第十一章 恒定电流的磁场(二)作业答案
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一、 选择题
【 C 】1.(基础训练2)三条无限长直导线等距地并排安放,导线Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ分别载有1 A ,2 A ,3 A 同方向的电流.由于磁相互作用的结果,导线Ⅰ,Ⅱ,Ⅲ单位长度上分别受力F 1、F 2和F 3,如图所示.则F 1与F 2的比值是:
(A) 7/16. (B) 5/8. (C) 7/8. (D) 5/4.
【答】设导线Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ的电流强度分别为321,,I I I ,产生的磁感应强度分别为
321,,B B B ,相邻导线相距为a ,则
()()02030111231103010
22231227,
2224222I
I F I l B B I l a a a I I F I l B B I l a a a
μμμπππμμμπππ⎛⎫=+=+= ⎪⋅⎝⎭
⎛⎫
=-=-= ⎪⎝⎭
式中121231, 1, I 1A, I 2A, I 3A l m l m =====,得 8/7/21=F F .
【 D 】2. (基础训练6)两个同心圆线圈,大圆半径为R ,通有电流I 1;小圆半径为r ,通有电流I 2,方向如图.若r << R (大线圈在小线圈处产生的磁场近似为均匀磁场),当它们处在同一平面内时小线圈所受磁力矩的大小为 (A) R
r I I 22
210πμ. (B)
R
r I I 22
210μ. (C)
r
R I I 22
210πμ. (D) 0.
【答】大圆电流在圆心处的磁感应强度为,方向垂直纸面朝内
2R
I B 1
01μ=
; 小圆电流的磁矩为方向垂直纸面朝内,,2
22r I p m π=
所以,小圆电流受到的磁力矩的大小为2211sin 00m m M p B p B =⨯=︒=
[ B ]3.(自测提高2)如图所示,一电子以速度v
垂直地进入磁感强度为B
的均匀磁场中,此电子在磁场中运动轨道所围的面积内的磁通量将
(A) 正比于B ,反比于v 2
. (B) 反比于B ,正比于v 2
. (C)
正比于B ,反比于v . (D) 反比于B ,反比于v .
【答】 电子在磁场中做匀速率圆周运动,运动平面的法向平行于磁感应强度方向,因此,磁通量为
2
R B πΦ=,其中半径R 可由式2v evB m R =求得:mv R eB =,所以2
22mv m v B eB eB ππ⎛⎫Φ== ⎪⎝⎭
.
F 1
F 2F 3
1 A
2 A
3 A ⅠⅡⅢ
O
r
R I 1 I 2
[ B ]4、(自测提高4)一个动量为p 的电子,沿图示方向入射并能穿过一个宽度为D 、磁感强度为B
(方向垂直纸面向外)的均匀磁场区域,则该电子出射方向和入射
方向间的夹角为 (A)p eBD 1
cos
-=α.(B)p eBD 1sin -=α. (C)ep
BD 1sin -=α. (D) ep BD 1cos -=α.
【答】电子在磁场中的轨迹为一段圆弧,如图。
所以有,sin
mv
D eBD eBD
R eB
R mv p
α=
=
==
.
[ B ]5、(自测提高6)载有电流为I ,磁矩为m P 的线圈,置于磁感应强度为B 的均匀磁场中,若m P 与B 的方向相同,则通过线圈的磁通量Φ与线圈所受的磁力矩M 的大小为
(A),0m IBP M Φ== (B)/,0m BP I M Φ== (C),m m IBP M BP Φ== (D)/,m m BP I M BP Φ== 【答】磁通量m
S
p B ds BS B
I
Φ=
⋅==⎰⎰;磁力矩0m M p B =⨯= [ A ]6、(附录D :1)如图,无限长直载流导线与正三角形载流线圈在同一平面内,若长直导线固定不动,则载流三角形线圈将
(A) 向着长直导线平移. (B) 离开长直导线平移. (C) 转动. (D) 不动. 【答】载流三角形线圈受到的安培力方向指向长直导线,故选(A )
二、填空题 7.(基础训练14)如图11-33,在粗糙斜面上放有一长为l 的木制圆柱,已知圆柱质量为m ,其上绕有N 匝导线,圆柱体的轴线位于导线回路平面内,整个装置处于磁感强度大小为B 、方向竖直向上的均匀磁场中.如果绕组的平面与斜面平行,则当通过回路的电流I = /(2) mg NlB 时,圆柱体可以稳定在斜面上不滚动.
【答】(1)圆柱体所受合力为零:sin f mg θ=,式中的θ为斜面的倾角。
(2)以圆柱体的轴线为转轴,圆柱体所受的合力矩为零。即sin 0m Rf p B θ-=,式中的磁矩为
(2)m p NIS NI Rl ==,联立上述三个式子求解,即得答案。
8.(基础训练16)有半导体通以电流I ,放在均匀磁场B 中,其上下表面积累电荷如图所示.试判断它们各是什么类型的半导体?
是___n___型, 是__p__型 图11-33
I
【答】霍尔效应。n 型半导体为电子导电,电子带负电荷;p 型半导体为空穴导电,空穴带正电荷。由电子或空穴所受的洛仑兹力的方向可以判断它们往哪个表面堆积。
9.(基础训练19)如图,一个均匀磁场B 只存在于垂直于图面的P 平面右侧,B
的方
向垂直于图面向里.一质量为m 、电荷为q 的粒子以速度v 射入磁场.v
在图面内与
界面P 成某一角度.那么粒子在从磁场中射出前是做半径为
mv
qB
的圆周运动.如果q > 0时,粒子在磁场中的路径与边界围成的平面区域的面积为S ,那么q < 0时,其路径与边界围成的平面区域的面积是2
mv S qB π⎛⎫
- ⎪⎝⎭.
【答】(1)2v qvB m R
=,所以mv
R qB =;(2)参见下图。
v
10.(自测提高9)质量m ,电荷q 的粒子具有动能E ,垂直磁感线方向飞入磁感强度为B 的匀强磁场中.
当该粒子越出磁场时,运动方向恰与进入时的方向相反,那么沿粒子飞入的方向上磁场的最小宽度L =qB Em /2.
【答】最小宽度L=圆周运动的半径R
221 2v mv qvB m R E mv v R qB =⇒==⇒=
,R=qB Em /2
11.(自测提高10)如图所示,一半径为R ,通有电流为I 的圆形回路,位于Oxy 平面内,圆心为O .一带正电荷为q 的粒子,以速度v
沿z 轴向上运动,当带正电荷的粒子恰好通过O 点时,作用于圆形回路上的力为___0____,作用在带电粒子上的力为____0___.
【答】(1)根据0q 2
4r
qv e B r μπ⨯=
可知,带电粒子在圆形回路处产生的磁场q B 的
方向沿着回路的切线方向,与回路电流方向相同,故回路电流受力F Id q l B =⨯⎰= 0;
(2) 设I B 为圆电流I 在O 点的磁感应强度。I B 的方向与速度v
相同。故带电粒子受力I 0F qv B
=⨯=
P
B