中南大学模电复习提要(64学时)
(完整版)模拟电子技术基础_知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电子技术课程复习提纲（复习必备）
模拟电子技术课程复习提纲（复习必备）第一章半导体器件§1.1半导体基础知识1、本征半导体：本征半导体、本征激发、复合、本征半导体导电机理；2、杂质半导体：杂质半导体、N 型半导体、P 型半导体、多数载流子、少数载流子；3、PN 结：PN 结的形成机理、扩散运动与漂移运动、PN 结的本质、PN 结的单向导电特性；4、温度对本征半导体、杂质半导体、PN 结导电能力的影响；5、PN 结的伏安特性：)1(-=T U u S D e I I ，当T=300K 时mV U T 26=，伏安特性曲线：反向击穿区、反向截止区、死区、正向导通区；6、PN 结的反向击穿特性：击穿类型、击穿原因（雪崩击穿、齐纳击穿）；7、PN 结的电容效应：势垒电容C T 、扩散电容C D ，PN 结电容效应的非线性、正偏和反偏时主要考虑那个电容。
§1.2半导体二极管1、二极管的结构、分类、符号；2、二极管的伏安特性：)1(-=T D U u S D e I I ，⑴正向特性：死区开启电压U th =0.5V （Si ）、0.1V （Ge ），正向导通电压U D(on)=0.7V （Si ）、0.2V （Ge ），⑵反向特性：反向截止区，反向击穿区；3、二极管的温度特性；4、二极管的参数及其含义：F I 、R U 、R I 、M f 、D R 、d r 、DQD T D I mV I U r )(26≈=； 5、二极管的等效模型：理想模型、理想二极管串联恒压将模型、折线模型、小信号（微变等效）模型（注意微变等效模型的应用条件）；6、二极管电路的分析方法：⑴直流图解法、⑵模型解析法⑶交流图解法（在Q 点附近i u 幅度较小时使用）、⑷微变等效电路分析法；7、稳压二级管：稳压二极管工作原理、稳压二极管参数及含义、简单电路参数计算；8、二极管应用（单向导电特性、二极管导通截止的判断）⑴静态工作分析、⑵整流电路（单管半波整流、双管全波整流、桥式整流）、⑶限幅电路（串联限幅、并联限幅、上限幅、下限幅、双向限幅）、⑷门电路；9、特种二极管的工作条件、符号、特性、参数，发光二极管、光敏二极管、激光二极管、红外二极管、光电耦合器件、变容二极管。
中南大学电工学(少学时)试题题库及复习资料
………… 评卷密封线 ……………… 密封线内不要答题，密封线外不准填写考生信息，违者考试成绩按 0 分处 理 ……………… 评卷密封线 …………
中南大学考试模拟试卷 2
20 ~20 学年
学期 电工学 课程 时间 100 分钟
32 学时， 2 学分，闭卷，总分 100 分，占总评成绩 60 %
题 一 二三四五六七八九十 合
t
F
t
二、解：
I2 I1
三、解：
四、解：
五、解：
六、解： 静态工作点为： 微变等效电路如下图所示： β u0 动态分析：
= = 400 1≈0.998kΩ r0 = = 5kΩ
七、解： U01 = = - 2V = 2， 第二级运放是反向比例运算电路，所以：
八、证明： （a）
（b） 所以，图（a）和图（b）两电路具有相同的逻辑功能。
同相 输入、 反相 输入和 双端 输入三种。
5. 在时间上和数值上均作连续变化的电信号称为 模拟 信号；在时间上和
数值上离散的信号叫做 数字 信号。
6.
＝
7. 时序逻辑电路的输出不仅取决于 输入 的状态，还与电路 已存 的现态
有关。
8. 下图所示是、两输入端的输入波形，输出波形 F 为 与 门的输出波形。
信号有（ ）。
A、直流成分； B、交流
成分； C、交直流成分均有。
5. 基本放大电路中的主要放大对
象是（ ）。
A、直流信号；
B、交流
信号；
C、交直流信号均有。
6. 理 想 运 放 的 两 个 重 要 结 论 是
得
二、试将下图所示电路化简成最简形式。（6 分）
分评
卷
人
中南大学电路试卷及答案整合版
---○---○---………… 评卷密封线 封线 …………中南大学考试试卷20 ~20 学年下学期 电路理论 课程 时间100分钟 64 学时， 6 学分，闭卷，总分100分，占总评成绩 70 %3、图示正弦电路,负载Z L 可调,试求Z L 等于多少时,可获得最大功率, 最大功率等于多少？（8分） j10Ω5∠0○4、图所示电路，已知二端口网络N ’的Z 参数矩阵为， 试求二端口网络N 的Z 参数矩阵。
(8分)’⎥⎦⎤⎢⎣⎡='4332Z受控源的功率。
（14分）四、图示对称三相电路，电源端的线电压U l =380V，R=57.16Ω，X=11Ω，LX= -44Ω。
试求：（14分）C（1）各线电流；（2）用二瓦计法测量电源端的三相功率，试画出接线图；（功率表串在A、B两条端线）（3）若B相电容负载在“X”处发生开路，计算此时两个功率表的读数。
（t）。
（14分）六、图示电路，电路无初始储能。
已知R=8Ω，L=1H ，C=1F ，试求（1）网络函数)()()(2s I s U s H S ；（2）在S 平面上绘制)(s H 的零点和极点。
（14分）一、 1、2、（1）电流表A 读数 A 1.725)2520(522≈=-+ （2）电流表A2读数20/2=10A ，电流表A3读数25*2=50A ，电流表A 读数 A 3.40655)5010(522≈=-+3、 4、 二、标注结点三、作直流及交流下分图 （1）直流 （2）交流时串联谐振N 网络吸收P=P 0+P 1=3WWI P AI j Z L L L 2545.2)104(2max =⨯==Ω-=4232321=Z WP Iu P I I u I u u u u u u u CCS n CCCS n n n n n n n n ?31)12(311312036323213211=⇒⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎭⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎬⎫⨯+==+-=+--=-+-=WP A I 2113,1200=⨯-==W I U P AI I S 11414.1112021=⨯==-=四、如图△→Y 变换，并在端线接入功率表 设 若B 相电容开路，两个串接的电容不构成有功功率，则功率表读数为五、 六、画运算电路 求U 2(s)零点 z 1=0, z 2=0 极点 p 1=-1, p 2=-1 (分布图略)AI A I A jX U Z U I I I j Z U V U C B CAA YA A A A AB12066.8,12066.8066.8905301030221105.190220,30380∠=-∠=⇒∠=∠+-∠=+=+=Ω∠=+=∠=∠=∙∙∙∆∙∙∆∙∙∆∙∙WI U W W I U W l l 1900)30cos(23800)3030cos(10380)30cos(1=+==-⨯⨯=-=∆∆ ϕϕ)(2)]()0([)()(1/25/10)(15/)510()0(52/21A e e i i i t i sR L A i Ai H M L L L t t eq eq ---=∞-++∞=====∞=-=+=++=ττ124)()()()(124)(222222++==++=s s s s I s U s H s I s s ss U s S---○---○------○---○---………… 评卷密封线 ……………… 密封线内不要答题，密封线外不准填写考生信息，违者考试成绩按0分处理 ……………… 评卷密封线 …………中南大学考试试卷20 ~20 学年下学期 电路理论 课程 时间100分钟 64 学时， 6 学分，闭卷，总分100分，占总评成绩 70 %一、简算题：（30分）1、电路如图所示，分别计算电压源和电流源的功率，并判断是吸收还是发出功率。
模拟电路课程教学大纲
2010级电子科学与技术专业课程教学大纲物理学与电子信息工程系编制2010年09月目录《数学物理方法》课程教学大纲 (2)《C语言程序设计》课程教学大纲 (10)《模拟电路》课程教学大纲 (20)《数字逻辑电路》课程教学大纲 (24)《信号与系统》课程教学大纲 (28)《电磁场与电磁波》课程教学大纲 (33)《数字信号处理》课程教学大纲 (41)《电路分析基础》课程教学大纲 (48)《Matlab语言》课程教学大纲 (53)《工程图学》课程教学大纲 (56)《专业英语》课程教学大纲 (60)《专业文献检索》课程教学大纲 (64)《新技术讲座》课程教学大纲 (67)《量子力学》课程教学大纲 (70)《固体物理与半导体物理》课程教学大纲 (74)《激光原理与技术》课程教学大纲 (80)《材料物理》课程教学大纲 (93)《微电子学》课程教学大纲 (98)《光电技术》课程教学大纲 (104)《光纤技术与应用》课程教学大纲 (110)《半导体器件工艺》课程教学大纲 (115)《半导体传感器》课程教学大纲 (121)《纳米材料与器件》课程教学大纲 (126)《LED制造技术与应用》课程教学大纲 (131)《信息光学》课程教学大纲 (135)《实时操作系统》课程教学大纲 (141)《嵌入式系统原理与应用》课程教学大纲 (147)《面向对象程序设计》课程教学大纲 (152)《互动多媒体技术》课程教学大纲 (159)《软件工程》课程教学大纲 (164)《数字信号处理》课程教学大纲 (170)《传感器原理及应用》课程教学大纲 (176)《语音信号处理》课程教学大纲 (182)《数字图像处理》课程教学大纲 (185)《DSP技术与应用》课程教学大纲 (189)《SoPC原理及应用》教学大纲 (195)《数学物理方法》课程教学大纲课程代号： 31100380总学时：64（讲授/理论 64学时，实验/技术/技能0学时，上机/课外实践0学时）适用专业：物理学先修课程：高等数学一、本课程地位、性质和任务本课程为后续的理论物理课程（如量子力学、电动力学等）和其它一些专业课程（如傅里叶光学等）提供必要的数学基础工具，是物理系的一门主要课程。
中南大学电工学及习题答案
发电机
升压 变压器
输电线
负载: 取用 电能的装置
降压 变压器
电灯 电动机 电炉
...
中间环节：传递、分 配和控制电能的作用
2.电路的组成部分
信号处理：
放大、调谐、检波等
信号源:
提供信息 话筒
放 扬声器
大
器
直流电源:
负载
提供能源
直流电源
激励：电源或信号源的电压或电流，推动电路工作;
响应: 由激励所产生的电压和电流; 电路分析：在电路结构、电源和负载等参数已知的 条件下，讨论激励和响应之间的关系。
2 通过习题来巩固和加深所学理论 、培 养分析能力和运算能力
3 在实验中体会电学现象
考核方法 平时成绩占30%
考试成绩占70%
作业
做电工学1练习册上的作业。交作业时， 写明专业班级、学号、姓名、编号
参考教材:电工学(秦曾煌) 电工学（唐介） 电工电子技术（李守成）
第1讲 电路的基本概念及定律
1-1 电路的作用、组成及电路模型 1-2 电路变量及电路的参考方向 1-3 理想电路元件
1-1 电路的作用、组成及电路模型
电路是电流的通路，是为了某种需要由电工设备
或电路元件按一定方式组合而成。
1. 电路的作用 (1) 实现电能的传输、分配与转换
发电机
升压 输电线 变压器
(2)实现信号的传递与处理
降压 变压器
电灯 电动机
电炉
...
话筒 放 扬声器
大 器
2. 电路的组成部分
电源: 提供 电能的装置
Ri
u
B
二、电阻消耗的功率
P ui i2R u2 / R
电阻一般把吸收的电能转换成热能消耗掉。
(完整word版)模拟电路复习资料
学习资料第一章 半导体器件 一、学习要求1. 掌握半导体管的伏安特性和主要参数（U ON 、I S 、U BR 、I Z 、P ZM )2. 掌握三极管的输入和输出特性（1.3.3）3. 掌握场效应管的工作原理（如何形成导电沟道然后工作在恒流区）4. 理解PN 结的单向导电性5. 理解三极管的放大原理二、复习思考题1. 选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e U B. TU U I eS C. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（5）在本征半导体中，电子浓度 空穴浓度，在P 型半导体中，电子浓度 空穴浓度。
当PN 节外加正向电压时，扩散电流 漂移电流。
2、 电路如图所示，V CC ＝15V ，β＝100，U BE ＝0.7V 。
试问： （1）R b ＝50k Ω时，u O ＝？（2）若T 临界饱和，则R b ≈？3、 已知图所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。
（1）分别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值；（2）若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？第二章放大电路的基本原理和分析方法一、学习要求1. 掌握放大电路的主要技术指标（2.2节、放大电路技术指标测试示意图）2. 掌握放大电路静态和动态的概念和分析方法（直流通路和交流通路的概念、图解法、微变等效电路法）3. 掌握两种单管共射放大电路的工作原理（估算静态工作点Q、A U、R I、R O)4. 掌握放大电路三种基本组态的性能特点（2.6.3节）5. 理解图解法的对输出波形失真情况的分析；最大不失真输出电压的概念和求解6. 理解放大电路的三种耦合方式；直接耦合放大电路的温漂现象二、复习思考题1. （1）共集电极放大电路的特点是电压放大倍数A__________，输入电阻_________，输出电阻_________。
中南大学模电复习提要学时解析PPT课件
+VCC Rb
（左、右电路对RL一边分一半）
（2）共模电压放大倍数
Ac 0
（3）差模输入电阻
Rid 2 Rb rbe
（4）输出电阻 Ro 2Rc
双端输入单端输出差动放大电路分析小结
第1章 常用半导体器件（1）
1. 概念：本征半导体、杂质半导体、载流子、多 子、少子、N型半导体、P型半导体、PN结、 耗尽层、扩散运动、漂移运动
2. PN结的形成、单向导电性、电容效应、伏安特 性（公式、曲线）
3. 二极管的伏安特性（公式、曲线）、开启电压
第1章 常用半导体器件（2）
4. 稳压二极管的作用、伏安特性 5. 三极管的结构、电流放大系数、输入输出特性
动态参数 10. 多级放大电路的耦合方式、动态参数
第3章 放大电路的频率响应
1. 概念：频率响应、截止频率、上限频率、下限 频率、通频带、波特图、幅频特性、相频特性、 通带电压放大倍数
2. 根据幅频特性化波特图 3. 根据波特图写频率特性
记住频率响应标准表达式：
f
A u
A um
1
S端夹断
×
P沟道场效应管工作状态的判别
iD /mA
D iD
B G
S P 沟道增强型
D iD
B G
S P 沟道耗尽型
D iD UGS(th)
UGS(off)
G S
– 2 O 2 uGS /V
P 沟道结型(耗尽型)
工作状态 恒流区
可变阻区 夹断区
UGS
UGS<UGS(th) , UGS<UGS(off) S端开启
UGD
UGS>UGS(th) , UGS>UGS(off)
模拟电子技术(中南大学)智慧树知到答案章节测试2023年
第一章测试1.BJT管的输入电阻比MOSFET的输入电阻高。
A:错B:对答案:A2.稳压管的稳压作用是利用了PN结的反向截止特性。
A:错B:对答案:A3.要实现BJT的放大作用，对发射结与集电结的要求是（）。
A:发射结正偏，集电结反偏B:发射结反偏，集电结正偏C:发射结正偏，集电结正偏D:发射结反偏，集电结反偏答案:A4.工作在放大区的某晶体三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为（）。
A:90B:100C:83D:50答案:B5.在放大电路中，测得BJT管三个管脚电位分别为6V、6.7V、12V，则这三个管脚分别是（）。
A:C、B、EB:E、C、BC:E、B、CD:C、E、B答案:C6.A:8.7B:4.3C:5.7D:73答案:C7.设某增强型N沟道MOS管UGS（th）=3V，试问当它的栅源电压uGS=2.5V时，该管处于（）区。
A:击穿B:截止C:放大D:可变电阻答案:B8.A:cB:aC:bD:d答案:AB9.A:cB:dC:bD:a答案:AD10.A:bB:cC:dD:a答案:AC第二章测试1.阻容耦合两级放大电路各级的Q点相互独立，所以可以各级独自计算各自的Q点。
A:错B:对答案:B2.耗尽型NMOS管的多子与少子都参与导电。
（）A:对B:错答案:B3.A:12B:0.5C:6D:0.7答案:A4.设某增强型N沟道MOS管UGS（th）=3V，试问当它的栅源电压uGS=2.5V时，该管处于（）状态。
A:截止B:饱和C:击穿D:放大答案:A5.A:5.7B:4.24C:6D:4.03答案:D6.A:= -1200B:>1200C:=1200D:<1200答案:D7.A:10B:100C:40答案:B8.现有直接耦合基本放大电路如下,有电流放大作用的电路是（）。
A:共集电路B:共源电路C:共基电路D:共漏电路E:共射电路答案:ABDE9.A:B:C:D:答案:BCD10.在多级放大电路下列三种三种耦合方式中，（）耦合不能放大直流信号。
中南大学往届电子技术试卷及答案
-——○--—○—————-○———○———………… 评卷密封线 ……………… 密封线内不要答题，密封线外不准填写考生信息，违者考试成绩按0分处理 ……………… 评卷密封线 ………… 中南大学考试试卷（1) 20 ~20 学年 1 学期 电子技术 课程 时间100分钟分,每小题2分） 1、电路如图所示，所有二极管均为理想元件，则D1、D2、D3的工作状态为（ ）。
A ．D1导通,D2、D3截止； B ．D1、D2截止，D3导通； C ．D1、D3截止，D2导通； D ．D1、D2、D3均截止； 2、存储器的电路结构中包含（ ）、存储电路和输入/输出电路（或读写控制电路)这三个组成部分. 3、已知Intel2114是1K ＊ 4位的RAM 集成电路芯片,它有地址线（ ）条,数据线( ）条。
4、右图所示波形反映的逻辑函数是( ）。
（其中A 、B 为输入波形，Y 为输出波形） A ．与非; B ．异或； C ．同或； D ．或; 5、对功率放大电路的基本要求是在不失真的情况下能有（ ）。
A ．尽可能高的电压放大倍数 B 。
尽可能大的输出功率 C 。
尽可能小的零点漂移6、位D/A 转换器当输入数字量10000000为5v.若只有最低位为高电平，则输出电压为( )v;当输入为10001000，则输出电压为( ）v 。
7、已知被转换的信号的上限截止频率为10kHz ，则A/D 转换器的采样频率应高于（ )kHz ；完成一次转换所用的时间应小于（ ）.三、四、二、简答题（24分）1．写出下图电路输出逻辑表达式.2．图中各触发器的初始状态Q＝0,试画出在CP信号连续作用下各触发器Q端的电压波形。
6、如图所示为一555定时器应用电路（1)说明该电路的功能；（2）试画出电路的电压传输特性曲线.4．下图电路中，变压器副边电压有效值为2U2。
(1)画出u2、u D1和u O的波形；（2)求出输出电压平均值U O（AV）三、电路如图所示，晶体管的 ＝80，=1。
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Au Aum
在波特图中，在低频段， 当f ↓时，凡使曲线斜率增 加20dB/dec的转折频率fL 对应有一因子：
j f fL f 1 j fL
在波特图中，在高频段， 当f ↑时，凡使曲线斜率 增加-20dB/dec的转折频 率fH对应有一因子：
jf 1 fH
Pv 2 VCC U OM 2 VCC (VCC U CES ) , Pvm RL RL
+VCC T1
+ ui
RL T2 VCC
+ uo
Po U OM VCC U CES , m Pv 4 VCC 4 VCC
2 VCC 2 0.2 Pom RL
电流反馈：负载
例：判断下列电路引入的是电压反馈还是电流反馈？
io
+ uf -
RL
if
io
用输出开路法：io=0时uf存在 故为电压反馈 用输出短路法：uo=0时uf=0 故为电压反馈
用输出开路法：io=0时if=0 故为电流反馈 用输出短路法：uo=0时if存在 故为电流反馈
例：判断下列电路引入的是电压反馈还是电流反馈？
可变阻区
夹断区
UGS<UGS(th) , UGS<UGS(off) S端开启
UGS>UGS(th) ,UGS>UGS(off) S端夹断
UGD<UGS(th) , UGD<UGS(off) D端开启
×
第2章 基本放大电路
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. BJT单管放大电路三种组态的工作原理 FET放大电路两种组态（CS、CD）的工作原理 静态工作点的求法、设置静态工作点的必要性 直流通路、交流通路、静态、动态 晶体管共射h参数等效模型（简化模型） 直流负载线、交流负载线、交流负载线的特性 基本放大电路的动态参数 分压式偏置共射放大电路的动态参数 共集放大电路（射极输出器、射极跟随器）的 动态参数 10. 多级放大电路的耦合方式、动态参数
工作状 态 恒流区 UGS UGS>UGS(th) , UGS>UGS(off) S端开启 UGS>UGS(th) , UGS>UGS(off) S端开启 UGS<UGS(th) ,UGS<UGS(off) S端夹断 UGD
UGD<UGS(th) , UGD<UGS(off) D端夹断
UGD>UGS(th) , UGD>UGS(off) D端开启
PT 1m PT 2 m
Pom ——最大不失真输出功率 PT1m 、 PT2m ——最大管耗
第5章 模拟集成电路（1）
1. 镜像电流源、改进型镜像电流源、微电流源、 比例电流源、多路电流源的结构、原理 2. 概念：零点漂移、温度漂移（温漂）、漂移电 压、共模信号、差模信号、共模放大倍数、差 模放大倍数、共模抑制比 3. 如何将两个普通输入信号分解为共模分量和差 模分量 4. 集成运放的构造原理 5. 差分放大电路抑制温漂的工作原理
Rc
T1
u + o+ RL + uo1 uo2 Re -VEE
Rc
T2
+VCC
Rb
C端电阻 Ad 输入电阻 RL RL 2( Rc // ) Rc // 2 2 2 Rb rbe） （ Rb rbe
ui -
（左、右电路对RL一边分一半）
（2）共模电压放大倍数 （3）差模输入电阻 （4）输出电阻
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对于图(a)和图(b)所示加减运算电路，若RN＝ RP，
则有式(a)、式(b)成立。
第8章 波形发生与信号转换电路
正弦波振荡电路的组成、起振条件和平衡条件 判断电路是否可能产生正弦波振荡的方法 RC正弦波振荡电路的起振条件与稳幅措施 变压器反馈式、电感反馈式、电容反馈式振荡 电路的结构原理、相位平衡条件 5. 过零比较器、单限比较器、窗口比较器、滞回 比较器的概念 6. 滞回比较器的电路结构、阈值电压的求法 7. 矩形波发生器、三角波发生器、锯齿波发生器 的电路结构、工作原理（定性分析） 1. 2. 3. 4.
或
f 1 L jf
第4章 功率放大电路
1. 概念：互补推挽工作方式、甲类状态、乙类状 态、甲乙类状态、三极管的导通角、最大输出 功率、转换效率、交越失真 2. OCL电路的组成与工作原理，消除交越失真的 方法 3. 复合管的构成
总结： 2 U om (VCC U CES ) 2 Po , Pom RL 2 RL
（以NPN型为例）
工作状态 截止 放大 IB IB =0 0<IB <IBS IC IC =0 IC =βIB IE IE=0 IE =(1+β)IB
饱和
IB >IBS
IC <βIB
IE <(1+β)IB
iD /mA N沟道场效应管工作状态的判别 D D D i D iD iD UGS(off) UGS(th) B B G G G – 2 O 2 uGS /V S S S N 沟道耗尽型 N 沟道结型(耗尽型) N 沟道增强型
第9章 直流电源
1. 半波整流、全波整流电路的工作原理 2. 电容滤波、稳压管稳压电路 3. 串连型稳压电路的组成、原理、特点
半波整流，无滤波： 半波整流，C滤波，RL =∞：
U(oav) = 0.45 U2 U(oav) = 1.4U2
半波整流，C滤波，RL有限： U(oav) = 1.0U2 全波整流，无滤波： 全波整流，C滤波，RL =∞： U(oav) = 0.9 U2 U(oav) = 1.4U2
第5章 模拟集成电路（2）
1. 差模信号、差模输入信号的关系 2. 掌握“半电路分析法” 3. 双入双出、双入单出、单入双出、单入单出差动 放大电路的动态参数 4. 理想集成运放的特性、虚短、虚断 5. 集成运放工作在线性区及非线性区的条件及特点
双端输入双端输出小结
(1)差模电压放大倍数 + Rb
第3章 放大电路的频率响应
1. 概念：频率响应、截止频率、上限频率、下限 频率、通频带、波特图、幅频特性、相频特性、 通带电压放大倍数 2. 根据幅频特性化波特图 3. 根据波特图写频率特性
记住频率响应标准表达式：
f Aum fL f f f jf 1 j 1 j 1 L 1 f L fH jf fH j
全波整流，C滤波，RL有限： U(oav) = 1.2U2
Rid 2Rb rbe
Ac 0
Ro 2Rc
双端输入单端输出差动放大电路分析小结 (1)差模电压放大倍数 uo C端电阻 Ad uid 输入电阻
Rc // RL 2 Rb rbe
Rb + ui -
Rc
T1
Rc
+VCC
Rb
RL
+ uo Re -VEE
×
可变阻 区 夹断区
iD /mA P沟道场效应管工作状态的判别 D D D i D iD UGS(off) iD UGS(th) B B G G G – 2 O 2 uGS /V S S S P 沟道耗尽型 P 沟道结型(耗尽型) P 沟道增强型
工作状态 恒流区 UGS UGS<UGS(th) , UGS<UGS(off) S端开启 UGD UGD>UGS(th) , UGD>UGS(off) D端夹断
T2
（2）差模输入电阻 （3）输出电阻
Rid 2Rb rbe
Ro Rc
(4)共模电压放大倍数 (5)共模抑制比
K CMR
' Rc' Rc uoc uo Ac uic ui 1 Rb rbe 2(1 ) Re 2 Re
Ad Rb rbe 2(1 ) Re Ac 2( Rb rbe )
第6章 放大电路的反馈
1. 概念：反馈、正反馈、负反馈、直流反馈、交 流反馈、开环、闭环 2. 反馈极性的判断（瞬时极性法） 3. 直流反馈与交流反馈的判断 4. 负反馈放大电路的四种基本组态（会判断） 5. 负反馈放大电路的方块图及一般表达式 6. 深度负反馈的实质 7. 负反馈对放大电路性能的影响 8. 放大电路中引入负反馈的一般原则
第1章 常用半导体器件（1）
1. 概念：本征半导体、杂质半导体、载流子、多 子、少子、N型半导体、P型半导体、PN结、 耗尽层、扩散运动、漂移运动 2. PN结的形成、单向导电性、电容效应、伏安特 性（公式、曲线） 3. 二极管的伏安特性（公式、曲线）、开启电压
第1章 常用半导体器件（2）
4. 稳压二极管的作用、伏安特性 5. 三极管的结构、电流放大系数、输入输出特性 曲线、工作状态判别（根据电压、电流判别）、 管型、材料、管脚判别 6. 结型场效应管、绝缘栅场效应管、N沟道、P沟 道、增强型、耗尽型、开启电压、夹断电压、 特性曲线
第7章 信号的运算与处理电路（2）
1. 概念：滤波、有源滤波、无源滤波、低通滤波、 高通滤波、带通滤波、带阻滤波、全通滤波、 滤波器的阶数、截至频率、上限频率、下限频 率、阻带、通带、过渡带 2. 一阶LPF、简单二阶LPF、二阶压控电压源LPF、 二阶压控电压源HPF的电路结构 3. 带通、带阻滤波器的电路结构
根据 三极管结偏置判断工作状态
（以NPN型为例）
工作状态 截止 放大 发射结 偏置太小、 零偏、反偏 正偏 集电结 反偏 反偏 电位或电压 UBE<Uon
VC>VB>VE UBE>Uon
VB>VC， VB>VE UBE>Uon