GaN半导体材料综述--功能纳米材料
氮化镓的作用及应用
氮化镓的作用及应用氮化镓是一种无机化合物，化学式为GaN。
它是一种重要的半导体材料，具有许多重要的应用和作用。
本文将详细介绍氮化镓的作用及其在各个领域的应用。
首先，让我们来了解一下氮化镓的基本性质。
氮化镓是一种III-V族化合物，具有类似于硅的晶体结构。
它在室温下为六方晶系，是一种直接带隙半导体材料，具有广泛的光电性能。
它的带隙宽度约为3.4电子伏特，使其在电子器件和光电器件中具有重要的应用价值。
氮化镓在电子器件中的作用和应用非常广泛。
由于其带隙宽度较大，具有较高的电子迁移率和较小的电子有效质量，因此在高频、高功率、高温等恶劣条件下具有良好的性能。
氮化镓广泛应用于微波和射频功率放大器、混频器、功率开关等功率器件中。
同时，氮化镓还是制造高频高速场效应晶体管（HEMT）的重要材料，具有优异的性能和稳定性，广泛应用于通信、雷达、卫星导航等领域。
氮化镓在光电器件中也有重要的应用。
由于其直接带隙结构和较大的带隙宽度，氮化镓具有良好的光电转换性能和光学性能。
因此，氮化镓被广泛应用于发光二极管（LED）和激光二极管（LD）等光电器件中。
氮化镓LED具有发光效率高、寿命长、发光波长范围广等优点，被广泛应用于照明、显示、显示器等领域。
同时，氮化镓LD具有较高的光电转换效率和较小的线宽，被广泛应用于激光打印、激光医疗、激光显示等领域。
除此之外，氮化镓还具有其他重要的应用。
在太阳能电池领域，氮化镓作为窄带隙和高吸收系数的材料，被广泛研究和应用于多结太阳能电池和高效率光伏器件中。
在磁性材料领域，氮化镓具有特殊的磁性性能，被应用于磁存储器件、磁传感器、自旋电子学器件等领域。
在生物医学领域，氮化镓还被用作生物传感器、医疗诊断器件等生物医学器件的材料。
总的来说，氮化镓是一种非常重要的半导体材料，具有广泛的应用前景和发展潜力。
它在电子器件、光电器件、太阳能电池、磁性材料、生物医学器件等领域都有重要的应用和作用，为现代科技领域的发展做出了重要贡献。
GaN材料的特性与应用
GaN材料的特性与应用2006-6-15 1前言GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SiC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si 半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。
它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。
表1钎锌矿GaN和闪锌矿GaN的特性2 GaN材料的特性GaN是极稳定的化合物，又是坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃，GaN具有高的电离度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的（0.5或0.43）。
在大气压力下，GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。
它在一个无胞中有4个原子，原子体积大约为GaAs的一半。
因为其硬度高，又是一种良好的涂层保护材料。
2.1GaN的化学特性在室温下，GaN不溶于水、酸和碱，而在热的碱溶液中以非常缓慢的速度溶解。
NaOH、H2SO4和H3PO4能较快地腐蚀质量差的GaN，可用于这些质量不高的GaN晶体的缺陷检测。
GaN在HCL或H2气下，在高温下呈现不稳定特性，而在N2气下最为稳定。
2.2GaN的结构特性表1列出了纤锌矿GaN和闪锌矿GaN的特性比较。
2.3GaN的电学特性GaN的电学特性是影响器件的主要因素。
未有意掺杂的GaN在各种情况下都呈n型,最好的样品的电子浓度约为4×1016/cm3。
一般情况下所制备的P型样品，都是高补偿的。
很多研究小组都从事过这方面的研究工作，其中中村报道了GaN最高迁移率数据在室温和液氮温度下分别为μn=600cm2/v·s和μn= 1500cm2/v·s，相应的载流子浓度为n=4×1016/cm3和n=8×1015/cm3。
近年报道的MOCVD沉积GaN层的电子浓度数值为4 ×1016/cm3、<1016/cm3；等离子激活MBE的结果为8×103/cm3、<1017/cm3。
《GaN纳米材料的制备、掺杂及发光性能研究》
溶液法则是一种低成本、易操作的制备方法。通过调整溶液的浓度、反应温度和时间等参数，我们可以制备出具有优异光学性能的GaN纳米颗粒。同时，溶液法还可以实现掺杂元素的均匀分布，从而提高GaN纳米材料的发光效率和稳定性。
十九、应用前景与展望
随着科技的进步和应用需求的增加，GaN纳米材料在光电子器件、生物医学等领域的应用前景十分广阔。通过不断的制备工艺优化、掺杂技术研究和发光性能的深入探索，我们有信心进一步提高GaN纳米材料的性能，并推动其在更多领域的应用。
未来，我们期待看到更多关于GaN纳米材料的研究成果，如更高效的LED和激光器、更灵敏的生物荧光探针和电化学传感器等。同时，我们也将持续关注其潜在应用领域的发展，为人类的科技进步做出更大的贡献。
十三、GaN纳米材料的制备技术研究
为了更好地探索和应用GaN纳米材料，我们必须对GaN纳米材料的制备技术进行深入研究。制备GaN纳米材料的主要方法包括物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）以及溶液法等。
在物理气相沉积（PVD）中，我们可以通过控制蒸发源的温度、蒸发速率以及基底温度等参数，制备出高质量的GaN纳米材料。此外，利用激光脉冲沉积（PLD）和分子束外延（MBE）等PVD技术，我们还可以实现GaN纳米材料的掺杂和异质结构生长。
二十、GaN纳米材料的制备技术
GaN纳米材料的制备是决定其性能的关键步骤。目前，主要的制备方法包括物理气相沉积法、化学气相沉积法、分子束外延法等。这些方法各有优缺点，需要根据具体需求和条件进行选择。
氮化镓用途
氮化镓用途引言氮化镓（GaN）是一种半导体材料，具有优异的电子性能和热性能。
它在电子、光电子和能源领域有着广泛的应用。
本文将详细介绍氮化镓的用途及其在不同领域的应用。
电子领域1. 高电子迁移率晶体管（HEMT）氮化镓是制造高频、高功率的HEMT器件的理想材料。
其高饱和漂移速度和高电子迁移率使得GaN HEMT在射频功率放大器和微波通信系统中具有出色的性能。
GaN HEMT还被广泛应用于雷达系统、无线通信设备和卫星通信等领域。
2. 能隙光电二极管（LED）氮化镓在LED制造中扮演着重要角色。
由于氮化镓材料带隙宽度可调，因此可以实现不同颜色发光。
GaN基LED具有高效率、长寿命和低能耗等优点，被广泛应用于照明、显示屏幕、背光源等。
3. 激光器氮化镓激光器具有较高的电子迁移率和较窄的能带宽度，因此在光通信、激光打印、激光雷达等领域有着广泛应用。
GaN激光器还可用于医疗设备、材料加工和科学研究等领域。
光电子领域1. 光电探测器氮化镓材料具有宽带隙和高饱和漂移速度，使其成为制造高性能光电探测器的理想选择。
GaN光电探测器在太阳能电池、红外探测、高速通信等领域有着广泛应用。
2. 紫外线发射二极管（LED）氮化镓材料在紫外线波段的发射具有独特优势。
GaN基紫外线LED广泛应用于消毒、水质检测、荧光光源等领域。
3. 深紫外线激光器由于氮化镓材料的宽带隙，GaN激光器可以实现深紫外线波长的输出。
这种激光器在生物医学、材料加工和气体检测等领域具有重要应用价值。
能源领域1. 太阳能电池氮化镓太阳能电池具有高光电转换效率和较高的耐热性能。
GaN太阳能电池对可见光和紫外线的吸收能力强，可以实现高效转换太阳能为电能。
2. 氢燃料电池氮化镓材料在氢燃料电池中作为催化剂载体具有优异的性能。
GaN可作为催化剂载体提高氢燃料电池的催化效率、稳定性和寿命。
3. 热管理由于氮化镓具有较高的导热系数和优异的耐高温性能，因此被广泛应用于高功率电子器件的热管理。
什么是GaN
什么是GaN?GaN中文名：氮化嫁，用化学元素来解释就是V族化合物。
六方晶系铅锌矿型结构，为直接带隙半导体。
室温禁带宽度3.39eV。
电子和空穴有效惯性质量分别为0.19和0.6。
电阻率>107Ω·m，电子迁移率(1.25～1.50)×10-2m2/(V·s)。
采用化学气相淀积法制备。
GaN材料的研究与应用是全球半导体研究的热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。
它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。
GaN材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。
工程师用GaN材料制备出了金属场效应晶体管(MESFET)、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效应晶体管(MODFET)等新型器件。
GaN较宽的禁带宽度(3.4eV) 及蓝宝石等材料作衬底，散热性能好，有利于器件在大功率条件下工作。
GaN材料系列是一种理想的短波长发光器件材料，GaN及其合金的带隙复盖了从红色到紫外的光谱范围。
自从1991年日本研制出同质结GaN蓝色LED 之后，InGaN/AlGaN双异质结超亮度蓝色LED、InGaN单量子阱GaNLED相继问世。
目前，GaN LED的应用已经普遍，您每天都可能会见到它的身影，在交通信号灯里、彩色视频广告牌上、小孩的玩具中、甚至闪光灯里。
GaN LED 的成功不仅仅引发了光电行业中的革命。
它还帮助人们投入更多的资金和注意力来发展大功率高频率GaN晶体管。
GaN半导体氮化镓晶体管可耐受极度高温，并且其频率和功率特性远远高于硅、砷化镓、碳化硅、以及迄今为止所制造的所有半导体器件。
氮化镓半导体范文
氮化镓半导体范文氮化镓（GaN）是一种重要的半导体材料，具有许多优异的性能，如宽禁带宽度、高电子迁移率、高饱和电子漂移速度和很好的热稳定性。
因此，它在光电子器件和功率器件等应用领域具有广阔的市场前景。
本文将介绍氮化镓半导体的制备方法、物理性质以及在光电子器件和功率器件中的应用。
氮化镓的制备方法有化学气相沉积法（CVD）、分子束外延法（MBE）和金属有机化学气相沉积法（MOCVD）等。
其中，MOCVD法是目前最常用的一种方法。
这种方法通过将金属有机化合物和氨气在高温下反应，使金属有机化合物分解并释放出金属和氮气原子，从而在衬底上形成氮化镓薄膜。
在制备过程中，需要控制反应气氛、温度和衬底表面的质量等因素，以获得高质量的氮化镓材料。
氮化镓具有宽禁带宽度，约为3.4 eV。
这使得它具有很大的光吸收范围，可以在紫外到红外光谱范围内使用。
此外，氮化镓的电子迁移率很高，约为2000 cm²/Vs，远高于其他半导体材料。
这使得氮化镓在高频电子器件中具有出色的性能，如高速运算器件和射频功率放大器等。
另外，氮化镓的热稳定性也非常好，可以在高温环境下工作。
这使得氮化镓在高功率电子器件中表现出很好的可靠性和长寿命。
在光电子器件方面，氮化镓广泛应用于LED（发光二极管）和LD（激光二极管）等。
氮化镓LED具有很高的发光效率和长寿命，适用于各种照明和显示应用。
氮化镓LD具有窄线宽和高输出功率等特点，适用于光纤通信和激光投影等领域。
此外，氮化镓还被用于制备太阳能电池和光电探测器等。
在功率器件方面，氮化镓在高压和高电流条件下具有出色的性能。
因此，它被广泛应用于功率放大器、开关和变换器等。
氮化镓功率器件具有低损耗、高效率和高可靠性等特点，使其成为电力电子应用领域的理想选择。
例如，氮化镓可用于制备高频功率放大器，用于无线通信和雷达系统。
此外，氮化镓还可用于高效率的电力转换器，如变频器和电动汽车的控制器等。
总之，氮化镓是一种重要的半导体材料，具有许多优异的性能和广阔的应用前景。
《半导体材料和纳米材料》 讲义
《半导体材料和纳米材料》讲义一、引言在当今科技高速发展的时代，半导体材料和纳米材料成为了众多领域的关键支撑，从电子设备到医疗健康，从能源储存到环境保护，它们的应用无处不在。
这两种材料以其独特的性质和巨大的潜力，正引领着一场又一场的技术革命。
二、半导体材料（一）半导体材料的定义与特点半导体材料是一类导电性能介于导体和绝缘体之间的材料。
常见的半导体材料如硅、锗等，具有独特的电学和光学性质。
其电导率可以通过掺杂等方式进行精确调控，这使得它们在电子器件中得以广泛应用。
（二）半导体材料的分类1、元素半导体元素半导体主要包括硅、锗等。
硅是目前应用最为广泛的半导体材料，在集成电路制造中占据主导地位。
2、化合物半导体化合物半导体如砷化镓、磷化铟等，具有更高的电子迁移率和光学性能，常用于高频、高速和光电子器件。
（三）半导体材料的制备方法1、晶体生长常见的晶体生长方法有直拉法、区熔法等，用于制备高质量的半导体晶体。
2、薄膜制备包括化学气相沉积、物理气相沉积等技术，可在衬底上生长出薄而均匀的半导体薄膜。
（四）半导体材料在电子器件中的应用1、集成电路半导体材料是制造集成电路的基础，如芯片中的晶体管就是基于半导体材料的特性实现逻辑运算和信息存储。
2、二极管和三极管利用半导体材料的单向导电性和放大作用，制造出二极管和三极管，广泛应用于电子电路中。
3、太阳能电池通过半导体材料的光电转换效应，将太阳能转化为电能，为可再生能源的利用提供了重要途径。
三、纳米材料（一）纳米材料的定义与特点纳米材料是指在三维空间中至少有一维处于纳米尺度范围（1 100 纳米）的材料。
由于其尺寸小，纳米材料具有独特的表面效应、量子尺寸效应和宏观量子隧道效应等。
（二）纳米材料的分类1、零维纳米材料如纳米颗粒，具有尺寸小、比表面积大等特点。
2、一维纳米材料包括纳米线、纳米管等，在电子传输和力学性能方面表现出色。
3、二维纳米材料如石墨烯，具有优异的电学、热学和力学性能。
第三代半导体GaN材料发展状况简介
第三代半导体GaN 材料发展状况简介◎李超陈冲李佳霖何佳旺李易家（作者单位：吉林建筑大学）半导体材料，作为半导体技术的基础和支撑，从半导体科技发展以来就扮演着重要的角色。
自1947年，世界上第一只半导体锗（Ge ）材料晶体管的诞生到1965年半导体硅（Si ）材料超越Ge 材料成为半导体集成电路的主要材料，再到二十世纪七十年代以砷化镓（GaAs ）材料为代表的第二代半导体材料的引入，半导体技术的发展与进步不断地引起世界各国的重视，尤其是近年来，无线通信、雷达等领域的高频率、宽带宽、大功率、高效率器件的需要，第三代半导体材料———以氮化镓（GaN ）和碳化硅（SiC ），金刚石为代表的宽禁带半导体材料得到迅速的发展，得到了世界各国广泛的关注。
一、GaN 材料生长方法概述相比于第一代和第二代半导体材料，GaN 材料具有宽禁带、直接带隙、高热导率、高电子漂移速度、耐高温、耐高电压、抗腐蚀、抗辐射等突出优点，其禁带宽度约为3.4eV，是Si 的三倍左右，击穿场强高，为Si 的10倍左右。
GaN 晶体一般呈六方纤锌矿或者立方闪锌矿结构。
目前，GaN 领域的大部分研究主要集中于结构更为稳定的纤锌矿结构上，本文重点亦是纤锌矿结构，下文中提到的GaN 材料均指六方纤锌矿结构的GaN 材料。
事实上，与同为第三代半导体的金刚石材料不同，自然界中并不存在天然的GaN 材料和SiC 材料，目前，GaN 体单晶的制备非常困难，当下大部分GaN 材料都是以在蓝宝石、硅、碳化硅等衬底上进行异质外延生长获得。
GaN 材料外延生长的方法主要有以下三种：第一、分子束外延技术（MBE ），第二、金属有机物化学气相淀积（MOCVD ），第三，氢化物气相外延（HVPE ）。
就这三种生长方法而言，MBE 方式外延获得的GaN 材料晶体质量最优，缺陷密度最小，但生长速率过于缓慢，成本较高，不利于大规模产业化；使用HVPE 方式外延具有最快的生长速率，而获得的GaN 晶体质量却一般，GaN 材料缺陷较大，通常，HVPE 法仅用于生长衬底材料，然后再使用MBE 或MOCVD 法在HPVE 法生长的GaN 衬底上进行同质外延，MOCVD 外延法生长GaN 材料具有折中的生长速度和晶体质量，而且MOCVD 系统比MBE 系统简单，因此目前市场上主要使用MOCVD 法生长GaN 以及GaN 基材料。
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GaN半导体材料综述 课程名称: 纳米功能材料与器件 学生姓名: XX 学 院: 新材料技术研究院 学 号: XXXX 班 级: XXXX 任课老师: 顾有松 评 分:
2015-12 目录 1 前言 ............................................................................................................................... 1 2 GaN材料的性能研究 .................................................................................................. 1 2.1 物理性质 ......................................................................................................... 1 2.2 化学性质 ......................................................................................................... 2 2.3 电学性质 ......................................................................................................... 2 2.4 光学性质 ......................................................................................................... 2 3 GaN材料的制备 .......................................................................................................... 3 3.1 金属有机化学气相外延技术(MOCVD) ....................................................... 3 3.2 分子束外延(MBE) .......................................................................................... 3 3.3 氢化物气相外延(HVPE) ................................................................................ 4 4 GaN材料的器件构建与性能 ...................................................................................... 5 4.1 GaN基发光二极管(LED) .............................................................................. 5 4.2 GaN基激光二极管(LD) ................................................................................ 6 4.3 GaN基电子器件 ............................................................................................ 7 4.4 GaN基紫外光探测器 .................................................................................... 7 5 结论 ............................................................................................................................... 7 参考文献 .............................................................................................................................. 8 1 前言 继硅（Si）引导的第一代半导体和砷化镓（GaAs）引导的第二代半导体后，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的第三代半导体材料闪亮登场并已逐步发展壮大。 作为第三代半导体的典型代表，GaN材料是一种直接带隙以及宽带隙半导体材料。室温下其禁带宽度为3.4eV，具有高临界击穿电场、高电子漂移速度、高热导、耐高温、抗腐蚀、抗辐射等优良特性，是制作短波长发光器件、光电探测器以及高温、高频、大功率电子器件的理想材料。随着纳米技术的发展，III族氮化物一维纳米结构在发光二极管、场效应晶体管以及太阳能电池领域都具有极大的潜在应用。进入20世纪90年代以后，由于一些关键技术获得突破以及材料生长和器件工艺水平的不断提高,使GaN材料研究空前活跃，GaN基器件发展十分迅速。基于具有优异性质的纳米尺寸材料制造纳米器件是很有意义的，GaN纳米结构特别是纳米线是满足这种要求的一种很有希望的材料[1]。 本论文主要介绍了GaN材料的性能研究、制备方法研究、器件构建与性能三个方面的内容，并最后进行了总结性阐述，全面概括了GaN材料的基本内容。
2 GaN材料的性能研究 2.1 物理性质 GaN是一种宽带隙半导体材料，在室温下其禁带宽度约为3.4 eV；Ga和N原子之间很强的化学键，使其具有高达1700℃的熔点；电子漂移饱和速度高，且掺杂浓度对其影响不大；抗辐射、介电常数小、热产生率低和击穿电场高等特点。通常情况下GaN的晶体结构主要为六方纤锌矿结构和立方闪锌矿结构，前者为稳态结构，后者为亚稳态结构，在极端高压情况下也会表现为立方熔盐矿结构[2]。目前各种器件中使用到的都是六方GaN，其晶体结构如图2-1所示。 图2-1 GaN方纤锌矿结构(a)黑色为Ga原子，灰色为N原子；(b)Ga和N原子的成键形式 2.2 化学性质 GaN的化学性质非常稳定，在室温下它既不与水发生反应，也不和酸或碱发生化学反应，但能缓慢地溶解在热的碱性溶液中。由于GaN的稳定性，对其表面进行刻蚀是非常困难的。目前，在工业生产中主要采用等离子体刻蚀的方法对GaN的表面进行处理[2]。
2.3 电学性质 电学性能是影响光电器件性能的主要因素。非故意掺杂的GaN一般为n型，其载流子浓度约为1014 cm3～1016 cm3。如此高的本征载流子浓度曾一度限制了GaN的P型掺杂，给GaN器件的应用带来了困难。到1989年H．Amano等人用电子束照射的方式获得了Mg掺杂的P型GaN，才使得GaN器件的应用有了很大的发展。另外，GaN材料具有较高的电子迁移率，适度掺杂的AlGaN/GaN结构电子迁移率更高，而且还具有高的电子漂移速度和较低的介电常数，是制作高频微波器件的重要材料。
2.4 光学性质 GaN为直接宽带隙半导体材料，在室温下其发光波长为365 nm，位于蓝光波段。InN的禁带宽度为0.77 eV，GaN的禁带宽度为3.43 eV，AlN的禁带宽度为6.2 eV，通过在GaN中掺入不同组分的In和Al，GaN基材料的禁带宽度可以实现从0.77eV到6.2 eV的连续变化，其发光波长实现200 nm～656nm的连续变化，覆盖了整个可见光区和近紫外光区，所以，非常适合制作各种发光器件，有可能成为太阳能光伏产业的重要材料。 3 GaN材料的制备 要研发与制备高质量、高性能的InGaN/GaN器件，首先就要制备出高质量的GaN材料。GaN在高温下分解为Ga和N2，常压下无法融化，只有在2200℃以上，6GPa以上的N2压力下才能使GaN融化，所以传统直拉法和布里奇曼法都不能用来生长GaN单晶[3]。至今，GaN材料的获得仍然以异质外延技术生长为主，即通过在其它晶体衬底上实现。近年来，又有出现了一些较为简单的方法，包括磁控溅射、溶胶一凝胶、脉冲激光沉积和电泳沉积等。在GaN材料的外延生长方面，应用最广泛的外延生长技术主要有：金属有机化学气相外延技术(MOCVD)、分子束外延(MBE)、氢化物气相外延(HVPE)[4]。下面对这三种生长技术作简要概述。
3.1 金属有机化学气相外延技术(MOCVD) 金属有机化学气相外延又称为金属有机气相外延(MOVPE)，是一种利用有机金属热分解反应进行气相外延生长薄膜的化学气相沉积技术，是在薄膜生长的众多技术中最经常运用的技术之一，是目前生长Ⅲ族氮化物多层结构最主流的方法，也是目前唯一能制备出高亮度氮化物发光二极管并用于规模化商业生产的生长技术。 该方法以三甲基镓(TMGa)为有机镓源，氨气为氮源并以H2和N2或者这种两
种气体的混合气体为载体，将反应物载入反应腔并在一定温度下发生反应，生成相应薄膜材料的分子团，在衬底表面上吸附、成核、生长，最后形成所需的外延层。此外，该沉积系统不需要超高真空，反应室可以扩展且设备维护简单，己被广泛应用于大面积、多片GaN外延片的工业生产中。 MOCVD法外延GaN的技术已经被广泛应用并部分实现产业化，但是仍存在一些制约因。首先，MOCVD设备本身价格非常昂贵，生产所使用的原料价格也非常昂贵且毒性大；其次，同HVPE一样需要较高温度使氨气发生解离，这就容易引起薄膜出现氮空位、碳污染以及内应力，从而影响薄膜的质量[5]。
3.2 分子束外延(MBE) 分子束外延(MBE)是一种实验室常用的生长III族氮化物的传统方法，但其发展