破性进展开启了科学界新一轮的高温超导研究热潮.我国科研机构,特别是中国科学院,迅速开展了卓有成效的研究工作,在新一轮的高温超导研究热潮中占据了重要位置: 3月初,中国科学院物理研究所王楠林研究员领导的研究小组(以下简称“王楠林小组”)很快就合成了LaO0.9F0.1-δFeAs多晶样品,并测量了基本物理性质[6]; 3月中旬,中国科学院物理研究所闻海虎研究员领导的研究小组(以下简称“闻海虎小组”)成功合成出第一种空穴掺杂型铁基超导材料—— La1−xSrxOfeAs[7];3月25日和3月26日,中国科学技术大学陈仙辉教授领导的研究小组(以下简称“陈仙辉小组”)[8]和中国科学院物理研究所王楠林小组[9]分别独立发现临界温度超过40 K的超导体;3月29日,中国科学院物理研究所赵忠贤院士领导的小组(以下简称“赵忠贤小组”)发现PrO1−xFxFeAs的超导转变温度可达52 K[10]. 4月中旬,该小组又先后发现在压力环境下合成的SmO1−xFxFeAs[11]和REFeAsO1−δ[12]超导转变温度进一步升至55 K等.此外,研究人员也在不断探索新型铁基超导材料的应用. 4月下旬,中国科学院电工研究所应用超导重点实验室马衍伟研究员领带的研究小组(以下简称“马衍伟小组”)率先成功研制出超导起始转变温度达25 K的LaO1−xFxFeAs线材[13].在此基础上,该小组与闻海虎小组合作又制备出超导起始转变温度高达52 K的SmO1−xFxFeAs线材[14].另据报道,细野秀雄小组已经在新型铁基超导薄膜制作上取得初步成功[15].
1−xFxFeAs样品,也独立发现超导转变温度超过40 K的超导体系(Tconset=41 K).他们发现该体系存在超导电性与自旋密度波序的竞争,其超导相与反铁磁自旋密度波不稳定性邻近,由此他们指出磁扰动是寻找该类高温超导体的要素之一[9].随后,他们对REO1−xFxTAs(RE=La, Ce, Nd, Eu, Gd, Tm, T=Fe, Ni, Ru)的元素替代效应进行了系统研究.他们发现, NdO1−xFxFeAs的Tconset大约为50 K,而GdO1−xFxFeAs的Tconset则低于10 K[23].不过很快,闻海虎小组发现当x=0.17时, GdO1−xFxFeAs的Tconset可以达到36.6 K[24]. 3月
目前,根据母体化合物的组成比和晶体结构,新
557
2009年3月第54卷第5期
型铁基超导材料大致可以分为以下四大体系: (1)“1111”体系,成员包括LnOFePn(Ln=La, Ce, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Y; Pn=P, As)以及DvFeAsF (Dv = Ca, Sr)等; (2)“122”体系,成员包括AFe2As2 (A = Ba, Sr, K, Cs, Ca, Eu)等; (3)“111”体系,成员包括AfeAs (A = Li, Na)等; (4)“11”体系,成员包括FeSe(Te)等.
1−FxFeAs,其Tconset达到55 K,是当时已报道的所有非铜氧化物超导体中最高的,其Tczero和Meissner转变温度分别高达52.6 K和54.6 K[11]. 6月中旬,马衍伟小组宣布利用新开发出的一步烧结法成功合成了SmO1−xFxFeAs高密度大块样品[26].4月16日,赵忠贤小组宣布利用高压法合成